Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактОдиночные МОП-транзисторы(33658)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Режим работы | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Количество контактов | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Без галогенов | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Количество контактов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Входная емкость | Включить время задержки | Время подъема | Осень (тип.) | Время задержки отключения | Непрерывный ток стока (ID) | Напряжение от затвора до источника (Vgs) | Максимальное двойное напряжение питания | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Напряжение стока к источнику (Vdss) | DS Напряжение проба-мин. | Пороговое напряжение | Рассеиваемая мощность-Макс. | Код JEDEC-95 | Максимальный сток (Abs) (ID) | Максимальный импульсный ток стока (IDM) | Источник стока при максимальном сопротивлении | Рейтинг лавинной энергии (Eas) | Напряжение проба стока к источнику | Тип полярного транзистора | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | Номинальный объем | Rds включено (макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс) @ Id | Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | РДС на Максе | Напряжение привода (макс. значение включено, минимальное значение включено) | ВГС (Макс) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IPD60R520CPBTMA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | CoolMOS™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2008 год | /files/infineontechnologies-ipd60r520cpbtma1-datasheets-9393.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 2 | да | EAR99 | Нет | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 4 | 40 | 66 Вт | 1 | Р-ПССО-Г2 | 17 нс | 12нс | 16 нс | 74 нс | 6,8А | 20 В | 600В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 66 Вт Тс | ТО-252АА | 0,52 Ом | N-канал | 630пФ при 100В | 520 мОм при 3,8 А, 10 В | 3,5 В @ 250 мкА | 6,8 А Тс | 31 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| IPD60R520C6BTMA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | CoolMOS™ | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/infineontechnologies-ipd60r520c6atma1-datasheets-7565.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 2 | нет | EAR99 | не_совместимо | е3 | Олово (Вс) | ДА | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 4 | НЕ УКАЗАН | 1 | Не квалифицирован | Р-ПССО-Г2 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 600В | 600В | 66 Вт Тс | 8.1А | 22А | 0,52 Ом | 153 мДж | N-канал | 512пФ при 100 В | 520 мОм при 2,8 А, 10 В | 3,5 В @ 230 мкА | 8.1А Ц | 23,4 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИПД530Н15Н3ГБТМА1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Оптимос™ | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/infineontechnologies-ipd530n15n3gatma1-datasheets-3316.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 2 | нет | EAR99 | совместимый | ДА | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 4 | НЕ УКАЗАН | 1 | Не квалифицирован | Р-ПССО-Г2 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 150 В | 150 В | 68 Вт Тс | 21А | 84А | 0,053Ом | 60 мДж | N-канал | 887пФ при 75В | 53 мОм при 18 А, 10 В | 4 В при 35 мкА | 21А Тц | 12 НК при 10 В | 8В 10В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IPD90R1K2C3BTMA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | CoolMOS™ | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/infineontechnologies-ipd90r1k2c3atma1-datasheets-7966.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 2 | да | EAR99 | не_совместимо | е3 | Олово (Вс) | ДА | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 4 | НЕ УКАЗАН | 1 | Не квалифицирован | Р-ПССО-Г2 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 900В | 900В | 83 Вт Тс | ТО-252АА | 5,1А | 10А | 68 мДж | N-канал | 710пФ при 100В | 1,2 Ом при 2,8 А, 10 В | 3,5 В @ 310 мкА | 5.1А Тс | 28 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IPD042P03L3GBTMA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Оптимос™ | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 1997 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/infineontechnologies-ipd042p03l3gatma1-datasheets-8185.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 2 | 26 недель | нет | EAR99 | СОВМЕСТИМЫЙ ЛОГИЧЕСКИЙ УРОВЕНЬ | не_совместимо | е3 | Олово (Вс) | ДА | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 4 | НЕ УКАЗАН | 1 | Не квалифицирован | Р-ПССО-Г2 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30 В | 30 В | 150 Вт Тс | 70А | 280А | 0,0068Ом | 269 мДж | P-канал | 12400пФ при 15В | 4,2 мОм при 70 А, 10 В | 2 В при 270 мкА | 70А Ц | 175 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИПБ65Р190С6АТМА1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | CoolMOS™ | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2004 г. | /files/infineontechnologies-ipa65r190c6xksa1-datasheets-9912.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | 2 | нет | не_совместимо | е3 | Олово (Вс) | ДА | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 4 | НЕ УКАЗАН | 1 | Не квалифицирован | Р-ПССО-Г2 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 650В | 650В | 151 Вт Тс | 66А | 0,19 Ом | 485 мДж | N-канал | 1620пФ при 100В | 190 мОм при 7,3 А, 10 В | 3,5 В @ 730 мкА | 20,2 А Тс | 73 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IPD068P03L3GBTMA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Оптимос™ | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2008 год | /files/infineontechnologies-ipd068p03l3gatma1-datasheets-8979.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 2 | нет | EAR99 | не_совместимо | е3 | Олово (Вс) | ДА | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 4 | НЕ УКАЗАН | 1 | Не квалифицирован | Р-ПССО-Г2 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30 В | 30 В | 100 Вт Тс | 70А | 280А | 0,0068Ом | 149 мДж | P-канал | 7720пФ при 15 В | 6,8 мОм при 70 А, 10 В | 2 В при 150 мкА | 70А Ц | 91 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИПБ136Н08Н3 Г | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Оптимос™ | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2011 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/infineontechnologies-ipi139n08n3ghksa1-datasheets-4312.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | 2 | да | EAR99 | совместимый | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | ДА | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 4 | 40 | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Не квалифицирован | Р-ПССО-Г2 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 80В | 80В | 79 Вт Тс | 45А | 180А | 0,0136Ом | 50 мДж | N-канал | 1730пФ при 40В | 13,6 мОм при 45 А, 10 В | 3,5 В при 33 мкА | 45А Ц | 25 НК при 10 В | 6В 10В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИПД122Н10Н3ГБТМА1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Оптимос™ | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2011 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/infineontechnologies-ipd122n10n3gbtma1-datasheets-9288.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 2 | нет | EAR99 | совместимый | ДА | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Не квалифицирован | Р-ПССО-Г2 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 100 В | 100 В | 94 Вт Тс | ТО-252АА | 59А | 236А | 0,0122Ом | 70 мДж | N-канал | 2500пФ при 50В | 12,2 мОм при 46 А, 10 В | 3,5 В при 46 мкА | 59А Тк | 35 НК при 10 В | 6В 10В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IPD038N04NGBTMA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Оптимос™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2011 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/infineontechnologies-ipd038n04ngbtma1-datasheets-9308.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 2 | да | EAR99 | неизвестный | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 4 | 40 | 94 Вт | 1 | Не квалифицирован | Р-ПССО-Г2 | 90А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 40В | 40В | 94 Вт Тс | ТО-252АА | 400А | 0,0038Ом | 55 мДж | N-канал | 4500пФ при 20В | 3,8 мОм при 90 А, 10 В | 4 В при 45 мкА | 90А Ц | 56 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||
| ИПБ049N06L3GATMA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Оптимос™ | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | 2011 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/infineontechnologies-ipb049n06l3gatma1-datasheets-9321.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | 2 | да | EAR99 | СОВМЕСТИМЫЙ ЛОГИЧЕСКИЙ УРОВЕНЬ | ДА | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 4 | НЕ УКАЗАН | 1 | Не квалифицирован | Р-ПССО-Г2 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 60В | 60В | 115 Вт Тс | 80А | 320А | 0,0047Ом | 77 мДж | N-канал | 8400пФ при 30 В | 4,7 мОм при 80 А, 10 В | 2,2 В @ 58 мкА | 80А Ц | 50 НК при 4,5 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИПБ65Р660CFDATMA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | CoolMOS™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2008 год | /files/infineontechnologies-ipp65r660cfdxksa1-datasheets-9968.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | Содержит свинец | 2 | 3 | нет | е3 | Олово (Вс) | Без галогенов | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 4 | НЕ УКАЗАН | 1 | Не квалифицирован | Р-ПССО-Г2 | 9 нс | 8нс | 10 нс | 40 нс | 6А | 20 В | 650В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 62,5 Вт Тс | 6А | 17А | 0,66 Ом | 115 мДж | N-канал | 615пФ при 100 В | 660 мОм при 2,1 А, 10 В | 4,5 В при 200 мкА | 6А Тк | 22 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||
| АОТФ474 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~175°С, ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | 175°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alphaomegasemiconductorinc-aotf472-datasheets-8644.pdf | ТО-220-3 Полный пакет | ТО-220ФЛ | 3,37 нФ | 47А | 75В | 1,9 Вт Ta 57,5 Вт Tc | N-канал | 3370пФ при 30 В | 11,3 мОм при 30 А, 10 В | 4 В при 250 мкА | 9А Та 47А Ц | 60 НК при 10 В | 11,3 мОм | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИПБ60Р520CPATMA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | CoolMOS™ | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/infineontechnologies-ipb60r520cpatma1-datasheets-9205.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | 2 | нет | EAR99 | совместимый | ДА | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 4 | НЕ УКАЗАН | 1 | Не квалифицирован | Р-ПССО-Г2 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 600В | 600В | 66 Вт Тс | 6,8А | 17А | 0,52 Ом | 166 мДж | N-канал | 630пФ при 100В | 520 мОм при 3,8 А, 10 В | 3,5 В @ 250 мкА | 6,8 А Тс | 31 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИПД180Н10Н3ГБТМА1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Оптимос™ | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/infineontechnologies-ipd180n10n3gatma1-datasheets-5168.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 2 | нет | EAR99 | не_совместимо | е3 | Олово (Вс) | ДА | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 4 | НЕ УКАЗАН | 1 | Не квалифицирован | Р-ПССО-Г2 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 100 В | 100 В | 71 Вт Тс | ТО-252АА | 43А | 172А | 0,018 Ом | 50 мДж | N-канал | 1800пФ при 50В | 18 мОм при 33 А, 10 В | 3,5 В @ 33 мкА | 43А Тц | 25 НК при 10 В | 6В 10В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИПБ65Р380С6АТМА1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | CoolMOS™ | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/infineontechnologies-ipb65r380c6atma1-datasheets-9180.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | 2 | нет | не_совместимо | е3 | Олово (Вс) | ДА | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 4 | НЕ УКАЗАН | 1 | Не квалифицирован | Р-ПССО-Г2 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 650В | 650В | 83 Вт Тс | 10,6А | 29А | 0,38 Ом | 215 мДж | N-канал | 710пФ при 100В | 380 мОм при 3,2 А, 10 В | 3,5 В при 320 мкА | 10,6 А Тс | 39 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИПБ65Р420CFDATMA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | CoolMOS™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2006 г. | /files/infineontechnologies-ipp65r420cfdxksa1-datasheets-7631.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | Содержит свинец | 2 | Нет СВХК | 3 | нет | е3 | Олово (Вс) | Без галогенов | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 4 | НЕ УКАЗАН | 83,3 Вт | 1 | Р-ПССО-Г2 | 10 нс | 7нс | 8 нс | 38 нс | 8,7А | 20 В | 650В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 4В | 83,3 Вт Тс | 27А | 0,42 Ом | 227 мДж | N-канал | 870пФ при 100В | 420 мОм при 3,4 А, 10 В | 4,5 В @ 340 мкА | 8,7 А Тс | 32 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||
| ИПБ093Н04ЛГАТМА1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Оптимос™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2007 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/infineontechnologies-ipb093n04lgatma1-datasheets-9142.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | 2 | да | EAR99 | СОВМЕСТИМЫЙ ЛОГИЧЕСКИЙ УРОВЕНЬ | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 4 | 40 | 47 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Не квалифицирован | Р-ПССО-Г2 | 50А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 40В | 40В | 47 Вт Тс | 46А | 0,0093Ом | N-канал | 2100пФ при 20В | 9,3 мОм при 50 А, 10 В | 2 В при 16 мкА | 50А Ц | 28 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИПБ60Р950С6АТМА1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | CoolMOS™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2011 г. | /files/infineontechnologies-ipb60r950c6atma1-datasheets-9210.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | Содержит свинец | 2 | Нет СВХК | 2 | нет | е3 | Олово (Вс) | Без галогенов | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 4 | НЕ УКАЗАН | 37 Вт | 1 | Не квалифицирован | 10 нс | 8нс | 13 нс | 60 нс | 4,4А | 20 В | 600В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 3В | 37 Вт Тс | 0,95 Ом | 46 мДж | N-канал | 280пФ при 100В | 950 мОм при 1,5 А, 10 В | 3,5 В при 130 мкА | 4,4 А Тс | 13 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||
| ИПБ65Р600С6АТМА1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | CoolMOS™ | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2008 год | /files/infineontechnologies-ipa65r600c6xksa1-datasheets-0025.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | 2 | нет | не_совместимо | е3 | Олово (Вс) | ДА | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 4 | НЕ УКАЗАН | 1 | Не квалифицирован | Р-ПССО-Г2 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 650В | 650В | 63 Вт Тс | 18А | 0,6 Ом | 142 мДж | N-канал | 440пФ при 100В | 600 мОм при 2,1 А, 10 В | 3,5 В @ 210 мкА | 7,3 А Тс | 23 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОТФ8Н60 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | 0,17 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alphaomegasemiconductorinc-aotf7t60pl-datasheets-2991.pdf | ТО-220-3 Полный пакет | неизвестный | Полномочия общего назначения FET | 8А | Одинокий | 600В | 50 Вт Тс | 8А | N-канал | 1370пФ при 25В | 900 мОм при 4 А, 10 В | 4,5 В при 250 мкА | 8А Тк | 35 НК при 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИПБ60Р299CPATMA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | CoolMOS™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2007 год | /files/infineontechnologies-ipb60r299cpatma1-datasheets-9111.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | Содержит свинец | 13 недель | 3 | нет | EAR99 | Нет | Без галогенов | 4 | 96 Вт | 1 | 10 нс | 5нс | 40 нс | 11А | 20 В | 600В | 96 Вт Тс | N-канал | 1100пФ при 100В | 299 мОм при 6,6 А, 10 В | 3,5 В @ 440 мкА | 11А Ц | 29 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BSC889N03MSGATMA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Оптимос™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2011 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/infineontechnologies-bsc889n03msgatma1-datasheets-8858.pdf | 8-PowerTDFN | 5 | 8 | EAR99 | Нет | ДВОЙНОЙ | 2,5 Вт | 1 | Р-ПДСО-Н5 | 7,7 нс | 4,2 нс | 5 нс | 7,2 нс | 12А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30 В | 30 В | 2,5 Вт Та 28 Вт Тс | N-канал | 1500пФ при 15В | 9,1 мОм при 30 А, 10 В | 2 В @ 250 мкА | 12А Та 44А Ц | 20 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI5429DU-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/vishaysiliconix-si5429dut1ge3-datasheets-8656.pdf | PowerPAK® ChipFET™ двойной | 3,08 мм | 850 мкм | 1,98 мм | Нет СВХК | 8 | EAR99 | Нет | 31 Вт | Одинокий | 31 Вт | 1 | 35 нс | 50 нс | 20 нс | 60 нс | 12А | 20 В | 30 В | -1В | -30В | P-канал | 2320пФ при 15 В | 15 мОм при 7 А, 10 В | 2,2 В @ 250 мкА | 12А Ц | 63 НК при 10 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИПБ097Н08Н3 Г | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Оптимос™ | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2011 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/infineontechnologies-ipp100n08n3gxksa1-datasheets-0887.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | 2 | да | EAR99 | совместимый | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | ДА | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 4 | 40 | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Не квалифицирован | Р-ПССО-Г2 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 80В | 80В | 100 Вт Тс | 70А | 280А | 0,0097Ом | 90 мДж | N-канал | 2410пФ при 40В | 9,7 мОм при 46 А, 10 В | 3,5 В при 46 мкА | 70А Ц | 35 НК при 10 В | 6В 10В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИПБ60Р600С6АТМА1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | CoolMOS™ | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/infineontechnologies-ipb60r600c6atma1-datasheets-9137.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | 2 | нет | не_совместимо | е3 | Олово (Вс) | ДА | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 4 | НЕ УКАЗАН | 1 | Не квалифицирован | Р-ПССО-Г2 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 600В | 600В | 63 Вт Тс | 7,3А | 19А | 0,6 Ом | 133 мДж | N-канал | 440пФ при 100В | 600 мОм при 2,4 А, 10 В | 3,5 В при 200 мкА | 7,3 А Тс | 20,5 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IPB041N04NGATMA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Оптимос™ | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2011 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/infineontechnologies-ipb041n04ngatma1-datasheets-8933.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | 2 | да | EAR99 | совместимый | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | ДА | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 4 | 40 | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Не квалифицирован | Р-ПССО-Г2 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 40В | 40В | 94 Вт Тс | 80А | 400А | 0,0041Ом | 60 мДж | N-канал | 4500пФ при 20В | 4,1 мОм при 80 А, 10 В | 4 В при 45 мкА | 80А Ц | 56 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИПБ60Р385CPATMA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | CoolMOS™ | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2006 г. | /files/infineontechnologies-ipb60r385cpatma1-datasheets-9154.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | Нет СВХК | 3 | нет | EAR99 | Без галогенов | 4 | Одинокий | 83 Вт | 10 нс | 5нс | 5 нс | 40 нс | 9А | 20 В | 600В | 3В | 83 Вт Тс | 650В | N-канал | 790пФ при 100В | 3 В | 385 мОм при 5,2 А, 10 В | 3,5 В @ 340 мкА | 9А Тц | 22 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АИ1Н60Л | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -50°С~150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | 150°С | -50°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2011 г. | ТО-251-3 Заглушки, ИПак | ТО-251А | 160пФ | 1,3А | 600В | 45 Вт Тс | N-канал | 160пФ при 25В | 9 Ом при 650 мА, 10 В | 4,5 В при 250 мкА | 1,3 А Тс | 8 нк @ 10 В | 9 Ом | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИПБ230Н06Л3ГАТМА1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Оптимос™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/infineontechnologies-ipp230n06l3g-datasheets-7708.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | 2 | да | EAR99 | СОВМЕСТИМЫЙ ЛОГИЧЕСКИЙ УРОВЕНЬ | неизвестный | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 4 | НЕ УКАЗАН | 36 Вт | 1 | Не квалифицирован | Р-ПССО-Г2 | 30А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 60В | 60В | 36 Вт Тк | 0,023Ом | N-канал | 1600пФ при 30В | 23 мОм при 30 А, 10 В | 2,2 В @ 11 мкА | 30А Ц | 10 НК при 4,5 В | 4,5 В 10 В | ±20 В |
