Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактОдиночные МОП-транзисторы(33658)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Технология | Режим работы | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Код HTS | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Справочный стандарт | Без галогенов | Поверхностный монтаж | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Количество контактов | Количество вариантов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Код JESD-30 | Включить время задержки | Время подъема | Осень (тип.) | Время задержки отключения | Непрерывный ток стока (ID) | Напряжение от затвора до источника (Vgs) | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Напряжение стока к источнику (Vdss) | DS Напряжение проба-мин. | Рассеиваемая мощность-Макс. | Максимальный сток (Abs) (ID) | Максимальный импульсный ток стока (IDM) | Источник стока при максимальном сопротивлении | Снижение сопротивления до источника | Рейтинг лавинной энергии (Eas) | Напряжение проба стока к источнику | Тип полярного транзистора | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | Rds включено (макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс) @ Id | Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Напряжение привода (макс. значение включено, минимальное значение включено) | ВГС (Макс) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| НТМФС4К58НТ3Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2015 год | 8-PowerTDFN | 38 недель | 8 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NVD5484NLT4G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/onsemiconductor-nvd5484nlt4g-datasheets-7109.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | Без свинца | 2 | 9 недель | 4 | ПОЖИЗНЕННО (Последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | АЭК-Q101 | ДА | КРЫЛО ЧАЙКИ | 4 | Одинокий | 1 | Р-ПССО-Г2 | 54А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | 60В | 60В | 3,9 Вт Та 100 Вт Тс | 10,7А | 305А | 0,017Ом | 125 мДж | N-канал | 1410пФ при 25В | 17 мОм при 25 А, 10 В | 2,5 В @ 250 мкА | 10,7А Та 54А Ц | 48 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||
| БФЛ4001-1Е | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-bfl40011e-datasheets-7116.pdf | ТО-220-3 Полный пакет | Без свинца | 5 недель | 3 | да | EAR99 | е3 | Олово (Вс) | 3 | Одинокий | 19 нс | 49нс | 52 нс | 156 нс | 4,1А | 30 В | 2 Вт Та 37 Вт Тс | 900В | N-канал | 850пФ при 30В | 2,7 Ом при 3,25 А, 10 В | 4.1А Тс | 44 НК при 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NVD4809NT4G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2014 год | /files/onsemiconductor-ntd4809nt4g-datasheets-5646.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | Без свинца | 4 | ПРОКОНСУЛЬТИРУЙТЕСЬ В ОТДЕЛЕНИИ ПРОДАЖ (Последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | е3 | Олово (Вс) | ДА | 4 | Одинокий | Мощность полевого транзистора общего назначения | 58А | 30 В | 1,4 Вт Та 52 Вт Тс | N-канал | 1456пФ при 12В | 9 мОм при 30 А, 10 В | 2,5 В @ 250 мкА | 9,6А Та 58А Ц | 25 НК при 11,5 В | 4,5 В 11,5 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MCH6431-P-TL-H | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2014 год | 6-SMD, плоские выводы | 4 недели | 6 | 1,5 Вт | 5А | 55мОм | 30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NVD6415ANT4G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/onsemiconductor-ntd6415an1g-datasheets-5039.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | Без свинца | 2 | 2 недели | 4 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 4 дня назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | АЭК-Q101 | ДА | КРЫЛО ЧАЙКИ | 4 | Одинокий | 83 Вт | 1 | Мощность полевого транзистора общего назначения | Р-ПССО-Г2 | 10 нс | 37нс | 37 нс | 30 нс | 23А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | 83 Вт Тс | 89А | 0,055 Ом | 79 мДж | 100 В | N-канал | 700пФ при 25В | 55 мОм при 23 А, 10 В | 4 В при 250 мкА | 23А Тк | 29 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||
| NVMFS5826NLWFT3G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-nvmfs5826nlt1g-datasheets-8766.pdf | 8-PowerTDFN | Без свинца | 38 недель | 5 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 4 дня назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | Без галогенов | ДА | 5 | 1 | Одинокий | Мощность полевого транзистора общего назначения | 9 нс | 32нс | 24 нс | 15 нс | 26А | 20 В | 60В | 3,6 Вт Та 39 Вт Тс | N-канал | 850пФ при 25В | 24 мОм при 10 А, 10 В | 2,5 В @ 250 мкА | 8А Та | 17 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||
| NVMFS5832NLWFT3G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-nvmfs5832nlt1g-datasheets-2234.pdf | 8-PowerTDFN | Без свинца | 38 недель | 5 | АКТИВНО, НЕ ЗАПИСЫВАЕТСЯ (последнее обновление: 4 дня назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | Без галогенов | ДА | 5 | 1 | Одинокий | Мощность полевого транзистора общего назначения | 13 нс | 24 нс | 8 нс | 27 нс | 120А | 20 В | 3,7 Вт Та 127 Вт Тс | 40В | N-канал | 2700пФ при 25В | 4,2 мОм при 20 А, 10 В | 2,4 В @ 250 мкА | 21А Та | 51 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||
| NTMS4503NSR2G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NVMFS5833NWFT1G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/onsemiconductor-nvmfs5833nt3g-datasheets-7046.pdf | 8-PowerTDFN | Без свинца | 38 недель | 5 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 1 неделю назад) | да | EAR99 | не_совместимо | е3 | Олово (Вс) | 5 | Мощность полевого транзистора общего назначения | 16А | Одинокий | 40В | 3,7 Вт Та 112 Вт Тс | 86А | N-канал | 1714пФ при 25В | 7,5 мОм при 40 А, 10 В | 3,5 В при 250 мкА | 16А Та | 32,5 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NVMFS5830NLWFT1G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/onsemiconductor-nvmfs5830nlt1g-datasheets-5311.pdf | 8-PowerTDFN | Без свинца | 5 | 38 недель | 5 | АКТИВНО, НЕ ЗАПИСЫВАЕТСЯ (последнее обновление: 4 дня назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | Без галогенов | ДА | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | 5 | 1 | Одинокий | 1 | Мощность полевого транзистора общего назначения | 22 нс | 32нс | 27 нс | 40 нс | 185А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | 3,8 Вт Та 158 Вт Тс | 0,0036Ом | 40В | N-канал | 5880пФ при 25 В | 2,3 мОм при 20 А, 10 В | 2,4 В @ 250 мкА | 29А Та | 113 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||
| НВМФС5833НВФТ3Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-nvmfs5833nt3g-datasheets-7046.pdf | 8-PowerTDFN | Без свинца | 38 недель | 5 | АКТИВНО, НЕ ЗАПИСЫВАЕТСЯ (последнее обновление: 1 неделю назад) | да | EAR99 | не_совместимо | е3 | Олово (Вс) | 5 | Мощность полевого транзистора общего назначения | 16А | Одинокий | 40В | 3,7 Вт Та 112 Вт Тс | 86А | N-канал | 1714пФ при 25В | 7,5 мОм при 40 А, 10 В | 3,5 В при 250 мкА | 16А Та | 32,5 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NVD4813NHT4G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2014 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-ntd4813nht4g-datasheets-6115.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | Без свинца | 4 | ПРОКОНСУЛЬТИРУЙТЕСЬ В ОТДЕЛЕНИИ ПРОДАЖ (Последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | е3 | Олово (Вс) | ДА | НЕ УКАЗАН | 4 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | Мощность полевого транзистора общего назначения | 40А | 20 В | 30 В | 1,27 Вт Ta 35,3 Вт Tc | N-канал | 940пФ при 12 В | 13 мОм при 30 А, 10 В | 2,5 В @ 250 мкА | 7,6 А Та 40 А Тс | 10 НК при 4,5 В | 4,5 В 11,5 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NVTFS5820NLWFTWG | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2011 год | /files/onsemiconductor-nvtfs5820nlwftwg-datasheets-7146.pdf | 8-PowerWDFN | Без свинца | 5 | 23 недели | 8 | АКТИВНО, НЕ ЗАПИСЫВАЕТСЯ (последнее обновление: 4 дня назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | Без галогенов | ДА | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | 8 | 1 | Одинокий | 1 | С-ПДСО-Ф5 | 10 нс | 28нс | 22 нс | 19 нс | 29А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | 3,2 Вт Та 21 Вт Тс | 247А | 60В | N-канал | 1462пФ при 25В | 11,5 мОм при 8,7 А, 10 В | 2,3 В @ 250 мкА | 11А Та | 28 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||
| NVTFS4823NWFTWG | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/onsemiconductor-nvtfs4823nwftag-datasheets-1821.pdf | 8-PowerWDFN | Без свинца | 23 недели | 8 | АКТИВНО, НЕ ЗАПИСЫВАЕТСЯ (последнее обновление: 4 дня назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | Без галогенов | ДА | 8 | Одинокий | Мощность полевого транзистора общего назначения | 12 нс | 22нс | 4 нс | 14 нс | 13А | 20 В | 30 В | 3,1 Вт Та 21 Вт Тс | 30А | N-канал | 750пФ при 12 В | 10,5 мОм при 15 А, 10 В | 2,5 В @ 250 мкА | 13А Та | 12 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||
| NVMFS5832NLWFT1G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/onsemiconductor-nvmfs5832nlt1g-datasheets-2234.pdf | 8-PowerTDFN | Без свинца | 38 недель | 5 | АКТИВНО, НЕ ЗАПИСЫВАЕТСЯ (последнее обновление: 4 дня назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | Без галогенов | ДА | 5 | 1 | Одинокий | Мощность полевого транзистора общего назначения | 13 нс | 24 нс | 8 нс | 27 нс | 120А | 20 В | 40В | 3,7 Вт Та 127 Вт Тс | N-канал | 2700пФ при 25В | 4,2 мОм при 20 А, 10 В | 2,4 В @ 250 мкА | 21А Та | 51 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||
| NVD4805NT4G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2011 год | /files/onsemiconductor-ntd4805nt4g-datasheets-3598.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | Без свинца | 2 | 4 | ПРОКОНСУЛЬТИРУЙТЕСЬ В ОТДЕЛЕНИИ ПРОДАЖ (Последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | е3 | Олово (Вс) | АЭК-Q101 | ДА | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 4 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 1 | Мощность полевого транзистора общего назначения | Р-ПССО-Г2 | 95А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 1,41 Вт Ta 79 Вт Tc | 12,7А | 175А | 288 мДж | 30 В | N-канал | 2865пФ при 12 В | 5 м Ом при 30 А, 10 В | 2,5 В @ 250 мкА | 12,7 А Та 95 А Тс | 48 НК при 11,5 В | 4,5 В 11,5 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||
| НВД20Н03Л27Т4Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2007 год | /files/onsemiconductor-ntd20n03l27t4g-datasheets-7438.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | Без свинца | 2 | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | СВЕРХНИЗКОЕ СОПРОТИВЛЕНИЕ ВКЛ. | 8541.29.00.95 | е3 | Олово (Вс) | АЭК-Q101 | ДА | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 1 | Мощность полевого транзистора общего назначения | Р-ПССО-Г2 | 17 нс | 137 нс | 31 нс | 38 нс | 20А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30 В | 1,75 Вт Та 74 Вт Тс | 60А | 288 мДж | N-канал | 1260пФ при 25В | 27 мОм при 10 А, 5 В | 2 В @ 250 мкА | 20А Та | 18,9 НК при 10 В | 4В 5В | ±20 В | ||||||||||||||||||
| NTTFS4C55NTWG | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 8-PowerWDFN | 23 недели | 8 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NVD6416ANT4G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/onsemiconductor-ntd6416ant4g-datasheets-1332.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | Без свинца | 2 | 10 недель | 4 | ПОЖИЗНЕННЫЙ (Последнее обновление: 1 неделю назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | АЭК-Q101 | ДА | КРЫЛО ЧАЙКИ | 4 | Одинокий | 71 Вт | 1 | Мощность полевого транзистора общего назначения | Р-ПССО-Г2 | 9,2 нс | 22нс | 20 нс | 24 нс | 17А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | 71 Вт Тс | 62А | 0,081 Ом | 100 В | N-канал | 620пФ при 25В | 81 мОм при 17 А, 10 В | 4 В при 250 мкА | 17А Тк | 20 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||
| NTTFS4C56NTWG | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 8-PowerWDFN | 23 недели | 8 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NVD4856NT4G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/onsemiconductor-ntd4856n35g-datasheets-6905.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | Без свинца | 2 | 32 недели | 3,949996 г | 4 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | АЭК-Q101 | ДА | КРЫЛО ЧАЙКИ | 4 | Одинокий | 1 | Мощность полевого транзистора общего назначения | Р-ПССО-Г2 | 89А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 1,33 Вт Та 60 Вт Тс | 13,3А | 179А | 0,0068Ом | 180,5 мДж | 25 В | N-канал | 2241пФ при 12 В | 4,7 мОм при 30 А, 10 В | 2,5 В @ 250 мкА | 13,3А Та 89А Ц | 27 НК при 4,5 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||
| 3ЛП01М-ТЛ-Э | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-3lp01mtlh-datasheets-8056.pdf | СК-70, СОТ-323 | Без свинца | 4 недели | 3 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 1 неделю назад) | да | EAR99 | Нет | е6 | Олово/Висмут (Sn/Bi) | 3 | 150 мВт | Другие транзисторы | 24 нс | 55нс | 130 нс | 120 нс | 100 мА | 10 В | Одинокий | 30 В | 150 мВт Та | 0,1 А | P-канал | 7,5 пФ при 10 В | 10,4 Ом при 50 мА, 4 В | 100 мА Та | 1,43 НК при 10 В | 1,5 В 4 В | ±10 В | ||||||||||||||||||||||||||||||
| NTTFS4C53NTAG | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2015 год | 8-PowerWDFN | 23 недели | 8 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НВД3055-094T4G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/onsemiconductor-ntd3055094t4g-datasheets-2236.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | Без свинца | 2 | 5 недель | 3,949996 г | 3 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 1 неделю назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | Без галогенов | ДА | КРЫЛО ЧАЙКИ | 3 | 1 | Одинокий | 1 | Мощность полевого транзистора общего назначения | Р-ПССО-Г2 | 7,7 нс | 32,3 нс | 23,9 нс | 25,2 нс | 12А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 1,5 Вт Ta 48 Вт Tj | 45А | 0,094Ом | 60В | N-канал | 450пФ при 25В | 94 мОм при 6 А, 10 В | 4 В при 250 мкА | 12А Та | 20 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||
| NVD4808NT4G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2014 год | /files/onsemiconductor-ntd4808n1g-datasheets-8346.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | Без свинца | 2 | 4 | ПРОКОНСУЛЬТИРУЙТЕСЬ В ОТДЕЛЕНИИ ПРОДАЖ (Последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | е3 | Олово (Вс) | ДА | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 4 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 1 | Мощность полевого транзистора общего назначения | Р-ПССО-Г2 | 13,8А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30 В | 30 В | 1,4 Вт Ta 54,6 Вт Tc | 63А | N-канал | 1538пФ при 12 В | 8 мОм при 30 А, 10 В | 2,5 В @ 250 мкА | 10А Та 63А Ц | 13 НК при 4,5 В | 4,5 В 11,5 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||
| СВД14Н03РТ4Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2008 год | /files/onsemiconductor-ntd14n03r1g-datasheets-7738.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 4 недели | АКТИВНО, НЕ ЗАПИСЫВАЕТСЯ (последнее обновление: 1 неделю назад) | да | е3 | Олово (Вс) | 25 В | 1,04 Вт Ta 20,8 Вт Tc | N-канал | 115пФ при 20В | 95 мОм при 5 А, 10 В | 2 В @ 250 мкА | 2,5 А Та | 1,8 НК при 5 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NVD6414ANT4G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/onsemiconductor-ntd6414ant4g-datasheets-5698.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | Без свинца | 2 | 8 недель | 4 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 4 дня назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | АЭК-Q101 | ДА | КРЫЛО ЧАЙКИ | 4 | Одинокий | 100 Вт | 1 | Мощность полевого транзистора общего назначения | Р-ПССО-Г2 | 11 нс | 52нс | 48 нс | 38 нс | 32А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | 100 Вт Тс | 117А | 0,037Ом | 100 В | N-канал | 1450пФ при 25В | 37 мОм при 32 А, 10 В | 4 В при 250 мкА | 32А Тк | 40 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||
| НВМФС5833НТ1Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-nvmfs5833nt3g-datasheets-7046.pdf | 8-PowerTDFN | Без свинца | 38 недель | 5 | АКТИВНО, НЕ ЗАПИСЫВАЕТСЯ (последнее обновление: 1 неделю назад) | да | EAR99 | не_совместимо | е3 | Олово (Вс) | 5 | Мощность полевого транзистора общего назначения | 10,23 нс | 19,5 нс | 3 нс | 23,6 нс | 16А | 20 В | Одинокий | 40В | 3,7 Вт Та 112 Вт Тс | 86А | N-канал | 1714пФ при 25В | 7,5 мОм при 40 А, 10 В | 3,5 В при 250 мкА | 16А Та | 32,5 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||
| NVD5805NT4G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/onsemiconductor-ntd5805nt4g-datasheets-3672.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | Без свинца | 2 | 34 недели | 4 | ПОЖИЗНЕННО (Последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | ДА | КРЫЛО ЧАЙКИ | 4 | Одинокий | 47 Вт | 1 | Мощность полевого транзистора общего назначения | Р-ПССО-Г2 | 10,2 нс | 17,9 нс | 4,5 нс | 22,9 нс | 51А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 47 Вт Тс | 85А | 0,0095Ом | 80 мДж | 40В | N-канал | 1725пФ при 25В | 9,5 мОм при 15 А, 10 В | 3,5 В при 250 мкА | 51А Ц | 80 НК при 10 В | 5В 10В | ±20 В |
