| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Режим работы | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Количество контактов | Код Pbfree | ECCN-код | Положение терминала | Пиковая температура оплавления (Цел) | Количество контактов | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Входная емкость | Непрерывный ток стока (ID) | Напряжение от затвора до источника (Vgs) | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Напряжение стока к источнику (Vdss) | DS Напряжение проба-мин. | Рассеиваемая мощность-Макс. | Максимальный сток (Abs) (ID) | Максимальный импульсный ток стока (IDM) | Источник стока при максимальном сопротивлении | Рейтинг лавинной энергии (Eas) | Напряжение проба стока к источнику | Тип полярного транзистора | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | Rds включено (макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс) @ Id | Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Особенность левого транзистора | РДС на Максе | Напряжение привода (макс. значение включено, минимальное значение включено) | ВГС (Макс) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| АОУ7С65 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | АМОС™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2010 год | ТО-251-3 Короткие выводы, ИПак, ТО-251АА | 7А | 600В | 89 Вт Тс | N-канал | 434 пФ при 100 В | 650 мОм при 3,5 А, 10 В | 4 В при 250 мкА | 7А Тк | 9,2 НК при 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОТФ14Н50ФД | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | $14,74 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alphaomegasemiconductorinc-aotf7t60pl-datasheets-2991.pdf | ТО-220-3 Полный пакет | ТО-220-3Ф | 2,01 нФ | 14А | 500В | 50 Вт Тс | N-канал | 2010пФ при 25В | 470 мОм при 7 А, 10 В | 4 В при 250 мкА | 14А Ц | 47 НК при 10 В | 470 мОм | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||
| АОВ418 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | $14,02 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | СДМОС™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | 175°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alphaomegasemiconductorinc-aow298-datasheets-0480.pdf | ТО-262-3 Длинные выводы, И2Пак, ТО-262АА | ТО-262 | 5,2 нФ | 105А | 100 В | 2,1 Вт Та 333 Вт Тс | N-канал | 5200пФ при 50В | 10 мОм при 20 А, 10 В | 3,9 В при 250 мкА | 9,5 А Та 105 А Тс | 83 НК при 10 В | 10 мОм | 7В 10В | ±25 В | |||||||||||||||||||||||||||||
| АОИ208 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2011 г. | ТО-251-3 Заглушки, ИПак | 54А | 30 В | 2,5 Вт Та 62 Вт Тс | N-канал | 2200пФ при 15В | 5,1 мОм при 20 А, 10 В | 2,3 В @ 250 мкА | 18А Та 54А Ц | 33 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ССМ3К17СУ,ЛФ | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | 0,31 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | СК-70, СОТ-323 | 150 мВт | 100 мА | 7В | 150 мВт Та | 50В | N-канал | 7пФ @ 3В | 20 Ом при 10 мА, 4 В | 1,5 В @ 1 мкА | 100 мА Та | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФЦП25Н60Н | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | СупреМОС™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-fcp25n60nf102-datasheets-9693.pdf | ТО-220-3 | да | Полевой транзистор общего назначения | 25А | Одинокий | 600В | 216 Вт Тс | N-канал | 3352пФ при 100 В | 125 мОм при 12,5 А, 10 В | 4 В при 250 мкА | 25А Ц | 74 НК при 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| FDI045N10A | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | PowerTrench® | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-fdi045n10a-datasheets-8619.pdf | ТО-262-3 Длинные выводы, И2Пак, ТО-262АА | да | Полевой транзистор общего назначения | 120А | Одинокий | 100 В | 263 Вт Тс | N-канал | 5270пФ при 50В | 4,5 мОм при 100 А, 10 В | 4 В при 250 мкА | 120А Ц | 74 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОЛ1202 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | $3,76 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alphaomegasemiconductor-aol1202-datasheets-4040.pdf | 3-PowerSMD, плоские выводы | 54А | 30 В | 2,1 Вт Та 58 Вт Тс | N-канал | 2200пФ при 15В | 4,2 мОм при 20 А, 10 В | 2,3 В @ 250 мкА | 16А Та 54А Ц | 33 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОУ7С60 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | АМОС™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2010 год | ТО-251-3 Короткие выводы, ИПак, ТО-251АА | 16 недель | 3 | 83 Вт | 1 | 7А | 30 В | 600В | 83 Вт Тс | N-канал | 372пФ при 100 В | 600 мОм при 3,5 А, 10 В | 3,9 В при 250 мкА | 7А Тк | 8,2 НК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||
| АОЛ1712 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | 3,90 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | СРФЕТ™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alphaomegasemiconductor-aol1712-datasheets-4041.pdf | 3-PowerSMD, плоские выводы | 3 | EAR99 | ДВОЙНОЙ | 3 | 1 | Не квалифицирован | Р-ПДСО-Ф3 | 65А | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30 В | 30 В | 2,1 Вт Та 100 Вт Тс | 80А | 0,0055Ом | N-канал | 5120пФ при 15 В | 4,2 мОм при 20 А, 10 В | 2,5 В @ 250 мкА | 16А Та 65А Ц | 95 НК при 10 В | Диод Шоттки (корпус) | 4,5 В 10 В | ±12 В | ||||||||||||||||||
| АОИ403 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | 0,24 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2011 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alphaomegasemiconductor-aoi403-datasheets-4042.pdf | ТО-251-3 Заглушки, ИПак | 3 | 16 недель | 3 | EAR99 | ОДИНОКИЙ | 3 | 1 | Полномочия общего назначения FET | Не квалифицирован | 70А | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | 30 В | 2,5 Вт Та 90 Вт Тс | 200А | 0,0085Ом | 125 мДж | P-канал | 3500пФ при 15В | 6,7 мОм при 20 А, 20 В | 3,5 В при 250 мкА | 15А Та 70А Ц | 61 НК при 10 В | 10 В 20 В | ±25 В | |||||||||||||||||||
| АОИ418 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2011 г. | ТО-251-3 Заглушки, ИПак | 36А | 30 В | 2,5 Вт Та 50 Вт Тс | N-канал | 1380пФ при 15В | 8 м Ом при 20 А, 10 В | 2,5 В @ 250 мкА | 13,5 А Та 36 А Тс | 24 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОЛ1206 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alphaomegasemiconductorinc-aol1206-datasheets-8585.pdf | 3-PowerSMD, плоские выводы | 54А | 30 В | 2,7 Вт Та 62 Вт Тс | N-канал | 1670пФ при 15В | 6 м Ом при 20 А, 10 В | 2,3 В @ 250 мкА | 16А Та 54А Ц | 23,5 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОЛ1432А | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | 2,99 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | СДМОС™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2008 год | 3-PowerSMD, плоские выводы | 12А | 25 В | 2,1 Вт Та 30 Вт Тс | N-канал | 1450пФ при 12,5 В | 7,5 мОм при 30 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 12А Та 44А Ц | 26 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОТ474 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | $19,17 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2009 год | ТО-220-3 | 127А | 75В | 1,9 Вт Та 417 Вт Тс | N-канал | 3370пФ при 30 В | 11,3 мОм при 30 А, 10 В | 4 В при 250 мкА | 9А Та 127А Ц | 60 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОН6454А | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | 0,29 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2011 г. | 8-PowerSMD, плоские выводы | 8-ДФН (5х6) | 2,055 нФ | 5А | 150 В | 2,3 Вт Та 83 Вт Тс | N-канал | 2055пФ при 75В | 38 мОм при 20 А, 10 В | 4,6 В @ 250 мкА | 31А Тц | 40 НК при 10 В | 38 мОм | 7В 10В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОТ440 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | СДМОС™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2010 год | ТО-220-3 | Полевой транзистор общего назначения | 105А | Одинокий | 40В | 2,1 Вт Та 150 Вт Тс | N-канал | 5600пФ при 20В | 4,7 мОм при 20 А, 10 В | 2,3 В @ 250 мкА | 15,5 А Та 105 А Тс | 90 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОТ502 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | $14,65 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2009 год | ТО-220-3 | 60А | 33В | 1,9 Вт Та 79 Вт Тс | N-канал | 1450пФ при 15В | 11,5 мОм при 30 А, 10 В | 2,7 В @ 250 мкА | 9А Та 60А Ц | 28 НК при 10 В | 10 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОТ418Л | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | $7,49 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | СДМОС™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2010 год | ТО-220-3 | 16 недель | 105А | 100 В | 2,1 Вт Та 333 Вт Тс | N-канал | 5200пФ при 50В | 10 мОм при 20 А, 10 В | 3,9 В при 250 мкА | 9,5 А Та 105 А Тс | 83 НК при 10 В | 7В 10В | ±25 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОТ500 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | $182,43 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | 175°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2010 год | ТО-220-3 | 16 недель | ТО-220 | 5,5 нФ | 80А | 33В | 115 Вт Тс | N-канал | 5500пФ при 15В | 5,3 мОм при 30 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 80А Ц | 89 НК при 10 В | 5,3 мОм | 10 В | |||||||||||||||||||||||||||||||
| АОЛ1448 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | 0,15 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alphaomegasemiconductor-aol1448-datasheets-4048.pdf | 3-PowerSMD, плоские выводы | 3 | 3 | EAR99 | ДВОЙНОЙ | 3 | 30 Вт | 1 | Не квалифицирован | 36А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30 В | 2 Вт Та 30 Вт Тс | 90А | 20 мДж | N-канал | 770пФ при 15 В | 9,5 мОм при 20 А, 10 В | 2,2 В @ 250 мкА | 11А Та 36А Ц | 18 НК @ 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||
| АОИ4146 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | СДМОС™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2011 г. | ТО-251-3 Заглушки, ИПак | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 55А | 30 В | 2,5 Вт Та 62 Вт Тс | N-канал | 2440пФ при 15В | 5,6 мОм при 20 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 15А Та 55А Ц | 42 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОТ424 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2008 год | ТО-220-3 | 100 Вт | 1 | 110А | 20 В | 30 В | 100 Вт Тс | N-канал | 4400пФ при 15В | 4 м Ом при 30 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 110А Ц | 72 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОН7422Е | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | 0,12 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2009 год | 8-PowerVDFN | Полевой транзистор общего назначения | 20А | Одинокий | 30 В | 3,1 Вт Та 36 Вт Тс | 40А | N-канал | 2940пФ при 15В | 4,3 мОм при 20 А, 10 В | 2,4 В @ 250 мкА | 20А Та 40А Ц | 50 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОИ482 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | $12,47 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2011 г. | ТО-251-3 Заглушки, ИПак | 32А | 100 В | 2,5 Вт Та 100 Вт Тс | N-канал | 2000пФ при 50В | 37 мОм при 10 А, 10 В | 2,7 В @ 250 мкА | 5А Та 32А Ц | 44 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОИ472А | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2011 г. | ТО-251-3 Заглушки, ИПак | 3 | EAR99 | ОДИНОКИЙ | 3 | 1 | Не квалифицирован | Р-ПСИП-Т3 | 46А | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 25 В | 25 В | 2,5 Вт Та 50 Вт Тс | 50А | 100А | 0,0052Ом | N-канал | 1333пФ при 15 В | 5 м Ом при 20 А, 10 В | 2,4 В @ 250 мкА | 18А Та 46А Ц | 33 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||
| АОД492 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | 0,07 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | СРФЕТ™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2008 год | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 2,5 Вт | 1 | 85А | 20 В | 30 В | 2,5 Вт Та 100 Вт Тс | N-канал | 4512пФ при 15 В | 4,4 мОм при 20 А, 10 В | 2,2 В @ 250 мкА | 85А Ц | 74 НК при 10 В | Диод Шоттки (корпус) | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||
| АОД456 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | 0,07 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2008 год | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 50А | 25 В | 3 Вт Та 50 Вт Тс | N-канал | 2220пФ при 12,5 В | 6 м Ом при 30 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 50А Ц | 38 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОИ516 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | $11,94 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2011 г. | ТО-251-3 Заглушки, ИПак | Полевой транзистор общего назначения | 46А | Одинокий | 30 В | 2,5 Вт Та 50 Вт Тс | N-канал | 1229пФ при 15В | 5 м Ом при 20 А, 10 В | 2,2 В @ 250 мкА | 18А Та 46А Ц | 33 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОН7220 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2011 г. | 8-PowerWDFN | Полевой транзистор общего назначения | 37А | Одинокий | 25 В | 6,2 Вт Та 83 Вт Тс | 50А | N-канал | 3554пФ при 12,5 В | 3 м Ом при 20 А, 10 В | 1,8 В @ 250 мкА | 37А Та 50А Ц | 52 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±12 В |
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.