Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактОдиночные МОП-транзисторы(33658)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Режим работы | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Сопротивление | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Код HTS | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Базовый номер детали | Количество контактов | Количество вариантов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Входная емкость | Включить время задержки | Время подъема | Осень (тип.) | Время задержки отключения | Непрерывный ток стока (ID) | Напряжение от затвора до источника (Vgs) | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Напряжение стока к источнику (Vdss) | DS Напряжение проба-мин. | Пороговое напряжение | Рассеиваемая мощность-Макс. | Код JEDEC-95 | Максимальный сток (Abs) (ID) | Максимальный импульсный ток стока (IDM) | Источник стока при максимальном сопротивлении | Снижение сопротивления до источника | Рейтинг лавинной энергии (Eas) | Напряжение проба стока к источнику | Тип полярного транзистора | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | Rds включено (макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс) @ Id | Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | РДС на Максе | Напряжение привода (макс. значение включено, минимальное значение включено) | ВГС (Макс) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| ATP201-V-TL-H | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2013 год | АТПАК (2 отверстия+вкладка) | 30 Вт | 35А | 17мОм | 30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FDMC7692S-F126 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | PowerTrench® | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-fdmc7692s-datasheets-1398.pdf | 8-PowerWDFN | 30 В | 2,3 Вт Та 27 Вт Тс | N-канал | 1385пФ при 15В | 9,3 мОм при 12,5 А, 10 В | 3 В при 1 мА | 12,5 А Та 18 А Тс | 23 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДМП2066ЛВТ-13 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/diodesincorporated-dmp2066lvt7-datasheets-9572.pdf | СОТ-23-6 Тонкий, ЦОТ-23-6 | 5 недель | 6 | EAR99 | е3 | Матовый олово (Sn) | 4,5 А | 8В | 20 В | 1,2 Вт Та | P-канал | 1496 пФ при 15 В | 45 мОм при 4,5 А, 4,5 В | 1,5 В @ 250 мкА | 4,5 А Та | 14,4 НК при 4,5 В | 2,5 В 4,5 В | ±8 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОН7536 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | АльфаМОС | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2011 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alphaomegasemiconductor-aon7536-datasheets-3363.pdf | 8-PowerWDFN | 8 | 8-ДФН-ЭП (3,3х3,3) | 2,35 нФ | 68А | 30 В | 4,1 Вт Ta 32,5 Вт Tc | N-канал | 2350пФ при 15 В | 4,2 мОм при 20 А, 10 В | 2,2 В @ 250 мкА | 24А Та 68А Ц | 40 НК при 10 В | 4,2 мОм | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CZDM1003N ТР | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-czdm1003ntr-datasheets-6682.pdf | ТО-261-4, ТО-261АА | 10 недель | совместимый | ДА | Полевой транзистор общего назначения | Одинокий | 100 В | 2 Вт Та | 3А | N-канал | 975пФ при 25 В | 150 мОм при 2 А, 10 В | 4 В при 250 мкА | 3А Та | 15 НК при 10 В | 10 В | 20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДМП3065ЛВТ-7 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | /files/diodesincorporated-dmp3065lvt13-datasheets-7426.pdf | СОТ-23-6 Тонкий, ЦОТ-23-6 | 5 недель | EAR99 | е3 | Матовый олово (Sn) | 260 | ДМП3065 | 1 | Одинокий | 30 | 5,7 нс | 11,8 нс | 23,9 нс | 21,8 нс | 4,9А | 20 В | 30 В | 1,2 Вт Та | -30В | P-канал | 587пФ при 15 В | 42 мОм при 4,9 А, 10 В | 2,1 В @ 250 мкА | 4,9А Та | 12,3 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИРФС7534ПБФ | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | HEXFET®, StrongIRFET™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | 175°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/infineontechnologies-irfb7534pbf-datasheets-3931.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | Без свинца | 17 недель | 3,949996 г | 3 | 1 | 294 Вт | Д2ПАК | 10,034нФ | 20 нс | 134 нс | 93 нс | 118 нс | 195А | 3,7 В | 60В | 294 Вт Тс | 2,4 мОм | 60В | N-канал | 10034пФ при 25 В | 2,4 мОм при 100 А, 10 В | 3,7 В при 250 мкА | 195А Ц | 279 НК при 10 В | 2,4 мОм | 6В 10В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПСМН1Р6-60CLJ | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | Д2ПАК | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОТ10Т60ПЛ | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alphaomegasemiconductorinc-aot430-datasheets-0079.pdf | ТО-220-3 | 16 недель | ТО-220 | 1595 нФ | 10А | 600В | 208 Вт Тк | N-канал | 1595пФ при 100В | 700 мОм при 5 А, 10 В | 5 В @ 250 мкА | 10А Ц | 40 НК при 10 В | 700 мОм | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДМП3025ЛК3-13-01 | Диодс Инкорпорейтед | 0,12 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует RoHS | 2009 год | ТО-252-3 | 6,73 мм | 2,39 мм | 6,22 мм | 3,949996 г | 3 | 10 Вт | 1 | Одинокий | 1,678 нФ | 3,5 нс | 4,9 нс | 23 нс | 44 нс | -16,1А | 20 В | -30В | 41мОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FQD4P40TM-AM002 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | QFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 260,37 мг | 3,1 Ом | да | EAR99 | е3 | Олово (Вс) | 1 | Одинокий | Другие транзисторы | 13 нс | 55нс | 37 нс | 35 нс | 2,7А | 30 В | 400В | 2,5 Вт Та 50 Вт Тс | -400В | P-канал | 680пФ при 25В | 3,1 Ом при 1,35 А, 10 В | 5 В @ 250 мкА | 2,7 А Тс | 23 НК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИРФС7537ПБФ | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | HEXFET®, StrongIRFET™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/infineontechnologies-irfs7537trlpbf-datasheets-5735.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | 10,67 мм | 4,83 мм | 9,65 мм | Без свинца | Нет СВВК | 3 | EAR99 | Одинокий | 230 Вт | 15 нс | 105 нс | 84 нс | 82 нс | 173А | 20 В | 60В | 3,7 В | 230 Вт Тс | N-канал | 7020пФ при 25В | 3,3 мОм при 100 А, 10 В | 3,7 В @ 150 мкА | 173А Тк | 210 НК при 10 В | 6В 10В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FDMA0104 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | PowerTrench® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-fdma0104-datasheets-6710.pdf | 6-WDFN Открытая площадка | 2 мм | 750 мкм | 2 мм | 30мг | 6 | Нет | Одинокий | 700мВт | 1 | 6-микротранзистор (2х2) | 1,68 нФ | 9 нс | 6нс | 6 нс | 37 нс | 9,4А | 8В | 20 В | 1,9 Вт Та | 14,5 мОм | 20 В | N-канал | 1680пФ при 10В | 14,5 мОм при 9,4 А, 4,5 В | 1 В при 250 мкА | 9.4А Та | 17,5 НК при 4,5 В | 14,5 мОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FQB8N60CTM-WS | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | QFET® | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-fqb8n60ctm-datasheets-8790.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | 600В | 3,13 Вт Ta 147 Вт Tc | N-канал | 1255пФ при 25В | 1,2 Ом при 3,75 А, 10 В | 4 В при 250 мкА | 7,5 А Тс | 36 НК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FDMC8884-F126 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | PowerTrench® | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-fdmc8884-datasheets-2013.pdf | 8-PowerWDFN | 30 В | 2,3 Вт Та 18 Вт Тс | N-канал | 685пФ при 15 В | 19 мОм при 9 А, 10 В | 2,5 В @ 250 мкА | 9А Та 15А Ц | 14 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SQ2319ES-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | 175°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/vishaysiliconix-sq2319est1ge3-datasheets-6546.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | Без свинца | 3 | Неизвестный | 3 | да | EAR99 | Нет | 3 Вт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | SQ2319 | 3 | Одинокий | 40 | 3 Вт | 1 | Другие транзисторы | 7 нс | 15нс | 25 нс | 25 нс | -4,6А | 20 В | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 40В | -2В | 0,082Ом | -40В | P-канал | 620пФ при 25В | 75 мОм при 3 А, 10 В | 2,5 В @ 250 мкА | 4,6 А Тс | 16 НК при 10 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОН7760 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | АльфаМОС | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2011 г. | 8-PowerWDFN | 8-ДФН-ЭП (3,3х3,3) | 5,52 нФ | 75А | 25 В | 4,1 Вт Ta 34,5 Вт Tc | N-канал | 5520пФ при 12,5 В | 2 МОм при 20 А, 10 В | 2,2 В @ 250 мкА | 33А Та 75А Ц | 76 НК при 10 В | 2 мОм | 4,5 В 10 В | ±16 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИРФС7530ПБФ | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | HEXFET®, StrongIRFET™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/infineontechnologies-irfb7530pbf-datasheets-0453.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | Без свинца | 2 | 14 недель | 3,949996 г | Нет СВВК | 3 | EAR99 | е3 | Matte Tin (Sn) – с никелевым (Ni) барьером | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 1 | 30 | 375 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Р-ПССО-Г2 | 52 нс | 141 нс | 104 нс | 172 нс | 195А | 3,7 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 3,7 В | 375 Вт Тс | 760А | 0,002 Ом | 60В | N-канал | 13703пФ при 25 В | 2 м Ом при 100 А, 10 В | 3,7 В при 250 мкА | 195А Ц | 411 НК при 10 В | 6В 10В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||
| АОН6518 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | 0,79 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | АльфаМОС | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2011 г. | 8-PowerSMD, плоские выводы | 8-ДФН (5х6) | 3,7 нФ | 85А | 30 В | 6,2 Вт Та 56 Вт Тс | N-канал | 3700пФ при 15В | 1,75 мОм при 20 А, 10 В | 2,2 В @ 250 мкА | 48А Та 85А Ц | 75 НК при 10 В | 1,75 мОм | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФКФФ11Н65 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | СуперФЕТ™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-fcpf11n65-datasheets-6601.pdf | ТО-220-3 Полный пакет | 11А | 650В | 36 Вт Тк | N-канал | 1490пФ при 25В | 380 мОм при 5,5 А, 10 В | 5 В @ 250 мкА | 11А Ц | 52 НК при 10 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДМП3017СФГ-13 | Диодс Инкорпорейтед | 1,39 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/diodesincorporated-dmp3017sfg7-datasheets-0058.pdf | 8-PowerVDFN | 6 недель | 8 | EAR99 | е3 | Матовый олово (Sn) | 7,5 нс | 15,4 нс | 36,8 нс | 45,6 нс | 11,5А | 25 В | 30 В | 940мВт Та | P-канал | 2246пФ при 15 В | 10 мОм при 11,5 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 11,5А Та | 41 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±25 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИРФС7540ПБФ | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | HEXFET®, StrongIRFET™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2007 год | /files/infineontechnologies-irfb7540pbf-datasheets-6164.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | Без свинца | 2 | 3,949996 г | 3 | EAR99 | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 1 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 160 Вт | 1 | Р-ПССО-Г2 | 12 нс | 76нс | 56 нс | 58 нс | 110А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 160 Вт Тс | 60В | N-канал | 4555пФ при 25 В | 5,1 мОм при 65 А, 10 В | 3,7 В при 100 мкА | 110А Ц | 130 НК при 10 В | 6В 10В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИРФС7534-7ППБФ | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | HEXFET®, StrongIRFET™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/infineontechnologies-irfs7534trl7pp-datasheets-4217.pdf | ТО-263-7, Д2Пак (6 отведений + вкладка) | Без свинца | 6 | 16 недель | 1,59999 г | 7 | EAR99 | е3 | Matte Tin (Sn) – с никелевым (Ni) барьером | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 1 | 30 | 290 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Р-ПССО-Г6 | 140 нс | 120 нс | 86 нс | 195 нс | 240А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 290 Вт Тс | ТО-263СВ | 60В | N-канал | 9990пФ при 25 В | 1,95 мОм при 100 А, 10 В | 3,7 В при 250 мкА | 240А Ц | 300 НК при 10 В | 6В 10В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||
| FDMS5362L-F085 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, PowerTrench® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | /files/onsemiconductor-fdms5362lf085-datasheets-6575.pdf | 8-PowerTDFN | 5 | 14 недель | 172,8 мг | 8 | ПОЖИЗНЕННЫЙ (Последнее обновление: 1 неделю назад) | да | не_совместимо | е3 | Олово (Вс) | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | НЕ УКАЗАН | 1 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Р-ПДСО-Ф5 | 11 нс | 4нс | 4 нс | 31 нс | 17,6А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 41,7 Вт Тс | 0,042 Ом | 32 мДж | 60В | N-канал | 878пФ при 25 В | 33 мОм при 17,6 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 17,6 А Тс | 21 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||
| АОН6760 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | АльфаМОС | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2011 г. | 8-PowerSMD, плоские выводы | 8-ДФН (5х6) | 3,44 нФ | 36А | 30 В | 5 Вт Та 39 Вт Тс | N-канал | 3440пФ при 15В | 3,9 мОм при 20 А, 10 В | 2 В @ 250 мкА | 28А Та 36А Ц | 70 НК при 10 В | 3,9 мОм | 4,5 В 10 В | ±12 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОН7532Е | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | АльфаМОС | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2011 г. | 8-СМД, плоский вывод | 8-ДФН (2,9х2,3) | 1,95 нФ | 28А | 30 В | 5 Вт Та 28 Вт Тс | N-канал | 1950пФ при 15В | 3,5 мОм при 20 А, 10 В | 2,2 В @ 250 мкА | 30,5 А Та 28 А Тс | 40 НК при 10 В | 3,5 мОм | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОН7764 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | АльфаМОС | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2011 г. | 8-PowerVDFN | Полевой транзистор общего назначения | 32А | Одинокий | 30 В | 4,2 Вт Та 30 Вт Тс | N-канал | 1990 пФ при 15 В | 3,2 мОм при 20 А, 10 В | 2,2 В @ 250 мкА | 30А Та 32А Ц | 40 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОН7758 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | АльфаМОС | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2011 г. | 8-PowerWDFN | Полевой транзистор общего назначения | 75А | Одинокий | 30 В | 4,2 Вт Та 34 Вт Тс | N-канал | 5200пФ при 15В | 1,85 мОм при 20 А, 10 В | 2 В @ 250 мкА | 36А Та 75А Ц | 100 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±12 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИРФС7530-7ППБФ | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | HEXFET®, StrongIRFET™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/infineontechnologies-irfs7530trl7pp-datasheets-6437.pdf | ТО-263-7, Д2Пак (6 отведений + вкладка) | Без свинца | 16 недель | 1,59999 г | Нет СВВК | 7 | EAR99 | НЕ УКАЗАН | 1 | НЕ УКАЗАН | 375 Вт | Полевой транзистор общего назначения | 24 нс | 102нс | 79 нс | 168 нс | 240А | 3,7 В | Одинокий | 60В | 3,7 В | 375 Вт Тс | N-канал | 12960пФ при 25 В | 1,4 мОм при 100 А, 10 В | 3,7 В при 250 мкА | 240А Ц | 354 НК при 10 В | 6В 10В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N6802 | Корпорация Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Не соответствует требованиям RoHS | 1997 год | ТО-205АД, ТО-39-3 Металлическая банка | 3 | 3 | 8541.21.00.95 | НИЖНИЙ | ПРОВОЛОКА | 1 | Полевой транзистор общего назначения | 2,5 А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 500В | 500В | 800 мВт Ta 25 Вт Tc | ТО-205АФ | 1,6 Ом | N-канал | 1,5 Ом @ 1,5 А, 10 В | 4 В при 250 мкА | 2,5 А Тс | 4,46 НК при 10 В | 10 В | ±20 В |
