Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактОдиночные МОП-транзисторы(33658)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Технология | Режим работы | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Без галогенов | Поверхностный монтаж | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Количество контактов | Количество вариантов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Включить время задержки | Время подъема | Осень (тип.) | Время задержки отключения | Непрерывный ток стока (ID) | Напряжение от затвора до источника (Vgs) | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Напряжение стока к источнику (Vdss) | DS Напряжение проба-мин. | Рассеиваемая мощность-Макс. | Максимальный сток (Abs) (ID) | Максимальный импульсный ток стока (IDM) | Источник стока при максимальном сопротивлении | Снижение сопротивления до источника | Рейтинг лавинной энергии (Eas) | Напряжение проба стока к источнику | Тип полярного транзистора | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | Rds включено (макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс) @ Id | Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Напряжение привода (макс. значение включено, минимальное значение включено) | ВГС (Макс) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| БФЛ4007-1Е | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2013 год | /files/onsemiconductor-bfl40071e-datasheets-3406.pdf | ТО-220-3 Полный пакет | Без свинца | 3 | да | EAR99 | е3 | Олово (Вс) | НЕТ | 3 | Одинокий | 2 Вт | 1 | Полномочия общего назначения FET | 27 нс | 72нс | 48 нс | 122 нс | 8,7А | 30В | 2 Вт Та 40 Вт Тс | 600В | N-канал | 1200пФ при 30В | 680 мОм при 7 А, 10 В | 8,7 А Тс | 46 НК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MCH3478-S-TL-H | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2013 год | 3-СМД, плоский вывод | 3 | 800мВт | 2А | 165мОм | 30В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CMPDM203NH ТР | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-cmpdm203nhtr-datasheets-6679.pdf | SOT-23-3 Плоские выводы | 10 недель | совместимый | ДА | Мощность полевого транзистора общего назначения | Одинокий | 20 В | 350мВт Та | 3,2А | N-канал | 395пФ при 10 В | 50 мОм при 1,6 А, 4,5 В | 1,2 В @ 250 мкА | 3.2А Та | 10 НК при 4,5 В | 2,5 В 4,5 В | 12 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НТМФС4К56НТ3Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2015 год | 8-PowerTDFN | 38 недель | 8 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CPH6350-P-TL-E | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2012 год | -6А | -30В | 43мОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NTLJS3A18PZTXG | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2012 год | /files/onsemiconductor-ntljs3a18pztxg-datasheets-6910.pdf | 6-WDFN Открытая площадка | Без свинца | 6 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 1 день назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | ДА | 6 | Одинокий | 1,8 Вт | 1 | Другие транзисторы | 8,6 нс | 15нс | 88 нс | 150 нс | 5А | 8В | 20 В | 700мВт Та | 8,2А | P-канал | 2240пФ при 15В | 18 мОм при 7 А, 4,5 В | 1 В при 250 мкА | 5А Та | 28 НК при 4,5 В | 1,5 В 4,5 В | ±8 В | |||||||||||||||||||||||||||||||
| ATP207-S-TL-H | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2016 год | АТПАК (2 отверстия+вкладка) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N7002WST1G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | СК-70, СОТ-323 | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 5ЛП01М-ТЛ-Е | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2012 год | /files/onsemiconductor-5lp01mtlh-datasheets-4077.pdf | СК-70, СОТ-323 | Без свинца | 3 | да | EAR99 | Олово | е6 | 3 | 150 мВт | 1 | 20 нс | 35 нс | 150 нс | 160 нс | 70 мА | 10 В | 50В | 150 мВт Та | P-канал | 7,4 пФ при 10 В | 23 Ом при 40 мА, 4 В | 70 Та мА | 1,4 НК при 10 В | 1,5 В 4 В | ±10 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MCH6336-P-TL-E | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2014 год | 6-SMD, плоские выводы | 3 | 1,5 Вт | -5А | 43мОм | -12В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ATP212-S-TL-H | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2013 год | АТПАК (2 отверстия+вкладка) | 40 Вт | 35А | 23мОм | 60В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НДД01Н60Т4Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-ndt01n60t1g-datasheets-8440.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | Без свинца | 2 | 3,949996 г | 3 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 6 дней назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | Без галогенов | ДА | КРЫЛО ЧАЙКИ | 3 | Одинокий | 46 Вт | 1 | Мощность полевого транзистора общего назначения | Р-ПССО-Г2 | 8 нс | 5,1 нс | 21,3 нс | 16,5 нс | 1,5 А | 30В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | 600В | 600В | 46 Вт Тс | 6А | N-канал | 160пФ при 25В | 8,5 Ом при 200 мА, 10 В | 3,7 В при 50 мкА | 1,5 А Тс | 7,2 НК при 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||
| 2СК3707-1Э | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2012 год | /files/onsemiconductor-2sk3707-datasheets-9081.pdf | ТО-220-3 Полный пакет | Без свинца | 3 | да | EAR99 | е3 | Олово (Вс) | НЕТ | 3 | Одинокий | Полномочия общего назначения FET | 19,5 нс | 30 нс | 60 нс | 185 нс | 20А | 20 В | 2 Вт Та 25 Вт Тс | 100 В | N-канал | 2150пФ при 20 В | 60 мОм при 10 А, 10 В | 20А Та | 44 НК при 10 В | 4В 10В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ATP401-TL-H | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2013 год | /files/onsemiconductor-atp401tlh-datasheets-3398.pdf | АТПАК (2 отверстия+вкладка) | Без свинца | 2 | 8 недель | 3 | ПОЖИЗНЕННО (Последнее обновление: 4 дня назад) | да | EAR99 | Олово | е6 | Без галогенов | ДА | КРЫЛО ЧАЙКИ | 3 | Одинокий | 90 Вт | 1 | Р-ПССО-Г2 | 110 нс | 580 нс | 710 нс | 840 нс | 100А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | 90 Вт Тс | 400А | 0,0052Ом | 549 мДж | 60В | N-канал | 17000пФ при 20В | 3,7 мОм при 50 А, 10 В | 100А Та | 300 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||
| 2SK4087LS-1E | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-2sk4087ls1e-datasheets-6822.pdf | ТО-220-3 Полный пакет | 10,16 мм | 15,87 мм | 4,7 мм | Без свинца | 3 | да | EAR99 | е3 | Олово (Вс) | 3 | Одинокий | 40 Вт | 27 нс | 72нс | 48 нс | 144 нс | 14А | 30В | 2 Вт Та 40 Вт Тс | 600В | N-канал | 1200пФ при 30В | 610 мОм при 7 А, 10 В | 9,2 А Тс | 46 НК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2СК3816-ДЛ-1Э | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-2sk3816dle-datasheets-0017.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | 5 недель | да | EAR99 | не_совместимо | е3 | Олово (Вс) | ДА | 2 | Полномочия общего назначения FET | Одинокий | 60В | 1,65 Вт Та 50 Вт Тс | 40А | N-канал | 1780пФ при 20В | 26 мОм при 20 А, 10 В | 40А Та | 40 НК при 10 В | 4В 10В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FDMC7692S-F127 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | PowerTrench® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-fdmc7692s-datasheets-1398.pdf | 8-PowerWDFN | 8 | 27 Вт | 18А | 2,3 Вт Та 27 Вт Тс | 30В | N-канал | 1385пФ при 15В | 9,3 мОм при 12,5 А, 10 В | 3 В при 1 мА | 12,5 А Та 18 А Тс | 23 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CPH6443-P-TL-H | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2014 год | СОТ-23-6 Тонкий, ЦОТ-23-6 | 53А | 35В | 37мОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2СК4125-1Э | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2013 год | /files/onsemiconductor-2sk4125-datasheets-9184.pdf | ТО-3П-3, СК-65-3 | Без свинца | 3 | да | EAR99 | Олово | Нет | е3 | НЕТ | 3 | Одинокий | 2,5 Вт | 1 | Полномочия общего назначения FET | 26,5 нс | 82нс | 52 нс | 145 нс | 17А | 30В | 2,5 Вт Та 170 Вт Тс | 600В | N-канал | 1200пФ при 30В | 610 мОм при 7 А, 10 В | 17А Та | 46 НК при 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 5ЛН01СП | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-5ln01spac-datasheets-6768.pdf | СК-72 | Без свинца | 3 | 453,59237мг | 3 | да | EAR99 | Олово/медь/серебро/никель (Sn/Cu/Ag/Ni) | НЕТ | 3 | 1 | Одинокий | 1 | Мощность полевого транзистора общего назначения | 18 нс | 42нс | 105 нс | 190 нс | 100 мА | 10 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 50В | 50В | 250мВт Та | N-канал | 6,6 пФ при 10 В | 7,8 Ом при 50 мА, 4 В | 1,3 В @ 100 мкА | 100 мА Та | 1,57 НК при 10 В | 1,5 В 4 В | ±10 В | |||||||||||||||||||||||||||||
| FDMC8878_F126 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | PowerTrench® | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-fdmc8878-datasheets-3276.pdf | 8-PowerWDFN | 8-МЛП (3,3х3,3) | 30В | 2,1 Вт Та 31 Вт Тс | N-канал | 1230пФ при 15В | 14 мОм при 9,6 А, 10 В | 3 В при 250 мкА | 9,6 А Та 16,5 А Тс | 26 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 5LP01M-TL-HX | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2015 год | СК-70, СОТ-323 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 5LP01SP-AC | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-5lp01spac-datasheets-6835.pdf | СК-72 | Без свинца | 3 | да | EAR99 | Олово/медь/серебро/никель (Sn/Cu/Ag/Ni) | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | Другие транзисторы | 70 мА | Одинокий | 50В | 250мВт Та | 0,07А | -50В | P-канал | 7,4 пФ при 10 В | 23 Ом при 40 мА, 4 В | 70 Та мА | 1,4 НК при 10 В | 1,5 В 4 В | ±10 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 5ЛН01М-ТЛ-Э | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-5ln01mtlh-datasheets-8513.pdf | СК-70, СОТ-323 | Без свинца | 3 | да | EAR99 | Олово | е6 | 3 | 150 мВт | 1 | Полномочия общего назначения FET | 18 нс | 42нс | 105 нс | 190 нс | 100 мА | 10 В | Одинокий | 50В | 150 мВт Та | N-канал | 6,6 пФ при 10 В | 7,8 Ом при 50 мА, 4 В | 100 мА Та | 1,57 НК при 10 В | 1,5 В 4 В | ±10 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ATP201-V-TL-H | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2013 год | АТПАК (2 отверстия+вкладка) | 30 Вт | 35А | 17мОм | 30В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EFC4621R-A-TR | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 4-XFBGA | 19 недель | 4 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БФЛ4004-1Е | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-bfl40041e-datasheets-6842.pdf | ТО-220-3 Полный пакет | Без свинца | 4 недели | 3 | да | EAR99 | е3 | Олово (Вс) | НЕТ | 3 | Одинокий | 2 Вт | 1 | Полномочия общего назначения FET | 17 нс | 44нс | 44 нс | 130 нс | 4,3А | 30В | 2 Вт Та 36 Вт Тс | 800В | N-канал | 710пФ при 30 В | 2,5 Ом при 3,25 А, 10 В | 4,3 А Тс | 36 НК при 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EMH1405-P-TL-H | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2015 год | 8-СМД, плоский вывод | 8 | 1,5 Вт | 8,5 А | 14мОм | 30В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2СК536-МТК-ТБ-Э | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 125°С, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2010 год | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 4 недели | 3 | 53А | 12 В | 50В | 20Ом | 10 В | ±12 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2СК4124-1Э | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2013 год | /files/onsemiconductor-2sk4124-datasheets-9133.pdf | ТО-3П-3, СК-65-3 | Без свинца | 6.961991г | 3 | да | EAR99 | е3 | Олово (Вс) | НЕТ | 3 | 1 | Одинокий | Полномочия общего назначения FET | 26,5 нс | 95нс | 58 нс | 145 нс | 20А | 30В | 500В | 2,5 Вт Та 170 Вт Тс | N-канал | 1200пФ при 30В | 430 мОм при 8 А, 10 В | 20А Та | 46,6 НК при 10 В | 10 В | ±30 В |
