Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактОдиночные МОП-транзисторы(33658)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Технология | Режим работы | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Количество контактов | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Код HTS | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Справочный стандарт | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Количество контактов | Количество вариантов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Код JESD-30 | Включить время задержки | Время подъема | Осень (тип.) | Время задержки отключения | Непрерывный ток стока (ID) | Напряжение от затвора до источника (Vgs) | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Напряжение стока к источнику (Vdss) | DS Напряжение проба-мин. | Рассеиваемая мощность-Макс. | Код JEDEC-95 | Максимальный сток (Abs) (ID) | Максимальный импульсный ток стока (IDM) | Источник стока при максимальном сопротивлении | Рейтинг лавинной энергии (Eas) | Напряжение проба стока к источнику | Тип полярного транзистора | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | Выключить Тайм-Макс (toff) | Время включения-Макс (тонна) | Rds включено (макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс) @ Id | Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Напряжение привода (макс. значение включено, минимальное значение включено) | ВГС (Макс) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| ЯН2Н6849У | Корпорация Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Военный, MIL-PRF-19500/564 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Не соответствует требованиям RoHS | 1997 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microsemicorporation-jan2n6849u-datasheets-1922.pdf | 18-CLCC | Нет | Квалифицированный | 6,5 А | 20 В | 100 В | 800 мВт Ta 25 Вт Tc | P-канал | 320 мОм при 6,5 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 6,5 А Тс | 34,8 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| JANTX2N6764 | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Военный, MIL-PRF-19500/543 | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Не соответствует требованиям RoHS | 1997 год | /files/microsemicorporation-jan2n6768-datasheets-1755.pdf | ТО-204АЭ | 2 | 2 | EAR99 | Свинец, Олово | не_совместимо | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | МИЛ-19500/543Г | НИЖНИЙ | ПИН/ПЭГ | 2 | 1 | Квалифицированный | 190 нс | 38А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 100 В | 100 В | 4 Вт Та 150 Вт Тс | 0,055 Ом | 150 мДж | N-канал | 65 мОм при 38 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 38А Тц | 125 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||
| JANTX2N6798U | Корпорация Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Военный, MIL-PRF-19500/557 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Не соответствует требованиям RoHS | 1997 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microsemicorporation-jan2n6802u-datasheets-1763.pdf | 18-CLCC | 15 | нет | EAR99 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | МИЛ-19500/557 | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | НЕ УКАЗАН | 18 | НЕ УКАЗАН | 1 | Квалифицированный | Р-CQCC-N15 | 50 нс | 5,5 А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ИСТОЧНИК | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 200В | 200В | 800 мВт Ta 25 Вт Tc | 22А | 0,42 Ом | 98 мДж | N-канал | 420 мОм при 5,5 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 5,5 А Тс | 42,07 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||
| JANTX2N6784 | Корпорация Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Военный, MIL-PRF-19500/556 | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Не соответствует требованиям RoHS | 1997 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microsemicorporation-jan2n6782-datasheets-1736.pdf | ТО-205АФ Металлическая банка | 3 | EAR99 | РАДИАЦИОННАЯ ЗАКАЧКА | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | ВОЕННЫЙ СТАНДАРТ (США) | НИЖНИЙ | ПРОВОЛОКА | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | Мощность полевого транзистора общего назначения | Квалифицированный | О-MBCY-W3 | 2,25 А | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 200В | 200В | 800 мВт Ta 15 Вт Tc | ТО-39 | 9А | 1,5 Ом | N-канал | 1,6 Ом при 2,25 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 2,25 А Тс | 8,6 нк при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||
| JANTX2N6788U | Корпорация Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Военный, MIL-PRF-19500/555 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Не соответствует требованиям RoHS | 1997 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microsemicorporation-jan2n6788u-datasheets-1767.pdf | 18-CLCC | 15 | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | МИЛ-19500 | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | НЕ УКАЗАН | 18/15 | НЕ УКАЗАН | 1 | Полномочия общего назначения FET | Квалифицированный | Р-CQCC-N15 | 70нс | 4,5 А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ИСТОЧНИК | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 100 В | 100 В | 800мВт Тс | 6А | 18А | 0,35 Ом | 76 мДж | N-канал | 350 мОм при 6 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 4,5 А Тс | 18 НК @ 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||
| JANTX2N6790 | Корпорация Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Военный, MIL-PRF-19500/555 | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Не соответствует требованиям RoHS | 1997 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microsemicorporation-jan2n6788-datasheets-1773.pdf | ТО-205АФ Металлическая банка | 3 | EAR99 | РАДИАЦИОННАЯ ЗАКАЧКА | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | НИЖНИЙ | ПРОВОЛОКА | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | Полномочия общего назначения FET | Квалифицированный | О-MBCY-W3 | 3,5 А | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 200В | 200В | 800мВт Тс | ТО-39 | 14А | 0,8 Ом | N-канал | 850 мОм при 3,5 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 3,5 А Тс | 14,3 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||
| Январь2N6804 | Корпорация Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Военный, MIL-PRF-19500/562 | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Не соответствует требованиям RoHS | 1997 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microsemicorporation-jantx2n6804-datasheets-3638.pdf | ТО-204АА, ТО-3 | 2 | 3 | нет | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Нет | 8541.29.00.95 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | МИЛ-19500 | НИЖНИЙ | ПИН/ПЭГ | 2 | 1 | Другие транзисторы | Квалифицированный | О-МБФМ-П2 | 60 нс | 140 нс | 140 нс | 140 нс | 11А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 100 В | 100 В | 4 Вт Та 75 Вт Тс | 50А | P-канал | 360 мОм при 11 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 11А Тк | 29 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||
| ЯН2Н6800У | Корпорация Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Военный, MIL-PRF-19500/557 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Не соответствует требованиям RoHS | 1997 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microsemicorporation-jan2n6802u-datasheets-1763.pdf | 18-CLCC | Нет | Мощность полевого транзистора общего назначения | Квалифицированный | 30 нс | 35 нс | 35 нс | 35 нс | 3А | 20 В | Одинокий | 400В | 800 мВт Ta 25 Вт Tc | 3А | N-канал | 1,1 Ом при 3 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 3А Тк | 34,75 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| JANTX2N7225 | Корпорация Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Военный, MIL-PRF-19500/592 | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Не соответствует требованиям RoHS | 1996 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microsemicorporation-jan2n7224-datasheets-1801.pdf | ТО-254-3, ТО-254АА (прямые выводы) | 3 | 3 | нет | EAR99 | Свинец, Олово | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | МИЛ-19500/592 | ОДИНОКИЙ | ПИН/ПЭГ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Полномочия общего назначения FET | Квалифицированный | 27,4А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 200В | 200В | 4 Вт Та 150 Вт Тс | 110А | 0,1 Ом | 500 мДж | N-канал | 105 мОм при 27,4 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 27,4А Тс | 115 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||
| JANTX2N7236U | Корпорация Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Военный, MIL-PRF-19500/595 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Не соответствует требованиям RoHS | 1997 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microsemicorporation-jan2n7236u-datasheets-1807.pdf | ТО-267АБ | 3 | 3 | нет | EAR99 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | ДВОЙНОЙ | НЕТ ЛИДЕСА | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 4 Вт | 1 | Квалифицированный | 18А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 100 В | 4 Вт Та 125 Вт Тс | 72А | 0,22 Ом | 500 мДж | P-канал | 220 мОм при 18 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 18А Тк | 60 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||
| JANTX2N6798 | Корпорация Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Военный, MIL-PRF-19500/557 | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Не соответствует требованиям RoHS | 1997 год | ТО-205АФ Металлическая банка | 3 | 3 | нет | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Свинец, Олово | не_совместимо | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | НИЖНИЙ | ПРОВОЛОКА | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 800мВт | 1 | Мощность полевого транзистора общего назначения | Квалифицированный | 5,5 А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 200В | 200В | 800 мВт Ta 25 Вт Tc | 0,42 Ом | N-канал | 420 мОм при 5,5 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 5,5 А Тс | 42,07 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||
| Январь2N6770 | Корпорация Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Военный, MIL-PRF-19500/543 | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Не соответствует требованиям RoHS | 1997 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microsemicorporation-jan2n6768-datasheets-1755.pdf | ТО-204АЭ | 2 | 36 недель | нет | Свинец, Олово | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | НИЖНИЙ | ПИН/ПЭГ | НЕ УКАЗАН | 2 | НЕ УКАЗАН | 4 Вт | 1 | Квалифицированный | О-МБФМ-П2 | 190 нс | 12А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 500В | 500В | 4 Вт Та 150 Вт Тс | ТО-204АА | 48А | 0,4 Ом | 750 мДж | N-канал | 300 нс | 225 нс | 500 мОм при 12 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 12А Ц | 120 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||
| JANTX2N6770 | Корпорация Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Военный, MIL-PRF-19500/543 | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Не соответствует требованиям RoHS | 1997 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microsemicorporation-jan2n6768-datasheets-1755.pdf | ТО-204АЭ | 2 | нет | Свинец, Олово | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | НИЖНИЙ | ПИН/ПЭГ | НЕ УКАЗАН | 2 | НЕ УКАЗАН | 4 Вт | 1 | Полномочия общего назначения FET | Квалифицированный | О-МБФМ-П2 | 190 нс | 12А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | ОСУШАТЬ | 500В | 500В | 4 Вт Та 150 Вт Тс | ТО-3 | 0,4 Ом | N-канал | 500 мОм при 12 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 12А Ц | 120 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||
| JANTXV2N6756 | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Военный, MIL-PRF-19500/542 | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Не соответствует требованиям RoHS | 1997 год | /files/microsemicorporation-jan2n6758-datasheets-1724.pdf | ТО-204АА, ТО-3 | 2 | нет | EAR99 | РАДИАЦИОННАЯ ЗАКАЧКА | не_совместимо | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | МИЛ-19500/542 | НИЖНИЙ | ПИН/ПЭГ | НЕ УКАЗАН | 2 | НЕ УКАЗАН | 1 | Мощность полевого транзистора общего назначения | Квалифицированный | О-МБФМ-П2 | 14А | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 100 В | 100 В | 4 Вт Та 75 Вт Тс | 30А | 0,18 Ом | N-канал | 210 мОм при 14 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 14А Ц | 35 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||
| JANTX2N6796 | Корпорация Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Военный, MIL-PRF-19500/557 | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Не соответствует требованиям RoHS | 1997 год | ТО-205АД, ТО-39-3 Металлическая банка | Содержит свинец | 3 | 3 | нет | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Свинец, Олово | не_совместимо | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | НИЖНИЙ | ПРОВОЛОКА | НЕ УКАЗАН | 2 | НЕ УКАЗАН | 800мВт | 1 | Квалифицированный | 8А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 100 В | 800 мВт Ta 25 Вт Tc | ТО-205АФ | 8А | N-канал | 195 мОм при 8 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 8А Тк | 28,51 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||
| ЯН2Н6796У | Корпорация Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Военный, MIL-PRF-19500/557 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Не соответствует требованиям RoHS | 1997 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microsemicorporation-jan2n6802u-datasheets-1763.pdf | 18-CLCC | 15 | да | EAR99 | Нет | е4 | Золото (Au) - с никелевым (Ni) барьером | МИЛ-19500/557 | КВАД | 16 | 1 | Квалифицированный | Р-CQCC-N15 | 30 нс | 75нс | 45 нс | 40 нс | 8А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | 100 В | 100 В | 800 мВт Ta 25 Вт Tc | 8А | 0,195 Ом | N-канал | 195 мОм при 8 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 8А Тк | 28,51 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||
| ЯН2Н7225У | Корпорация Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Военный, MIL-PRF-19500/592 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Не соответствует требованиям RoHS | 1997 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microsemicorporation-jan2n7227u-datasheets-1790.pdf | ТО-267АБ | 3 | 3 | EAR99 | Нет | МИЛ-19500/592 | НИЖНИЙ | 3 | 1 | Квалифицированный | 27,4А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | 200В | 200В | 4 Вт Та 150 Вт Тс | ТО-276АБ | 0,105 Ом | N-канал | 105 мОм при 27,4 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 27,4А Тс | 115 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| JANTX2N7228 | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Военный, MIL-PRF-19500/592 | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Не соответствует требованиям RoHS | 1997 год | /files/microsemicorporation-jan2n7224-datasheets-1801.pdf | ТО-254-3, ТО-254АА (прямые выводы) | 3 | нет | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | Нет | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | ОДИНОКИЙ | ПИН/ПЭГ | 3 | 4 Вт | 1 | Полномочия общего назначения FET | Квалифицированный | С-МСФМ-П3 | 12А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 500В | 500В | 4 Вт Та 150 Вт Тс | 48А | 750 мДж | N-канал | 515 мОм при 12 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 12А Ц | 120 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||
| JANTX2N6802 | Корпорация Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Военный, MIL-PRF-19500/557 | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Не соответствует требованиям RoHS | 1997 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microsemi-jantx2n6802-datasheets-9867.pdf | ТО-205АФ Металлическая банка | 3 | 3 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Нет | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | НИЖНИЙ | ПРОВОЛОКА | 800мВт | 1 | Мощность полевого транзистора общего назначения | Квалифицированный | 2,5 А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 500В | 500В | 800 мВт Ta 25 Вт Tc | N-канал | 1,6 Ом при 2,5 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 2,5 А Тс | 33 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||
| Январь2N6790 | Корпорация Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Военный, MIL-PRF-19500/555 | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Не соответствует требованиям RoHS | 1997 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microsemicorporation-jan2n6788-datasheets-1773.pdf | ТО-205АФ Металлическая банка | 3 | EAR99 | 8541.29.00.95 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | МИЛ-19500 | НИЖНИЙ | ПРОВОЛОКА | 1 | Полномочия общего назначения FET | Квалифицированный | О-MBCY-W3 | 3,5 А | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | 200В | 200В | 800мВт Тс | 14А | 0,8 Ом | N-канал | 100 нс | 90 нс | 850 мОм при 3,5 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 3,5 А Тс | 14,3 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||
| Январь2N7227 | Корпорация Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Военный, MIL-PRF-19500/592 | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Не соответствует требованиям RoHS | 1997 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microsemicorporation-jan2n7224-datasheets-1801.pdf | ТО-254-3, ТО-254АА (прямые выводы) | 3 | 3 | нет | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Нет | 8541.29.00.95 | МИЛ-19500 | ОДИНОКИЙ | ПИН/ПЭГ | 3 | 1 | Полномочия общего назначения FET | Квалифицированный | 14А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 400В | 400В | 4 Вт Та 150 Вт Тс | 56А | 0,415 Ом | 700 мДж | N-канал | 415 мОм при 14 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 14А Ц | 110 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||
| ЯН2Н7228 | Корпорация Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Военный, MIL-PRF-19500/592 | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Не соответствует требованиям RoHS | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microsemicorporation-jan2n7224-datasheets-1801.pdf | ТО-254-3, ТО-254АА (прямые выводы) | 3 | 3 | нет | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Нет | 8541.29.00.95 | МИЛ-19500 | ОДИНОКИЙ | ПИН/ПЭГ | 3 | 1 | Полномочия общего назначения FET | Квалифицированный | 12А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 500В | 500В | 4 Вт Та 150 Вт Тс | 48А | 0,515 Ом | 750 мДж | N-канал | 515 мОм при 12 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 12А Ц | 120 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||
| ССМ3К301Т(ТЕ85Л,Ф) | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2007 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-ssm3k301tte85lf-datasheets-1702.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 3 | неизвестный | 1 | Одинокий | Полномочия общего назначения FET | 18 нс | 14 нс | 3,5 А | 12 В | 700мВт Та | 20 В | N-канал | 320пФ при 10В | 56 мОм при 2 А, 4 В | 3,5 А Та | 4,8 нк при 4 В | 1,8 В 4 В | ±12 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Январь2N7224 | Корпорация Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Военный, MIL-PRF-19500/592 | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Не соответствует требованиям RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microsemicorporation-jan2n7224-datasheets-1801.pdf | ТО-254-3, ТО-254АА (прямые выводы) | 3 | 3 | нет | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Нет | 8541.29.00.95 | МИЛ-19500 | ОДИНОКИЙ | ПИН/ПЭГ | 3 | 1 | Полномочия общего назначения FET | Квалифицированный | 34А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 100 В | 100 В | 4 Вт Та 150 Вт Тс | 0,081 Ом | N-канал | 81 мОм при 34 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 34А Тк | 125 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||
| ЯН2Н6782У | Корпорация Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Военный, MIL-PRF-19500/556 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Не соответствует требованиям RoHS | 1997 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microsemicorporation-jan2n6784u-datasheets-1732.pdf | 18-CLCC | 15 | нет | EAR99 | Нет | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | МИЛ-19500 | КВАД | 18 | 1 | Квалифицированный | Р-CQCC-N15 | 3,5 А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ИСТОЧНИК | 100 В | 100 В | 800 мВт Ta 15 Вт Tc | 0,61 Ом | N-канал | 610 мОм при 3,5 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 3,5 А Тс | 8,1 нк при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||
| ЯН2Н7236У | Корпорация Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Военный, MIL-PRF-19500/595 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Не соответствует требованиям RoHS | 1997 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microsemicorporation-jan2n7236u-datasheets-1807.pdf | ТО-267АБ | 3 | 3 | нет | EAR99 | Нет | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | ДВОЙНОЙ | 3 | 4 Вт | 1 | Квалифицированный | 18А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 100 В | 4 Вт Та 125 Вт Тс | 72А | 0,22 Ом | 500 мДж | P-канал | 220 мОм при 18 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 18А Тк | 60 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||
| JANTX2N6796U | Корпорация Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Военный, MIL-PRF-19500/557 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Не соответствует требованиям RoHS | 1997 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microsemicorporation-jan2n6802u-datasheets-1763.pdf | 18-CLCC | 15 | 18 | нет | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Свинец, Олово | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | МИЛ-19500/557 | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | НЕ УКАЗАН | 16 | НЕ УКАЗАН | 25 Вт | 1 | Квалифицированный | Р-CQCC-N15 | 75нс | 8А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ИСТОЧНИК | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 100 В | 100 В | 800 мВт Ta 25 Вт Tc | 8А | 32А | 0,195 Ом | 134 мДж | N-канал | 195 мОм при 8 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 8А Тк | 28,51 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||
| ЯНТХ2N6766 | Корпорация Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Военный, MIL-PRF-19500/543 | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Не соответствует требованиям RoHS | 1997 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microsemicorporation-jan2n6768-datasheets-1755.pdf | ТО-204АЭ | Содержит свинец | 2 | EAR99 | Свинец, Олово | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | НИЖНИЙ | ПИН/ПЭГ | НЕ УКАЗАН | 2 | НЕ УКАЗАН | 4 Вт | 1 | Полномочия общего назначения FET | Квалифицированный | О-МБФМ-П2 | 30А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | 200В | 200В | 4 Вт Та 150 Вт Тс | 0,065 Ом | N-канал | 90 мОм при 30 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 30А Ц | 115 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||
| JANTX2N6901 | Корпорация Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Военный, MIL-PRF-19500/570 | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Не соответствует требованиям RoHS | 1997 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microsemicorporation-jantx2n6901-datasheets-1817.pdf | ТО-205АФ Металлическая банка | 3 | 3 | EAR99 | Нет | НИЖНИЙ | ПРОВОЛОКА | 2 | 8,33 Вт | 1 | Квалифицированный | 25 нс | 80нс | 80 нс | 45 нс | 1,69А | 10 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 100 В | 8,33 Вт Тс | N-канал | 1,4 Ом при 1,07 А, 5 В | 2 В @ 1 мА | 1,69 А Тс | 5 нк при 5 В | 5В | ±10 В | |||||||||||||||||||||||||||||
| JANTX2N6800U | Корпорация Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Военный, MIL-PRF-19500/557 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Не соответствует требованиям RoHS | 1997 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microsemicorporation-jan2n6802u-datasheets-1763.pdf | 18-CLCC | 15 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | Нет | МИЛ-19500/557 | КВАД | 1 | Квалифицированный | Р-CQCC-N15 | 30 нс | 35 нс | 35 нс | 35 нс | 3А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ИСТОЧНИК | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 400В | 400В | 800 мВт Ta 25 Вт Tc | 3А | 12А | 1,15 Ом | 0,51 мДж | N-канал | 1,1 Ом при 3 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 3А Тк | 34,75 НК при 10 В | 10 В | ±20 В |
