Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактОдиночные IGBT(3888)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Прекращение действия | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Тип входа | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Текущий рейтинг | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Рабочее напряжение питания | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Текущий | Достичь соответствия кода | Код HTS | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Полярность | Напряжение | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Базовый номер детали | Количество контактов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Максимальный переход температуры (Tj) | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Включить время задержки | Время подъема | Время задержки отключения | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Полярность/Тип канала | Непрерывный ток коллектора | Количество выходов | Мощность - Макс. | Зажимное напряжение | Максимальное напряжение проба | Код JEDEC-95 | Обратное время восстановления | Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Время включения | Коллектор-эмиттер напряжения (VCEO) | Макс. ток коллектора | Время нарастания-Макс. | Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) | Ток-Коллектор (Ic) (Макс) | Время выключения-Nom (toff) | Условия испытаний | Напряжение затвор-эмиттер-Макс. | Затвор-эмиттер Thr Напряжение-Макс. | Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic | Тип БТИЗ | Заряд от ворот | Ток-коллекторный импульсный (Icm) | Td (вкл/выкл) при 25°C | Переключение энергии | Время падения-Макс (тс) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| ISL9V5036P3-F085 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, EcoSPARK® | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°С~175°С, ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Логика | Соответствует ROHS3 | 2017 год | /files/onsemiconductor-isl9v5036p3f085-datasheets-4600.pdf | ТО-220-3 | 360В | 3 | 4 недели | 1,8 г | Нет СВХК | 3 | да | Нет | е3 | Олово (Вс) | 250 Вт | ИСЛ9В5036 | Одинокий | 1 | БИП-транзисторы с изолированным затвором | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | УПРАВЛЕНИЕ ПИТАНИЕМ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 1 | 250 Вт | 360В | ТО-220АБ | 390В | 1,17 В | 2800 нс | 1,6 В | 46А | 7000 нс | 13600 нс | 300 В, 1 кОм, 5 В | 2,2 В | 1,6 В @ 4 В, 10 А | 32 НК | -/10,8 мкс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| STGP19NC60HD | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | PowerMESH™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-stgw19nc60hd-datasheets-4405.pdf | ТО-220-3 | 10,4 мм | 15,75 мм | 4,6 мм | Без свинца | 3 | 8 недель | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (Последнее обновление: 8 месяцев назад) | EAR99 | Нет | 130 Вт | СТГП19 | 3 | Одинокий | 130 Вт | 1 | БИП-транзисторы с изолированным затвором | 25 нс | 7нс | 97 нс | КРЕМНИЙ | УПРАВЛЕНИЕ ПИТАНИЕМ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | ТО-220АБ | 31 нс | 600В | 2,5 В | 32 нс | 600В | 40А | 272 нс | 390 В, 12 А, 10 Ом, 15 В | 20 В | 5,75 В | 2,5 В @ 15 В, 12 А | 53нК | 60А | 25 нс/97 нс | 85 мкДж (вкл.), 189 мкДж (выкл.) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФГХ40Н60СФДТУ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | ТО-247-3 | 15,87 мм | 20,82 мм | 4,82 мм | Без свинца | 3 | 10 недель | 6,39 г | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 4 дня назад) | да | EAR99 | НИЗКИЕ ПОТЕРИ ПРОВОДИМОСТИ | Нет | 8541.29.00.95 | е3 | Олово (Вс) | 290 Вт | ФГХ40Н60 | Одинокий | 1 | БИП-транзисторы с изолированным затвором | 25 нс | 115 нс | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | УПРАВЛЕНИЕ ПИТАНИЕМ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 290 Вт | ТО-247АБ | 45 нс | 600В | 108 нс | 600В | 80А | 170 нс | 400 В, 40 А, 10 Ом, 15 В | 20 В | 6,5 В | 2,9 В при 15 В, 40 А | Полевая остановка | 120 НК | 120А | 25 нс/115 нс | 1,13 мДж (вкл.), 310 мкДж (выкл.) | 90 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СТГВ60В60ДФ | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-stgwa60v60df-datasheets-2509.pdf | ТО-247-3 | 15,75 мм | 20,15 мм | 5,15 мм | Без свинца | 20 недель | Нет СВХК | 3 | EAR99 | Нет | 375 Вт | СТГВ60 | Одинокий | 375 Вт | БИП-транзисторы с изолированным затвором | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 74нс | 600В | 2,35 В | 600В | 80А | 400 В, 60 А, 4,7 Ом, 15 В | 20 В | 2,3 В @ 15 В, 60 А | Траншейная полевая остановка | 334нК | 240А | 60 нс/208 нс | 750 мкДж (вкл.), 550 мкДж (выкл.) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СГП02Н120ХКСА1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2007 год | /files/infineontechnologies-sgi02n120xksa1-datasheets-5805.pdf | ТО-220-3 | 3 | 16 недель | да | EAR99 | е3 | Олово (Вс) | НЕТ | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Не квалифицирован | Р-ПСФМ-Т3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | УПРАВЛЕНИЕ ПИТАНИЕМ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 62 Вт | ТО-220АБ | 40 нс | 1200В | 6,2А | 375 нс | 800 В, 2 А, 91 Ом, 15 В | 3,6 В @ 15 В, 2 А | ДНЯО | 11 НК | 9,6А | 23 нс/260 нс | 220 мкДж | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СГС5Н60РУФДТУ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует RoHS | /files/onsemiconductor-sgs5n60rufdtu-datasheets-4638.pdf | 600В | 5А | ТО-220-3 Полный пакет | Без свинца | 3 | 35 Вт | Одинокий | 35 Вт | 55нс | 600В | 2,2 В | 600В | 8А | 300 В, 5 А, 40 Ом, 15 В | 2,8 В @ 15 В, 5 А | 16 НК | 15А | 13 нс/34 нс | 88 мкДж (вкл.), 107 мкДж (выкл.) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФГХ40Н60СМДФ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/onsemiconductor-fgh40n60smdf-datasheets-4639.pdf | ТО-247-3 | 15,6 мм | 20,6 мм | 4,7 мм | Без свинца | 3 | 4 недели | 6,39 г | Нет СВХК | 3 | да | EAR99 | Олово | Нет | 8541.29.00.95 | е3 | 349 Вт | ФГХ40Н60 | Одинокий | 349 Вт | 1 | БИП-транзисторы с изолированным затвором | 12 нс | 92 нс | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | УПРАВЛЕНИЕ ПИТАНИЕМ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | ТО-247АБ | 90 нс | 600В | 1,9 В | 37 нс | 600В | 80А | 28нс | 132 нс | 400 В, 40 А, 6 Ом, 15 В | 20 В | 6В | 2,5 В при 15 В, 40 А | Полевая остановка | 119 НК | 120А | 12 нс/92 нс | 1,3 мДж (вкл.), 260 мкДж (выкл.) | 17нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СГР15Н40ЛТФ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует RoHS | /files/onsemiconductor-sgu15n40ltu-datasheets-4246.pdf | 400В | 130А | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | Без свинца | 3 | 45 Вт | Одинокий | 45 Вт | 400В | 4,5 В | 400В | 8 В @ 4,5 В, 130 А | Тренч | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИСЛ9В3040Д3СТ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ЭкоСПАРК® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~175°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Логика | Соответствует ROHS3 | 2017 год | /files/onsemiconductor-isl9v3040s3s-datasheets-4214.pdf | 400В | 21А | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 6,73 мм | 2,39 мм | 6,22 мм | Без свинца | 2 | 24 недели | 260,36202мг | Нет СВХК | 3 | да | EAR99 | Олово | Нет | 21А | е3 | 400В | 150 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | ИСЛ9В3040 | Одинокий | 150 Вт | 1 | БИП-транзисторы с изолированным затвором | Р-ПССО-Г2 | 4 мкс | 2,1 мкс | 15 мкс | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | АВТОМОБИЛЬНОЕ ЗАЖИГАНИЕ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 1 | 430В | ТО-252АА | 430В | 1,9 В | 2800 нс | 390В | 21А | 7600 нс | 300 В, 1 кОм, 5 В | 1,6 В @ 4 В, 6 А | 17 НК | -/4,8 мкс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXBH32N300 | IXYS / Литтльфус | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | БИМОСФЕТ™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/ixys-ixbt32n300-datasheets-5732.pdf | ТО-247-3 | 3 | 8 недель | да | НИЗКИЕ ПОТЕРИ ПРОВОДИМОСТИ | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | 400 Вт | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | БИП-транзисторы с изолированным затвором | Не квалифицирован | Р-ПСФМ-Т3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | УПРАВЛЕНИЕ ПИТАНИЕМ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 400 Вт | 1,5 мкс | 3кВ | 573 нс | 3,2 В | 80А | 3000В | 795 нс | 20 В | 5В | 3,2 В @ 15 В, 32 А | 142 НК | 280А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| STGP10NC60HD | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | PowerMESH™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-stgf10nc60hd-datasheets-5037.pdf | 600В | 20А | ТО-220-3 | 10,4 мм | 9,15 мм | 4,6 мм | Без свинца | 3 | 8 недель | 350,003213мг | 3 | АКТИВНО (Последнее обновление: 8 месяцев назад) | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | 65 Вт | СТГП10 | 3 | Одинокий | 56 Вт | 1 | БИП-транзисторы с изолированным затвором | 14,2 нс | 5нс | 72 нс | КРЕМНИЙ | УПРАВЛЕНИЕ ДВИГАТЕЛЕМ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 7А | ТО-220АБ | 22 нс | 600В | 1,9 В | 19 нс | 600В | 20А | 247 нс | 390 В, 5 А, 10 Ом, 15 В | 20 В | 5,75 В | 2,5 В @ 15 В, 5 А | 19,2 нК | 30А | 14,2 нс/72 нс | 31,8 мкДж (вкл.), 95 мкДж (выкл.) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IKW40T120FKSA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчСтоп® | Сквозное отверстие | -40°С~150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/infineontechnologies-ikw40t120fksa1-datasheets-4496.pdf | ТО-247-3 | 3 | 14 недель | да | EAR99 | е3 | Олово (Вс) | НЕТ | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Р-ПСФМ-Т3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | УПРАВЛЕНИЕ ПИТАНИЕМ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 270 Вт | ТО-247АД | 240 нс | 92 нс | 1200В | 75А | 700 нс | 600 В, 40 А, 15 Ом, 15 В | 2,3 В @ 15 В, 40 А | ДНЯО, Остановка траншейного поля | 203 НК | 105А | 48 нс/480 нс | 6,5 мДж | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИГВ25Н120Х3ФКСА1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчСтоп® | Сквозное отверстие | -40°С~175°С, ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/infineontechnologies-igw25n120h3fksa1-datasheets-4584.pdf | ТО-247-3 | 3 | 16 недель | да | EAR99 | е3 | Олово (Вс) | НЕТ | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Не квалифицирован | Р-ПСФМ-Т3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | УПРАВЛЕНИЕ ПИТАНИЕМ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 326 Вт | 61 нс | 1200В | 50А | 397 нс | 600 В, 25 А, 23 Ом, 15 В | 2,4 В @ 15 В, 25 А | Траншейная полевая остановка | 115 НК | 100А | 27 нс/277 нс | 2,65 мДж | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФГА25Н120АНТДТУ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | /files/onsemiconductor-fga25n120antdtu-datasheets-4499.pdf | 1,2 кВ | 50А | ТО-3П-3, СК-65-3 | 15,8 мм | 23,8 мм | 5 мм | Без свинца | 6 недель | 6.40101г | 3 | EAR99 | Нет | 8541.29.00.95 | е3 | Олово (Вс) | 312 Вт | ФГА25Н120А | Одинокий | 312 МВт | БИП-транзисторы с изолированным затвором | 150°С | 50 нс | 60нс | 190 нс | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 50А | 350 нс | 1,2 кВ | 2,65 В | 1,2 кВ | 50А | 1200В | 600 В, 25 А, 10 Ом, 15 В | 20 В | 7,5 В | 2,65 В @ 15 В, 50 А | ДНЯО и Траншея | 200 НК | 90А | 50 нс/190 нс | 4,1 мДж (вкл.), 960 мкДж (выкл.) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ХГТГ20Н60Б3Д | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°С~150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/onsemiconductor-hgtg20n60b3d-datasheets-8224.pdf | 600В | 20А | ТО-247-3 | Без свинца | 3 | 6,39 г | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО, НЕ ЗАПИСЫВАЕТСЯ (последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | НИЗКИЕ ПОТЕРИ ПРОВОДИМОСТИ | Нет | 8541.29.00.95 | е3 | Олово (Вс) | НПН | 165 Вт | ХГТГ20Н60 | Одинокий | 165 Вт | 1 | 25 нс | 20 нс | 220 нс | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | УПРАВЛЕНИЕ ДВИГАТЕЛЕМ | 600В | 55нс | 600В | 1,8 В | 45 нс | 600В | 40А | 360 нс | 2 В @ 15 В, 20 А | 80 НК | 160А | 475 мкДж (вкл.), 1,05 мДж (выкл.) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СТГВ30Х60ДФБ | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-stgwa30h60dfb-datasheets-1560.pdf | ТО-247-3 | 15,75 мм | 20,15 мм | 5,15 мм | Без свинца | 20 недель | 38.000013г | 3 | EAR99 | 260 Вт | НЕ УКАЗАН | СТГВ30 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 260 Вт | 53 нс | 600В | 1,55 В | 600В | 60А | 400 В, 30 А, 10 Ом, 15 В | 2В @ 15В, 30А | Траншейная полевая остановка | 149 НК | 120А | 37 нс/146 нс | 383 мкДж (вкл.), 293 мкДж (выкл.) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ХГТП20Н60А4 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | /files/onsemiconductor-hgtp20n60a4-datasheets-4517.pdf | 600В | 70А | ТО-220-3 | 10,67 мм | 9,4 мм | 4,83 мм | Без свинца | 3 | 44 недели | 1,8 г | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО, НЕ ЗАПИСЫВАЕТСЯ (последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | НИЗКИЕ ПОТЕРИ ПРОВОДИМОСТИ | Олово | Нет | 8541.29.00.95 | е3 | 290 Вт | Одинокий | 290 Вт | 1 | 15 нс | 12нс | 73 нс | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | УПРАВЛЕНИЕ ПИТАНИЕМ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 70А | 600В | 1,8 В | 28 нс | 600В | 70А | 160 нс | 390 В, 20 А, 3 Ом, 15 В | 2,7 В @ 15 В, 20 А | 142 НК | 280А | 15 нс/73 нс | 105 мкДж (вкл.), 150 мкДж (выкл.) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ХГТ1С20Н60А4С9А | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Стандартный | Соответствует RoHS | /files/onsemiconductor-hgt1s20n60a4s9a-datasheets-4534.pdf | 600В | 70А | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | Без свинца | Нет СВХК | 3 | 290 Вт | Одинокий | 290 Вт | ТО-263АБ | 12нс | 290 Вт | 600В | 1,8 В | 600В | 70А | 600В | 70А | 390В, 20А, 3Ом, 15В | 2,7 В @ 15 В, 20 А | 142 НК | 280А | 15 нс/73 нс | 105 мкДж (вкл.), 150 мкДж (выкл.) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФГА25Н120АНТДТУ-Ф109 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | /files/onsemiconductor-fga25n120antdtu-datasheets-4499.pdf | ТО-3П-3, СК-65-3 | 15,8 мм | 18,9 мм | 5 мм | 6 недель | 6,401 г | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) | да | EAR99 | Нет | 312 Вт | ФГА25Н120А | Одинокий | БИП-транзисторы с изолированным затвором | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 312 Вт | 350 нс | 1,2 кВ | 1,2 кВ | 50А | 90 нс | 1200В | 600 В, 25 А, 10 Ом, 15 В | 20 В | 7,5 В | 2,65 В @ 15 В, 50 А | ДНЯО и Траншея | 200 НК | 90А | 50 нс/190 нс | 4,1 мДж (вкл.), 960 мкДж (выкл.) | 180 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXBX55N300 | IXYS / Литтльфус | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | БИМОСФЕТ™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/ixys-ixbx55n300-datasheets-4545.pdf | ТО-247-3 | 3 | 8 недель | да | НИЗКИЕ ПОТЕРИ ПРОВОДИМОСТИ | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | 625 Вт | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | БИП-транзисторы с изолированным затвором | Не квалифицирован | Р-ПСФМ-Т3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | УПРАВЛЕНИЕ ПИТАНИЕМ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 625 Вт | 1,9 мкс | 3кВ | 637 нс | 3,2 В | 130А | 3000В | 475 нс | 25 В | 5В | 3,2 В при 15 В, 55 А | 335 НК | 600А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ХГТГ20Н60А4Д | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/onsemiconductor-hgtg20n60a4d-datasheets-8255.pdf | 600В | 70А | ТО-247-3 | 15,87 мм | 20,82 мм | 4,82 мм | Без свинца | 3 | 4 недели | 6,39 г | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО, НЕ ЗАПИСЫВАЕТСЯ (последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | НИЗКИЕ ПОТЕРИ ПРОВОДИМОСТИ | Нет | 8541.29.00.95 | е3 | Олово (Вс) | 290 Вт | ХГТГ20Н60 | Одинокий | 290 Вт | 1 | 15 нс | 12нс | 73 нс | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | УПРАВЛЕНИЕ ПИТАНИЕМ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 600В | 35 нс | 600В | 1,8 В | 28 нс | 600В | 70А | 160 нс | 390 В, 20 А, 3 Ом, 15 В | 2,7 В @ 15 В, 20 А | 142 НК | 280А | 15 нс/73 нс | 105 мкДж (вкл.), 150 мкДж (выкл.) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXBX50N360HV | IXYS / Литтльфус | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | БИМОСФЕТ™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/ixys-ixbx50n360hv-datasheets-4560.pdf | ТО-247-3 Вариант | 24 недели | неизвестный | 660 Вт | 660 Вт | 1,7 мкс | 3,6 кВ | 2,9 В | 125А | 3600В | 960 В, 50 А, 5 Ом, 15 В | 2,9 В @ 15 В, 50 А | 210 НК | 420А | 46 нс/205 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXSH40N60B2D1 | IXYS / Литтльфус | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Трубка | Непригодный | Стандартный | Соответствует RoHS | 2005 г. | /files/ixys-ixsh40n60b2d1-datasheets-8266.pdf | 600В | 48А | ТО-247-3 | Без свинца | IXS*40N60 | 600В | 48А | ПТ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXYX40N250CHV | IXYS / Литтльфус | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ХПТ™ | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2017 год | /files/ixys-ixyx40n250chv-datasheets-4563.pdf | ТО-247-3 Вариант | 24 недели | да | 1500 Вт | 2500В | 70А | 1250 В, 40 А, 1 Ом, 15 В | 4 В @ 15 В, 40 А | 270 НК | 380А | 21 нс/200 нс | 11,7 мДж (включено), 6,9 мДж (выключено) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRG4PH50UPBF | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Сквозное отверстие | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | /files/infineontechnologies-irg4ph50upbf-datasheets-4469.pdf | 1,2 кВ | 45А | ТО-247-3 | 15 875 мм | 20,3 мм | 5,3 мм | Без свинца | 3 | 14 недель | Нет СВХК | 3 | EAR99 | НИЗКИЕ ПОТЕРИ ПРОВОДИМОСТИ | Нет | 200 Вт | Одинокий | 200 Вт | 1 | БИП-транзисторы с изолированным затвором | 35 нс | 15 нс | 200 нс | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | УПРАВЛЕНИЕ ПИТАНИЕМ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | ТО-247АС | 1,2 кВ | 3,7 В | 49 нс | 3,7 В | 45А | 1200В | 600 нс | 960 В, 24 А, 5 Ом, 15 В | 20 В | 6В | 3,7 В при 15 В, 24 А | 160 НК | 180А | 35 нс/200 нс | 530 мкДж (вкл.), 1,41 мДж (выкл.) | 500 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ХГТГ7Н60А4 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | /files/onsemiconductor-hgtg7n60a4-datasheets-4480.pdf | ТО-247-3 | EAR99 | совместимый | 125 Вт | 600В | 34А | 390 В, 7 А, 25 Ом, 15 В | 2,7 В @ 15 В, 7 А | 37нК | 56А | 11 нс/100 нс | 55 мкДж (вкл.), 60 мкДж (выкл.) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИСЛ9В2040П3 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ЭкоСПАРК® | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°С~175°С, ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Логика | Соответствует RoHS | /files/onsemiconductor-isl9v2040s3st-datasheets-1023.pdf | 400В | 10А | ТО-220-3 | 400В | Без свинца | 3 | 130 Вт | ИСЛ9В2040 | Одинокий | 130 Вт | 2,17 мкс | 1 | 430В | 390В | 10А | 300 В, 1 кОм, 5 В | 1,9 В @ 4 В, 6 А | 12 НК | -/3,64 мкс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СТГФ14НК60КД | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | PowerMESH™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-stgf14nc60kd-datasheets-4482.pdf | 600В | 11А | ТО-220-3 Полный пакет | 10,4 мм | 9,3 мм | 4,6 мм | Без свинца | 3 | 8 недель | 2,299997г | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (Последнее обновление: 8 месяцев назад) | EAR99 | УЛЬТРА БЫСТРО | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 28 Вт | СТГФ14 | 3 | Одинокий | 28 Вт | 1 | БИП-транзисторы с изолированным затвором | 22,5 нс | 8,5 нс | 116 нс | КРЕМНИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | УПРАВЛЕНИЕ ПИТАНИЕМ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 7А | ТО-220АБ | 37 нс | 600В | 2В | 31,5 нс | 600В | 11А | 340 нс | 390 В, 7 А, 10 Ом, 15 В | 20 В | 7В | 2,5 В @ 15 В, 7 А | 34,4 нк | 50А | 22,5 нс/116 нс | 82 мкДж (вкл.), 155 мкДж (выкл.) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXXX300N60B3 | IXYS / Литтльфус | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | GenX3™, XPT™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/ixys-ixxk300n60b3-datasheets-0629.pdf | ТО-247-3 | 3 | 28 недель | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | неизвестный | 8541.90.00.00 | 2,3 кВт | НЕ УКАЗАН | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 2,3 кВт | 1 | БИП-транзисторы с изолированным затвором | Р-ПСИП-Т3 | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | УПРАВЛЕНИЕ ПИТАНИЕМ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 2300 Вт | 600В | 1,3 В | 137 нс | 1,6 В | 550А | 430 нс | 400 В, 100 А, 1 Ом, 15 В | 20 В | 5,5 В | 1,6 В @ 15 В, 100 А | ПТ | 460 НК | 1140А | 50 нс/190 нс | 3,45 мДж (вкл.), 2,86 мДж (выкл.) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИСЛ9В5045С3С | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ЭкоСПАРК® | Поверхностный монтаж | -40°С~175°С, ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Логика | /files/onsemiconductor-isl9v5045s3s-datasheets-4494.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | совместимый | ИСЛ9В5045 | 300 Вт | 480В | 51А | 300 В, 1 кОм, 5 В | 1,6 В @ 4 В, 10 А | 32 НК | -/10,8 мкс |
