Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактОдиночные МОП-транзисторы(33658)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Режим работы | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Количество контактов | ECCN-код | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Количество элементов | Подкатегория | Поставщик пакета оборудования | Входная емкость | Непрерывный ток стока (ID) | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Напряжение стока к источнику (Vdss) | DS Напряжение проба-мин. | Рассеиваемая мощность-Макс. | Максимальный сток (Abs) (ID) | Источник стока при максимальном сопротивлении | Тип полярного транзистора | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | Rds включено (макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс) @ Id | Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | РДС на Максе | Напряжение привода (макс. значение включено, минимальное значение включено) | ВГС (Макс) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| АОИ2606 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | 175°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2012 год | ТО-251-3 Заглушки, ИПак | ТО-251А | 4,05 нФ | 46А | 60В | 2,5 Вт Та 150 Вт Тс | N-канал | 4050пФ при 30 В | 6,8 мОм при 20 А, 10 В | 3,5 В при 250 мкА | 14А Та 46А Ц | 75 НК при 10 В | 6,8 мОм | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||
| АОТ20С60ПЛ | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alphaomegasemiconductorinc-aot430-datasheets-0079.pdf | ТО-220-3 | 16 недель | ТО-220 | 3,607 нФ | 20А | 600В | 463 Вт Тс | N-канал | 3607пФ при 100 В | 260 мОм при 10 А, 10 В | 5 В @ 250 мкА | 20А Ц | 80 НК при 10 В | 260 мОм | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||
| АОБ20С60ПЛ | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2011 г. | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | ТО-263 (Д2Пак) | 3,607 нФ | 20А | 600В | 463 Вт Тс | N-канал | 3607пФ при 100 В | 260 мОм при 10 А, 10 В | 5 В @ 250 мкА | 20А Ц | 80 НК при 10 В | 260 мОм | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||
| ГП1М009А090Н | ПолуQ | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/semiq-gp1m009a090n-datasheets-7915.pdf | ТО-3П-3, СК-65-3 | ТО-3ПН | 900В | 312 Вт Тс | N-канал | 2324пФ при 25В | 1,4 Ом при 4,75 А, 10 В | 4 В при 250 мкА | 9,5 А Тс | 65 НК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||
| АОТФ262Л | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | 3,25 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | 175°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alphaomegasemiconductorinc-aotf7t60pl-datasheets-2991.pdf | ТО-220-3 Полный пакет | ТО-220-3Ф | 8,14 нФ | 85А | 60В | 2,1 Вт Та 50 Вт Тс | N-канал | 8140пФ при 30 В | 3,6 мОм при 20 А, 10 В | 3,2 В @ 250 мкА | 17,5 А Та 85 А Тс | 135 НК при 10 В | 3,6 мОм | 6В 10В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||
| АОТФ2210Л | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | 175°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alphaomegasemiconductorinc-aotf7t60pl-datasheets-2991.pdf | ТО-220-3 Полный пакет | ТО-220-3Ф | 2,065 нФ | 13А | 200В | 8,3 Вт Ta 36,5 Вт Tc | N-канал | 2065пФ при 100В | 90 мОм при 13 А, 10 В | 2,5 В @ 250 мкА | 6,5 А Та 13 А Тс | 40 НК при 10 В | 90 мОм | 5В 10В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||
| АОТФ11К60П | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | 0,36 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2009 год | ТО-220-3 Полный пакет | 16 недель | ТО-220-3Ф | 2,333 нФ | 11А | 600В | 50 Вт Тс | N-канал | 2333пФ при 100 В | 400 мОм при 5,5 А, 10 В | 5 В @ 250 мкА | 11А Ц | 50 НК при 10 В | 400 мОм | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||
| ГП2М008А060ФГ | ПолуQ | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/semiq-gp2m008a060fgh-datasheets-7819.pdf | ТО-220-3 Полный пакет | ТО-220Ф | 600В | 39 Вт Тс | N-канал | 1063пФ при 25 В | 1,2 Ом при 3,75 А, 10 В | 5 В @ 250 мкА | 7,5 А Тс | 23 НК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||
| ГП1М023А050Н | ПолуQ | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/semiq-gp1m023a050n-datasheets-7880.pdf | ТО-3П-3, СК-65-3 | ТО-3ПН | 500В | 347 Вт Тс | N-канал | 3391пФ при 25 В | 220 мОм при 11,5 А, 10 В | 4 В при 250 мкА | 23А Тк | 66 НК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||
| АОН6546 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | 0,17 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2011 г. | 8-PowerSMD, плоские выводы | 8-ДФН (5х6) | 1,21 нФ | 55А | 30 В | 5,5 Вт Та 35,5 Вт Тс | N-канал | 1210пФ при 15 В | 7 МОм при 20 А, 10 В | 2,5 В @ 250 мкА | 22А Та 55А Ц | 30 НК при 10 В | 7 мОм | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||
| ГП2М011А090НГ | ПолуQ | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/semiq-gp2m011a090ng-datasheets-7881.pdf | ТО-3П-3, СК-65-3 | ТО-3ПН | 900В | 416 Вт Тс | N-канал | 3240пФ при 25В | 900 мОм при 5,5 А, 10 В | 5 В @ 250 мкА | 11А Ц | 84 НК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||
| АОТФ20К60ПЛ | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alphaomegasemiconductorinc-aotf7t60pl-datasheets-2991.pdf | ТО-220-3 Полный пакет | 16 недель | ТО-220-3Ф | 3,607 нФ | 20А | 600В | 45 Вт Тс | N-канал | 3607пФ при 100 В | 250 мОм при 10 А, 10 В | 5 В @ 250 мкА | 20А Ц | 80 НК при 10 В | 250 мОм | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||
| ГП2М005А060ХГ | ПолуQ | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/semiq-gp2m005a060fg-datasheets-7827.pdf | ТО-220-3 | ТО-220 | 600В | 98,4 Вт Тс | N-канал | 658пФ при 25 В | 2,1 Ом при 2,1 А, 10 В | 5 В @ 250 мкА | 4,2 А Тс | 14 НК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||
| АОИ526 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2012 год | ТО-251-3 Заглушки, ИПак | 50А | 30 В | 2,5 Вт Та 50 Вт Тс | N-канал | 1550пФ при 15В | 5 м Ом при 20 А, 10 В | 2,4 В @ 250 мкА | 18А Та 50А Ц | 33 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||
| АОИ514 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | 0,22 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alphaomegasemiconductorinc-aoy514-datasheets-7884.pdf | ТО-251-3 Заглушки, ИПак | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | Полевой транзистор общего назначения | 46А | Одинокий | 30 В | 2,5 Вт Та 50 Вт Тс | N-канал | 1187пФ при 15 В | 5,9 мОм при 20 А, 10 В | 2,4 В @ 250 мкА | 17А Та 46А Ц | 18 НК @ 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||
| АОН7440 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | 0,40 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2014 год | 8-PowerWDFN | 8 | 8-ДФН-ЭП (3,3х3,3) | 2,82 нФ | 50А | 30 В | 4,2 Вт Та 42 Вт Тс | N-канал | 2820пФ при 15В | 2,8 мОм при 20 А, 10 В | 2,3 В @ 250 мкА | 28А Та 50А Ц | 75 НК при 10 В | 2,8 мОм | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||
| АОТФ8Т50П | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alphaomegasemiconductorinc-aotf7t60pl-datasheets-2991.pdf | ТО-220-3 Полный пакет | 16 недель | ТО-220-3Ф | 905пФ | 8А | 500В | 38 Вт Тс | N-канал | 905пФ при 100В | 810 мОм при 4 А, 10 В | 5 В @ 250 мкА | 8А Тк | 19 НК при 10 В | 810 мОм | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||
| ГП2М020А060Н | ПолуQ | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/semiq-gp2m020a060n-datasheets-7896.pdf | ТО-3П-3, СК-65-3 | ТО-3ПН | 600В | 347 Вт Тс | N-канал | 3184пФ при 25В | 330 мОм при 10 А, 10 В | 5 В @ 250 мкА | 20А Ц | 70 НК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||
| АОТФ4Т60П | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alphaomegasemiconductorinc-aotf7t60pl-datasheets-2991.pdf | ТО-220-3 Полный пакет | 16 недель | ТО-220-3Ф | 522пФ | 4А | 600В | 35 Вт Тс | N-канал | 522пФ при 100 В | 2,1 Ом при 2 А, 10 В | 5 В @ 250 мкА | 4А Тк | 15 НК при 10 В | 2,1 Ом | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||
| АОД9Т40П | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | 0,09 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2011 г. | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 16 недель | ТО-252, (Д-Пак) | 530пФ | 6,6А | 400В | 83 Вт Тс | N-канал | 530пФ при 100В | 800 мОм при 4 А, 10 В | 5 В @ 250 мкА | 6,6 А Тс | 18 НК @ 10 В | 800 мОм | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||
| AOT11C60PL | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alphaomegasemiconductorinc-aot430-datasheets-0079.pdf | ТО-220-3 | 16 недель | ТО-220 | 2,333 нФ | 11А | 600В | 298 Вт Тс | N-канал | 2333пФ при 100 В | 420 мОм при 5,5 А, 10 В | 5 В @ 250 мкА | 11А Ц | 50 НК при 10 В | 420 мОм | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||
| ГП2М010А065Х | ПолуQ | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/semiq-gp2m010a065f-datasheets-7841.pdf | ТО-220-3 | ТО-220 | 650В | 198 Вт Тс | N-канал | 1670пФ при 25В | 820 мОм при 4,75 А, 10 В | 5 В @ 250 мкА | 9,5 А Тс | 36 НК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||
| ГП1М009А020ФГ | ПолуQ | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/semiq-gp1m009a020hg-datasheets-7638.pdf | ТО-220-3 Полный пакет | ТО-220Ф | 200В | 17,3 Вт Тс | N-канал | 414пФ при 25В | 400 мОм при 4,5 А, 10 В | 5 В @ 250 мкА | 9А Тц | 8,6 нк при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||
| ДМП1200УФР4-7 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/diodesincorporated-dmp1200ufr47-datasheets-7838.pdf | 3-XFDFN | 3 | 6 недель | 3 | EAR99 | е4 | Никель/Палладий/Золото (Ni/Pd/Au) | ДВОЙНОЙ | НЕТ ЛИДЕСА | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | 2А | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 12 В | 12 В | 480мВт Та | 2А | 0,1 Ом | P-канал | 514пФ при 5В | 100 мОм при 2 А, 4,5 В | 1 В при 250 мкА | 2А Та | 5,8 нк @ 4,5 В | 1,5 В 4,5 В | ±8 В | |||||||||
| ГП2М008А060ФГХ | ПолуQ | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/semiq-gp2m008a060fgh-datasheets-7819.pdf | ТО-220-3 Полный пакет | ТО-220Ф | 600В | 39 Вт Тс | N-канал | 1063пФ при 25 В | 1,2 Ом при 3,75 А, 10 В | 5 В @ 250 мкА | 7,5 А Тс | 23 НК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||
| ГП2М012А080НГ | ПолуQ | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/semiq-gp2m012a080ng-datasheets-7861.pdf | ТО-3П-3, СК-65-3 | ТО-3ПН | 800В | 416 Вт Тс | N-канал | 3370пФ при 25 В | 650 мОм при 6 А, 10 В | 5 В @ 250 мкА | 12А Ц | 79 НК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||
| ГП2М002А060ФГ | ПолуQ | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/semiq-gp2m002a060hg-datasheets-7785.pdf | ТО-220-3 Полный пакет | ТО-220Ф | 600В | 17,3 Вт Тс | N-канал | 360пФ при 25В | 4 Ом при 1 А, 10 В | 5 В @ 250 мкА | 2А Тк | 9 нк @ 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||
| АО4568 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2014 год | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8-СОИК | 600пФ | 12А | 30 В | 2,5 Вт Та | N-канал | 600пФ при 15В | 11,5 мОм при 12 А, 10 В | 2,2 В @ 250 мкА | 12А Та | 15 НК при 10 В | 11,5 мОм | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||
| ГП2М005А060CG | ПолуQ | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | /files/semiq-gp2m005a060pg-datasheets-7749.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | Д-Пак | 600В | 98,4 Вт Тс | N-канал | 658пФ при 25 В | 2,1 Ом при 2,1 А, 10 В | 5 В @ 250 мкА | 4,2 А Тс | 14 НК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||
| ГП1М011А050Х | ПолуQ | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/semiq-gp1m011a050fh-datasheets-7801.pdf | ТО-220-3 | ТО-220 | 500В | 158 Вт Тс | N-канал | 1423 пФ при 25 В | 670 мОм при 5,5 А, 10 В | 4 В при 250 мкА | 11А Ц | 28 НК при 10 В | 10 В | ±30 В |
