Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактОдиночные МОП-транзисторы(33658)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Технология | Режим работы | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Без свинца | Количество окончаний | Масса | Сопротивление | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Код HTS | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Справочный стандарт | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Количество контактов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Код JESD-30 | Включить время задержки | Время подъема | Осень (тип.) | Время задержки отключения | Непрерывный ток стока (ID) | Напряжение от затвора до источника (Vgs) | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Напряжение стока к источнику (Vdss) | DS Напряжение проба-мин. | Рассеиваемая мощность-Макс. | Код JEDEC-95 | Максимальный сток (Abs) (ID) | Максимальный импульсный ток стока (IDM) | Источник стока при максимальном сопротивлении | Обратная связь Cap-Max (Crss) | Рейтинг лавинной энергии (Eas) | Напряжение проба стока к источнику | Тип полярного транзистора | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | Rds включено (макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс) @ Id | Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Напряжение привода (макс. значение включено, минимальное значение включено) | ВГС (Макс) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| JANTXV2N6766T1 | Корпорация Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Военный, MIL-PRF-19500/543 | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Не соответствует требованиям RoHS | 1997 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microsemicorporation-2n6768t1-datasheets-8627.pdf | ТО-254-3, ТО-254АА (прямые выводы) | 3 | 3 | нет | EAR99 | Нет | е0 | Оловянный свинец | ОДИНОКИЙ | ПИН/ПЭГ | 3 | 1 | Полномочия общего назначения FET | Квалифицированный | 30А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | 200В | 200В | 4 Вт Та 150 Вт Тс | 0,065 Ом | N-канал | 90 мОм при 30 А, 10 В | 4 В при 250 мкА | 30А Ц | 115 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||
| JANTX2N6758 | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Военный, MIL-PRF-19500/542 | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Не соответствует требованиям RoHS | 1997 год | /files/microsemicorporation-jan2n6758-datasheets-1724.pdf | ТО-204АА, ТО-3 | 2 | нет | EAR99 | Свинец, Олово | не_совместимо | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | НИЖНИЙ | ПИН/ПЭГ | НЕ УКАЗАН | 2 | НЕ УКАЗАН | 75 Вт | 1 | Квалифицированный | О-МБФМ-П2 | 85нс | 9А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 200В | 200В | 4 Вт Та 75 Вт Тс | 9А | 36А | 0,49 Ом | N-канал | 490 мОм при 9 А, 10 В | 4 В при 250 мкА | 9А Тц | 39 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||
| JANTXV2N6798 | Корпорация Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Военный, MIL-PRF-19500/557 | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Не соответствует требованиям RoHS | 1997 год | ТО-205АФ Металлическая банка | 3 | 3 | нет | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | 8541.21.00.95 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | МИЛ-19500 | НИЖНИЙ | ПРОВОЛОКА | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | Мощность полевого транзистора общего назначения | Квалифицированный | 5,5 А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 200В | 200В | 800 мВт Ta 25 Вт Tc | 0,42 Ом | N-канал | 420 мОм при 5,5 А, 10 В | 4 В при 250 мкА | 5,5 А Тс | 42,07 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||
| FDS4435BZ-F085 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, PowerTrench® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/onsemiconductor-fds4435bzf085-datasheets-2213.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | Без свинца | 8 | 230,4 мг | 20МОм | 8 | АКТИВНО (последнее обновление: 12 часов назад) | да | Нет | е4 | Никель/Палладий/Золото/Серебро (Ni/Pd/Au/Ag) | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | Одинокий | 2,5 Вт | 1 | Другие транзисторы | 10 нс | 6нс | 12 нс | 30 нс | 8,8А | 25 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30 В | 2,5 Вт Та | 345 пФ | -30В | P-канал | 1845пФ при 15В | 20 мОм при 8,8 А, 10 В | 3 В при 250 мкА | 8,8А Та | 40 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±25 В | ||||||||||||||||||||||
| 2N6849U | Корпорация Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Не соответствует требованиям RoHS | 1997 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microsemicorporation-jan2n6849u-datasheets-1922.pdf | 18-CLCC | Нет | 6,5 А | 20 В | 100 В | 800 мВт Ta 25 Вт Tc | P-канал | 300 мОм при 4,1 А, 10 В | 4 В при 250 мкА | 6,5 А Тс | 34,8 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| JANTXV2N7228U | Корпорация Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Военный, MIL-PRF-19500/592 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Не соответствует требованиям RoHS | 1997 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microsemicorporation-jan2n7227u-datasheets-1790.pdf | ТО-267АБ | 3 | 3 | нет | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | 8541.29.00.95 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | МИЛ-19500 | НИЖНИЙ | НЕТ ЛИДЕСА | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Квалифицированный | 12А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 500В | 500В | 4 Вт Та 150 Вт Тс | ТО-276АБ | 48А | 0,515 Ом | 750 мДж | N-канал | 515 мОм при 12 А, 10 В | 4 В при 250 мкА | 12А Ц | 120 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||
| 2N6766 | Корпорация Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Не соответствует требованиям RoHS | 1997 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microsemicorporation-jan2n6768-datasheets-1755.pdf | ТО-204АЭ | 2 | 3 | нет | EAR99 | неизвестный | е0 | ОЛОВО СВИНЦОВОЕ ПО НИКЕЛЮ | НИЖНИЙ | ПИН/ПЭГ | НЕ УКАЗАН | 2 | НЕ УКАЗАН | 1 | Мощность полевого транзистора общего назначения | Не квалифицированный | О-МБФМ-П2 | 190 нс | 30А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | 200В | 200В | 4 Вт Та 150 Вт Тс | 0,065 Ом | N-канал | 90 мОм при 30 А, 10 В | 4 В при 250 мкА | 30А Ц | 115 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||
| Январь2N6764 | Корпорация Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Военный, MIL-PRF-19500/543 | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Не соответствует требованиям RoHS | 1997 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microsemicorporation-jan2n6768-datasheets-1755.pdf | ТО-204АЭ | 2 | 3 | EAR99 | не_совместимо | 8541.29.00.95 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | НИЖНИЙ | ПИН/ПЭГ | НЕ УКАЗАН | 2 | НЕ УКАЗАН | 1 | Квалифицированный | О-МБФМ-П2 | 190 нс | 38А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 100 В | 100 В | 4 Вт Та 150 Вт Тс | 152А | 0,055 Ом | 150 мДж | N-канал | 65 мОм при 38 А, 10 В | 4 В при 250 мкА | 38А Тц | 125 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||
| JANTX2N7227 | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Военный, MIL-PRF-19500/592 | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Не соответствует требованиям RoHS | 1997 год | /files/microsemicorporation-jan2n7224-datasheets-1801.pdf | ТО-254-3, ТО-254АА (прямые выводы) | 3 | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | Нет | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | ОДИНОКИЙ | ПИН/ПЭГ | 3 | 4 Вт | 1 | Полномочия общего назначения FET | Квалифицированный | С-МСФМ-П3 | 14А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 400В | 400В | 4 Вт Та 150 Вт Тс | 56А | 700 мДж | N-канал | 415 мОм при 14 А, 10 В | 4 В при 250 мкА | 14А Ц | 110 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||
| 2Н6790У | Корпорация Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Не соответствует требованиям RoHS | 1997 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microsemicorporation-jan2n6788u-datasheets-1767.pdf | 18-CLCC | 15 | EAR99 | е4 | ЗОЛОТО НАД НИКЕЛЕМ | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | 18/15 | 1 | Р-CQCC-N15 | 2,8А | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ИСТОЧНИК | 200В | 200В | 800мВт Тс | 11А | 0,85 Ом | N-канал | 800 мОм при 2,25 А, 10 В | 4 В при 250 мкА | 2,8 А Тс | 14,3 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АПТ12057JLL | Корпорация Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | СИЛА МОС 7® | Крепление на шасси | Крепление на шасси | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2016 год | СОТ-227-4, миниБЛОК | 4 | 1 | Мощность полевого транзистора общего назначения | 19А | 1200В | 520 Вт Тс | N-канал | 6200пФ при 25В | 570 мОм при 10 А, 10 В | 5 В при 2,5 мА | 19А Тк | 290 НК при 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N6784 | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Не соответствует требованиям RoHS | 1997 год | /files/microsemicorporation-jan2n6782-datasheets-1736.pdf | ТО-205АФ Металлическая банка | 3 | EAR99 | НИЖНИЙ | ПРОВОЛОКА | 1 | О-MBCY-W3 | 2,25 А | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | 200В | 200В | 800 мВт Ta 15 Вт Tc | 2,81 Ом | N-канал | 1,5 Ом при 1,5 А, 0 В | 4 В при 250 мкА | 2,25 А Тс | 8,6 нк при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N7228 | Корпорация Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Не соответствует требованиям RoHS | 1997 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microsemicorporation-jan2n7224-datasheets-1801.pdf | ТО-254-3, ТО-254АА (прямые выводы) | 3 | 3 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Свинец, Олово | 8541.29.00.95 | е4 | Золото (Au) - с никелевым (Ni) барьером | ОДИНОКИЙ | ПИН/ПЭГ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Мощность полевого транзистора общего назначения | Не квалифицированный | 12А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 500В | 500В | 4 Вт Та 150 Вт Тс | 48А | 0,515 Ом | N-канал | 415 мОм при 8 А, 10 В | 4 В при 250 мкА | 12А Ц | 120 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||
| ЯН2Н6768Т1 | Корпорация Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Военный, MIL-PRF-19500/543 | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Не соответствует требованиям RoHS | 1997 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microsemicorporation-2n6768t1-datasheets-8627.pdf | ТО-254-3, ТО-254АА (прямые выводы) | 3 | 3 | Нет | МИЛ-19500 | ОДИНОКИЙ | ПИН/ПЭГ | 3 | 1 | Квалифицированный | 14А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | 400В | 400В | 4 Вт Та 150 Вт Тс | N-канал | 400 мОм при 14 А, 10 В | 4 В при 250 мкА | 14А Ц | 110 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2Н6800У | Корпорация Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Не соответствует требованиям RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microsemicorporation-jan2n6802u-datasheets-1763.pdf | 18-CLCC | Нет | Мощность полевого транзистора общего назначения | 30 нс | 35 нс | 35 нс | 35 нс | 3А | 20 В | Одинокий | 400В | 800 мВт Ta 25 Вт Tc | 3А | N-канал | 1 Ом при 2 А, 10 В | 4 В при 250 мкА | 3А Тк | 5,75 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2Н6796У | Корпорация Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Не соответствует требованиям RoHS | 1997 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microsemicorporation-jan2n6802u-datasheets-1763.pdf | 18-CLCC | 15 | EAR99 | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | 16 | 1 | Не квалифицированный | Р-CQCC-N15 | 8А | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | 100 В | 100 В | 800 мВт Ta 25 Вт Tc | 8А | 0,195 Ом | N-канал | 180 мОм при 5 А, 10 В | 4 В при 250 мА | 8А Тк | 6,34 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2Н6802У | Корпорация Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Не соответствует требованиям RoHS | 1997 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microsemicorporation-jan2n6802u-datasheets-1763.pdf | 18-CLCC | Нет | Мощность полевого транзистора общего назначения | 30 нс | 30 нс | 30 нс | 55 нс | 2,5 А | 20 В | Одинокий | 500В | 800 мВт Ta 25 Вт Tc | N-канал | 1,5 Ом @ 1,5 А, 10 В | 4 В при 250 мкА | 2,5 А Тс | 4,46 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОН6544 | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | АльфаМОС | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2011 год | 8-PowerSMD, плоские выводы | 8 | Мощность полевого транзистора общего назначения | 85А | Одинокий | 30 В | 7,4 Вт Та 83 Вт Тс | N-канал | 5910пФ при 15 В | 1,4 мОм при 20 А, 10 В | 2,2 В @ 250 мкА | 60А Та 85А Ц | 120 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N6762 | Корпорация Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Не соответствует требованиям RoHS | 1997 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microsemicorporation-jan2n6758-datasheets-1724.pdf | ТО-204АА, ТО-3 | 2 | 3 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | 8541.29.00.95 | НИЖНИЙ | ПИН/ПЭГ | 2 | 1 | Мощность полевого транзистора общего назначения | О-МБФМ-П2 | 40 нс | 4,5 А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 500В | 500В | 4 Вт Та 75 Вт Тс | 18А | N-канал | 1,8 Ом при 4,5 А, 10 В | 4 В при 250 мкА | 4,5 А Тс | 40 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N6766T1 | Корпорация Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Не соответствует требованиям RoHS | 1997 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microsemicorporation-jan2n6768-datasheets-1755.pdf | ТО-254-3, ТО-254АА (прямые выводы) | 3 | 3 | EAR99 | ОДИНОКИЙ | ПИН/ПЭГ | 3 | 1 | Мощность полевого транзистора общего назначения | Не квалифицированный | 30А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | 200В | 200В | 4 Вт Та 150 Вт Тс | 0,065 Ом | N-канал | 90 мОм при 30 А, 10 В | 4 В при 250 мкА | 30А Ц | 115 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N6790 | Корпорация Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Не соответствует требованиям RoHS | 1997 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microsemicorporation-jan2n6788-datasheets-1773.pdf | ТО-205АФ Металлическая банка | 3 | EAR99 | не_совместимо | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | НИЖНИЙ | ПРОВОЛОКА | 1 | Мощность полевого транзистора общего назначения | О-MBCY-W3 | 3,5 А | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | 200В | 200В | 800мВт Тс | 14А | 0,85 Ом | N-канал | 800 мОм при 2,25 А, 10 В | 4 В при 250 мкА | 3,5 А Тс | 14,3 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N6849 | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Не соответствует требованиям RoHS | 1997 год | /files/microsemicorporation-jan2n6849-datasheets-1758.pdf | ТО-205АФ Металлическая банка | 3 | 3 | нет | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | е0 | Оловянный свинец | НИЖНИЙ | ПРОВОЛОКА | НЕ УКАЗАН | 2 | НЕ УКАЗАН | 800мВт | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицированный | 6,5 А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 100 В | 800 мВт Ta 25 Вт Tc | P-канал | 320 мОм при 6,5 А, 10 В | 4 В при 250 мкА | 6,5 А Тс | 34,8 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||
| 2N6764 | Корпорация Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Не соответствует требованиям RoHS | 1997 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microsemicorporation-jan2n6768-datasheets-1755.pdf | ТО-204АЭ | 2 | нет | EAR99 | неизвестный | е0 | ОЛОВО СВИНЦОВОЕ ПО НИКЕЛЮ | НИЖНИЙ | ПИН/ПЭГ | НЕ УКАЗАН | 2 | НЕ УКАЗАН | 1 | Мощность полевого транзистора общего назначения | Не квалифицированный | О-МБФМ-П2 | 38А | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | 100 В | 100 В | 4 Вт Та 150 Вт Тс | 0,065 Ом | N-канал | 65 мОм при 38 А, 10 В | 4 В при 250 мкА | 38А Тц | 125 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||
| 2Н6798У | Корпорация Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Не соответствует требованиям RoHS | 1997 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microsemicorporation-jan2n6802u-datasheets-1763.pdf | 18-CLCC | 15 | EAR99 | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | 18 | 1 | Не квалифицированный | Р-CQCC-N15 | 5,5 А | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ИСТОЧНИК | 200В | 200В | 800 мВт Ta 25 Вт Tc | 0,42 Ом | N-канал | 400 мОм при 3,5 А, 10 В | 4 В при 250 мкА | 5,5 А Тс | 5,29 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N6804 | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Не соответствует требованиям RoHS | 1997 год | /files/microsemicorporation-jantx2n6804-datasheets-3638.pdf | ТО-204АА, ТО-3 | 2 | 3 | нет | EAR99 | неизвестный | е0 | Оловянный свинец | НИЖНИЙ | ПИН/ПЭГ | НЕ УКАЗАН | 2 | НЕ УКАЗАН | 1 | Не квалифицированный | О-МБФМ-П2 | 140 нс | 11А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | 100 В | 100 В | 4 Вт Та 75 Вт Тс | P-канал | 360 мОм при 11 А, 10 В | 4 В при 250 мкА | 11А Тк | 29 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||
| ZXMP3F37N8TA | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/diodesincorporated-zxmp3f37n8ta-datasheets-2177.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 | 8 | да | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 8 | 40 | 1 | Другие транзисторы | 3,5 нс | 4,9 нс | 28 нс | 44 нс | 6,4А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30 В | 30 В | 1,56 Вт Та | 10,7А | 0,025 Ом | P-канал | 1678пФ при 15 В | 25 мОм при 7,1 А, 10 В | 2,5 В @ 250 мкА | 6.4А Та | 31,6 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||
| 2N6798 | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Не соответствует требованиям RoHS | 1997 год | ТО-205АФ Металлическая банка | 3 | EAR99 | 8541.21.00.95 | е0 | ОЛОВО СВИНЦОВОЕ ПО НИКЕЛЮ | НИЖНИЙ | ПРОВОЛОКА | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | Мощность полевого транзистора общего назначения | Не квалифицированный | О-MBCY-W3 | 5,5 А | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 200В | 200В | 800 мВт Ta 25 Вт Tc | 0,42 Ом | N-канал | 400 мОм при 3,5 А, 10 В | 4 В при 250 мкА | 5,5 А Тс | 5,29 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N6788 | Корпорация Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Не соответствует требованиям RoHS | 1997 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microsemicorporation-jan2n6788-datasheets-1773.pdf | ТО-205АФ Металлическая банка | 3 | 3 | EAR99 | Нет | е0 | Оловянный свинец | НИЖНИЙ | ПРОВОЛОКА | 1 | Мощность полевого транзистора общего назначения | 40 нс | 70нс | 70 нс | 40 нс | 6А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | 100 В | 100 В | 800мВт Тс | 6А | 24А | N-канал | 300 мОм при 3,5 А, 10 В | 4 В при 250 мкА | 6А Тк | 18 НК @ 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||
| JANTXV2N6849 | Корпорация Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Военный, MIL-PRF-19500/564 | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Не соответствует требованиям RoHS | 1997 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microsemicorporation-jan2n6849-datasheets-1758.pdf | ТО-205АФ Металлическая банка | 3 | 3 | нет | EAR99 | РАДИАЦИОННАЯ ЗАКАЧКА | Свинец, Олово | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | ВОЕННЫЙ СТАНДАРТ (США) | НИЖНИЙ | ПРОВОЛОКА | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 800мВт | 1 | Квалифицированный | 6,5 А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 100 В | 800 мВт Ta 25 Вт Tc | 25А | 500 мДж | P-канал | 320 мОм при 6,5 А, 10 В | 4 В при 250 мкА | 6,5 А Тс | 34,8 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||
| 2Н7236 | Корпорация Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Не соответствует требованиям RoHS | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microsemicorporation-jantx2n7236-datasheets-1948.pdf | ТО-254-3, ТО-254АА (прямые выводы) | 3 | да | EAR99 | Свинец, Олово | неизвестный | е4 | ЗОЛОТО НАД НИКЕЛЕМ | ОДИНОКИЙ | ПИН/ПЭГ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 4 Вт | 1 | Не квалифицированный | С-КСФМ-П3 | 18А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | 100 В | 4 Вт Та 125 Вт Тс | 0,22 Ом | P-канал | 200 мОм при 11 А, 10 В | 4 В при 250 мкА | 18А Тк | 60 НК при 10 В | 10 В | ±20 В |
