Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактОдиночные МОП-транзисторы(33658)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Режим работы | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Сопротивление | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Идентификатор производителя производителя | Достичь соответствия кода | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Без галогенов | Поверхностный монтаж | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Количество контактов | Количество вариантов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Максимальный переход температуры (Tj) | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Входная емкость | Включить время задержки | Время подъема | Осень (тип.) | Время задержки отключения | Непрерывный ток стока (ID) | Напряжение от затвора до источника (Vgs) | Максимальное двойное напряжение питания | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Напряжение стока к источнику (Vdss) | DS Напряжение проба-мин. | Пороговое напряжение | Рассеиваемая мощность-Макс. | Максимальный сток (Abs) (ID) | Максимальный импульсный ток стока (IDM) | Источник стока при максимальном сопротивлении | Снижение сопротивления до источника | Рейтинг лавинной энергии (Eas) | Напряжение проба стока к источнику | Тип полярного транзистора | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | Rds включено (макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс) @ Id | Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Особенность левого транзистора | РДС на Максе | Напряжение привода (макс. значение включено, минимальное значение включено) | ВГС (Макс) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| ИРФС7762ПБФ | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ШЕСТИГРАННЫЙ ПЕТР® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С, ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/infineontechnologies-irfsl7762pbf-datasheets-5431.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | 10,67 мм | 4,83 мм | 9,65 мм | Без свинца | 15 недель | 3,949996 г | Нет СВВК | 3 | EAR99 | НЕ УКАЗАН | 1 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 140 Вт | 11 нс | 49нс | 40 нс | 57 нс | 85А | 20 В | 75В | 140 Вт Тс | N-канал | 4440пФ при 25В | 6,7 мОм при 51 А, 10 В | 3,7 В при 100 мкА | 85А Ц | 130 НК при 10 В | 6В 10В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ГП1М006А065Ф | ПолуQ | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/semiq-gp1m006a065f-datasheets-7673.pdf | ТО-220-3 Полный пакет | ТО-220Ф | 650В | 39 Вт Тс | N-канал | 1177пФ при 25 В | 1,6 Ом при 2,75 А, 10 В | 4 В при 250 мкА | 5,5 А Тс | 17 НК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ГП1М003А080Х | ПолуQ | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/semiq-gp1m003a080h-datasheets-7674.pdf | ТО-220-3 | ТО-220 | 800В | 94 Вт Тс | N-канал | 696пФ при 25 В | 4,2 Ом при 1,5 А, 10 В | 4 В при 250 мкА | 3А Тк | 19 НК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АУИРФС3206ТРЛ | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ШЕСТИГРАННЫЙ ПЕТР® | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С, ТДж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/infineontechnologies-auirfs3206trl-datasheets-7386.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | 2 | EAR99 | ЛАВИННЫЙ НОМИНАЛ, ВЕРХНИЗКАЯ УСТОЙЧИВОСТЬ, ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | е3 | Matte Tin (Sn) – с никелевым (Ni) барьером | ДА | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 30 | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Р-ПССО-Г2 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 60В | 60В | 300 Вт Тс | 120А | 840А | 0,003Ом | 170 мДж | N-канал | 6540пФ при 50В | 3 м Ом при 75 А, 10 В | 4 В @ 150 мкА | 120А Ц | 170 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОН6266 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | АльфаМОС | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2011 г. | 8-PowerSMD, плоские выводы | 16 недель | 8-ДФН (5х6) | 1,34 нФ | 30А | 60В | 5 Вт Та 38 Вт Тс | N-канал | 1340пФ при 30В | 15 мОм при 20 А, 10 В | 2,5 В @ 250 мкА | 13А Та 30А Ц | 30 НК при 10 В | 15 мОм | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ГП1М010А060ФХ | ПолуQ | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/semiq-gp1m010a060fh-datasheets-7630.pdf | ТО-220-3 Полный пакет | ТО-220Ф | 600В | 52 Вт Тс | N-канал | 1891 пФ при 25 В | 750 мОм при 5 А, 10 В | 4 В при 250 мкА | 10А Ц | 36 НК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRFH4209DTRPBF | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | FASTIRFET™, HEXFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2015 год | 8-PowerTDFN | 1,1 Ом | 8 | EAR99 | неизвестный | 260А | 25 В | 3,5 Вт Та 125 Вт Тс | N-канал | 4620пФ при 13В | 1,1 мОм при 50 А, 10 В | 2,1 В при 100 мкА | 44А Та 260А Ц | 74 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АПТ40СМ120Б | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~175°С, ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | SiCFET (карбид кремния) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 1997 год | /files/microsemicorporation-apt40sm120s-datasheets-7558.pdf | ТО-247-3 | 25,96 мм | Без свинца | 3 | 22 недели | УСТАРЕЛО (последнее обновление: 2 недели назад) | EAR99 | ТО-247(Б) | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | 1 | НЕ УКАЗАН | 273 Вт | 1 | 175°С | Р-ПСФМ-Т3 | 10 нс | 32 нс | 41А | 25 В | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 1200В | 1,7 В | 273 Вт Тс | 2500 мДж | 1,2 кВ | N-канал | 2560пФ при 1000В | 100 мОм при 20 А, 20 В | 3 В при 1 мА (тип.) | 41А Тц | 130 НК при 20 В | 20 В | +25В, -10В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GP1M008A025CG | ПолуQ | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/semiq-gp1m008a025cg-datasheets-7588.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | Д-Пак | 250 В | 52 Вт Тс | N-канал | 423 пФ при 25 В | 600 мОм при 4 А, 10 В | 5 В @ 250 мкА | 8А Тк | 8,4 НК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ГП1М006А070Ф | ПолуQ | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/semiq-gp1m006a070f-datasheets-7589.pdf | ТО-220-3 Полный пакет | ТО-220Ф | 700В | 39 Вт Тс | N-канал | 1500пФ при 25В | 1,65 Ом при 2,5 А, 10 В | 4 В при 250 мкА | 5А Ц | 23 НК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ГП1М005А050ФХ | ПолуQ | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/semiq-gp1m005a050fh-datasheets-7590.pdf | ТО-220-3 Полный пакет | ТО-220Ф | 500В | 32 Вт Тс | N-канал | 627пФ при 25 В | 1,65 Ом при 2,25 А, 10 В | 4 В при 250 мкА | 4,5 А Тс | 11 НК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IPD80R1K4CEBTMA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | CoolMOS™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/infineontechnologies-ipd80r1k4cebtma1-datasheets-7317.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | Без свинца | 2 | 3,949996 г | 3 | да | не_совместимо | е3 | Олово (Вс) | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 63 Вт | 1 | Р-ПССО-Г2 | 25 нс | 15нс | 12 нс | 72 нс | 3,9А | 20 В | 800В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 63 Вт Тс | N-канал | 570пФ при 100В | 1,4 Ом при 2,3 А, 10 В | 3,9 В @ 240 мкА | 3,9 А Тс | 23 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GP1M004A090H | ПолуQ | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/semiq-gp1m004a090h-datasheets-7597.pdf | ТО-220-3 | ТО-220 | 900В | 123 Вт Тс | N-канал | 955пФ при 25В | 4 Ом при 2 А, 10 В | 4 В при 250 мкА | 4А Тк | 25 НК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| RAQ045P01TCR | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | СОТ-23-6 Тонкий, ЦОТ-23-6 | Без свинца | 6 | 26 недель | да | EAR99 | е1 | Олово/серебро/медь (Sn96.5Ag3.0Cu0.5) | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 6 | 10 | 1 | Другие транзисторы | Р-ПДСО-Г6 | 4,5 А | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 12 В | 12 В | 600мВт Та | 18А | 0,03 Ом | P-канал | 4200пФ при 6В | 30 мОм при 4,5 А, 4,5 В | 1 В @ 1 мА | 4,5 А Та | 40 НК при 4,5 В | 1,5 В 4,5 В | -8В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ГП1М005А050Х | ПолуQ | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/semiq-gp1m005a050fh-datasheets-7590.pdf | ТО-220-3 | ТО-220 | 500В | 92,5 Вт Тс | N-канал | 627пФ при 25 В | 1,65 Ом при 2,25 А, 10 В | 4 В при 250 мкА | 4,5 А Тс | 11 НК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОТ20С60 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alphaomegasemiconductorinc-aot430-datasheets-0079.pdf | ТО-220-3 | 16 недель | Полевой транзистор общего назначения | 20А | Одинокий | 600В | 463 Вт Тс | N-канал | 3440пФ при 100В | 250 мОм при 10 А, 10 В | 5 В @ 250 мкА | 20А Ц | 74 НК при 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИРФС7787ПБФ | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ШЕСТИГРАННЫЙ ПЕТР® | Поверхностный монтаж, сквозное отверстие | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С, ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/infineontechnologies-irfsl7787pbf-datasheets-8283.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | 10,67 мм | 4,83 мм | 9,65 мм | Без свинца | 3,949996 г | 3 | EAR99 | НЕ УКАЗАН | 1 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 125 Вт | 11 нс | 48нс | 39 нс | 51 нс | 76А | 20 В | 75В | 125 Вт Тс | N-канал | 4020пФ при 25В | 8,4 мОм при 46 А, 10 В | 3,7 В при 100 мкА | 76А Тк | 109 НК при 10 В | 6В 10В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ГП1М010А080Н | ПолуQ | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/semiq-gp1m010a080n-datasheets-7618.pdf | ТО-3П-3, СК-65-3 | ТО-3ПН | 900В | 312 Вт Тс | N-канал | 2336пФ при 25 В | 1,05 Ом при 5 А, 10 В | 4 В при 250 мкА | 10А Ц | 53 НК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ГП1М006А065Ч | ПолуQ | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/semiq-gp1m006a065ch-datasheets-7623.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | Д-Пак | 650В | 120 Вт Тс | N-канал | 1177пФ при 25 В | 1,6 Ом при 2,75 А, 10 В | 4 В при 250 мкА | 5,5 А Тс | 17 НК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRFR7746PBF | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ШЕСТИГРАННЫЙ ПЕТР® | Поверхностный монтаж, сквозное отверстие | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С, ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/infineontechnologies-irfr7746trpbf-datasheets-9480.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 6,73 мм | 2,39 мм | 6,22 мм | Без свинца | 3,949996 г | Нет СВВК | 3 | EAR99 | не_совместимо | е3 | Matte Tin (Sn) – с никелевым (Ni) барьером | НЕ УКАЗАН | 1 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 7,9 нс | 30 нс | 21 нс | 34 нс | 56А | 20 В | 75В | 3,7 В | 99 Вт Тс | N-канал | 3107пФ при 25 В | 11,2 мОм при 35 А, 10 В | 3,7 В при 100 мкА | 56А Ц | 89 НК при 10 В | 6В 10В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NVB6412ANT4G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2009 год | /files/onsemiconductor-ntp6412ang-datasheets-3391.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | Без свинца | 2 | 25 недель | 3 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | е3 | Олово (Вс) | ДА | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 167 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Р-ПССО-Г2 | 58А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | 100 В | 167 Вт Тс | 240А | N-канал | 3500пФ при 25В | 18,2 мОм при 58 А, 10 В | 4 В при 250 мкА | 58А Ц | 100 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IPD80R2K8CEBTMA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | CoolMOS™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/infineontechnologies-ipu80r2k8cebkma1-datasheets-7230.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 2 | 3,949996 г | да | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 1 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 42 Вт | 1 | Р-ПССО-Г2 | 25 нс | 15нс | 18 нс | 72 нс | 1,9 А | 20 В | 800В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 42 Вт Тс | 6А | 90 мДж | 800В | N-канал | 290пФ при 100В | 2,8 Ом при 1,1 А, 10 В | 3,9 В при 120 мкА | 1,9 А Тс | 12 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОН2707 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2011 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alphaomegasemiconductor-aon2707-datasheets-3686.pdf | 6-WDFN Открытая площадка | 4А | 30 В | 2,8 Вт Та | P-канал | 305пФ при 15В | 117 мОм при 4 А, 10 В | 1,5 В @ 250 мкА | 4А Та | 12 НК при 10 В | Диод Шоттки (изолированный) | 2,5 В 10 В | ±12 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IPD80R1K0CEBTMA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | CoolMOS™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/infineontechnologies-ipd80r1k0ceatma1-datasheets-3432.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | Без свинца | 2 | 3,949996 г | 3 | да | EAR99 | не_совместимо | е3 | Олово (Вс) | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 83 Вт | 1 | Р-ПССО-Г2 | 25 нс | 15нс | 8 нс | 72 нс | 5,7А | 20 В | 800В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 83 Вт Тс | 0,95 Ом | N-канал | 785пФ при 100 В | 950 мОм при 3,6 А, 10 В | 3,9 В при 250 мкА | 5,7 А Тс | 31 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NVB5860NLT4G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2012 год | /files/onsemiconductor-nvb5860nlt4g-datasheets-7484.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | 10,29 мм | 4,83 мм | 9,65 мм | Без свинца | 2 | 25 недель | 3 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | е3 | Олово (Вс) | ДА | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 283 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Р-ПССО-Г2 | 25 нс | 98 нс | 220А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 283 Вт Тк | 660А | 60В | N-канал | 13216пФ при 25 В | 3 м Ом при 20 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 220А Та | 220 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИРФС7730-7ППБФ | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | StrongIRFET™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С, ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/infineontechnologies-irfs7730trl7pp-datasheets-6584.pdf | ТО-263-7, Д2Пак (6 отведений + вкладка), ТО-263СВ | 10,67 мм | 5,084 мм | 9,65 мм | Без свинца | 16 недель | 1,59999 г | Нет СВВК | 7 | EAR99 | НЕ УКАЗАН | 1 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 375 Вт | 175°С | 20 нс | 90 нс | 91 нс | 182 нс | 240А | 20 В | 2,1 В | 375 Вт Тс | 75В | N-канал | 13970пФ при 25В | 2 м Ом при 100 А, 10 В | 3,7 В при 250 мкА | 240А Ц | 428 НК при 10 В | 6В 10В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ГП1М003А050CG | ПолуQ | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/semiq-gp1m003a050cg-datasheets-7503.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | Д-Пак | 500В | 52 Вт Тс | N-канал | 395пФ при 25В | 2,8 Ом при 1,25 А, 10 В | 4 В при 250 мкА | 2,5 А Тс | 9,2 НК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИПУ80Р1К4СЕБКМА1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | CoolMOS™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/infineon-ipu80r1k4cebkma1-datasheets-3653.pdf | ТО-251-3 Короткие выводы, ИПак, ТО-251АА | Содержит свинец | 343,085929мг | 3 | Не содержит галогенов | 1 | Одинокий | ПГ-ТО251-3 | 570пФ | 25 нс | 15нс | 12 нс | 72 нс | 3,9А | 30 В | 800В | 800В | 63 Вт Тс | 1,4 Ом | N-канал | 570пФ при 100В | 1,4 Ом @ 2,3 А, 10 В | 3,9 В @ 240 мкА | 3,9 А Тс | 23 НК при 10 В | 1,4 Ом | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| WPB4001-1E | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-wpb40011e-datasheets-7511.pdf | ТО-3П-3, СК-65-3 | Без свинца | 6.961991г | 3 | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | 3 | 44 нс | 156 нс | 94 нс | 224 нс | 26А | 30 В | 2,5 Вт Та 220 Вт Тс | 500В | N-канал | 2250пФ при 30 В | 260 мОм при 13 А, 10 В | 26А Та | 87 НК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИРФС7730ПБФ | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | HEXFET®, StrongIRFET™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С, ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/infineontechnologies-irfb7730pbf-datasheets-3733.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | 10,67 мм | 4,83 мм | 9,65 мм | Без свинца | 17 недель | 3,949996 г | Нет СВВК | 3 | EAR99 | 1 | Одинокий | 375 Вт | 21 нс | 120 нс | 115 нс | 180 нс | 195А | 20 В | 75В | 375 Вт Тс | N-канал | 13660пФ при 25 В | 2,6 мОм при 100 А, 10 В | 3,7 В при 250 мкА | 195А Ц | 407 НК при 10 В | 6В 10В | ±20 В |
