Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактОдиночные МОП-транзисторы(33658)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Режим работы | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Текущий рейтинг | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Сопротивление | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Код HTS | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Справочный стандарт | Поверхностный монтаж | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Базовый номер детали | Количество контактов | Количество вариантов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Входная емкость | Включить время задержки | Время подъема | Осень (тип.) | Время задержки отключения | Непрерывный ток стока (ID) | Напряжение от затвора до источника (Vgs) | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Полярность/Тип канала | Напряжение стока к источнику (Vdss) | DS Напряжение проба-мин. | Пороговое напряжение | Рассеиваемая мощность-Макс. | Код JEDEC-95 | Максимальный ток стока (Abs) (ID) | Максимальный импульсный ток стока (IDM) | Источник стока при максимальном сопротивлении | Обратная связь Cap-Max (Crss) | Рейтинг лавинной энергии (Eas) | Напряжение проба стока к источнику | Тип полярного транзистора | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | Номинальный объем | Rds включено (макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс) @ Id | Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Особенность левого транзистора | РДС на Максе | Напряжение привода (макс. значение включено, минимальное значение включено) | ВГС (Макс) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| NP109N04PUK-E1-AY | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 175°С, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2011 год | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | 16 недель | EAR99 | Нет | 3 | Мощность полевого транзистора общего назначения | 30 нс | 16 нс | 13 нс | 105 нс | 110А | 20 В | Одинокий | 40В | 1,8 Вт Ta 250 Вт Tc | N-канал | 10800пФ при 25В | 1,75 мОм при 55 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 110А Ц | 189 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОН6536 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2011 год | 8-PowerSMD, плоские выводы | 16 недель | 55А | 30 В | 5,5 Вт Та 35,5 Вт Тс | N-канал | 1210пФ при 15В | 7 м Ом при 20 А, 10 В | 2,5 В при 250 мкА | 22А Та 55А Ц | 30 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GA20JT12-247 | GeneSiC Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 175°С, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | SiC (карбидокремниевый переходной транзистор) | Соответствует RoHS | 2016 год | ТО-247-3 | 18 недель | Неизвестный | 3 | EAR99 | НЕТ | Другие транзисторы | 20А | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 1200В | 282 Вт Тс | 70 мОм при 20 А | 20А Ц | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СУД06Н10-225Л-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 1995 год | /files/vishaysiliconix-sud06n10225lge3-datasheets-0233.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 6,73 мм | 2,38 мм | 6,22 мм | Без свинца | 2 | 1,437803г | Нет СВХК | 200мОм | 3 | да | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | СУД06Н10 | 4 | 1 | Одинокий | 30 | 1 | Р-ПССО-Г2 | 7 нс | 8нс | 9 нс | 8 нс | 6,5 А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | 1,25 Вт Ta 16,7 Вт Tc | 8А | 100В | N-канал | 240пФ при 25В | 200 мОм при 3 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 6,5 А Тс | 4 НК при 5 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОД498 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | 2011 год | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | совместимый | 100В | 2,1 Вт Та 45 Вт Тс | N-канал | 415пФ при 50В | 140 мОм при 4,5 А, 10 В | 2,3 В @ 250 мкА | 2,5 А Та 11 А Тс | 14 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОС2412 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2011 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alphaomegasemiconductorinc-aoc2412-datasheets-0795.pdf | 4-СМД, без свинца | 4,5 А | 20 В | 550мВт Та | N-канал | 1842пФ при 10В | 23 мОм при 1,5 А, 4,5 В | 1 В при 250 мкА | 4,5 А Та | 32 НК при 4,5 В | 1,8 В 4,5 В | ±8 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФДГ330П | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | PowerTrench® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2001 г. | /files/onsemiconductor-fdg330p-datasheets-0705.pdf | -12В | -2А | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | 2 мм | 1 мм | 1,25 мм | Без свинца | 6 | 48 недель | 28мг | Нет СВХК | 6 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | Одинокий | 750 мВт | 1 | Другие транзисторы | 10 нс | 11нс | 11 нс | 12 нс | 2А | 8В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 12 В | -700мВ | 750мВт Та | 2А | -12В | P-канал | 477пФ при 6 В | 110 мОм при 2 А, 4,5 В | 1,5 В @ 250 мкА | 2А Та | 7 НК при 4,5 В | 1,8 В 4,5 В | ±8 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОН7409 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2011 год | /files/alphaomegasemiconductor-aon7409-datasheets-9613.pdf | 8-PowerVDFN | 16 недель | 32А | 30 В | 3,1 Вт Та 96 Вт Тс | P-канал | 2142пФ при 15 В | 8,5 мОм при 16 А, 10 В | 2,7 В при 250 мкА | 16А Та 32А Ц | 58 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±25 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОН6538 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | 0,57 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2011 год | 8-PowerSMD, плоские выводы | 16 недель | 75А | 30 В | 5,6 Вт Ta 35,5 Вт Tc | N-канал | 1315пФ при 15 В | 4 м Ом при 20 А, 10 В | 2,4 В при 250 мкА | 30А Та 75А Ц | 30 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОС2422 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2011 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alphaomegasemiconductorinc-aoc2422-datasheets-0820.pdf | 4-СМД, без свинца | 3,5 А | 8В | 600мВт Та | N-канал | 870пФ при 4В | 33 мОм при 1,5 А, 2,5 В | 800 мВ при 250 мкА | 3,5 А Та | 15 НК при 4,5 В | 1,2 В 2,5 В | ±5 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FDB8160-F085 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, PowerTrench® | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | 2008 год | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | 2 | да | не_совместимо | е3 | Олово (Вс) | ДА | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | Мощность полевого транзистора общего назначения | Не квалифицированный | Р-ПССО-Г2 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30 В | 30 В | 254 Вт Тс | 80А | 0,0018Ом | 1290 мДж | N-канал | 11825пФ при 15В | 1,8 мОм при 80 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 80А Ц | 243 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОН6532 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2011 год | 8-PowerSMD, плоские выводы | 68А | 30 В | 5,7 Вт Ta 35,5 Вт Tc | N-канал | 1080пФ при 15В | 5 м Ом при 20 А, 10 В | 2,4 В при 250 мкА | 27А Та 68А Ц | 23 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОТФ11С60 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | 0,34 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alphaomegasemiconductor-aotf11c60-datasheets-9614.pdf | ТО-220-3 Полный пакет | 16 недель | Мощность полевого транзистора общего назначения | 11А | Одинокий | 600В | 50 Вт Тс | N-канал | 2010пФ при 50В | 400 мОм при 5,5 А, 10 В | 5 В @ 250 мкА | 11А Тк | 42 НК при 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| РУЭ002N05TL | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | /files/rohmsemiconductor-rue002n05tl-datasheets-0837.pdf | СК-75, СОТ-416 | Без свинца | 3 | 10 недель | 3 | да | EAR99 | Нет | е2 | Олово/Медь (Sn/Cu) | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3 | 1 | 10 | 1 | Мощность полевого транзистора общего назначения | 4 нс | 6нс | 55 нс | 15 нс | 200 мА | 8В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 50В | 50В | 150 мВт Та | 0,2 А | 2,4 Ом | N-канал | 25пФ при 10В | 2,2 Ом при 200 мА, 4,5 В | 1 В при 1 мА | 200 мА Та | 1,2 В 4,5 В | ±8 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОН6248 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | 0,27 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2011 год | 8-PowerSMD, плоские выводы | 53А | 60В | 7,4 Вт Ta 69,5 Вт Tc | N-канал | 1543пФ при 30 В | 11,5 мОм при 20 А, 10 В | 2,5 В при 250 мкА | 17,5 А Та 53 А Тс | 28 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФДЗ663П | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | PowerTrench® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 4-XFBGA, WLCSP | 800 мкм | 150 мкм | 800 мкм | Без свинца | 4 | 67мг | 4 | да | EAR99 | Нет | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | НИЖНИЙ | МЯЧ | Одинокий | 1,3 Вт | 1 | Другие транзисторы | 4,8 нс | 6,2 нс | 32 нс | 67 нс | 2,7А | 8В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 20 В | 1,3 Вт Та | 80 пФ | -20В | P-канал | 525пФ при 10 В | 134 мОм при 2 А, 4,5 В | 1,2 В @ 250 мкА | 2,7А Та | 8,2 нк @ 4,5 В | 1,5 В 4,5 В | ±8 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОТФ20С60 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alphaomegasemiconductorinc-aotf7t60pl-datasheets-2991.pdf | ТО-220-3 Полный пакет | 16 недель | Мощность полевого транзистора общего назначения | 20А | Одинокий | 600В | 50 Вт Тс | N-канал | 3500пФ при 50В | 250 мОм при 10 А, 10 В | 5 В @ 250 мкА | 20А Ц | 74 НК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОД474А | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | $23,31 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2011 год | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 10А | 75В | 2,1 Вт Ta 28,5 Вт Tc | N-канал | 280пФ при 37,5 В | 130 мОм при 5 А, 10 В | 1,6 В @ 250 мкА | 2,5 А Та 10 А Тс | 9 нк @ 10 В | 4,5 В 10 В | ±16 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОС2401 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2011 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alphaomegasemiconductorinc-aoc2401-datasheets-0771.pdf | 4-СМД, без свинца | 3А | 30 В | 550мВт Та | P-канал | 1327пФ при 15В | 41 мОм при 1,5 А, 10 В | 1,3 В @ 250 мкА | 3А Та | 40 НК при 10 В | 2,5 В 10 В | ±12 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОК8Н80 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2011 год | ТО-247-3 | 3 | 16 недель | да | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Р-ПСФМ-Т3 | 7,4А | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 800В | 800В | 245 Вт Тс | 26А | 433 мДж | N-канал | 1650пФ при 25В | 1,63 Ом при 4 А, 10 В | 4,5 В при 250 мкА | 7,4 А Тс | 32 НК при 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОС2423 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2011 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alphaomegasemiconductorinc-aoc2423-datasheets-0788.pdf | 4-СМД, без свинца | 2А | 20 В | 600мВт Та | P-канал | 470пФ при 10В | 80 мОм при 1 А, 10 В | 1,2 В @ 250 мкА | 2А Та | 10 нк @ 10 В | 2,5 В 10 В | ±12 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОВФ10Т60П | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | $29,75 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2011 год | ТО-262-3 Полный пакет, И2Пак | 16 недель | ТО-262Ф | 1595 нФ | 10А | 600В | 28 Вт Тс | N-канал | 1595пФ при 100В | 700 мОм при 5 А, 10 В | 5 В @ 250 мкА | 10А Ц | 40 НК при 10 В | 700 мОм | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОТФ12Т50П | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | 0,36 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2009 год | ТО-220-3 Полный пакет | 16 недель | ТО-220-3Ф | 1,477 нФ | 12А | 500В | 43 Вт Тс | N-канал | 1477пФ при 100 В | 500 мОм при 6 А, 10 В | 5 В @ 250 мкА | 12А Ц | 32 НК при 10 В | 500 мОм | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БУК761Р4-30Э,118 | NXP США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчМОС™ | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2012 год | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | 2 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | не_совместимо | е3 | Олово (Вс) | АЭК-Q101; МЭК-60134 | ДА | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 3 | 1 | Мощность полевого транзистора общего назначения | Р-ПССО-Г2 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30 В | 30 В | 324 Вт Тс | 120А | 1425А | 0,00145Ом | 1096 мДж | N-канал | 9580пФ при 25В | 1,45 мОм при 25 А, 10 В | 4 В при 1 мА | 120А Ц | 130 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФДФМА2П853Т | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | PowerTrench® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2007 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-fdfma2p853t-datasheets-0651.pdf | 6-УДФН Открытая площадка | 6 | Нет | Одинокий | 1,4 Вт | 1 | 9 нс | 11нс | 11 нс | 15 нс | 3А | 8В | 1,4 Вт Та | 20 В | P-канал | 435пФ при 10 В | 120 мОм при 3 А, 4,5 В | 1,3 В @ 250 мкА | 3А Та | 6 НК при 4,5 В | Диод Шоттки (изолированный) | 1,8 В 4,5 В | ±8 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRFH7110TRPBF | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ШЕСТИГРАННЫЙ ПЕТР® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/infineontechnologies-irfh7110trpbf-datasheets-0666.pdf | 8-TQFN Открытая колодка | 5,85 мм | 1,17 мм | 5 мм | 5 | 15 недель | Нет СВХК | 8 | EAR99 | Нет | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | Одинокий | 3,6 Вт | 1 | Мощность полевого транзистора общего назначения | Р-ПДСО-Ф5 | 11 нс | 23нс | 18 нс | 22 нс | 11А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 100В | 3В | 3,6 Вт Та 104 Вт Тс | 50А | 240А | N-канал | 3240пФ при 25В | 3 В | 13,5 мОм при 35 А, 10 В | 4 В при 100 мкА | 11А Та 58А Ц | 87 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GA10JT12-247 | GeneSiC Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 175°С, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | SiC (карбидокремниевый переходной транзистор) | Соответствует RoHS | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/genesicemiconductor-ga10jt12247-datasheets-0691.pdf | ТО-247-3 | 18 недель | Нет СВХК | 3 | EAR99 | НЕТ | Другие транзисторы | 10А | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 1200В | 170 Вт Тс | 140 мОм при 10 А | 10А Ц | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FDMS8570S | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | PowerTrench®, SyncFET™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | /files/onsemiconductor-fdms8570s-datasheets-0694.pdf | 8-PowerTDFN | 5,1 мм | 1,05 мм | 5,85 мм | Без свинца | 5 | 90мг | 8 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 1 неделю назад) | да | EAR99 | СВЕРХНИЗКОЕ СОПРОТИВЛЕНИЕ | Нет | е3 | Олово (Вс) | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | Одинокий | 3,3 Вт | 1 | Мощность полевого транзистора общего назначения | Р-ПДСО-Ф5 | 11 нс | 4нс | 3 нс | 33 нс | 28А | 12 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 2,5 Вт Та 48 Вт Тс | МО-240АА | 60А | 45 мДж | 25 В | N-канал | 2825пФ при 13В | 2,8 мОм при 24 А, 10 В | 2,2 В при 1 мА | 24А Та 60А Ц | 425 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±12 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| HUFA75321D3ST | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, UltraFET™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | /files/onsemiconductor-hufa75321d3s-datasheets-4857.pdf | 55В | 20А | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | Без свинца | 2 | 260,37 мг | 3 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 1 неделю назад) | да | EAR99 | Нет | 8541.29.00.95 | е3 | Олово (Вс) | КРЫЛО ЧАЙКИ | Одинокий | 93 Вт | 1 | Мощность полевого транзистора общего назначения | Р-ПССО-Г2 | 11 нс | 55нс | 66 нс | 47 нс | 20А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 93 Вт Тс | ТО-252АА | 55В | N-канал | 680пФ при 25В | 36 мОм при 20 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 20А Ц | 44 НК при 20 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОС2415 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2011 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alphaomegasemiconductorinc-aoc2415-datasheets-0735.pdf | 4-СМД, без свинца | 3,5 А | 20 В | 550мВт Та | P-канал | 1685пФ при 10 В | 33 мОм при 1,5 А, 4,5 В | 1 В при 250 мкА | 3,5 А Та | 28 НК при 4,5 В | 1,5 В 4,5 В | ±8 В |
