Одиночные МОП-транзисторы - Поиск электронных компонентов - Лучший агент по электронным компонентам - ICGNT
Сравнить Изображение Имя Производитель Цена (долл. США) Количество Вес (кг) Размер (ДхШхВ) Статус детали Установить Тип монтажа Рабочая температура Упаковка Уровень чувствительности к влаге (MSL) Прекращение действия Технология Режим работы Статус RoHS Опубликовано Техническая спецификация Пакет/ключи Длина Высота Ширина Без свинца Количество окончаний Срок выполнения заказа на заводе Масса ДОСТИГНУТЬ СВХК Сопротивление Количество контактов Код Pbfree ECCN-код Радиационная закалка Текущий Код HTS Код JESD-609 Терминальные отделки Напряжение Справочный стандарт Поверхностный монтаж Положение терминала Терминальная форма Пиковая температура оплавления (Цел) Базовый номер детали Количество контактов Количество вариантов Конфигурация элемента Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) Рассеяние активности Количество элементов Подкатегория Код JESD-30 Включить время задержки Время подъема Осень (тип.) Время задержки отключения Непрерывный ток стока (ID) Напряжение от затвора до источника (Vgs) Двойное напряжение питания Материал транзисторного элемента Конфигурация Соединение корпуса Применение транзистора Напряжение стока к источнику (Vdss) DS Напряжение проба-мин. Пороговое напряжение Рассеиваемая мощность-Макс. Максимальный сток (Abs) (ID) Максимальный импульсный ток стока (IDM) Источник стока при максимальном сопротивлении Обратная связь Cap-Max (Crss) Напряжение проба стока к источнику Тип полярного транзистора Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds Номинальный объем Rds включено (макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс) @ Id Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Напряжение привода (макс. значение включено, минимальное значение включено) ВГС (Макс)
RJK2057DPA-00#J0 RJK2057DPA-00#J0 Ренесас Электроникс Америка
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж 150°С ТДж Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) МОП-транзистор (оксид металла) Соответствует ROHS3 2009 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/renesaselectronicsamerica-rjk2057dpa00j0-datasheets-1144.pdf 8-PowerWDFN 16 недель да НЕ УКАЗАН 8 НЕ УКАЗАН 20А 200В 30 Вт Тс N-канал 1250пФ при 25В 85 мОм при 10 А, 10 В 20А Та 19 НК при 10 В 10 В ±30 В
RJK4518DPK-00#T0 РДЖК4518ДПК-00#Т0 Ренесас Электроникс Америка
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие Сквозное отверстие 150°С ТДж Трубка 1 (без блокировки) МОП-транзистор (оксид металла) Соответствует ROHS3 2010 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/renesaselectronicsamerica-rjk4518dpk00t0-datasheets-1205.pdf ТО-3П-3, СК-65-3 16 недель 3 да НЕ УКАЗАН 4 НЕ УКАЗАН 39А 450В 200 Вт Тс N-канал 4100пФ при 25В 130 мОм при 19,5 А, 10 В 39А Та 93 НК при 10 В 10 В ±30 В
NP89N055NUK-S18-AY NP89N055NUK-S18-AY Ренесас Электроникс Америка
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие Сквозное отверстие 175°С, ТиДжей Трубка 1 (без блокировки) МОП-транзистор (оксид металла) Соответствует ROHS3 2011 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/renesaselectronicsamerica-np89n055nuks18ay-datasheets-1147.pdf ТО-262-3 Полный пакет, И2Пак 16 недель 3 EAR99 НЕ УКАЗАН 3 НЕ УКАЗАН Полномочия общего назначения FET 90А Одинокий 55В 1,8 Вт Ta 147 Вт Tc N-канал 6000пФ при 25В 4,4 мОм при 45 А, 10 В 4 В @ 250 мкА 90А Ц 102 НК при 10 В 10 В ±20 В
RJK5012DPP-E0#T2 RJK5012DPP-E0#T2 Ренесас Электроникс Америка
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие 150°С ТДж Трубка 1 (без блокировки) МОП-транзистор (оксид металла) Соответствует ROHS3 2012 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/renesaselectronicsamerica-rjk5012dppe0t2-datasheets-1149.pdf ТО-220-3 Полный пакет 16 недель EAR99 НЕТ НЕ УКАЗАН 3 НЕ УКАЗАН Мощность полевого транзистора общего назначения Одинокий 500В 30 Вт Тс 12А N-канал 1100пФ при 25В 620 мОм при 6 А, 10 В 12А Та 29 НК при 10 В 10 В ±30 В
RJK5014DPP-E0#T2 RJK5014DPP-E0#T2 Ренесас Электроникс Америка
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие 150°С ТДж Трубка 1 (без блокировки) МОП-транзистор (оксид металла) Соответствует ROHS3 2012 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/renesaselectronicsamerica-rjk5014dppe0t2-datasheets-1153.pdf ТО-220-3 Полный пакет 16 недель EAR99 НЕТ НЕ УКАЗАН 3 НЕ УКАЗАН Полномочия общего назначения FET Одинокий 500В 35 Вт Тс 19А N-канал 1800пФ при 25В 390 мОм при 9,5 А, 10 В 19А Та 46 НК при 10 В 10 В ±30 В
RJK0346DPA-01#J0B RJK0346DPA-01#J0B Ренесас Электроникс Америка 1,54 доллара США
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж 150°С ТДж Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) МОП-транзистор (оксид металла) Соответствует ROHS3 2010 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/renesaselectronicsamerica-rjk0346dpa01j0b-datasheets-1099.pdf 8-PowerWDFN Без свинца 16 недель да НЕ УКАЗАН 8 НЕ УКАЗАН 65А 30В 65 Вт Тс N-канал 7650пФ при 10 В 1,8 мОм при 25 А, 10 В 65А Та 49 НК при 10 В 4,5 В 10 В ±20 В
NP89N04MUK-S18-AY НП89Н04МУК-С18-АЙ Ренесас Электроникс Америка
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие Сквозное отверстие 175°С, ТиДжей Трубка 1 (без блокировки) МОП-транзистор (оксид металла) Соответствует ROHS3 2011 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/renesaselectronicsamerica-np89n04nuks18ay-datasheets-1029.pdf ТО-220-3 Полный пакет 16 недель EAR99 НЕ УКАЗАН 3 НЕ УКАЗАН 90А 40В 1,8 Вт Ta 147 Вт Tc N-канал 5850пФ при 25 В 3,3 мОм при 45 А, 10 В 4 В @ 250 мкА 90А Ц 102 НК при 10 В 10 В ±20 В
BSS138-D87Z БСС138-Д87З ОН Полупроводник
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж -55°C~150°C, ТиДжей Разрезанная лента (CT) 1 (без блокировки) МОП-транзистор (оксид металла) Соответствует ROHS3 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-bss138-datasheets-5767.pdf ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 БСС138 50В 360мВт Та N-канал 27пФ при 25В 3,5 Ом при 220 мА, 10 В 1,5 В при 1 мА 220 мА Та 2,4 НК при 10 В
RJK4007DPP-M0#T2 RJK4007DPP-M0#T2 Ренесас Электроникс Америка
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие Сквозное отверстие 150°С ТДж Трубка 1 (без блокировки) МОП-транзистор (оксид металла) Соответствует ROHS3 2010 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/renesaselectronicsamerica-rjk4007dppm0t2-datasheets-1111.pdf ТО-220-3 Полный пакет 16 недель НЕ УКАЗАН 3 НЕ УКАЗАН 7,6А 400В 32 Вт Тс N-канал 850пФ при 25В 550 мОм при 7 А, 10 В 7,6А Та 24,5 НК при 10 В 10 В ±30 В
RJK5012DPE-00#J3 RJK5012DPE-00#J3 Ренесас Электроникс Америка
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж 150°С ТДж Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) МОП-транзистор (оксид металла) Соответствует ROHS3 2010 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/renesaselectronicsamerica-rjk5012dpe00j3-datasheets-1114.pdf СК-83 16 недель 83 НЕ УКАЗАН 4 НЕ УКАЗАН 12А 500В 100 Вт Тс N-канал 1100пФ при 25В 620 мОм при 6 А, 10 В 12А Та 29 НК при 10 В 10 В ±30 В
RJK1002DPN-E0#T2 RJK1002DPN-E0#T2 Ренесас Электроникс Америка
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие Сквозное отверстие 150°С ТДж Трубка 1 (без блокировки) МОП-транзистор (оксид металла) Соответствует ROHS3 2012 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/renesaselectronicsamerica-rjk1002dpne0t2-datasheets-1117.pdf ТО-220-3 16 недель EAR99 Мощность полевого транзистора общего назначения 70А Одинокий 100 В 150 Вт Тс N-канал 6450пФ при 10 В 7,6 мОм при 35 А, 10 В 70А Та 94 НК при 10 В 10 В ±20 В
2N7002-E3 2Н7002-Е3 Вишай Силиконикс
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°C~150°C, ТиДжей Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) СМД/СМТ МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-2n7002t1e3-datasheets-0519.pdf ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 3,04 мм 1,02 мм 1,4 мм Без свинца 3 1,437803г Нет СВХК 7,5 Ом 3 EAR99 Нет е3 Матовый олово (Sn) 60В ДВОЙНОЙ КРЫЛО ЧАЙКИ 3 1 Одинокий 200мВт 1 Мощность полевого транзистора общего назначения 7 нс 11 нс 115 мА 20 В 60В КРЕМНИЙ 2,1 В 200мВт Та 5 пФ 60В N-канал 50пФ при 25В 2 В 7,5 Ом при 500 мА, 10 В 2,5 В @ 250 мкА 115 мА Та 5В 10В ±20 В
NP90N04NUK-S18-AY НП90Н04НУК-С18-АЙ Ренесас Электроникс Америка
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие Сквозное отверстие 175°С, ТиДжей Трубка 1 (без блокировки) МОП-транзистор (оксид металла) Соответствует ROHS3 2011 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/renesaselectronicsamerica-np90n04nuks18ay-datasheets-1069.pdf ТО-262-3 Полный пакет, И2Пак 16 недель 3 EAR99 НЕ УКАЗАН 3 НЕ УКАЗАН Полномочия общего назначения FET 90А Одинокий 40В 1,8 Вт Та 176 Вт Тс N-канал 7050пФ при 25 В 2,8 мОм при 45 А, 10 В 4 В @ 250 мкА 90А Ц 120 НК при 10 В 10 В ±20 В
RJK2511DPK-00#T0 РДЖК2511ДПК-00#Т0 Ренесас Электроникс Америка
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие Сквозное отверстие 150°С ТДж Трубка 1 (без блокировки) МОП-транзистор (оксид металла) Соответствует ROHS3 2010 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/renesaselectronicsamerica-rjk2511dpk00t0-datasheets-1128.pdf ТО-3П-3, СК-65-3 16 недель да НЕ УКАЗАН 4 НЕ УКАЗАН 65А 250В 200 Вт Тс N-канал 4900пФ при 25В 34 мОм при 32,5 А, 10 В 65А Та 120 НК при 10 В 10 В ±30 В
NP89N055PUK-E1-AY NP89N055PUK-E1-AY Ренесас Электроникс Америка $6,93
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж 175°С, ТиДжей Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 2011 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/renesaselectronicsamerica-np89n055puke1ay-datasheets-1071.pdf ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ 2 16 недель EAR99 8541.29.00.95 АЭК-Q101 ОДИНОКИЙ КРЫЛО ЧАЙКИ НЕ УКАЗАН 3 НЕ УКАЗАН 1 Мощность полевого транзистора общего назначения Р-ПССО-Г2 90А КРЕМНИЙ ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ ОСУШАТЬ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 55В 55В 1,8 Вт Ta 147 Вт Tc 360А 0,004 Ом N-канал 6000пФ при 25В 4 м Ом при 45 А, 10 В 4 В @ 250 мкА 90А Ц 102 НК при 10 В 10 В ±20 В
RJK2006DPE-00#J3 РДЖК2006ДПЭ-00#Дж3 Ренесас Электроникс Америка
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж 150°С ТДж Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) МОП-транзистор (оксид металла) Соответствует ROHS3 2010 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/renesaselectronicsamerica-rjk2006dpe00j3-datasheets-1131.pdf СК-83 16 недель 83 да EAR99 НЕ УКАЗАН 4 НЕ УКАЗАН Мощность полевого транзистора общего назначения 40А Одинокий 200В 100 Вт Тс N-канал 1800пФ при 25В 59 мОм при 20 А, 10 В 40А Та 43 НК при 10 В 10 В ±30 В
N0413N-ZK-E1-AY N0413N-ZK-E1-AY Ренесас Электроникс Америка
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж 150°С ТДж Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) МОП-транзистор (оксид металла) Соответствует ROHS3 2011 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/renesaselectronicsamerica-n0413nzke1ay-datasheets-1073.pdf ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ 16 недель 3 EAR99 Нет 29 нс 15нс 13 нс 64 нс 100А 20 В 40В 1,5 Вт Та 119 Вт Тс N-канал 5550пФ при 25 В 3,3 мОм при 50 А, 10 В 100А Та 100 НК при 10 В 10 В ±20 В
RJK4006DPP-M0#T2 RJK4006DPP-M0#T2 Ренесас Электроникс Америка
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие Сквозное отверстие 150°С ТДж Трубка 1 (без блокировки) МОП-транзистор (оксид металла) Соответствует ROHS3 2010 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/renesaselectronicsamerica-rjk4006dppm0t2-datasheets-1134.pdf ТО-220-3 Полный пакет 16 недель НЕ УКАЗАН 3 НЕ УКАЗАН 400В 29 Вт Тс N-канал 620пФ при 25В 800 мОм при 4 А, 10 В 8А Та 20 НК при 10 В 10 В ±30 В
RJK2009DPM-00#T0 РДЖК2009ДПМ-00#Т0 Ренесас Электроникс Америка $21,98
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие Сквозное отверстие Трубка 1 (без блокировки) МОП-транзистор (оксид металла) Соответствует ROHS3 2010 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/renesaselectronicsamerica-rjk2009dpm00t0-datasheets-1075.pdf ТО-3ПФМ, СК-93-3 16 недель да EAR99 НЕ УКАЗАН 3 НЕ УКАЗАН 40А 200В 60 Вт Тс N-канал 2900пФ при 25В 36 мОм при 20 А, 10 В 40А Та 72 НК при 10 В 10 В ±30 В
RJK2555DPA-00#J0 RJK2555DPA-00#J0 Ренесас Электроникс Америка
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж 150°С ТДж Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) МОП-транзистор (оксид металла) Соответствует ROHS3 2009 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/renesaselectronicsamerica-rjk2555dpa00j0-datasheets-1078.pdf 8-PowerWDFN 16 недель да НЕ УКАЗАН 8 НЕ УКАЗАН 17А 250В 30 Вт Тс N-канал 2400пФ при 25В 104 мОм при 8,5 А, 10 В 17А Та 39 НК при 10 В 10 В ±30 В
NP60N055MUK-S18-AY НП60Н055МУК-С18-АЙ Ренесас Электроникс Америка
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие Сквозное отверстие 175°С, ТиДжей Масса 1 (без блокировки) МОП-транзистор (оксид металла) Соответствует ROHS3 2011 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/renesaselectronicsamerica-np60n055muks18ay-datasheets-1081.pdf ТО-220-3 16 недель 3 EAR99 НЕ УКАЗАН 3 НЕ УКАЗАН Полномочия общего назначения FET 60А Одинокий 55В 1,8 Вт Та 105 Вт Тс N-канал 3750пФ при 25В 6 м Ом при 30 А, 10 В 4 В @ 250 мкА 60А Ц 63 НК при 10 В 10 В ±20 В
RJK4002DPP-M0#T2 РДЖК4002ДПП-М0#Т2 Ренесас Электроникс Америка
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие Сквозное отверстие 150°С ТДж Трубка 1 (без блокировки) МОП-транзистор (оксид металла) Соответствует ROHS3 2012 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/renesaselectronicsamerica-rjk4002dppm0t2-datasheets-1083.pdf ТО-220-3 Полный пакет 16 недель EAR99 Мощность полевого транзистора общего назначения Одинокий 400В 20 Вт Тс N-канал 165пФ при 25В 2,9 Ом при 1,5 А, 10 В 3А Та 6 НК при 100 В 10 В ±30 В
NP90N04MUK-S18-AY НП90Н04МУК-С18-АЙ Ренесас Электроникс Америка
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие Сквозное отверстие 175°С, ТиДжей Трубка 1 (без блокировки) МОП-транзистор (оксид металла) Соответствует ROHS3 2011 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/renesaselectronicsamerica-np90n04nuks18ay-datasheets-1069.pdf ТО-220-3 Полный пакет 16 недель 3 EAR99 НЕ УКАЗАН 3 НЕ УКАЗАН Полномочия общего назначения FET 90А Одинокий 40В 1,8 Вт Та 176 Вт Тс N-канал 7050пФ при 25 В 2,8 мОм при 45 А, 10 В 4 В @ 250 мкА 90А Ц 120 НК при 10 В 10 В ±20 В
RJK0603DPN-E0#T2 RJK0603DPN-E0#T2 Ренесас Электроникс Америка 15,00 долларов США
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие Сквозное отверстие 150°С ТДж Трубка 1 (без блокировки) МОП-транзистор (оксид металла) Соответствует ROHS3 2012 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/renesaselectronicsamerica-rjk0603dpne0t2-datasheets-1095.pdf ТО-220-3 16 недель НЕ УКАЗАН 4 НЕ УКАЗАН 80А 60В 125 Вт Тс N-канал 4150пФ при 10 В 5,2 мОм при 40 А, 10 В 80А Та 57 НК при 10 В 10 В ±20 В
RJK1002DPP-E0#T2 RJK1002DPP-E0#T2 Ренесас Электроникс Америка $70,66
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие Сквозное отверстие 150°С ТДж Трубка 1 (без блокировки) МОП-транзистор (оксид металла) Соответствует ROHS3 2012 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/renesaselectronicsamerica-rjk1002dppe0t2-datasheets-1045.pdf ТО-220-3 Полный пакет 16 недель 3 НЕ УКАЗАН 3 НЕ УКАЗАН 30 Вт 1 70А 20 В 100 В 30 Вт Тс N-канал 6450пФ при 10 В 7,6 мОм при 35 А, 10 В 70А Та 94 НК при 10 В 10 В ±20 В
RJK4512DPE-00#J3 RJK4512DPE-00#J3 Ренесас Электроникс Америка
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж 150°С ТДж Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) МОП-транзистор (оксид металла) Соответствует ROHS3 2013 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/renesaselectronicsamerica-rjk4512dpe00j3-datasheets-1049.pdf СК-83 16 недель 83 НЕ УКАЗАН 4 НЕ УКАЗАН Мощность полевого транзистора общего назначения 30 нс 25нс 17 нс 78 нс 14А 30В Одинокий 450В 100 Вт Тс N-канал 1100пФ при 25В 510 мОм при 7 А, 10 В 14А Та 29 НК при 10 В 10 В ±30 В
RJK1001DPP-E0#T2 RJK1001DPP-E0#T2 Ренесас Электроникс Америка $71,47
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие Сквозное отверстие 150°С ТДж Трубка 1 (без блокировки) МОП-транзистор (оксид металла) Соответствует ROHS3 2012 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/renesaselectronicsamerica-rjk1001dppe0t2-datasheets-1052.pdf ТО-220-3 Полный пакет 16 недель НЕ УКАЗАН 3 НЕ УКАЗАН 80А 100 В 30 Вт Тс N-канал 10000пФ при 10В 5,5 мОм при 40 А, 10 В 80А Та 147 НК при 10 В 10 В ±20 В
AON6524 АОН6524 Альфа и Омега Полупроводник Инк. 0,12 доллара США
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°C~150°C, ТиДжей Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) МОП-транзистор (оксид металла) Соответствует RoHS 2011 год 8-PowerSMD, плоские выводы 16 недель 68А 30В 5,7 Вт Ta 35,5 Вт Tc N-канал 1080пФ при 15В 5 м Ом при 20 А, 10 В 2,3 В @ 250 мкА 27А Та 68А Ц 23 НК при 10 В 4,5 В 10 В ±20 В
RJK2557DPA-00#J0 RJK2557DPA-00#J0 Ренесас Электроникс Америка
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж 150°С ТДж Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) МОП-транзистор (оксид металла) Соответствует ROHS3 2009 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/renesaselectronicsamerica-rjk2557dpa00j0-datasheets-1060.pdf 8-PowerWDFN 16 недель да НЕ УКАЗАН 8 НЕ УКАЗАН 17А 250В 30 Вт Тс N-канал 1250пФ при 25В 128 мОм при 8,5 А, 10 В 17А Та 20 НК при 10 В 10 В ±30 В
NP90N03VHG-E1-AY NP90N03VHG-E1-AY Ренесас Электроникс Америка
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж 175°С, ТиДжей Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 2010 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/renesaselectronicsamerica-np90n03vhge1ay-datasheets-1009.pdf ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 2 16 недель 3 EAR99 Нет 8541.29.00.95 ОДИНОКИЙ КРЫЛО ЧАЙКИ 3 1 Мощность полевого транзистора общего назначения Р-ПССО-Г2 32 нс 20нс 13 нс 64 нс 90А 20 В КРЕМНИЙ ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ ОСУШАТЬ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 30В 1,2 Вт Та 105 Вт Тс N-канал 7500пФ при 25В 3,2 мОм при 45 А, 10 В 4 В @ 250 мкА 90А Ц 135 НК при 10 В 10 В ±20 В

В наличии

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.