Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактОдиночные МОП-транзисторы(33658)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Технология | Режим работы | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Количество контактов | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Код HTS | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Справочный стандарт | Поверхностный монтаж | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Количество контактов | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Код JESD-30 | Включить время задержки | Время подъема | Осень (тип.) | Время задержки отключения | Непрерывный ток стока (ID) | Напряжение от затвора до источника (Vgs) | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Напряжение стока к источнику (Vdss) | DS Напряжение проба-мин. | Рассеиваемая мощность-Макс. | Код JEDEC-95 | Максимальный сток (Abs) (ID) | Максимальный импульсный ток стока (IDM) | Источник стока при максимальном сопротивлении | Рейтинг лавинной энергии (Eas) | Тип полярного транзистора | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | Rds включено (макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс) @ Id | Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Напряжение привода (макс. значение включено, минимальное значение включено) | ВГС (Макс) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| АПТ9Ф100С | Корпорация Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | СИЛОВАЯ МОС 8™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 1997 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microsemicorporation-apt9f100b-datasheets-3923.pdf | ТО-268-3, Д3Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-268АА | 2 | да | ЛАВИННАЯ СТЕПЕНЬ, ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | е3 | Чистая матовая банка | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 245 | 3 | 30 | 1 | Не квалифицированный | Р-ПССО-Г2 | 9А | 30 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 1000В | 337 Вт Тс | 9А | 37А | 574 мДж | N-канал | 2606пФ при 25 В | 1,6 Ом при 5 А, 10 В | 5 В при 1 мА | 9А Тц | 80 НК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||
| 2Н7236У | Корпорация Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Не соответствует требованиям RoHS | 1997 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microsemicorporation-jan2n7236u-datasheets-1807.pdf | ТО-267АБ | 3 | EAR99 | ДВОЙНОЙ | НЕТ ЛИДЕСА | 3 | 1 | Не квалифицированный | Р-ПДСО-Н3 | 18А | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | ОСУШАТЬ | 100 В | 100 В | 4 Вт Та 125 Вт Тс | 0,22 Ом | P-канал | 200 мОм при 11 А, 10 В | 4 В при 250 мкА | 18А Тк | 60 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||
| 2Н6782У | Корпорация Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Не соответствует требованиям RoHS | 1997 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microsemicorporation-jan2n6784u-datasheets-1732.pdf | 18-CLCC | 15 | EAR99 | Нет | е4 | ЗОЛОТО НАД НИКЕЛЕМ | КВАД | 250 | 18 | 30 | 1 | Р-CQCC-N15 | 3,5 А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ИСТОЧНИК | 100 В | 100 В | 800 мВт Ta 15 Вт Tc | 0,61 Ом | N-канал | 600 мОм при 2,25 А, 10 В | 4 В при 250 мкА | 3,5 А Тс | 8,1 нк при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||
| 2Н6788У | Корпорация Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Не соответствует требованиям RoHS | 1997 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microsemicorporation-jan2n6788u-datasheets-1767.pdf | 18-CLCC | 15 | EAR99 | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | НЕ УКАЗАН | 18/15 | НЕ УКАЗАН | 1 | Мощность полевого транзистора общего назначения | Р-CQCC-N15 | 70нс | 4,5 А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ИСТОЧНИК | 100 В | 100 В | 800мВт Тс | 18А | 0,35 Ом | N-канал | 300 мОм при 3,5 А, 10 В | 4 В при 250 мкА | 4,5 А Тс | 18 НК @ 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||
| JANTX2N6766T1 | Корпорация Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Военный, MIL-PRF-19500/543 | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Не соответствует требованиям RoHS | 1997 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microsemicorporation-2n6768t1-datasheets-8627.pdf | ТО-254-3, ТО-254АА (прямые выводы) | 3 | 3 | EAR99 | Нет | е0 | Оловянный свинец | ОДИНОКИЙ | ПИН/ПЭГ | 3 | 1 | Полномочия общего назначения FET | Квалифицированный | 30А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | 200В | 200В | 4 Вт Та 150 Вт Тс | 0,065 Ом | N-канал | 90 мОм при 30 А, 10 В | 4 В при 250 мкА | 30А Ц | 115 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||
| 2N6796 | Корпорация Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Не соответствует требованиям RoHS | 1997 год | ТО-205АФ Металлическая банка | 3 | EAR99 | 8541.21.00.95 | НИЖНИЙ | ПРОВОЛОКА | НЕ УКАЗАН | 2 | НЕ УКАЗАН | 1 | Мощность полевого транзистора общего назначения | Не квалифицированный | О-MBCY-W3 | 8А | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 100 В | 100 В | 800 мВт Ta 25 Вт Tc | 8А | 0,195 Ом | N-канал | 180 мОм при 5 А, 10 В | 4 В при 250 мА | 8А Тк | 6,34 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||
| 2Н6784У | Корпорация Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Не соответствует требованиям RoHS | 1997 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microsemicorporation-jan2n6784u-datasheets-1732.pdf | 18-CLCC | 15 | EAR99 | е4 | ЗОЛОТО НАД НИКЕЛЕМ | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | 250 | 18 | 30 | 1 | Р-CQCC-N15 | 2,25 А | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ИСТОЧНИК | 200В | 200В | 800 мВт Ta 15 Вт Tc | 2,81 Ом | N-канал | 1,5 Ом при 1,5 А, 0 В | 4 В при 250 мкА | 2,25 А Тс | 8,6 нк при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||
| JANTXV2N6782U | Корпорация Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Военный, MIL-PRF-19500/556 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Не соответствует требованиям RoHS | 1997 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microsemicorporation-jan2n6784u-datasheets-1732.pdf | 18-CLCC | 15 | нет | EAR99 | Нет | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | МИЛ-19500 | КВАД | 18 | 1 | Квалифицированный | Р-CQCC-N15 | 3,5 А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ИСТОЧНИК | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 100 В | 100 В | 800 мВт Ta 15 Вт Tc | 14А | 0,61 Ом | 7 мДж | N-канал | 610 мОм при 3,5 А, 10 В | 4 В при 250 мкА | 3,5 А Тс | 8,1 нк при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||
| 2Н6800 | Корпорация Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Не соответствует требованиям RoHS | ТО-205АФ Металлическая банка | 3 | 3 | Нет | 8541.21.00.95 | НИЖНИЙ | ПРОВОЛОКА | 1 | Мощность полевого транзистора общего назначения | 3А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 400В | 400В | 800 мВт Ta 25 Вт Tc | 3А | 1,1 Ом | N-канал | 1 Ом при 2 А, 10 В | 4 В при 250 мкА | 3А Тк | 5,75 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||
| Январь2N7225 | Корпорация Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Военный, MIL-PRF-19500/592 | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Не соответствует требованиям RoHS | 1997 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microsemicorporation-jan2n7224-datasheets-1801.pdf | ТО-254-3, ТО-254АА (прямые выводы) | 3 | 3 | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Нет | 8541.29.00.95 | МИЛ-19500 | ОДИНОКИЙ | ПИН/ПЭГ | 3 | 1 | Полномочия общего назначения FET | Квалифицированный | 27,4А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 200В | 200В | 4 Вт Та 150 Вт Тс | 110А | 0,105 Ом | N-канал | 105 мОм при 27,4 А, 10 В | 4 В при 250 мкА | 27,4А Тс | 115 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||
| 2N6768 | Корпорация Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Не соответствует требованиям RoHS | 1997 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microsemicorporation-jan2n6768-datasheets-1755.pdf | ТО-204АЭ | 2 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | 8541.29.00.95 | е0 | ОЛОВО СВИНЦОВОЕ ПО НИКЕЛЮ | НИЖНИЙ | ПИН/ПЭГ | НЕ УКАЗАН | 2 | НЕ УКАЗАН | 1 | Не квалифицированный | О-МБФМ-П2 | 14А | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 400В | 400В | 4 Вт Та 150 Вт Тс | 56А | 0,4 Ом | N-канал | 400 мОм при 14 А, 10 В | 4 В при 250 мкА | 14А Ц | 110 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||
| 2N6782 | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Не соответствует требованиям RoHS | 2015 год | /files/microsemicorporation-jan2n6782-datasheets-1736.pdf | ТО-205АФ Металлическая банка | 3 | 3 | нет | EAR99 | неизвестный | е0 | Оловянный свинец | НИЖНИЙ | ПРОВОЛОКА | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | 3,5 А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | 100 В | 100 В | 800 мВт Ta 15 Вт Tc | 0,61 Ом | N-канал | 600 мОм при 2,25 А, 10 В | 4 В при 250 мкА | 3,5 А Тс | 8,1 нк при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||
| 2N6758 | Корпорация Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Не соответствует требованиям RoHS | 1997 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microsemicorporation-jan2n6758-datasheets-1724.pdf | ТО-204АА, ТО-3 | 2 | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | 8541.29.00.95 | НИЖНИЙ | ПИН/ПЭГ | 2 | 1 | Мощность полевого транзистора общего назначения | Не квалифицированный | О-МБФМ-П2 | 80нс | 9А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 200В | 200В | 4 Вт Та 75 Вт Тс | 9А | 36А | 0,49 Ом | N-канал | 490 мОм при 9 А, 10 В | 4 В при 250 мкА | 9А Тц | 39 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||
| 2Н6770 | Корпорация Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Не соответствует требованиям RoHS | 1997 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microsemicorporation-jan2n6768-datasheets-1755.pdf | ТО-204АЭ | 2 | 3 | нет | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | неизвестный | 8541.29.00.95 | е0 | ОЛОВО СВИНЦОВОЕ ПО НИКЕЛЮ | НИЖНИЙ | ПИН/ПЭГ | НЕ УКАЗАН | 2 | НЕ УКАЗАН | 1 | Мощность полевого транзистора общего назначения | Не квалифицированный | О-МБФМ-П2 | 190 нс | 12А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 500В | 500В | 4 Вт Та 150 Вт Тс | 48А | 0,5 Ом | N-канал | 500 мОм при 12 А, 10 В | 4 В при 250 мкА | 12А Ц | 120 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||
| 2Н6760 | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Не соответствует требованиям RoHS | 1997 год | /files/microsemicorporation-jan2n6758-datasheets-1724.pdf | ТО-204АА, ТО-3 | 2 | 3 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | 8541.29.00.95 | НИЖНИЙ | ПИН/ПЭГ | 2 | 1 | Мощность полевого транзистора общего назначения | О-МБФМ-П2 | 40 нс | 5,5 А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 400В | 400В | 4 Вт Та 75 Вт Тс | 22А | N-канал | 1,22 Ом при 5,5 А, 10 В | 4 В при 250 мкА | 5,5 А Тс | 39 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||
| JANTXV2N6758 | Корпорация Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Военный, MIL-PRF-19500/542 | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Не соответствует требованиям RoHS | 1997 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microsemicorporation-jan2n6758-datasheets-1724.pdf | ТО-204АА, ТО-3 | 2 | нет | EAR99 | РАДИАЦИОННАЯ ЗАКАЧКА | не_совместимо | 8541.29.00.95 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | МИЛ-19500/542 | НИЖНИЙ | ПИН/ПЭГ | НЕ УКАЗАН | 2 | НЕ УКАЗАН | 1 | Квалифицированный | О-МБФМ-П2 | 9А | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 200В | 200В | 4 Вт Та 75 Вт Тс | 9А | 15А | 0,49 Ом | N-канал | 490 мОм при 9 А, 10 В | 4 В при 250 мкА | 9А Тц | 39 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||
| JANTXV2N7225 | Корпорация Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Военный, MIL-PRF-19500/592 | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Не соответствует требованиям RoHS | 1997 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microsemicorporation-jan2n7224-datasheets-1801.pdf | ТО-254-3, ТО-254АА (прямые выводы) | 3 | 36 недель | нет | EAR99 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | ОДИНОКИЙ | ПИН/ПЭГ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 4 Вт | 1 | Полномочия общего назначения FET | Квалифицированный | С-МСФМ-П3 | 27,4А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 200В | 200В | 4 Вт Та 150 Вт Тс | 500 мДж | N-канал | 105 мОм при 27,4 А, 10 В | 4 В при 250 мкА | 27,4А Тс | 115 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||
| JANTXV2N7227 | Корпорация Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Военный, MIL-PRF-19500/592 | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Не соответствует требованиям RoHS | 1997 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microsemicorporation-jan2n7224-datasheets-1801.pdf | ТО-254-3, ТО-254АА (прямые выводы) | 3 | 3 | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | МИЛ | ОДИНОКИЙ | ПИН/ПЭГ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Полномочия общего назначения FET | Квалифицированный | 14А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 400В | 400В | 4 Вт Та 150 Вт Тс | 56А | 700 мДж | N-канал | 415 мОм при 14 А, 10 В | 4 В при 250 мкА | 14А Ц | 110 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||
| JANTXV2N7225U | Корпорация Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Военный, MIL-PRF-19500/592 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Не соответствует требованиям RoHS | 1997 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microsemicorporation-jan2n7227u-datasheets-1790.pdf | ТО-267АБ | 3 | 3 | нет | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | Нет | 8541.29.00.95 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | МИЛ-19500/592 | НИЖНИЙ | 3 | 1 | Квалифицированный | 27,4А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 200В | 200В | 4 Вт Та 150 Вт Тс | ТО-276АБ | 110А | 0,105 Ом | 500 мДж | N-канал | 105 мОм при 27,4 А, 10 В | 4 В при 250 мкА | 27,4А Тс | 115 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||
| APTML10UM09R004T1AG | Корпорация Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | -40°С~150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2016 год | СП1 | 12 | 1 | EAR99 | Нет | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | 12 | 480 Вт | 1 | Мощность полевого транзистора общего назначения | 154А | 30 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ И ТЕРМИСТОРОМ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 100 В | 480 Вт Тс | 67А | 430А | 3000 мДж | N-канал | 9875пФ при 25 В | 10 мОм при 69,5 А, 10 В | 4 В при 2,5 мА | 154А Ц | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||
| JANTXV2N6760 | Корпорация Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Военный, MIL-PRF-19500/542 | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Не соответствует требованиям RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microsemicorporation-jan2n6758-datasheets-1724.pdf | ТО-204АА, ТО-3 | 2 | нет | РАДИАЦИОННАЯ ЗАКАЧКА | не_совместимо | 8541.29.00.95 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | МИЛ-19500 | НЕТ | НИЖНИЙ | ПИН/ПЭГ | НЕ УКАЗАН | 2 | НЕ УКАЗАН | 1 | Квалифицированный | О-МБФМ-П2 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 400В | 400В | 4 Вт Та 75 Вт Тс | 5,5 А | 8А | N-канал | 1,22 Ом при 5,5 А, 10 В | 4 В при 250 мкА | 5,5 А Тс | 39 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||
| 2Н7225 | Корпорация Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Не соответствует требованиям RoHS | 1997 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microsemicorporation-jan2n7224-datasheets-1801.pdf | ТО-254-3, ТО-254АА (прямые выводы) | 3 | 3 | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Свинец, Олово | неизвестный | 8541.29.00.95 | е4 | ЗОЛОТО НАД НИКЕЛЕМ | ОДИНОКИЙ | ПИН/ПЭГ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Мощность полевого транзистора общего назначения | Не квалифицированный | 27,4А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 200В | 200В | 4 Вт Та 150 Вт Тс | 110А | 0,105 Ом | N-канал | 100 мОм при 17 А, 10 В | 4 В при 250 мкА | 27,4А Тс | 115 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||
| JANTXV2N6768 | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Военный, MIL-PRF-19500/543 | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Не соответствует требованиям RoHS | 1997 год | /files/microsemicorporation-jan2n6768-datasheets-1755.pdf | ТО-204АЭ | 2 | 36 недель | 3 | нет | Нет | 8541.29.00.95 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | МИЛ-19500 | НИЖНИЙ | ПИН/ПЭГ | 2 | 1 | Квалифицированный | О-МБФМ-П2 | 35 нс | 190 нс | 130 нс | 170 нс | 14А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 400В | 400В | 4 Вт Та 150 Вт Тс | ТО-204АА | 56А | 700 мДж | N-канал | 400 мОм при 14 А, 10 В | 4 В при 250 мкА | 14А Ц | 110 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||
| 2Н7228У | Корпорация Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Не соответствует требованиям RoHS | 1997 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microsemicorporation-jan2n7227u-datasheets-1790.pdf | ТО-267АБ | 3 | 3 | EAR99 | НИЖНИЙ | НЕТ ЛИДЕСА | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Не квалифицированный | 12А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | 500В | 500В | 4 Вт Та 150 Вт Тс | ТО-276АБ | 0,515 Ом | N-канал | 415 мОм при 8 А, 10 В | 4 В при 250 мкА | 12А Ц | 120 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||
| 2N6756 | Корпорация Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Не соответствует требованиям RoHS | 1997 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microsemicorporation-jan2n6758-datasheets-1724.pdf | ТО-204АА, ТО-3 | 2 | 3 | EAR99 | неизвестный | НИЖНИЙ | ПИН/ПЭГ | 2 | 1 | Не квалифицированный | О-МБФМ-П2 | 80нс | 14А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | 100 В | 100 В | 4 Вт Та 75 Вт Тс | 0,21 Ом | N-канал | 210 мОм при 14 А, 10 В | 4 В при 250 мкА | 14А Ц | 35 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||
| JANTXV2N6800U | Корпорация Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Военный, MIL-PRF-19500/557 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Не соответствует требованиям RoHS | 1997 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microsemicorporation-jan2n6802u-datasheets-1763.pdf | 18-CLCC | 15 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | Нет | МИЛ-19500/557 | КВАД | 1 | Квалифицированный | Р-CQCC-N15 | 30 нс | 35 нс | 35 нс | 35 нс | 3А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ИСТОЧНИК | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 400В | 400В | 800 мВт Ta 25 Вт Tc | 3А | 12А | 1,15 Ом | 0,51 мДж | N-канал | 1,1 Ом при 3 А, 10 В | 4 В при 250 мкА | 3А Тк | 34,75 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||
| 2Н7227У | Корпорация Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Не соответствует требованиям RoHS | 1997 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microsemicorporation-jan2n7227u-datasheets-1790.pdf | ТО-267АБ | 3 | 3 | Нет | НИЖНИЙ | 3 | 1 | 14А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | 400В | 400В | 4 Вт Та 150 Вт Тс | ТО-276АБ | 0,415 Ом | N-канал | 315 мОм при 9 А, 10 В | 4 В при 250 мкА | 14А Ц | 110 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||
| 2Н7224У | Корпорация Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Не соответствует требованиям RoHS | 1997 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microsemicorporation-jan2n7227u-datasheets-1790.pdf | ТО-267АБ | 3 | 3 | нет | EAR99 | неизвестный | е0 | Оловянный свинец | НИЖНИЙ | НЕТ ЛИДЕСА | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Не квалифицированный | 34А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | 100 В | 100 В | 4 Вт Та 150 Вт Тс | ТО-276АБ | 0,081 Ом | N-канал | 81 мОм при 34 А, 10 В | 4 В при 250 мкА | 34А Тк | 125 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||
| JANTXV2N7236U | Корпорация Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Военный, MIL-PRF-19500/595 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Не соответствует требованиям RoHS | 1997 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microsemicorporation-jan2n7236u-datasheets-1807.pdf | ТО-267АБ | 3 | 3 | нет | EAR99 | Нет | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | ДВОЙНОЙ | 3 | 4 Вт | 1 | Квалифицированный | 18А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 100 В | 4 Вт Та 125 Вт Тс | 72А | 0,22 Ом | 500 мДж | P-канал | 220 мОм при 18 А, 10 В | 4 В при 250 мкА | 18А Тк | 60 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||
| JANTXV2N7227U | Корпорация Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Военный, MIL-PRF-19500/592 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Не соответствует требованиям RoHS | 1997 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microsemicorporation-jan2n7227u-datasheets-1790.pdf | ТО-267АБ | 3 | 3 | нет | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Нет | 8541.29.00.95 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | МИЛ-19500 | НИЖНИЙ | 3 | 1 | Квалифицированный | 14А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 400В | 400В | 4 Вт Та 150 Вт Тс | ТО-276АБ | 56А | 0,415 Ом | 700 мДж | N-канал | 415 мОм при 14 А, 10 В | 4 В при 250 мкА | 14А Ц | 110 НК при 10 В | 10 В | ±20 В |
