| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Прекращение действия | Технология | Режим работы | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Сопротивление | Количество контактов | Код Pbfree | ECCN-код | Радиационная закалка | Текущий | Код HTS | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Напряжение | Справочный стандарт | Поверхностный монтаж | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Базовый номер детали | Количество контактов | Количество вариантов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Код JESD-30 | Включить время задержки | Время подъема | Осень (тип.) | Время задержки отключения | Непрерывный ток стока (ID) | Напряжение от затвора до источника (Vgs) | Двойное напряжение питания | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Напряжение стока к источнику (Vdss) | DS Напряжение проба-мин. | Пороговое напряжение | Рассеиваемая мощность-Макс. | Максимальный сток (Abs) (ID) | Максимальный импульсный ток стока (IDM) | Источник стока при максимальном сопротивлении | Обратная связь Cap-Max (Crss) | Напряжение проба стока к источнику | Тип полярного транзистора | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | Номинальный объем | Rds включено (макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс) @ Id | Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Напряжение привода (макс. значение включено, минимальное значение включено) | ВГС (Макс) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| RJK2057DPA-00#J0 | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/renesaselectronicsamerica-rjk2057dpa00j0-datasheets-1144.pdf | 8-PowerWDFN | 16 недель | да | НЕ УКАЗАН | 8 | НЕ УКАЗАН | 20А | 200В | 30 Вт Тс | N-канал | 1250пФ при 25В | 85 мОм при 10 А, 10 В | 20А Та | 19 НК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| РДЖК4518ДПК-00#Т0 | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/renesaselectronicsamerica-rjk4518dpk00t0-datasheets-1205.pdf | ТО-3П-3, СК-65-3 | 16 недель | 3 | да | НЕ УКАЗАН | 4 | НЕ УКАЗАН | 39А | 450В | 200 Вт Тс | N-канал | 4100пФ при 25В | 130 мОм при 19,5 А, 10 В | 39А Та | 93 НК при 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NP89N055NUK-S18-AY | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 175°С, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2011 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/renesaselectronicsamerica-np89n055nuks18ay-datasheets-1147.pdf | ТО-262-3 Полный пакет, И2Пак | 16 недель | 3 | EAR99 | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | Полномочия общего назначения FET | 90А | Одинокий | 55В | 1,8 Вт Ta 147 Вт Tc | N-канал | 6000пФ при 25В | 4,4 мОм при 45 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 90А Ц | 102 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| RJK5012DPP-E0#T2 | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/renesaselectronicsamerica-rjk5012dppe0t2-datasheets-1149.pdf | ТО-220-3 Полный пакет | 16 недель | EAR99 | НЕТ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | Мощность полевого транзистора общего назначения | Одинокий | 500В | 30 Вт Тс | 12А | N-канал | 1100пФ при 25В | 620 мОм при 6 А, 10 В | 12А Та | 29 НК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| RJK5014DPP-E0#T2 | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/renesaselectronicsamerica-rjk5014dppe0t2-datasheets-1153.pdf | ТО-220-3 Полный пакет | 16 недель | EAR99 | НЕТ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | Полномочия общего назначения FET | Одинокий | 500В | 35 Вт Тс | 19А | N-канал | 1800пФ при 25В | 390 мОм при 9,5 А, 10 В | 19А Та | 46 НК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| RJK0346DPA-01#J0B | Ренесас Электроникс Америка | 1,54 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/renesaselectronicsamerica-rjk0346dpa01j0b-datasheets-1099.pdf | 8-PowerWDFN | Без свинца | 16 недель | да | НЕ УКАЗАН | 8 | НЕ УКАЗАН | 65А | 30В | 65 Вт Тс | N-канал | 7650пФ при 10 В | 1,8 мОм при 25 А, 10 В | 65А Та | 49 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НП89Н04МУК-С18-АЙ | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 175°С, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2011 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/renesaselectronicsamerica-np89n04nuks18ay-datasheets-1029.pdf | ТО-220-3 Полный пакет | 16 недель | EAR99 | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 90А | 40В | 1,8 Вт Ta 147 Вт Tc | N-канал | 5850пФ при 25 В | 3,3 мОм при 45 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 90А Ц | 102 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БСС138-Д87З | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-bss138-datasheets-5767.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | БСС138 | 50В | 360мВт Та | N-канал | 27пФ при 25В | 3,5 Ом при 220 мА, 10 В | 1,5 В при 1 мА | 220 мА Та | 2,4 НК при 10 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| RJK4007DPP-M0#T2 | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/renesaselectronicsamerica-rjk4007dppm0t2-datasheets-1111.pdf | ТО-220-3 Полный пакет | 16 недель | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 7,6А | 400В | 32 Вт Тс | N-канал | 850пФ при 25В | 550 мОм при 7 А, 10 В | 7,6А Та | 24,5 НК при 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| RJK5012DPE-00#J3 | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/renesaselectronicsamerica-rjk5012dpe00j3-datasheets-1114.pdf | СК-83 | 16 недель | 83 | НЕ УКАЗАН | 4 | НЕ УКАЗАН | 12А | 500В | 100 Вт Тс | N-канал | 1100пФ при 25В | 620 мОм при 6 А, 10 В | 12А Та | 29 НК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| RJK1002DPN-E0#T2 | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/renesaselectronicsamerica-rjk1002dpne0t2-datasheets-1117.pdf | ТО-220-3 | 16 недель | EAR99 | Мощность полевого транзистора общего назначения | 70А | Одинокий | 100 В | 150 Вт Тс | N-канал | 6450пФ при 10 В | 7,6 мОм при 35 А, 10 В | 70А Та | 94 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2Н7002-Е3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | СМД/СМТ | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-2n7002t1e3-datasheets-0519.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 3,04 мм | 1,02 мм | 1,4 мм | Без свинца | 3 | 1,437803г | Нет СВХК | 7,5 Ом | 3 | EAR99 | Нет | 3А | е3 | Матовый олово (Sn) | 60В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 3 | 1 | Одинокий | 200мВт | 1 | Мощность полевого транзистора общего назначения | 7 нс | 11 нс | 115 мА | 20 В | 60В | КРЕМНИЙ | 2,1 В | 200мВт Та | 5 пФ | 60В | N-канал | 50пФ при 25В | 2 В | 7,5 Ом при 500 мА, 10 В | 2,5 В @ 250 мкА | 115 мА Та | 5В 10В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||
| НП90Н04НУК-С18-АЙ | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 175°С, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2011 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/renesaselectronicsamerica-np90n04nuks18ay-datasheets-1069.pdf | ТО-262-3 Полный пакет, И2Пак | 16 недель | 3 | EAR99 | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | Полномочия общего назначения FET | 90А | Одинокий | 40В | 1,8 Вт Та 176 Вт Тс | N-канал | 7050пФ при 25 В | 2,8 мОм при 45 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 90А Ц | 120 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| РДЖК2511ДПК-00#Т0 | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/renesaselectronicsamerica-rjk2511dpk00t0-datasheets-1128.pdf | ТО-3П-3, СК-65-3 | 16 недель | да | НЕ УКАЗАН | 4 | НЕ УКАЗАН | 65А | 250В | 200 Вт Тс | N-канал | 4900пФ при 25В | 34 мОм при 32,5 А, 10 В | 65А Та | 120 НК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NP89N055PUK-E1-AY | Ренесас Электроникс Америка | $6,93 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 175°С, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2011 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/renesaselectronicsamerica-np89n055puke1ay-datasheets-1071.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | 2 | 16 недель | EAR99 | 8541.29.00.95 | АЭК-Q101 | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Мощность полевого транзистора общего назначения | Р-ПССО-Г2 | 90А | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 55В | 55В | 1,8 Вт Ta 147 Вт Tc | 360А | 0,004 Ом | N-канал | 6000пФ при 25В | 4 м Ом при 45 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 90А Ц | 102 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| РДЖК2006ДПЭ-00#Дж3 | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/renesaselectronicsamerica-rjk2006dpe00j3-datasheets-1131.pdf | СК-83 | 16 недель | 83 | да | EAR99 | НЕ УКАЗАН | 4 | НЕ УКАЗАН | Мощность полевого транзистора общего назначения | 40А | Одинокий | 200В | 100 Вт Тс | N-канал | 1800пФ при 25В | 59 мОм при 20 А, 10 В | 40А Та | 43 НК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| N0413N-ZK-E1-AY | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2011 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/renesaselectronicsamerica-n0413nzke1ay-datasheets-1073.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | 16 недель | 3 | EAR99 | Нет | 29 нс | 15нс | 13 нс | 64 нс | 100А | 20 В | 40В | 1,5 Вт Та 119 Вт Тс | N-канал | 5550пФ при 25 В | 3,3 мОм при 50 А, 10 В | 100А Та | 100 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| RJK4006DPP-M0#T2 | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/renesaselectronicsamerica-rjk4006dppm0t2-datasheets-1134.pdf | ТО-220-3 Полный пакет | 16 недель | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 8А | 400В | 29 Вт Тс | N-канал | 620пФ при 25В | 800 мОм при 4 А, 10 В | 8А Та | 20 НК при 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| РДЖК2009ДПМ-00#Т0 | Ренесас Электроникс Америка | $21,98 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/renesaselectronicsamerica-rjk2009dpm00t0-datasheets-1075.pdf | ТО-3ПФМ, СК-93-3 | 16 недель | да | EAR99 | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 40А | 200В | 60 Вт Тс | N-канал | 2900пФ при 25В | 36 мОм при 20 А, 10 В | 40А Та | 72 НК при 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| RJK2555DPA-00#J0 | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/renesaselectronicsamerica-rjk2555dpa00j0-datasheets-1078.pdf | 8-PowerWDFN | 16 недель | да | НЕ УКАЗАН | 8 | НЕ УКАЗАН | 17А | 250В | 30 Вт Тс | N-канал | 2400пФ при 25В | 104 мОм при 8,5 А, 10 В | 17А Та | 39 НК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НП60Н055МУК-С18-АЙ | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 175°С, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2011 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/renesaselectronicsamerica-np60n055muks18ay-datasheets-1081.pdf | ТО-220-3 | 16 недель | 3 | EAR99 | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | Полномочия общего назначения FET | 60А | Одинокий | 55В | 1,8 Вт Та 105 Вт Тс | N-канал | 3750пФ при 25В | 6 м Ом при 30 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 60А Ц | 63 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| РДЖК4002ДПП-М0#Т2 | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/renesaselectronicsamerica-rjk4002dppm0t2-datasheets-1083.pdf | ТО-220-3 Полный пакет | 16 недель | EAR99 | Мощность полевого транзистора общего назначения | 3А | Одинокий | 400В | 20 Вт Тс | 3А | N-канал | 165пФ при 25В | 2,9 Ом при 1,5 А, 10 В | 3А Та | 6 НК при 100 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НП90Н04МУК-С18-АЙ | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 175°С, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2011 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/renesaselectronicsamerica-np90n04nuks18ay-datasheets-1069.pdf | ТО-220-3 Полный пакет | 16 недель | 3 | EAR99 | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | Полномочия общего назначения FET | 90А | Одинокий | 40В | 1,8 Вт Та 176 Вт Тс | N-канал | 7050пФ при 25 В | 2,8 мОм при 45 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 90А Ц | 120 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| RJK0603DPN-E0#T2 | Ренесас Электроникс Америка | 15,00 долларов США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/renesaselectronicsamerica-rjk0603dpne0t2-datasheets-1095.pdf | ТО-220-3 | 16 недель | НЕ УКАЗАН | 4 | НЕ УКАЗАН | 80А | 60В | 125 Вт Тс | N-канал | 4150пФ при 10 В | 5,2 мОм при 40 А, 10 В | 80А Та | 57 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| RJK1002DPP-E0#T2 | Ренесас Электроникс Америка | $70,66 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/renesaselectronicsamerica-rjk1002dppe0t2-datasheets-1045.pdf | ТО-220-3 Полный пакет | 16 недель | 3 | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 30 Вт | 1 | 70А | 20 В | 100 В | 30 Вт Тс | N-канал | 6450пФ при 10 В | 7,6 мОм при 35 А, 10 В | 70А Та | 94 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| RJK4512DPE-00#J3 | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/renesaselectronicsamerica-rjk4512dpe00j3-datasheets-1049.pdf | СК-83 | 16 недель | 83 | НЕ УКАЗАН | 4 | НЕ УКАЗАН | Мощность полевого транзистора общего назначения | 30 нс | 25нс | 17 нс | 78 нс | 14А | 30В | Одинокий | 450В | 100 Вт Тс | N-канал | 1100пФ при 25В | 510 мОм при 7 А, 10 В | 14А Та | 29 НК при 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| RJK1001DPP-E0#T2 | Ренесас Электроникс Америка | $71,47 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/renesaselectronicsamerica-rjk1001dppe0t2-datasheets-1052.pdf | ТО-220-3 Полный пакет | 16 недель | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 80А | 100 В | 30 Вт Тс | N-канал | 10000пФ при 10В | 5,5 мОм при 40 А, 10 В | 80А Та | 147 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОН6524 | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | 0,12 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2011 год | 8-PowerSMD, плоские выводы | 16 недель | 68А | 30В | 5,7 Вт Ta 35,5 Вт Tc | N-канал | 1080пФ при 15В | 5 м Ом при 20 А, 10 В | 2,3 В @ 250 мкА | 27А Та 68А Ц | 23 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| RJK2557DPA-00#J0 | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/renesaselectronicsamerica-rjk2557dpa00j0-datasheets-1060.pdf | 8-PowerWDFN | 16 недель | да | НЕ УКАЗАН | 8 | НЕ УКАЗАН | 17А | 250В | 30 Вт Тс | N-канал | 1250пФ при 25В | 128 мОм при 8,5 А, 10 В | 17А Та | 20 НК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NP90N03VHG-E1-AY | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 175°С, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/renesaselectronicsamerica-np90n03vhge1ay-datasheets-1009.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 2 | 16 недель | 3 | EAR99 | Нет | 8541.29.00.95 | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 3 | 1 | Мощность полевого транзистора общего назначения | Р-ПССО-Г2 | 32 нс | 20нс | 13 нс | 64 нс | 90А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30В | 1,2 Вт Та 105 Вт Тс | N-канал | 7500пФ при 25В | 3,2 мОм при 45 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 90А Ц | 135 НК при 10 В | 10 В | ±20 В |
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.