Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактОдиночные МОП-транзисторы(33658)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Режим работы | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Справочный стандарт | Без галогенов | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Количество контактов | Рабочая температура (макс.) | Количество вариантов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Код JESD-30 | Включить время задержки | Время подъема | Осень (тип.) | Время задержки отключения | Непрерывный ток стока (ID) | Напряжение от затвора до источника (Vgs) | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Полярность/Тип канала | Напряжение стока к источнику (Vdss) | DS Напряжение проба-мин. | Технология полевых транзисторов | Пороговое напряжение | Рассеиваемая мощность-Макс. | Максимальный сток (Abs) (ID) | Максимальный импульсный ток стока (IDM) | Источник стока при максимальном сопротивлении | Снижение сопротивления до источника | Рейтинг лавинной энергии (Eas) | Напряжение проба стока к источнику | Тип полярного транзистора | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | Rds включено (макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс) @ Id | Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Напряжение привода (макс. значение включено, минимальное значение включено) | ВГС (Макс) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| NVD4856NT4G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/onsemiconductor-ntd4856n35g-datasheets-6905.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | Без свинца | 2 | 32 недели | 3,949996 г | 4 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | АЭК-Q101 | ДА | КРЫЛО ЧАЙКИ | 4 | Одинокий | 1 | Мощность полевого транзистора общего назначения | Р-ПССО-Г2 | 89А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 1,33 Вт Та 60 Вт Тс | 13,3А | 179А | 0,0068Ом | 180,5 мДж | 25 В | N-канал | 2241пФ при 12 В | 4,7 мОм при 30 А, 10 В | 2,5 В @ 250 мкА | 13,3А Та 89А Ц | 27 НК при 4,5 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||
| NVB6413ANT4G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2009 год | /files/onsemiconductor-ntb6413ant4g-datasheets-9074.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | Без свинца | 2 | 3 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | е3 | Олово (Вс) | ДА | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 3 | 1 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 1 | Мощность полевого транзистора общего назначения | Р-ПССО-Г2 | 13 нс | 84нс | 71 нс | 52 нс | 42А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | 136 Вт Тс | 0,028 Ом | 200 мДж | 100 В | N-канал | 1800пФ при 25В | 28 мОм при 42 А, 10 В | 4 В при 250 мкА | 42А Тк | 51 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||
| NVMFS5834NLWFT3G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/onsemiconductor-nvmfs5834nlwft1g-datasheets-1921.pdf | 8-PowerTDFN | Без свинца | 5 | 38 недель | 5 | ПОЖИЗНЕННО (Последнее обновление: 4 дня назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | Без галогенов | ДА | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | 5 | 1 | Одинокий | 1 | Мощность полевого транзистора общего назначения | 10 нс | 56,4 нс | 6,6 нс | 17,4 нс | 75А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | 40В | 40В | 3,6 Вт Та 107 Вт Тс | 276А | 48 мДж | N-канал | 1231пФ при 20 В | 9,3 мОм при 20 А, 10 В | 3 В при 250 мкА | 14А Та 75А Ц | 24 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||
| NVMFS5830NLWFT3G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-nvmfs5830nlt1g-datasheets-5311.pdf | 8-PowerTDFN | Без свинца | 5 | 38 недель | 5 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 4 дня назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | Без галогенов | ДА | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | 5 | 1 | Одинокий | 1 | Мощность полевого транзистора общего назначения | 22 нс | 32нс | 27 нс | 40 нс | 29А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | 40В | 40В | 3,8 Вт Та 158 Вт Тс | 0,0036Ом | N-канал | 5880пФ при 25 В | 2,3 мОм при 20 А, 10 В | 2,4 В @ 250 мкА | 29А Та | 113 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||
| NTP4813NLG | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-ntp4813nlg-datasheets-7036.pdf | ТО-220-3 | 13 недель | 10,2А | 30 В | 2,4 Вт Та 60 Вт Тс | N-канал | 895пФ при 12 В | 13,1 мОм при 20 А, 10 В | 2,5 В @ 250 мкА | 10,2А Та | 17 НК при 11,5 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NVB6411ANT4G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/onsemiconductor-ntb6411ang-datasheets-4990.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | Без свинца | 2 | 25 недель | 3 | АКТИВНО, НЕ ЗАПИСЫВАЕТСЯ (последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | АЭК-Q101 | Без галогенов | ДА | КРЫЛО ЧАЙКИ | 3 | Одинокий | 1 | Мощность полевого транзистора общего назначения | Р-ПССО-Г2 | 16 нс | 144 нс | 157 нс | 107 нс | 77А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | 100 В | 100 В | 217 Вт Тс | 285А | 0,014 Ом | 470 мДж | N-канал | 3700пФ при 25В | 14 мОм при 72 А, 10 В | 4 В при 250 мкА | 77А Тк | 100 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||
| НВМФС5830НЛТ3Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-nvmfs5830nlt1g-datasheets-5311.pdf | 8-PowerTDFN | Без свинца | 5 | 38 недель | 5 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 3 дня назад) | да | EAR99 | не_совместимо | е3 | Олово (Вс) | Без галогенов | ДА | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | НЕ УКАЗАН | 5 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 3,8 Вт | 1 | Мощность полевого транзистора общего назначения | 22 нс | 32нс | 27 нс | 40 нс | 29А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | 40В | 40В | 3,8 Вт Та 158 Вт Тс | 0,0036Ом | N-канал | 5880пФ при 25 В | 2,3 мОм при 20 А, 10 В | 2,4 В @ 250 мкА | 29А Та | 113 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||
| НВМФС5833NT3G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/onsemiconductor-nvmfs5833nt3g-datasheets-7046.pdf | 8-PowerTDFN | Без свинца | 38 недель | 5 | АКТИВНО, НЕ ЗАПИСЫВАЕТСЯ (последнее обновление: 1 неделю назад) | да | EAR99 | не_совместимо | е3 | Олово (Вс) | 5 | Мощность полевого транзистора общего назначения | 16А | Одинокий | 40В | 3,7 Вт Та 112 Вт Тс | 86А | N-канал | 1714пФ при 25В | 7,5 мОм при 40 А, 10 В | 3,5 В при 250 мкА | 16А Та | 32,5 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НВМФС4841НВФТ1Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/onsemiconductor-nvmfs4841nt1g-datasheets-4177.pdf | 8-PowerTDFN | Без свинца | 38 недель | 5 | ПОЖИЗНЕННО (Последнее обновление: 4 дня назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | Без галогенов | ДА | 5 | 1 | Одинокий | Мощность полевого транзистора общего назначения | 13,5 нс | 66,5 нс | 7,5 нс | 15,5 нс | 89А | 20 В | 3,7 Вт Та 112 Вт Тс | 30 В | N-канал | 1436пФ при 12 В | 7 м Ом при 30 А, 10 В | 2,5 В @ 250 мкА | 16А Та | 17 НК при 4,5 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПСМН2Р1-60CSJ | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | Д2ПАК | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SK4066-DL-1E | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 1997 год | /files/onsemiconductor-2sk4066dl1e-datasheets-7005.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | Без свинца | 4 недели | 3 | да | EAR99 | е3 | Олово (Вс) | ДА | 2 | Одинокий | Полномочия общего назначения FET | 100А | 1,65 Вт Та 90 Вт Тс | 60В | N-канал | 12500пФ при 20В | 4,7 мОм при 50 А, 10 В | 100А Та | 220 НК при 10 В | 4В 10В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НВМФС4К05НВФТ3Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/onsemiconductor-nvmfs4c05nt1g-datasheets-7572.pdf | 8-PowerTDFN | Без свинца | 38 недель | 8 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 1 неделю назад) | да | EAR99 | не_совместимо | е3 | Олово (Вс) | НЕ УКАЗАН | 1 | НЕ УКАЗАН | Мощность полевого транзистора общего назначения | 116А | Одинокий | 30 В | 3,61 Вт Ta 79 Вт Tc | N-канал | 1972 ПФ при 15 В | 3,4 мОм при 30 А, 10 В | 2,2 В @ 250 мкА | 24,7А Та 116А Ц | 30 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NTTFS4965NFTWG | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 8-PowerWDFN | 23 недели | 8 | EAR99 | не_совместимо | е3 | Олово (Вс) | 1,47 Вт | 150°С | Полномочия общего назначения FET | 64А | Одинокий | 30 В | N-канал | 2075пФ при 15В | 3,5 мОм при 20 А, 10 В | 2,3 В @ 250 мкА | 16,3А Та 64А Ц | 29,4 НК при 10 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NTTFS4C55NTAG | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 8-PowerWDFN | 23 недели | 8 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2СК4066-1Э | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2007 год | /files/onsemiconductor-2sk4066dl1e-datasheets-7005.pdf | ТО-262-3 Длинные выводы, И2Пак, ТО-262АА | Без свинца | 4 недели | 3 | да | EAR99 | е3 | Олово (Вс) | 1 | 1,65 Вт | Полномочия общего назначения FET | 80 нс | 630 нс | 750 нс | 860 нс | 100А | 20 В | Одинокий | 60В | 1,65 Вт Та 90 Вт Тс | N-канал | 12500пФ при 20В | 4,7 мОм при 50 А, 10 В | 100А Та | 220 НК при 10 В | 4В 10В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NTTFS4C53NTWG | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 8-PowerWDFN | 23 недели | 8 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MCH3333A-TL-H | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-mch3333atlw-datasheets-2004.pdf | 3-СМД, плоский вывод | Без свинца | 124,596154 мг | 3 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 2 недели назад) | да | EAR99 | Нет | е6 | Олово/Висмут (Sn/Bi) | 1 | 5,7 нс | 9,7 нс | 16 нс | 27 нс | 2А | 10 В | 30 В | 900мВт Та | P-канал | 240пФ при 10В | 215 мОм при 1 А, 4 В | 2А Та | 2,8 НК при 4 В | 1,8 В 4 В | ±10 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NVD4810NT4G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2011 год | /files/onsemiconductor-nvd4810nt4g-datasheets-7022.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | Без свинца | 2 | 22 недели | 4 | ПОЖИЗНЕННО (Последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | не_совместимо | е3 | Олово (Вс) | ДА | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 4 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 1 | Мощность полевого транзистора общего назначения | Р-ПССО-Г2 | 20,7 нс | 54А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 1,4 Вт Та 50 Вт Тс | 9А | 98 мДж | 30 В | N-канал | 1350пФ при 12В | 10 м Ом при 30 А, 10 В | 2,5 В @ 250 мкА | 9А Та 54А Ц | 11 НК при 4,5 В | 4,5 В 11,5 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||
| ATP404-H-TL-H | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2002 г. | АТПАК (2 отверстия+вкладка) | 4 недели | Олово | 53 нс | 640 нс | 520 нс | 380 нс | 95А | 20 В | 60В | 7,2 мОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БФЛ4036-1Е | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2013 год | /files/onsemiconductor-bfl4036-datasheets-0020.pdf | ТО-220-3 Полный пакет | Без свинца | 6.000006г | 3 | да | EAR99 | е3 | Олово (Вс) | НЕТ | 3 | 1 | Одинокий | Мощность полевого транзистора общего назначения | 9,6А | 500В | 2 Вт Та 37 Вт Тс | N-канал | 1000пФ при 30В | 520 мОм при 7 А, 10 В | 9,6 А Тс | 38,4 НК при 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NTK3134NT5H | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2013 год | СОТ-723 | 3 | 3 | EAR99 | е3 | Олово (Вс) | ДА | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | Одинокий | 450мВт | 1 | Мощность полевого транзистора общего назначения | 890мА | 6В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 20 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 0,75 А | 1,5 В 4,5 В | ±6 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НДД60Н360У1-1Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2014 год | /files/onsemiconductor-ndd60n360u1t4g-datasheets-6917.pdf | ТО-251-3 Короткие выводы, ИПак, ТО-251АА | Без свинца | 3 | 4 недели | 4 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 1 день назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | Без галогенов | НЕТ | 4 | Одинокий | 114 Вт | 1 | Мощность полевого транзистора общего назначения | Р-ПСИП-Т3 | 10 нс | 20нс | 22 нс | 26 нс | 11А | 25 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | 600В | 600В | 114 Вт Тс | 0,36 Ом | N-канал | 790пФ при 50В | 360 мОм при 5,5 А, 10 В | 4 В при 250 мкА | 11А Тк | 26 НК при 10 В | 10 В | ±25 В | |||||||||||||||||||||||||||||
| IRL6283MTRPBF | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | HEXFET®, StrongIRFET™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2013 год | /files/infineontechnologies-irl6283mtrpbf-datasheets-6963.pdf | DirectFET™ Изометрический МД | Без свинца | Нет СВХК | 8 | EAR99 | Нет | 1 | Одинокий | 2,1 Вт | Мощность полевого транзистора общего назначения | 23 нс | 160 нс | 192 нс | 116 нс | 211А | 12 В | 20 В | 800мВ | 2,1 Вт Та 63 Вт Тс | N-канал | 8292пФ при 10 В | 0,75 мОм при 50 А, 10 В | 1,1 В @ 100 мкА | 38А Та 211А Ц | 158 НК при 4,5 В | 2,5 В 4,5 В | ±12 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SK4099LS-1E | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-2sk4099ls-datasheets-9958.pdf | ТО-220-3 Полный пакет | Без свинца | 3 | да | 3 | Одинокий | 6,9А | 2 Вт Та 35 Вт Тс | 600В | N-канал | 750пФ при 30 В | 940 мОм при 4 А, 10 В | 6,9 А Тс | 29 НК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NTTFS4C56NTAG | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 8-PowerWDFN | 23 недели | 8 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НТМФС4К53НТ3Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2015 год | 8-PowerTDFN | 38 недель | 8 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NTLUS3A18PZCTAG | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2011 год | 6-УДФН Открытая площадка | Без свинца | 6 | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | Без галогенов | ДА | 700мВт | 1 | Одинокий | Другие транзисторы | 8,6 нс | 15нс | 88 нс | 150 нс | 5,1А | 8В | 20 В | 8,2А | -20В | P-канал | 2240пФ при 15В | 18 мОм при 7 А, 4,5 В | 1 В при 250 мкА | 5.1А Та | 28 НК при 4,5 В | 1,5 В 4,5 В | ±8 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NTR4503NST1G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НДД60Н360У1-35Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2002 г. | /files/onsemiconductor-ndd60n360u1t4g-datasheets-6917.pdf | ТО-251-3 Короткие выводы, ИПак, ТО-251АА | Без свинца | 3 | 17 недель | 3 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 1 день назад) | да | EAR99 | Нет | Без галогенов | НЕТ | 3 | Одинокий | 1 | Мощность полевого транзистора общего назначения | 10 нс | 20нс | 22 нс | 26 нс | 11А | 25 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | 114 Вт Тс | 44А | 64 мДж | 600В | N-канал | 790пФ при 50В | 360 мОм при 5,5 А, 10 В | 4 В при 250 мкА | 11А Тк | 26 НК при 10 В | 10 В | ±25 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| NTLUS3A40PZCTBG | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-ntlus3a40pzctag-datasheets-6903.pdf | 6-УДФН Открытая площадка | EAR99 | е3 | Олово (Вс) | Другие транзисторы | 4А | Одинокий | 20 В | 700мВт Та | P-канал | 2600пФ при 15В | 29 мОм при 6,4 А, 4,5 В | 1 В при 250 мкА | 4А Та | 29 НК при 4,5 В | 1,5 В 4,5 В | ±8 В |
