Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактОдиночные МОП-транзисторы(33658)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Режим работы | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Количество контактов | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Код HTS | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Справочный стандарт | Поверхностный монтаж | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Количество контактов | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Входная емкость | Включить время задержки | Время подъема | Осень (тип.) | Время задержки отключения | Непрерывный ток стока (ID) | Напряжение от затвора до источника (Vgs) | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Напряжение стока к источнику (Vdss) | DS Напряжение проба-мин. | Рассеиваемая мощность-Макс. | Код JEDEC-95 | Максимальный сток (Abs) (ID) | Максимальный импульсный ток стока (IDM) | Источник стока при максимальном сопротивлении | Рейтинг лавинной энергии (Eas) | Тип полярного транзистора | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | Rds включено (макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс) @ Id | Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Особенность левого транзистора | РДС на Максе | Напряжение привода (макс. значение включено, минимальное значение включено) | ВГС (Макс) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| JANTXV2N6790U | Корпорация Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Военный, MIL-PRF-19500/555 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Не соответствует требованиям RoHS | 1997 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microsemicorporation-jan2n6788u-datasheets-1767.pdf | 18-CLCC | 15 | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | неизвестный | МИЛ-19500 | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | НЕ УКАЗАН | 18/15 | НЕ УКАЗАН | 1 | Полномочия общего назначения FET | Квалифицированный | Р-CQCC-N15 | 2,8А | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ИСТОЧНИК | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 200В | 200В | 800мВт Тс | 3,5 А | 11А | 0,85 Ом | N-канал | 850 мОм при 3,5 А, 10 В | 4 В при 250 мкА | 2,8 А Тс | 14,3 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||
| JANTXV2N6804 | Корпорация Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Военный, MIL-PRF-19500/562 | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Не соответствует требованиям RoHS | 1997 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microsemicorporation-jantx2n6804-datasheets-3638.pdf | ТО-204АА, ТО-3 | 2 | 3 | нет | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | 8541.29.00.95 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | МИЛ-19500 | НИЖНИЙ | ПИН/ПЭГ | НЕ УКАЗАН | 2 | НЕ УКАЗАН | 1 | Квалифицированный | О-МБФМ-П2 | 140 нс | 11А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 100 В | 100 В | 4 Вт Та 75 Вт Тс | 50А | 81 мДж | P-канал | 360 мОм при 11 А, 10 В | 4 В при 250 мкА | 11А Тк | 29 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||
| JANTXV2N6790 | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Военный, MIL-PRF-19500/555 | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Не соответствует требованиям RoHS | 1997 год | /files/microsemicorporation-jan2n6788-datasheets-1773.pdf | ТО-205АФ Металлическая банка | 3 | EAR99 | РАДИАЦИОННАЯ ЗАКАЧКА | неизвестный | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | ВОЕННЫЙ СТАНДАРТ (США) | НИЖНИЙ | ПРОВОЛОКА | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | Полномочия общего назначения FET | Квалифицированный | О-MBCY-W3 | 3,5 А | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 200В | 200В | 800мВт Тс | ТО-39 | 14А | 0,8 Ом | N-канал | 850 мОм при 3,5 А, 10 В | 4 В при 250 мкА | 3,5 А Тс | 14,3 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||
| JANTX2N6764T1 | Корпорация Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Военный, MIL-PRF-19500/543 | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Не соответствует требованиям RoHS | 1997 год | /files/microsemicorporation-2n6768t1-datasheets-8627.pdf | ТО-254-3, ТО-254АА (прямые выводы) | 3 | EAR99 | МИЛ-19500/543 | ОДИНОКИЙ | ПИН/ПЭГ | 3 | 1 | Полномочия общего назначения FET | Квалифицированный | S-XSFM-P3 | 38А | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | 100 В | 100 В | 4 Вт Та 150 Вт Тс | 0,065 Ом | N-канал | 65 мОм при 38 А, 10 В | 4 В при 250 мкА | 38А Тц | 125 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| JANTXV2N6764T1 | Корпорация Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Военный, MIL-PRF-19500/543 | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Не соответствует требованиям RoHS | 1997 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microsemicorporation-2n6768t1-datasheets-8627.pdf | ТО-254-3, ТО-254АА (прямые выводы) | 3 | EAR99 | МИЛ-19500/543 | ОДИНОКИЙ | ПИН/ПЭГ | 3 | 1 | Полномочия общего назначения FET | Квалифицированный | S-XSFM-P3 | 38А | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | 100 В | 100 В | 4 Вт Та 150 Вт Тс | 0,065 Ом | N-канал | 65 мОм при 38 А, 10 В | 4 В при 250 мкА | 38А Тц | 125 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| JANTXV2N6764 | Корпорация Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Военный, MIL-PRF-19500/543 | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Не соответствует требованиям RoHS | 1997 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microsemicorporation-jan2n6768-datasheets-1755.pdf | ТО-204АЭ | 2 | 36 недель | 3 | EAR99 | РАДИАЦИОННАЯ ЗАКАЧКА | не_совместимо | 8541.29.00.95 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | ВОЕННЫЙ СТАНДАРТ (США) | НИЖНИЙ | ПИН/ПЭГ | 2 | 1 | Квалифицированный | О-МБФМ-П2 | 38А | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 100 В | 100 В | 4 Вт Та 150 Вт Тс | 70А | 0,055 Ом | N-канал | 65 мОм при 38 А, 10 В | 4 В при 250 мкА | 38А Тц | 125 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||
| JANTX2N6790U | Корпорация Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Военный, MIL-PRF-19500/555 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Не соответствует требованиям RoHS | 1997 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microsemicorporation-jan2n6788u-datasheets-1767.pdf | 18-CLCC | 15 | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | неизвестный | МИЛ-19500 | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | НЕ УКАЗАН | 18/15 | НЕ УКАЗАН | 1 | Полномочия общего назначения FET | Квалифицированный | Р-CQCC-N15 | 2,8А | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ИСТОЧНИК | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 200В | 200В | 800мВт Тс | 3,5 А | 11А | 0,85 Ом | 66 мДж | N-канал | 850 мОм при 3,5 А, 10 В | 4 В при 250 мкА | 2,8 А Тс | 14,3 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||
| АПТ58М50JCU3 | Корпорация Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | СИЛОВАЯ МОС 8™ | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | -40°С~150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | СОТ-227-4, миниБЛОК | 4 | 4 | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | Нет | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | 4 | 1 | Мощность полевого транзистора общего назначения | 60 нс | 70нс | 50 нс | 155 нс | 58А | 30 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 500В | 500В | 543 Вт Тс | 270А | 0,065 Ом | N-канал | 10800пФ при 25В | 65 мОм при 42 А, 10 В | 5 В при 2,5 мА | 58А Ц | 340 НК при 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||
| JANTX2N7236 | Корпорация Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Военный, MIL-PRF-19500/595 | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Не соответствует требованиям RoHS | 1997 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microsemicorporation-jantx2n7236-datasheets-1948.pdf | ТО-254-3, ТО-254АА (прямые выводы) | 3 | да | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Свинец, Олово | е4 | Золото (Au) - с никелевым (Ni) барьером | ОДИНОКИЙ | ПИН/ПЭГ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 4 Вт | 1 | Квалифицированный | С-КСФМ-П3 | 18А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 100 В | 4 Вт Та 125 Вт Тс | 72А | 0,22 Ом | 500 мДж | P-канал | 220 мОм при 18 А, 10 В | 4 В при 250 мкА | 18А Тк | 60 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||
| JANTX2N7224U | Корпорация Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Военный, MIL-PRF-19500/592 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Не соответствует требованиям RoHS | 1997 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microsemicorporation-jan2n7227u-datasheets-1790.pdf | ТО-267АБ | 3 | 3 | нет | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Нет | 8541.29.00.95 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | МИЛ-19500/592 | НИЖНИЙ | 3 | 1 | Квалифицированный | 34А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 100 В | 100 В | 4 Вт Та 150 Вт Тс | ТО-276АБ | 0,081 Ом | 150 мДж | N-канал | 81 мОм при 34 А, 10 В | 4 В при 250 мкА | 34А Тк | 125 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||
| JANTXV2N6766 | Корпорация Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Военный, MIL-PRF-19500/543 | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Не соответствует требованиям RoHS | 1997 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microsemicorporation-jan2n6768-datasheets-1755.pdf | ТО-204АЭ | 2 | 3 | EAR99 | Свинец, Олово | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | НИЖНИЙ | ПИН/ПЭГ | 2 | 1 | Квалифицированный | О-МБФМ-П2 | 30А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | 200В | 200В | 4 Вт Та 150 Вт Тс | 0,085Ом | N-канал | 90 мОм при 30 А, 10 В | 4 В при 250 мкА | 30А Ц | 115 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| JANTXV2N6796U | Корпорация Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Военный, MIL-PRF-19500/557 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Не соответствует требованиям RoHS | 1997 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microsemicorporation-jan2n6802u-datasheets-1763.pdf | 18-CLCC | 15 | нет | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Свинец, Олово | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | МИЛ-19500/557 | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | НЕ УКАЗАН | 16 | НЕ УКАЗАН | 1 | Квалифицированный | Р-CQCC-N15 | 8А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ИСТОЧНИК | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 100 В | 100 В | 800 мВт Ta 25 Вт Tc | 8А | 32А | 0,195 Ом | 134 мДж | N-канал | 195 мОм при 8 А, 10 В | 4 В при 250 мкА | 8А Тк | 28,51 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||
| ЯНТХ2N6762 | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Военный, MIL-PRF-19500/542 | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Не соответствует требованиям RoHS | 1997 год | /files/microsemicorporation-jan2n6758-datasheets-1724.pdf | ТО-204АА, ТО-3 | 2 | нет | не_совместимо | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | МИЛ-19500 | НИЖНИЙ | ПИН/ПЭГ | НЕ УКАЗАН | 2 | НЕ УКАЗАН | 1 | Квалифицированный | О-МБФМ-П2 | 4,5 А | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 500В | 500В | 4 Вт Та 75 Вт Тс | 18А | N-канал | 1,8 Ом при 4,5 А, 10 В | 4 В при 250 мкА | 4,5 А Тс | 40 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||
| ЯН2Н7224У | Корпорация Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Военный, MIL-PRF-19500/592 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Не соответствует требованиям RoHS | 1997 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microsemicorporation-jan2n7227u-datasheets-1790.pdf | ТО-267АБ | 3 | 3 | нет | EAR99 | Нет | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | МИЛ-19500/592 | НИЖНИЙ | 3 | 1 | Квалифицированный | 34А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | 100 В | 100 В | 4 Вт Та 150 Вт Тс | ТО-276АБ | 0,081 Ом | N-канал | 81 мОм при 34 А, 10 В | 4 В при 250 мкА | 34А Тк | 125 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||
| АПТ24Ф50С | Корпорация Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | СИЛОВАЯ МОС 8™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 1997 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microsemicorporation-apt24f50b-datasheets-4688.pdf | ТО-268-3, Д3Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-268АА | 2 | 3 | да | ЛАВИННАЯ СТЕПЕНЬ, ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | е3 | Чистая матовая банка | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 245 | 3 | 30 | 1 | Не квалифицированный | Р-ПССО-Г2 | 24А | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 500В | 500В | 335 Вт Тс | 82А | 0,24 Ом | 495 мДж | N-канал | 3630пФ при 25В | 240 мОм при 11 А, 10 В | 5 В при 1 мА | 24А Тк | 90 НК при 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||
| ЯН2Н6790У | Корпорация Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Военный, MIL-PRF-19500/555 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Не соответствует требованиям RoHS | 1997 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microsemicorporation-jan2n6788u-datasheets-1767.pdf | 18-CLCC | 15 | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | МИЛ-19500 | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | НЕ УКАЗАН | 18/15 | НЕ УКАЗАН | 1 | Полномочия общего назначения FET | Квалифицированный | Р-CQCC-N15 | 2,8А | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ИСТОЧНИК | 200В | 200В | 800мВт Тс | 3,5 А | 11А | 0,85 Ом | N-канал | 850 мОм при 3,5 А, 10 В | 4 В при 250 мкА | 2,8 А Тс | 14,3 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||
| Январь2N6766 | Корпорация Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Военный, MIL-PRF-19500/543 | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Не соответствует требованиям RoHS | 1997 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microsemicorporation-jan2n6768-datasheets-1755.pdf | ТО-204АЭ | 2 | 3 | EAR99 | Свинец, Олово | неизвестный | 8541.29.00.95 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) – с никелевым (Ni) барьером | НИЖНИЙ | ПИН/ПЭГ | НЕ УКАЗАН | 2 | НЕ УКАЗАН | 1 | Квалифицированный | О-МБФМ-П2 | 30А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 200В | 200В | 4 Вт Та 150 Вт Тс | 120А | 0,085Ом | 500 мДж | N-канал | 90 мОм при 30 А, 10 В | 4 В при 250 мкА | 30А Ц | 115 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||
| Январь2N6901 | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Военный, MIL-PRF-19500/570 | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Не соответствует требованиям RoHS | 1997 год | /files/microsemicorporation-jantx2n6901-datasheets-1817.pdf | ТО-205АФ Металлическая банка | 3 | 3 | EAR99 | Нет | 8541.21.00.95 | МИЛ-19500/570Б | НИЖНИЙ | ПРОВОЛОКА | 2 | 1 | Квалифицированный | 25 нс | 80нс | 80 нс | 45 нс | 1,69А | 10 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 100 В | 100 В | 8,33 Вт Тс | N-канал | 1,4 Ом при 1,07 А, 5 В | 2 В @ 1 мА | 1,69 А Тс | 5 нк при 5 В | 5В | ±10 В | ||||||||||||||||||||||||||||
| APTC90SKM60CT1G | Корпорация Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | CoolMOS™ | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | -40°С~150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 1997 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microsemicorporation-aptc90skm60ct1g-datasheets-1931.pdf | СП1 | 10 | 1 | EAR99 | ЛАВИННЫЙ НОМИНАЛ, СВЕРХНИЗКОЕ СОПРОТИВЛЕНИЕ | Нет | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | 12 | 1 | Мощность полевого транзистора общего назначения | 70 нс | 20нс | 25 нс | 400 нс | 59А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ И ТЕРМИСТОРОМ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 900В | 900В | 462 Вт Тк | 0,06 Ом | N-канал | 13600пФ при 100В | 60 мОм при 52 А, 10 В | 3,5 В при 6 мА | 59А Тк | 540 НК при 10 В | Супер Джанкшн | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||
| ИПД60Р600П6 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | CoolMOS™ P6 | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2011 год | /files/infineontechnologies-ipd60r600p6-datasheets-1513.pdf&product=infineontechnologies-ipd60r600p6-6928786 | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 2 | 20 недель | нет | е3 | Олово (Вс) | ДА | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | Р-ПССО-Г2 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 600В | 600В | 63 Вт Тс | 7,3А | 18А | 0,6 Ом | 133 мДж | N-канал | 557пФ при 100 В | 600 мОм при 2,4 А, 10 В | 7,3 А Тс | 12 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||
| JANTXV2N6782 | Корпорация Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Военный, MIL-PRF-19500/556 | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Не соответствует требованиям RoHS | 1997 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microsemicorporation-jan2n6782-datasheets-1736.pdf | ТО-205АФ Металлическая банка | 3 | 3 | нет | EAR99 | РАДИАЦИОННАЯ ЗАКАЧКА | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | МИЛ-19500 | НИЖНИЙ | ПРОВОЛОКА | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | Мощность полевого транзистора общего назначения | Квалифицированный | 3,5 А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 100 В | 100 В | 800 мВт Ta 15 Вт Tc | 14А | 0,6 Ом | N-канал | 610 мОм при 3,5 А, 10 В | 4 В при 250 мкА | 3,5 А Тс | 8,1 нк при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||
| АПТМЛ50UM90R020T1AG | Корпорация Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | -40°С~150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2016 год | СП1 | 6 | 1 | EAR99 | Нет | ВЕРХНИЙ | ПРОХОДНОЕ ОТВЕРСТИЕ | 12 | 568 Вт | 1 | Мощность полевого транзистора общего назначения | Р-XUFM-T6 | 52А | 30 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 500В | 500В | 568 Вт Тс | 200А | 3000 мДж | N-канал | 7600пФ при 25 В | 108 мОм при 26 А, 10 В | 4 В при 2,5 мА | 52А Ц | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| JANTX2N6760 | Корпорация Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Военный, MIL-PRF-19500/542 | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Не соответствует требованиям RoHS | 1997 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microsemicorporation-jan2n6758-datasheets-1724.pdf | ТО-204АА, ТО-3 | 2 | 36 недель | нет | не_совместимо | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | МИЛ-19500 | НИЖНИЙ | ПИН/ПЭГ | НЕ УКАЗАН | 2 | НЕ УКАЗАН | 1 | Квалифицированный | О-МБФМ-П2 | 5,5 А | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 400В | 400В | 4 Вт Та 75 Вт Тс | 22А | N-канал | 1,22 Ом при 5,5 А, 10 В | 4 В при 250 мкА | 5,5 А Тс | 39 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||
| JANTX2N6768 | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Военный, MIL-PRF-19500/543 | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Не соответствует требованиям RoHS | 1997 год | /files/microsemicorporation-jan2n6768-datasheets-1755.pdf | ТО-204АЭ | 2 | нет | Свинец, Олово | не_совместимо | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | НИЖНИЙ | ПИН/ПЭГ | НЕ УКАЗАН | 2 | НЕ УКАЗАН | 4 Вт | 1 | Квалифицированный | О-МБФМ-П2 | 190 нс | 14А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 400В | 400В | 4 Вт Та 150 Вт Тс | ТО-204АА | 56А | 0,3 Ом | 700 мДж | N-канал | 400 мОм при 14 А, 10 В | 4 В при 250 мкА | 14А Ц | 110 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||
| JANTX2N6788 | Корпорация Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Военный, MIL-PRF-19500/555 | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Не соответствует требованиям RoHS | 1997 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microsemicorporation-jan2n6788-datasheets-1773.pdf | ТО-205АФ Металлическая банка | 3 | 3 | EAR99 | РАДИАЦИОННАЯ ЗАКАЧКА | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | НИЖНИЙ | ПРОВОЛОКА | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | Полномочия общего назначения FET | Квалифицированный | 70нс | 6А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 100 В | 100 В | 800мВт Тс | 6А | 24А | N-канал | 350 мОм при 6 А, 10 В | 4 В при 250 мкА | 6А Тк | 18 НК @ 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||
| JANTX2N7227U | Корпорация Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Военный, MIL-PRF-19500/592 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Не соответствует требованиям RoHS | 1997 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microsemicorporation-jan2n7227u-datasheets-1790.pdf | ТО-267АБ | 3 | 3 | нет | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | 8541.29.00.95 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | МИЛ-19500 | НИЖНИЙ | НЕТ ЛИДЕСА | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Квалифицированный | 14А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 400В | 400В | 4 Вт Та 150 Вт Тс | ТО-276АБ | 56А | 0,415 Ом | 700 мДж | N-канал | 415 мОм при 14 А, 10 В | 4 В при 250 мкА | 14А Ц | 110 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||
| JANTX2N6770T1 | Корпорация Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Военный, MIL-PRF-19500/543 | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Не соответствует требованиям RoHS | 1997 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microsemicorporation-2n6768t1-datasheets-8627.pdf | ТО-254-3, ТО-254АА (прямые выводы) | ТО-254АА | 500В | 4 Вт Та 150 Вт Тс | N-канал | 500 мОм при 12 А, 10 В | 4 В при 250 мкА | 12А Ц | 120 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| JANTX2N6800 | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Военный, MIL-PRF-19500/557 | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Не соответствует требованиям RoHS | 1997 год | ТО-205АД, ТО-39-3 Металлическая банка | 3 | 3 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | не_совместимо | 8541.21.00.95 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | МИЛ-19500 | НИЖНИЙ | ПРОВОЛОКА | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | Мощность полевого транзистора общего назначения | Квалифицированный | 3А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 400В | 400В | 800 мВт Ta 25 Вт Tc | ТО-205АФ | 3А | 14А | N-канал | 1,1 Ом при 3 А, 10 В | 4 В при 250 мкА | 3А Тк | 34,75 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||
| JANTX2N6768T1 | Корпорация Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Военный, MIL-PRF-19500/543 | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Не соответствует требованиям RoHS | 1997 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microsemicorporation-2n6768t1-datasheets-8627.pdf | ТО-254-3, ТО-254АА (прямые выводы) | 3 | 3 | EAR99 | Нет | МИЛ-19500 | ОДИНОКИЙ | ПИН/ПЭГ | 3 | 1 | Квалифицированный | 14А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | 400В | 400В | 4 Вт Та 150 Вт Тс | N-канал | 400 мОм при 14 А, 10 В | 4 В при 250 мкА | 14А Ц | 110 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| APT5014SLLG/ТР | Корпорация Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | СИЛА МОС 7® | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microsemicorporation-apt5014sllgtr-datasheets-1921.pdf | ТО-247-3 | ТО-247 | 3,261 нФ | 35А | 500В | 403 Вт Тк | N-канал | 3261пФ при 25 В | 140 мОм при 17,5 А, 10 В | 5 В при 1 мА | 35А Ц | 72 НК при 10 В | 140 мОм | 10 В | ±30 В |
