Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактОдиночные МОП-транзисторы(33658)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Технология | Режим работы | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Сопротивление | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Код HTS | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Поверхностный монтаж | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Базовый номер детали | Количество контактов | Количество вариантов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Включить время задержки | Время подъема | Осень (тип.) | Время задержки отключения | Непрерывный ток стока (ID) | Напряжение от затвора до источника (Vgs) | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Полярность/Тип канала | Напряжение стока к источнику (Vdss) | DS Напряжение проба-мин. | Рассеиваемая мощность-Макс. | Код JEDEC-95 | Максимальный сток (Abs) (ID) | Максимальный импульсный ток стока (IDM) | Источник стока при максимальном сопротивлении | Рейтинг лавинной энергии (Eas) | Напряжение проба стока к источнику | Тип полярного транзистора | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | Rds включено (макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс) @ Id | Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Особенность левого транзистора | Напряжение привода (макс. значение включено, минимальное значение включено) | ВГС (Макс) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| НП60Н04МУК-С18-АЙ | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 175°С, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | ТО-220-3 Полный пакет | 16 недель | 3 | EAR99 | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | Полномочия общего назначения FET | 60А | Одинокий | 40В | 1,8 Вт Та 105 Вт Тс | N-канал | 3680пФ при 25В | 4,3 мОм при 30 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 60А Ц | 63 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NP109N055PUK-E1-AY | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 175°С, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/renesaselectronicsamerica-np109n055puke1ay-datasheets-0914.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | 16 недель | 3 | EAR99 | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | Полевой транзистор общего назначения | 30 нс | 14нс | 11 нс | 105 нс | 110А | 20 В | Одинокий | 55В | 1,8 Вт Ta 250 Вт Tc | N-канал | 11250пФ при 25В | 2,2 мОм при 55 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 110А Ц | 189 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОИ1Н60 | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -50°С~150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2011 г. | ТО-251-3 Заглушки, ИПак | 16 недель | 1,3А | 600В | 45 Вт Тс | N-канал | 160пФ при 25В | 9 Ом при 650 мА, 10 В | 4,5 В при 250 мкА | 1,3 А Тс | 8 нк @ 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2СК1775-Э | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/renesaselectronicsamerica-2sk1775e-datasheets-0920.pdf | ТО-3П-3, СК-65-3 | 3 | 16 недель | 3 | да | Нет | е2 | Олово/Медь (Sn/Cu) | ОДИНОКИЙ | 3 | 60 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | 25 нс | 135 нс | 130 нс | 185 нс | 8А | 30В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 900В | 900В | 60 Вт Тс | 8А | 20А | N-канал | 1730пФ при 10 В | 1,6 Ом при 4 А, 10 В | 8А Та | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SK4093TZ-E | Ренесас Электроникс Америка | 1,29 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/renesaselectronicsamerica-2sk4093tze-datasheets-0923.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 удлиненный кузов | 3 | 16 недель | 3 | да | EAR99 | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Не квалифицированный | 14 нс | 17нс | 16 нс | 46 нс | 1А | 10 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 250 В | 250 В | 900мВт Та | 1А | 2,7 Ом | N-канал | 140пФ при 25В | 2,6 Ом при 500 мА, 4 В | 1А Та | 5,5 НК при 4 В | 2,5 В 4 В | ±10 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОС2417 | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2011 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alphaomegasemiconductor-aoc2417-datasheets-9643.pdf | 4-СМД, без свинца | 3,5 А | 20 В | 550мВт Та | P-канал | 1355пФ при 10 В | 32 мОм при 1,5 А, 10 В | 1,4 В при 250 мкА | 3,5 А Та | 40 НК при 10 В | 2,5 В 10 В | ±12 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОИ514 | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2011 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alphaomegasemiconductor-aoi514-datasheets-9644.pdf | ТО-251-3 Заглушки, ИПак | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | Полевой транзистор общего назначения | 46А | Одинокий | 30В | 2,5 Вт Та 50 Вт Тс | N-канал | 1187пФ при 15 В | 5,9 мОм при 20 А, 10 В | 2,4 В @ 250 мкА | 17А Та 46А Ц | 18 НК @ 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БУК9Y12-80Е,115 | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | СК-100, СОТ-669 | ЛФПАК56, Мощность-СО8 | 80В | N-канал | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PH7630DLX | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2017 год | 30В | N-канал | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NP110N04PUK-E1-AY | Ренесас Электроникс Америка | $20,69 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 175°С, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/renesaselectronicsamerica-np110n04puke1ay-datasheets-0936.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | 16 недель | 3 | EAR99 | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | Полевой транзистор общего назначения | 110А | Одинокий | 40В | 1,8 Вт Та 348 Вт Тс | N-канал | 15750пФ при 25В | 1,4 мОм при 55 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 110А Ц | 297 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SK4151TZ-E | Ренесас Электроникс Америка | 0,98 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/renesaselectronicsamerica-2sk4151tze-datasheets-0938.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) | 3 | 16 недель | 3 | да | EAR99 | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Не квалифицированный | 8 нс | 12нс | 19 нс | 34 нс | 1А | 10 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 150 В | 150 В | 750мВт Та | 4А | 0,0025Ом | N-канал | 98пФ при 10 В | 1,95 Ом при 500 мА, 4 В | 1А Та | 3,5 НК при 4 В | 2,5 В 4 В | ±10 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОН6554 | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2011 г. | 8-PowerSMD, плоские выводы | 16 недель | Полевой транзистор общего назначения | 85А | Одинокий | 30В | 5,6 Вт Та 70 Вт Тс | N-канал | 3020пФ при 15В | 2,9 мОм при 20 А, 10 В | 2,2 В @ 250 мкА | 36А Та 85А Ц | 65 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±12 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NP100N04PUK-E1-AY | Ренесас Электроникс Америка | $8,44 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 175°С, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/renesaselectronicsamerica-np100n055puke1ay-datasheets-0909.pdf | ТО-263-4, Д2Пак (3 отверстия + вкладка), ТО-263АА | 16 недель | Нет | 3 | 28 нс | 14нс | 10 нс | 70 нс | 100А | 20 В | 40В | 1,8 Вт Та 176 Вт Тс | N-канал | 7050пФ при 25 В | 2,3 мОм при 50 А, 10 В | 100А Ц | 120 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NP110N055PUG-E1-AY | Ренесас Электроникс Америка | 25,54 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 175°С, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/renesaselectronicsamerica-np110n055puge1ay-datasheets-0948.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | Без свинца | 2 | EAR99 | Нет | 8541.29.00.95 | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 3 | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Р-ПССО-Г2 | 63 нс | 201нс | 19 нс | 131 нс | 110А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 55В | 55В | 1,8 Вт Та 288 Вт Тс | 440А | 0,0028Ом | N-канал | 25700пФ при 25В | 2,4 мОм при 55 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 110А Ц | 380 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||
| NP82N03PUG-E1-AY | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 175°С, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/renesaselectronicsamerica-np82n03puge1ay-datasheets-0952.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | Без свинца | 3 | EAR99 | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | Полевой транзистор общего назначения | 39 нс | 122 нс | 15 нс | 70 нс | 82А | 20 В | Одинокий | 30В | 1,8 Вт Та 143 Вт Тс | N-канал | 9080пФ при 25 В | 2,8 мОм при 41 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 82А Ц | 160 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2СК1342-Э | Ренесас Электроникс Америка | 2,57 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/renesaselectronicsamerica-2sk1342e-datasheets-0905.pdf | ТО-3П-3, СК-65-3 | 3 | 16 недель | 3 | да | EAR99 | е2 | Олово/Медь (Sn/Cu) | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | 4 | НЕ УКАЗАН | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Не квалифицированный | 25 нс | 135 нс | 130 нс | 185 нс | 8А | 30В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 900В | 900В | 100 Вт Тс | 8А | 20А | N-канал | 1730пФ при 10 В | 1,6 Ом при 4 А, 10 В | 8А Та | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||
| NP110N055PUK-E1-AY | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 175°С, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/renesaselectronicsamerica-np110n055puke1ay-datasheets-0956.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | 16 недель | 3 | EAR99 | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | Полевой транзистор общего назначения | 110А | Одинокий | 55В | 1,8 Вт Та 348 Вт Тс | N-канал | 16050пФ при 25В | 1,75 мОм при 55 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 110А Ц | 294 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GA20JT12-247 | GeneSiC Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 175°С, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | SiC (карбидокремниевый переходной транзистор) | Соответствует RoHS | 2016 год | ТО-247-3 | 18 недель | Неизвестный | 3 | EAR99 | НЕТ | Другие транзисторы | 20А | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 1200В | 282 Вт Тс | 70 мОм при 20 А | 20А Ц | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СУД06Н10-225Л-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 1995 год | /files/vishaysiliconix-sud06n10225lge3-datasheets-0233.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 6,73 мм | 2,38 мм | 6,22 мм | Без свинца | 2 | 1,437803г | Нет СВХК | 200мОм | 3 | да | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | СУД06Н10 | 4 | 1 | Одинокий | 30 | 1 | Р-ПССО-Г2 | 7 нс | 8нс | 9 нс | 8 нс | 6,5 А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | 1,25 Вт Ta 16,7 Вт Tc | 8А | 100В | N-канал | 240пФ при 25В | 200 мОм при 3 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 6,5 А Тс | 4 НК при 5 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||
| АОН2705 | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2011 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alphaomegasemiconductor-aon2705-datasheets-9621.pdf | 6-WDFN Открытая площадка | 3А | 30В | 1,5 Вт Та | P-канал | 180пФ при 15В | 108 мОм при 3 А, 10 В | 2,3 В @ 250 мкА | 3А Та | 6 нк @ 10 В | Диод Шоттки (корпус) | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОН1620 | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2011 г. | 6-PowerUFDFN | 6 | 4А | 12 В | 1,8 Вт Та | N-канал | 770пФ при 6В | 22 мОм при 4 А, 4,5 В | 1 В при 250 мкА | 4А Та | 12 НК при 4,5 В | 1,5 В 4,5 В | ±8 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОС2413 | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2011 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alphaomegasemiconductorinc-aoc2413-datasheets-0868.pdf | 4-СМД, без свинца | 3,5 А | 8В | 550мВт Та | P-канал | 1935пФ при 4В | 28 мОм при 1,5 А, 2,5 В | 650 мВ при 250 мкА | 3,5 А Та | 27 НК при 4,5 В | 1,2 В 2,5 В | ±5 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СИР330ДП-Т1-GE3 | Вишай Силиконикс | $3,58 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-sir330dpt1ge3-datasheets-0546.pdf | ПауэрПАК® СО-8 | 5 | 506,605978мг | EAR99 | Нет | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | 8 | 1 | 40 | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Р-ПДСО-С5 | 35А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 5 Вт Та 27,7 Вт Тс | 70А | 0,0056Ом | 20 мДж | 30В | N-канал | 1300пФ при 15В | 5,6 мОм при 10 А, 10 В | 2,5 В @ 250 мкА | 35А Ц | 35 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||
| HUFA75639S3ST-F085A | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, UltraFET™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-hufa75639s3stf085a-datasheets-0269.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | 1,31247 г | 3 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 1 неделю назад) | да | Нет | е3 | Олово (Вс) | Одинокий | 200 Вт | Полевой транзистор общего назначения | 15 нс | 60нс | 25 нс | 20 нс | 56А | 20 В | 200 Вт Тс | 100В | N-канал | 2000пФ при 25В | 25 мОм при 56 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 56А Тк | 130 НК при 20 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2СК1339-Э | Ренесас Электроникс Америка | $4,54 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/renesaselectronicsamerica-2sk1339e-datasheets-0883.pdf | ТО-3П-3, СК-65-3 | 3 | 16 недель | 3 | да | Нет | е2 | Олово/Медь (Sn/Cu) | ОДИНОКИЙ | 4 | 1 | Полевой транзистор общего назначения | 10 нс | 40 нс | 55 нс | 50 нс | 3А | 30В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 900В | 900В | 80 Вт Тс | 3А | 7А | 7Ом | N-канал | 425пФ при 10 В | 7 Ом при 1,5 А, 10 В | 3А Та | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОК10Н90 | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2011 г. | ТО-247-3 | совместимый | НЕТ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | Полевой транзистор общего назначения | Одинокий | 900В | 403 Вт Тк | 10А | N-канал | 3160пФ при 25В | 980 мОм при 5 А, 10 В | 4,5 В при 250 мкА | 10А Ц | 75 НК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БУК7Y3R0-40EX | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | СК-100, СОТ-669 | ЛФПАК56, Мощность-СО8 | 100А | 40В | N-канал | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2СК1340-Э | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/renesaselectronicsamerica-2sk1340e-datasheets-0889.pdf | ТО-3П-3, СК-65-3 | Без свинца | 3 | 16 недель | 3 | да | EAR99 | Медь, Серебро, Олово | Нет | е2 | Олово/Медь (Sn/Cu) | ОДИНОКИЙ | 4 | 100 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | 15 нс | 70нс | 90 нс | 90 нс | 5А | 30В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 900В | 900В | 100 Вт Тс | 5А | 4Ом | N-канал | 740пФ при 10 В | 4 Ом при 3 А, 10 В | 5А Та | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||
| H5N2522LSTL-E | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/renesaselectronicsamerica-h5n2522lstle-datasheets-0893.pdf | СК-83 | 2 | 16 недель | да | EAR99 | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 4 | НЕ УКАЗАН | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Не квалифицированный | Р-ПССО-Г2 | 20А | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 250 В | 250 В | 75 Вт Тс | 60А | 0,18 Ом | N-канал | 1300пФ при 25В | 180 мОм при 10 А, 10 В | 20А Та | 47 НК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FDI9406-F085 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, PowerTrench® | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | /files/onsemiconductor-fdi9406f085-datasheets-0895.pdf | ТО-262-3 Длинные выводы, И2Пак, ТО-262АА | 3 | 2.084г | 3 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 1 неделю назад) | да | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | Одинокий | 176 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | 28 нс | 48нс | 20 нс | 50 нс | 110А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 176 Вт Тиджей | ТО-262АБ | 0,0022Ом | 40В | N-канал | 7710пФ при 25 В | 2,2 мОм при 80 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 110А Ц | 138 НК при 10 В | 10 В | ±20 В |
