Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактОдиночные МОП-транзисторы(33658)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Режим работы | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Сопротивление | Количество контактов | Код Pbfree | ECCN-код | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Поверхностный монтаж | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Базовый номер детали | Количество контактов | Количество вариантов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Код JESD-30 | Дата проведения проверки исходного URL | Поставщик пакета оборудования | Входная емкость | Включить время задержки | Время подъема | Осень (тип.) | Время задержки отключения | Непрерывный ток стока (ID) | Напряжение от затвора до источника (Vgs) | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Напряжение стока к источнику (Vdss) | Пороговое напряжение | Рассеиваемая мощность-Макс. | Максимальный сток (Abs) (ID) | Максимальный импульсный ток стока (IDM) | Источник стока при максимальном сопротивлении | Снижение сопротивления до источника | Рейтинг лавинной энергии (Eas) | Напряжение проба стока к источнику | Тип полярного транзистора | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | Номинальный объем | Rds включено (макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс) @ Id | Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | РДС на Максе | Напряжение привода (макс. значение включено, минимальное значение включено) | ВГС (Макс) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| АОТФ10Н90 | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alphaomegasemiconductorinc-aotf7t60pl-datasheets-2991.pdf | ТО-220-3 Полный пакет | совместимый | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 900В | 50 Вт Тс | N-канал | 3160пФ при 25В | 980 мОм при 5 А, 10 В | 4,5 В @ 250 мкА | 10А Ц | 75 НК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| RJK1003DPP-E0#T2 | Ренесас Электроникс Америка | 3,15 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/renesaselectronicsamerica-rjk1003dppe0t2-datasheets-1370.pdf | ТО-220-3 Полный пакет | 16 недель | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 50А | 100 В | 25 Вт Тс | N-канал | 4150пФ при 10 В | 11 мОм при 25 А, 10 В | 50А Та | 59 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| УПА2813Т1Л-Е2-АТ | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/renesaselectronicsamerica-upa2813t1le2at-datasheets-1493.pdf | 8-PowerVDFN | 16 недель | 8 | да | EAR99 | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕ УКАЗАН | 8 | НЕ УКАЗАН | Другие транзисторы | 16 нс | 41нс | 234 нс | 196 нс | 27А | 20 В | Одинокий | 30В | 1,5 Вт Та | P-канал | 3130пФ при 10 В | 6,2 мОм при 27 А, 10 В | 27А ТЦ | 80 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRFH4201TRPBF | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ШЕСТИГРАННЫЙ ПЕТР® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2013 год | /files/infineontechnologies-irfh4201trpbf-datasheets-1335.pdf | 8-PowerVDFN | 6 мм | 900 мкм | 5 мм | Без свинца | 5 | Нет СВХК | 5 | EAR99 | Медь, Серебро, Олово | Нет | ДВОЙНОЙ | Одинокий | 3,5 Вт | 1 | Мощность полевого транзистора общего назначения | 20 нс | 43нс | 19 нс | 24 нс | 49А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 25 В | 1,6 В | 3,5 Вт Та 156 Вт Тс | 400А | 478 мДж | N-канал | 6100пФ при 13В | 0,95 мОм при 50 А, 10 В | 2,1 В @ 150 мкА | 49А Та | 94 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||
| SI5415EDU-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -50°С~150°С ТДж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-si5415edut1ge3-datasheets-1196.pdf | PowerPAK® ChipFET™ Одиночный | 15 недель | 8 | EAR99 | Нет | Одинокий | 45нс | 25 нс | 75 нс | 25А | -1В | 20 В | 3,1 Вт Та 31 Вт Тс | -20В | P-канал | 4300пФ при 10 В | 9,8 мОм при 10 А, 4,5 В | 1 В при 250 мкА | 25А Ц | 120 НК при 8 В | 1,8 В 4,5 В | ±8 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRFH4213TRPBF | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ШЕСТИГРАННЫЙ ПЕТР® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/infineontechnologies-irfh4213trpbf-datasheets-1346.pdf | 8-PowerTDFN | 6 мм | 900 мкм | 5 мм | Без свинца | Нет СВХК | 5 | EAR99 | Медь, Серебро, Олово | Нет | Одинокий | 3,6 Вт | 1 | Мощность полевого транзистора общего назначения | 14 нс | 35 нс | 12 нс | 17 нс | 41А | 20 В | 25 В | 1,6 В | 3,6 Вт Та 89 Вт Тс | N-канал | 3420пФ при 13В | 1,35 мОм при 50 А, 10 В | 2,1 В при 100 мкА | 41А Та | 54 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2СК2225-Э | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | /files/renesaselectronicsamerica-2sk2225e-datasheets-1401.pdf | ТО-3ПФМ, СК-93-3 | 25,5 мм | 3 | 16 недель | EAR99 | е2 | Олово/Медь (Sn/Cu) | НЕТ | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | 3 | 1 | НЕ УКАЗАН | 50 Вт | 1 | Мощность полевого транзистора общего назначения | Не квалифицированный | Р-ПСФМ-Т3 | 17 нс | 150 нс | 2А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 1500В | 50 Вт Тс | 2А | 7А | 1,5 кВ | N-канал | 984,7 пФ при 30 В | 12 Ом при 1 А, 15 В | 2А Та | 15 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| RJK6018DPM-00#T1 | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/renesaselectronicsamerica-rjk6018dpm00t1-datasheets-1412.pdf | ТО-3ПФМ, СК-93-3 | 16 недель | да | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | Мощность полевого транзистора общего назначения | 30А | Одинокий | 600В | 60 Вт Тс | N-канал | 4100пФ при 25В | 235 мОм при 15 А, 10 В | 30А Та | 92 НК при 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI2392DS-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-si2392dst1ge3-datasheets-1189.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 3 | 3 | EAR99 | Олово | Нет | е3 | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | Одинокий | 30 | 2,5 Вт | 1 | 68нс | 20 нс | 10 нс | 3,1А | 3В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 1,25 Вт Ta 2,5 Вт Tc | 0,126 Ом | 100 В | N-канал | 196пФ при 50В | 126 мОм при 2 А, 10 В | 3 В при 250 мкА | 3,1 А Тс | 10,4 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЕПК2018 | EPC | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ЭГАН® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~125°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 125°С | -40°С | GaNFET (нитрид галлия) | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc2018-datasheets-1300.pdf | Править | 14 недель | Править | 540пФ | 12А | 150 В | N-канал | 540пФ при 100В | 25 мОм при 6 А, 5 В | 2,5 В при 3 мА | 12А Та | 7,5 НК при 5 В | 25 мОм | 5В | +6В, -5В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АУИРФР8403 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ШЕСТИГРАННЫЙ ПЕТР® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/infineontechnologies-auirfr8403trl-datasheets-3883.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 6,73 мм | 2,39 мм | 6,22 мм | Без свинца | 26 недель | Нет СВХК | 3 | EAR99 | Олово | Нет | IRFR8403 | 1 | Одинокий | 99 Вт | Мощность полевого транзистора общего назначения | 10 нс | 32нс | 23 нс | 31 нс | 100А | 20 В | 3В | 99 Вт Тс | 40В | N-канал | 3171пФ при 25 В | 3 В | 3,1 мОм при 76 А, 10 В | 3,9 В @ 100 мкА | 100А Ц | 99 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АУИРФС8409 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ШЕСТИГРАННЫЙ ПЕТР® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/infineontechnologies-auirfb8409-datasheets-0594.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | 10,67 мм | 4,83 мм | 9,65 мм | Без свинца | 39 недель | Нет СВХК | 3 | EAR99 | Олово | Нет | ИРФС8409 | 1 | Одинокий | 375 Вт | Мощность полевого транзистора общего назначения | 32 нс | 105 нс | 100 нс | 160 нс | 195А | 20 В | 3,9 В | 375 Вт Тс | 40В | N-канал | 14240пФ при 25В | 2,2 В | 1,2 мОм при 100 А, 10 В | 3,9 В при 250 мкА | 195А Ц | 450 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АУИРФС8408-7П | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ШЕСТИГРАННЫЙ ПЕТР® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | 175°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2010 год | /files/infineontechnologies-auirfs84087trl-datasheets-2297.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | 10,67 мм | 4,83 мм | 9,65 мм | Без свинца | 10 недель | Нет СВХК | 7 | Нет | ИРФС8408 | 1 | Одинокий | 294 Вт | 1 | Д2ПАК | 10,25 нФ | 23 нс | 125 нс | 85 нс | 107 нс | 240А | 20 В | 40В | 3В | 294 Вт Тс | 1мОм | 40В | N-канал | 10250пФ при 25В | 3 В | 1 мОм при 100 А, 10 В | 3,9 В при 250 мкА | 240А Ц | 315 НК при 10 В | 1 мОм | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||
| АУИРФР8401 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ШЕСТИГРАННЫЙ ПЕТР® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | 175°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/infineontechnologies-auirfu8401-datasheets-0743.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 6,73 мм | 2,39 мм | 6,22 мм | Без свинца | 13 недель | Нет СВХК | 3 | Олово | Нет | ИРФР8401 | 1 | Одинокий | 79 Вт | 1 | Д-Пак | 2,2 нФ | 7,9 нс | 34 нс | 24 нс | 25 нс | 100А | 20 В | 40В | 3,9 В | 79 Вт Тс | 4,25 мОм | 40В | N-канал | 2200пФ при 25В | 2,2 В | 4,25 мОм при 60 А, 10 В | 3,9 В при 50 мкА | 100А Ц | 63 НК при 10 В | 4,25 мОм | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||
| PMR290UNE,115 | NXP США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2013 год | СК-75, СОТ-416 | 3 | 2013-06-14 00:00:00 | 20 В | 250 мВт Ta 770 мВт Tc | N-канал | 83пФ при 10 В | 380 мОм при 500 мА, 4,5 В | 950 мВ при 250 мкА | 700 мА Та | 0,68 нк при 4,5 В | 1,8 В 4,5 В | ±8 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| RJK6032DPH-E0#T2 | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/renesaselectronicsamerica-rjk6032dphe0t2-datasheets-1354.pdf | ТО-251-3 Короткие выводы, ИПак, ТО-251АА | Без свинца | 16 недель | EAR99 | 4 | Мощность полевого транзистора общего назначения | 3А | Одинокий | 600В | 40,3 Вт Тс | 3А | N-канал | 285пФ при 25В | 4,3 Ом при 1,5 А, 10 В | 3А Та | 9 нк @ 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| УПА2812Т1Л-Е2-АТ | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/renesaselectronicsamerica-upa2812t1le2at-datasheets-1268.pdf | 8-PowerVDFN | 16 недель | 8 | да | EAR99 | НЕ УКАЗАН | 8 | НЕ УКАЗАН | Другие транзисторы | 24 нс | 53нс | 252 нс | 176 нс | 30А | 20 В | Одинокий | 30В | 1,5 Вт Та | P-канал | 3740пФ при 10 В | 4,8 мОм при 30 А, 10 В | 30А Ц | 100 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АУИРФС8408-7ТРР | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ШЕСТИГРАННЫЙ ПЕТР® | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/infineontechnologies-auirfs84087trl-datasheets-2297.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | EAR99 | совместимый | ИРФС8408 | 40В | 294 Вт Тс | N-канал | 10250пФ при 25В | 1 мОм при 100 А, 10 В | 3,9 В при 250 мкА | 240А Ц | 315 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| РДЖК2508ДПК-00#Т0 | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2010 год | /files/renesaselectronicsamerica-rjk2508dpk00t0-datasheets-1271.pdf | ТО-3П-3, СК-65-3 | 16 недель | да | EAR99 | НЕ УКАЗАН | 4 | НЕ УКАЗАН | 50А | 250 В | 150 Вт Тс | N-канал | 2600пФ при 25В | 64 мОм при 25 А, 10 В | 50А Та | 60 НК при 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRFH4210TRPBF | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ШЕСТИГРАННЫЙ ПЕТР® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2015 год | /files/infineontechnologies-irfh4210trpbf-datasheets-1363.pdf | 8-PowerTDFN | 6 мм | 900 мкм | 5 мм | Без свинца | Нет СВХК | 1,1 МОм | 5 | EAR99 | Нет | Одинокий | 3,6 Вт | 1 | Мощность полевого транзистора общего назначения | 20 нс | 44нс | 15 нс | 24 нс | 45А | 20 В | 25 В | 1,6 В | 3,6 Вт Та 104 Вт Тс | N-канал | 4812пФ при 13В | 1,35 мОм при 50 А, 10 В | 2,1 В при 100 мкА | 45А Та | 74 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| RJL5012DPE-00#J3 | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/renesaselectronicsamerica-rjl5012dpe00j3-datasheets-1274.pdf | СК-83 | 16 недель | 83 | НЕ УКАЗАН | 4 | НЕ УКАЗАН | 12А | 500В | 100 Вт Тс | N-канал | 1050пФ при 25В | 700 мОм при 6 А, 10 В | 12А Та | 27,8 НК при 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| УПА2736ГР-Е1-АТ | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/renesaselectronicsamerica-upa2736gre1at-datasheets-1277.pdf | 8-PowerSOIC (ширина 0,173, 4,40 мм) | 8 | EAR99 | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | Другие транзисторы | 14А | Одинокий | 30В | 1,1 Вт Та | P-канал | 3400пФ при 10В | 7 мОм при 14 А, 10 В | 14А Та | 80 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| РДЖК5020ДПК-00#Т0 | Ренесас Электроникс Америка | $27,61 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/renesaselectronicsamerica-rjk5020dpk00t0-datasheets-1282.pdf | ТО-3П-3, СК-65-3 | 16 недель | да | НЕ УКАЗАН | 4 | НЕ УКАЗАН | 40А | 500В | 200 Вт Тс | N-канал | 5150пФ при 25В | 118 мОм при 20 А, 10 В | 40А Та | 126 НК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| RJK5026DPP-M0#T2 | Ренесас Электроникс Америка | $6,26 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/renesaselectronicsamerica-rjk5026dppm0t2-datasheets-1285.pdf | ТО-220-3 Полный пакет | Без свинца | 16 недель | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 6А | 500В | 28,5 Вт Тс | N-канал | 440пФ при 25В | 1,7 Ом при 3 А, 10 В | 6А Та | 14 НК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| RJK5026DPP-E0#T2 | Ренесас Электроникс Америка | $3,89 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/renesaselectronicsamerica-rjk5026dppe0t2-datasheets-1288.pdf | ТО-220-3 Полный пакет | 16 недель | 3 | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 26 нс | 19нс | 14 нс | 50 нс | 6А | 30В | 500В | 28,5 Вт Тс | N-канал | 440пФ при 25В | 1,7 Ом при 3 А, 10 В | 6А Та | 14 НК при 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| RJK6002DPD-00#J2 | Ренесас Электроникс Америка | 0,13 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/renesaselectronicsamerica-rjk6002dpd00j2-datasheets-1292.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 16 недель | 3 | НЕ УКАЗАН | 4 | НЕ УКАЗАН | 30 Вт | 1 | 2А | 30В | 600В | 30 Вт Тс | N-канал | 165пФ при 25В | 6,8 Ом при 1 А, 10 В | 2А Та | 6,2 НК при 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОТФ11Н62 | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alphaomegasemiconductor-aotf11n62-datasheets-9766.pdf | ТО-220-3 Полный пакет | 16 недель | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 11А | 620В | 50 Вт Тс | N-канал | 1990 пФ при 25 В | 650 мОм при 5,5 А, 10 В | 4,5 В @ 250 мкА | 11А Тк | 37 НК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| РДЖК5018ДПК-00#Т0 | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/renesaselectronicsamerica-rjk5018dpk00t0-datasheets-1246.pdf | ТО-3П-3, СК-65-3 | 16 недель | да | НЕ УКАЗАН | 4 | НЕ УКАЗАН | 35А | 500В | 200 Вт Тс | N-канал | 4100пФ при 25В | 155 мОм при 17,5 А, 10 В | 35А Та | 104 НК при 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| RJK4013DPE-00#J3 | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/renesaselectronicsamerica-rjk4013dpe00j3-datasheets-1249.pdf | СК-83 | 16 недель | 83 | НЕ УКАЗАН | 4 | НЕ УКАЗАН | 17А | 400В | 100 Вт Тс | N-канал | 1450пФ при 25В | 300 мОм при 8,5 А, 10 В | 17А Та | 38 НК при 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| RJK6013DPP-E0#T2 | Ренесас Электроникс Америка | $6,01 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/renesaselectronicsamerica-rjk6013dppe0t2-datasheets-1252.pdf | ТО-220-3 Полный пакет | 16 недель | 3 | EAR99 | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | Полномочия общего назначения FET | 11А | Одинокий | 600В | 30 Вт Тс | N-канал | 1450пФ при 25В | 700 мОм при 5,5 А, 10 В | 11А Та | 37,5 НК при 10 В | 10 В | ±30 В |
