| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Технология | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Без свинца | Срок выполнения заказа на заводе | Количество контактов | Код Pbfree | ECCN-код | Радиационная закалка | Пиковая температура оплавления (Цел) | Количество контактов | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Включить время задержки | Время подъема | Осень (тип.) | Время задержки отключения | Непрерывный ток стока (ID) | Напряжение от затвора до источника (Vgs) | Конфигурация | Напряжение стока к источнику (Vdss) | Рассеиваемая мощность-Макс. | Максимальный сток (Abs) (ID) | Тип полярного транзистора | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | Rds включено (макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс) @ Id | Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Напряжение привода (макс. значение включено, минимальное значение включено) | ВГС (Макс) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| РДЖК5015ДПМ-00#Т1 | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/renesaselectronicsamerica-rjk5015dpm00t1-datasheets-1230.pdf | ТО-3ПФМ, СК-93-3 | 16 недель | да | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 25А | 500В | 60 Вт Тс | N-канал | 2600пФ при 25В | 240 мОм при 12,5 А, 10 В | 25А Та | 66 НК при 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||
| RJK6026DPE-00#J3 | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/renesaselectronicsamerica-rjk6026dpe00j3-datasheets-1233.pdf | СК-83 | Без свинца | 16 недель | НЕ УКАЗАН | 4 | НЕ УКАЗАН | 5А | 600В | 62,5 Вт Тс | N-канал | 440пФ при 25В | 2,4 Ом при 2,5 А, 10 В | 5А Та | 14 НК при 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||
| НП88Н04КУГ-Е1-АЙ | Ренесас Электроникс Америка | 0,38 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 175°С, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/renesaselectronicsamerica-np88n04kuge1ay-datasheets-1236.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | 3 | EAR99 | Нет | 3 | Мощность полевого транзистора общего назначения | 43 нс | 104 нс | 22 нс | 107 нс | 88А | 20 В | Одинокий | 40В | 1,8 Вт Та 200 Вт Тс | N-канал | 15000пФ при 25В | 2,9 мОм при 44 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 88А Тк | 250 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||
| RJK6006DPD-00#J2 | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/renesaselectronicsamerica-rjk6006dpd00j2-datasheets-1240.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | Без свинца | 16 недель | НЕ УКАЗАН | 4 | НЕ УКАЗАН | 5А | 600В | 77,6 Вт Тс | N-канал | 600пФ при 25В | 1,6 Ом при 2,5 А, 10 В | 5А Та | 19 НК при 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||
| РДЖК6020ДПК-00#Т0 | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/renesaselectronicsamerica-rjk6020dpk00t0-datasheets-1243.pdf | ТО-3П-3, СК-65-3 | 16 недель | да | НЕ УКАЗАН | 4 | НЕ УКАЗАН | 32А | 600В | 200 Вт Тс | N-канал | 5150пФ при 25В | 175 мОм при 16 А, 10 В | 32А Та | 121 НК при 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||
| РДЖК5018ДПК-00#Т0 | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/renesaselectronicsamerica-rjk5018dpk00t0-datasheets-1246.pdf | ТО-3П-3, СК-65-3 | 16 недель | да | НЕ УКАЗАН | 4 | НЕ УКАЗАН | 35А | 500В | 200 Вт Тс | N-канал | 4100пФ при 25В | 155 мОм при 17,5 А, 10 В | 35А Та | 104 НК при 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||
| RJK4013DPE-00#J3 | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/renesaselectronicsamerica-rjk4013dpe00j3-datasheets-1249.pdf | СК-83 | 16 недель | 83 | НЕ УКАЗАН | 4 | НЕ УКАЗАН | 17А | 400В | 100 Вт Тс | N-канал | 1450пФ при 25В | 300 мОм при 8,5 А, 10 В | 17А Та | 38 НК при 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||
| RJK6013DPP-E0#T2 | Ренесас Электроникс Америка | $6,01 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/renesaselectronicsamerica-rjk6013dppe0t2-datasheets-1252.pdf | ТО-220-3 Полный пакет | 16 недель | 3 | EAR99 | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | Полномочия общего назначения FET | 11А | Одинокий | 600В | 30 Вт Тс | N-канал | 1450пФ при 25В | 700 мОм при 5,5 А, 10 В | 11А Та | 37,5 НК при 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||
| RJL6012DPE-00#J3 | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/renesaselectronicsamerica-rjl6012dpe00j3-datasheets-1256.pdf | СК-83 | Без свинца | 16 недель | 83 | НЕ УКАЗАН | 4 | НЕ УКАЗАН | Мощность полевого транзистора общего назначения | 10А | Одинокий | 600В | 100 Вт Тс | N-канал | 1050пФ при 25В | 1,1 Ом при 5 А, 10 В | 10А Та | 28 НК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||
| RJK5031DPD-00#J2 | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/renesaselectronicsamerica-rjk5031dpd00j2-datasheets-1208.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 16 недель | НЕ УКАЗАН | 4 | НЕ УКАЗАН | Мощность полевого транзистора общего назначения | 3А | Одинокий | 500В | 40,3 Вт Тс | 3А | N-канал | 280пФ при 25В | 3,2 Ом при 1,5 А, 10 В | 3А Та | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||
| РДЖК6018ДПК-00#Т0 | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/renesaselectronicsamerica-rjk6018dpk00t0-datasheets-1259.pdf | ТО-3П-3, СК-65-3 | Без свинца | 16 недель | 3 | да | НЕ УКАЗАН | 4 | НЕ УКАЗАН | 30А | 600В | 200 Вт Тс | N-канал | 4100пФ при 25В | 235 мОм при 15 А, 10 В | 30А Та | 92 НК при 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||
| RJK5013DPE-00#J3 | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/renesaselectronicsamerica-rjk5013dpe00j3-datasheets-1212.pdf | СК-83 | 16 недель | 83 | НЕ УКАЗАН | 4 | НЕ УКАЗАН | 14А | 500В | 100 Вт Тс | N-канал | 1450пФ при 25В | 465 мОм при 7 А, 10 В | 14А Та | 38 НК при 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||
| УПА2821Т1Л-Е1-АТ | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/renesaselectronicsamerica-upa2821t1le1at-datasheets-1262.pdf | 8-PowerWDFN | 16 недель | 8 | EAR99 | Мощность полевого транзистора общего назначения | 29 нс | 69нс | 54 нс | 98 нс | 26А | 20 В | Одинокий | 30В | 1,5 Вт Та | N-канал | 2490пФ при 10 В | 3,8 мОм при 26 А, 10 В | 26А Тк | 51 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||
| УПА2737ГР-Е1-АТ | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/renesaselectronicsamerica-upa2737gre1at-datasheets-1215.pdf | 8-SOIC (ширина 0,173, 4,40 мм) | 16 недель | 8 | EAR99 | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | Другие транзисторы | 20 нс | 32нс | 55 нс | 70 нс | 11А | 20 В | Одинокий | 30В | 1,1 Вт Та | P-канал | 1750пФ при 10В | 13 мОм при 11 А, 10 В | 11А Та | 45 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||
| RJL5012DPP-M0#T2 | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/renesaselectronicsamerica-rjl5012dppm0t2-datasheets-1265.pdf | ТО-220-3 Полный пакет | 16 недель | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 12А | 500В | 30 Вт Тс | N-канал | 1050пФ при 25В | 700 мОм при 6 А, 10 В | 12А Та | 27,8 НК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||
| RJL5014DPK-00#T0 | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/renesaselectronicsamerica-rjl5014dpk00t0-datasheets-1218.pdf | ТО-3П-3, СК-65-3 | 16 недель | да | НЕ УКАЗАН | 4 | НЕ УКАЗАН | 19А | 500В | 150 Вт Тс | N-канал | 1700пФ при 25В | 400 мОм при 9,5 А, 10 В | 19А Та | 43 НК при 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||
| RJK6011DJE-00#Z0 | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/renesaselectronicsamerica-rjk6011dje00z0-datasheets-1160.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 Длинный корпус (формованные выводы) | 16 недель | да | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 100 мА | 600В | 900мВт Та | N-канал | 25пФ при 25В | 52 Ом при 50 мА, 10 В | 100 мА Та | 3,7 НК при 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||
| НП90Н055НУК-С18-АЙ | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 175°С, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/renesaselectronicsamerica-np90n055muks18ay-datasheets-1007.pdf | ТО-262-3 Полный пакет, И2Пак | 16 недель | 3 | EAR99 | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | Полномочия общего назначения FET | 90А | Одинокий | 55В | 1,8 Вт Та 176 Вт Тс | N-канал | 7350пФ при 25 В | 3,8 мОм при 45 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 90А Ц | 120 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||
| RJK6012DPP-E0#T2 | Ренесас Электроникс Америка | $3,21 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/renesaselectronicsamerica-rjk6012dppe0t2-datasheets-1166.pdf | ТО-220-3 Полный пакет | Без свинца | 16 недель | EAR99 | Нет | 3 | Полномочия общего назначения FET | 30 нс | 22нс | 17 нс | 80 нс | 10А | 30В | Одинокий | 600В | 30 Вт Тс | N-канал | 1100пФ при 25В | 920 мОм при 5 А, 10 В | 10А Та | 30 НК при 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||
| НП60Н04НУК-С18-АЙ | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 175°С, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | ТО-262-3 Полный пакет, И2Пак | 16 недель | 3 | EAR99 | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | Полномочия общего назначения FET | 60А | Одинокий | 40В | 1,8 Вт Та 105 Вт Тс | N-канал | 3680пФ при 25В | 4,3 мОм при 30 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 60А Ц | 63 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||
| RJK0659DPA-00#J5A | Ренесас Электроникс Америка | 1,47 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/renesaselectronicsamerica-rjk0659dpa00j5a-datasheets-1172.pdf | 8-WFDFN Открытая площадка | 8 | да | EAR99 | НЕ УКАЗАН | 8 | НЕ УКАЗАН | 30А | 60В | 55 Вт Тс | N-канал | 2400пФ при 10 В | 8 мОм при 15 А, 10 В | 30А Та | 30,6 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||
| RJK0703DPP-E0#T2 | Ренесас Электроникс Америка | $4,77 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/renesaselectronicsamerica-rjk0703dppe0t2-datasheets-1176.pdf | ТО-220-3 Полный пакет | 16 недель | 3 | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 25 Вт | 1 | 70А | 20 В | 75В | 25 Вт Тс | N-канал | 4150пФ при 10 В | 6,7 мОм при 35 А, 10 В | 70А Та | 56 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||
| RJK6012DPE-00#J3 | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/renesaselectronicsamerica-rjk6012dpe00j3-datasheets-1180.pdf | СК-83 | Без свинца | 16 недель | 83 | НЕ УКАЗАН | 4 | НЕ УКАЗАН | 10А | 600В | 100 Вт Тс | N-канал | 1100пФ при 25В | 920 мОм при 5 А, 10 В | 10А Та | 30 НК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||
| РДЖК4514ДПК-00#Т0 | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/renesaselectronicsamerica-rjk4514dpk00t0-datasheets-1183.pdf | ТО-3П-3, СК-65-3 | 16 недель | 3 | да | НЕ УКАЗАН | 4 | НЕ УКАЗАН | 22А | 450В | 150 Вт Тс | N-канал | 1800пФ при 25В | 300 мОм при 11 А, 10 В | 22А Та | 46 НК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||
| RJL6018DPK-00#T0 | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/renesaselectronicsamerica-rjl6018dpk00t0-datasheets-1186.pdf | ТО-3П-3, СК-65-3 | 16 недель | 3 | да | НЕ УКАЗАН | 4 | НЕ УКАЗАН | Мощность полевого транзистора общего назначения | 27А | Одинокий | 600В | 200 Вт Тс | N-канал | 3830пФ при 25В | 265 мОм при 13,5 А, 10 В | 27А Та | 98 НК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||
| RJK4006DPD-00#J2 | Ренесас Электроникс Америка | $14,98 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/renesaselectronicsamerica-rjk4006dpd00j2-datasheets-1137.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 16 недель | НЕ УКАЗАН | 4 | НЕ УКАЗАН | 8А | 400В | 65 Вт Тс | N-канал | 620пФ при 25В | 800 мОм при 4 А, 10 В | 8А Та | 20 НК при 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||
| RJK6032DPD-00#J2 | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/renesaselectronicsamerica-rjk6032dpd00j2-datasheets-1193.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 16 недель | 3 | EAR99 | Мощность полевого транзистора общего назначения | 13 нс | 22 нс | 3А | 30В | Одинокий | 600В | 40,3 Вт Тс | 3А | N-канал | 285пФ при 25В | 4,3 Ом при 1,5 А, 10 В | 3А Та | 9 нк @ 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||
| RJK4002DJE-00#Z0 | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/renesaselectronicsamerica-rjk4002dje00z0-datasheets-1141.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 Длинный корпус (формованные выводы) | 16 недель | да | EAR99 | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | Мощность полевого транзистора общего назначения | 3А | Одинокий | 400В | 2,54 Вт Тс | 3А | N-канал | 165пФ при 25В | 2,9 Ом при 1,5 А, 10 В | 3А Та | 6 НК при 100 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||
| УПА2738ГР-Е1-АТ | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/renesaselectronicsamerica-upa2738gre1at-datasheets-1200.pdf | 8-PowerSOIC (ширина 0,173, 4,40 мм) | 8 | EAR99 | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | Другие транзисторы | 14 нс | 30 нс | 50 нс | 60 нс | 10А | 20 В | Одинокий | 30В | 1,1 Вт Та | P-канал | 1450пФ при 10В | 15 мОм при 10 А, 10 В | 10А Та | 37 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||
| RJK2057DPA-00#J0 | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/renesaselectronicsamerica-rjk2057dpa00j0-datasheets-1144.pdf | 8-PowerWDFN | 16 недель | да | НЕ УКАЗАН | 8 | НЕ УКАЗАН | 20А | 200В | 30 Вт Тс | N-канал | 1250пФ при 25В | 85 мОм при 10 А, 10 В | 20А Та | 19 НК при 10 В | 10 В | ±30 В |
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.