Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактОдиночные МОП-транзисторы(33658)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Режим работы | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | Сопротивление | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Код HTS | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Без галогенов | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Количество контактов | Количество вариантов | Конфигурация элемента | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Код JESD-30 | Входная емкость | Включить время задержки | Время подъема | Осень (тип.) | Время задержки отключения | Непрерывный ток стока (ID) | Напряжение от затвора до источника (Vgs) | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Напряжение стока к источнику (Vdss) | DS Напряжение проба-мин. | Рассеиваемая мощность-Макс. | Код JEDEC-95 | Максимальный сток (Abs) (ID) | Максимальный импульсный ток стока (IDM) | Источник стока при максимальном сопротивлении | Снижение сопротивления до источника | Рейтинг лавинной энергии (Eas) | Напряжение проба стока к источнику | Тип полярного транзистора | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | Rds включено (макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс) @ Id | Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Напряжение привода (макс. значение включено, минимальное значение включено) | ВГС (Макс) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2SK4099LS-1E | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-2sk4099ls-datasheets-9958.pdf | ТО-220-3 Полный пакет | Без свинца | 3 | да | 3 | Одинокий | 6,9А | 2 Вт Та 35 Вт Тс | 600В | N-канал | 750пФ при 30 В | 940 мОм при 4 А, 10 В | 6,9 А Тс | 29 НК при 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NTTFS4C56NTAG | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 8-PowerWDFN | 23 недели | 8 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НТМФС4К53НТ3Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2015 год | 8-PowerTDFN | 38 недель | 8 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NTLUS3A18PZCTAG | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2011 г. | 6-УДФН Открытая площадка | Без свинца | 6 | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | Без галогенов | ДА | 700мВт | 1 | Одинокий | Другие транзисторы | 8,6 нс | 15нс | 88 нс | 150 нс | 5,1А | 8В | 20 В | 8,2А | -20В | P-канал | 2240пФ при 15В | 18 мОм при 7 А, 4,5 В | 1 В при 250 мкА | 5.1А Та | 28 НК при 4,5 В | 1,5 В 4,5 В | ±8 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NTR4503NST1G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MCH6336-S-TL-E | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2013 год | 6-SMD, плоские выводы | 3 | 1,5 Вт | -5А | 43мОм | -12В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НДД60Н360У1Т4Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2010 год | /files/onsemiconductor-ndd60n360u1t4g-datasheets-6917.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | Без свинца | 2 | 17 недель | 3 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 1 день назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | Без галогенов | ДА | КРЫЛО ЧАЙКИ | 3 | Одинокий | 114 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Р-ПССО-Г2 | 10 нс | 20нс | 22 нс | 26 нс | 11А | 25 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | 600В | 600В | 114 Вт Тс | 44А | 64 мДж | N-канал | 790пФ при 50В | 360 мОм при 5,5 А, 10 В | 4 В при 250 мкА | 11А Ц | 26 НК при 10 В | 10 В | ±25 В | ||||||||||||||||||||||||||
| ECH8601M-C-TL-HX | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2015 год | 8-СМД, плоский вывод | 8 | Двойной | 8А | 24В | 23мОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MCH6321-TL-W | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2012 год | /files/onsemiconductor-mch6321tle-datasheets-0728.pdf | 6-SMD, плоские выводы | Без свинца | 6 | 4 недели | 7,512624 мг | 6 | ПОЖИЗНЕННО (Последнее обновление: 5 дней назад) | да | EAR99 | Нет | е6 | Олово/Висмут (Sn/Bi) | ДВОЙНОЙ | 1 | 1,5 Вт | 1 | Другие транзисторы | 8,1 нс | 31 нс | 39 нс | 40 нс | 4А | 10 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | 20 В | 1,5 Вт Та | 4А | 0,083Ом | -20В | P-канал | 375пФ при 10 В | 83 мОм при 2 А, 4,5 В | 4А Та | 4,6 нк @ 4,5 В | 1,8 В 4,5 В | ±10 В | |||||||||||||||||||||||||||||
| ECH8308-P-TL-H | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2016 год | 8-СМД, плоский вывод | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NTLJS3A18PZTWG | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2012 год | /files/onsemiconductor-ntljs3a18pztxg-datasheets-6910.pdf | 6-WDFN Открытая площадка | Без свинца | 6 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 1 день назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | ДА | 6 | Одинокий | Другие транзисторы | 8,6 нс | 15нс | 88 нс | 150 нс | 5А | 8В | 20 В | 700мВт Та | 8,2А | P-канал | 2240пФ при 15В | 18 мОм при 7 А, 4,5 В | 1 В при 250 мкА | 5А Та | 28 НК при 4,5 В | 1,5 В 4,5 В | ±8 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НТМФС4К50НТ3Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2015 год | 8-PowerTDFN | 38 недель | 8 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2СК3820-ДЛ-1Э | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | 2013 год | /files/onsemiconductor-2sk3820dle-datasheets-9924.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | да | EAR99 | не_совместимо | е3 | Олово (Вс) | ДА | 2 | Полномочия общего назначения FET | Одинокий | 100 В | 1,65 Вт Та 50 Вт Тс | 26А | N-канал | 2150пФ при 20 В | 60 мОм при 13 А, 10 В | 26А Та | 44 НК при 10 В | 4В 10В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CPH6341-M-TL-E | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | Соответствует ROHS3 | 2015 год | СОТ-23-6 Тонкий, ЦОТ-23-6 | 2,9 мм | 900 мкм | 1,6 мм | 6 | 1,6 Вт | Одинокий | 1,6 Вт | 430пФ | 7,5 нс | 45 нс | -5А | 20 В | 59мОм | -30В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НТМФС4К53НТ1Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2015 год | 8-PowerTDFN | 38 недель | 8 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 5ЛП01СП | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2000 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-5lp01spac-datasheets-6835.pdf | СК-72 | Без свинца | 3 | да | EAR99 | Олово/медь/серебро/никель (Sn/Cu/Ag/Ni) | ОДИНОКИЙ | 3 | 1 | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицирован | Р-ПСИП-Т3 | 20 нс | 35 нс | 150 нс | 160 нс | 70 мА | 10 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ И РЕЗИСТОРОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 50В | 250мВт Та | 0,07А | -50В | P-канал | 7,4 пФ при 10 В | 23 Ом при 40 мА, 4 В | 70 Та мА | 1,4 НК при 10 В | 1,5 В 4 В | ±10 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| NTLUS3A18PZCTBG | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2013 год | 6-УДФН Открытая площадка | Без свинца | 6 | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | Без галогенов | ДА | 700мВт | 1 | Одинокий | Другие транзисторы | 8,6 нс | 15нс | 88 нс | 150 нс | 5,1А | 8В | 20 В | 8,2А | P-канал | 2240пФ при 15В | 18 мОм при 7 А, 4,5 В | 1 В при 250 мкА | 5.1А Та | 28 НК при 4,5 В | 1,5 В 4,5 В | ±8 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SK4085LS-1E | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-2sk4085ls-datasheets-9123.pdf | ТО-220-3 Полный пакет | Без свинца | 3 | 3 | да | EAR99 | 8541.29.00.95 | е3 | Олово (Вс) | НЕТ | 3 | Одинокий | 1 | Полномочия общего назначения FET | 11А | КРЕМНИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | 500В | 500В | 2 Вт Та 40 Вт Тс | ТО-220АБ | 60А | 141 мДж | N-канал | 1200пФ при 30В | 430 мОм при 8 А, 10 В | 11А Ц | 46,6 НК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NTLUS4930NTBG | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/onsemiconductor-ntlus4930ntbg-datasheets-6947.pdf | 6-УДФН Открытая площадка | Без свинца | 52 недели | 6 | ПОЖИЗНЕННЫЙ (Последнее обновление: 1 день назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | Без галогенов | 6 | 1,65 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | 6,1А | 20 В | Одинокий | 650мВт Та | 30 В | N-канал | 476пФ при 15 В | 28,5 мОм при 6,1 А, 10 В | 2,2 В @ 250 мкА | 3,8А Та | 8,7 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NTLUS4930NTAG | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/onsemiconductor-ntlus4930ntbg-datasheets-6947.pdf | 6-УДФН Открытая площадка | Без свинца | 4 недели | 6 | ПОЖИЗНЕННЫЙ (Последнее обновление: 1 день назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | Без галогенов | ДА | 6 | Одинокий | 1,65 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | 6,1А | 20 В | 30 В | 650мВт Та | N-канал | 476пФ при 15 В | 28,5 мОм при 6,1 А, 10 В | 2,2 В @ 250 мкА | 3,8А Та | 8,7 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НДД01Н60-1Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2013 год | /files/onsemiconductor-ndt01n60t1g-datasheets-8440.pdf | ТО-251-3 Короткие выводы, ИПак, ТО-251АА | Без свинца | 3 | 4 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 6 дней назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | Без галогенов | НЕТ | 4 | Одинокий | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Р-ПСИП-Т3 | 8 нс | 5,1 нс | 21,3 нс | 16,5 нс | 1,5 А | 30 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | 46 Вт Тс | 6А | 13 мДж | 600В | N-канал | 160пФ при 25В | 8,5 Ом при 200 мА, 10 В | 3,7 В при 50 мкА | 1,5 А Тс | 7,2 НК при 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N7002WST1G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | СК-70, СОТ-323 | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 5ЛП01М-ТЛ-Е | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2012 год | /files/onsemiconductor-5lp01mtlh-datasheets-4077.pdf | СК-70, СОТ-323 | Без свинца | 3 | да | EAR99 | Олово | е6 | 3 | 150 мВт | 1 | 20 нс | 35 нс | 150 нс | 160 нс | 70 мА | 10 В | 50В | 150 мВт Та | P-канал | 7,4 пФ при 10 В | 23 Ом при 40 мА, 4 В | 70 Та мА | 1,4 НК при 10 В | 1,5 В 4 В | ±10 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MCH6336-P-TL-E | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2014 год | 6-SMD, плоские выводы | 3 | 1,5 Вт | -5А | 43мОм | -12В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ATP212-S-TL-H | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2013 год | АТПАК (2 отверстия+вкладка) | 40 Вт | 35А | 23мОм | 60В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НДД01Н60Т4Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-ndt01n60t1g-datasheets-8440.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | Без свинца | 2 | 3,949996 г | 3 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 6 дней назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | Без галогенов | ДА | КРЫЛО ЧАЙКИ | 3 | Одинокий | 46 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Р-ПССО-Г2 | 8 нс | 5,1 нс | 21,3 нс | 16,5 нс | 1,5 А | 30 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | 600В | 600В | 46 Вт Тс | 6А | N-канал | 160пФ при 25В | 8,5 Ом при 200 мА, 10 В | 3,7 В при 50 мкА | 1,5 А Тс | 7,2 НК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||
| MCH6437-P-TL-E | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2014 год | 6-SMD, плоские выводы | 8 недель | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НТМФС4К56НТ1Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2015 год | 8-PowerTDFN | 38 недель | 8 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ММБФВ170LT3G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2016 год | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 6 недель | 5Ом | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БФЛ4037-1Е | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-bfl4037-datasheets-4187.pdf | ТО-220-3 Полный пакет | Без свинца | 6.000006г | 3 | да | EAR99 | е3 | Олово (Вс) | НЕТ | 3 | 1 | Одинокий | Полевой транзистор общего назначения | 26,5 нс | 78нс | 57 нс | 146 нс | 16А | 30 В | 500В | 2 Вт Та 40 Вт Тс | N-канал | 1200пФ при 30В | 430 мОм при 8 А, 10 В | 11А Ц | 48,6 НК при 10 В | 10 В | ±30 В |
