Одиночные МОП-транзисторы - Поиск электронных компонентов - Лучший агент по электронным компонентам - ICGNT
Сравнить Изображение Имя Производитель Цена (долл. США) Количество Вес (кг) Размер (ДхШхВ) Статус детали Установить Тип монтажа Рабочая температура Упаковка Уровень чувствительности к влаге (MSL) Максимальная рабочая температура Минимальная рабочая температура Технология Режим работы Статус RoHS Опубликовано Техническая спецификация Пакет/ключи Длина Высота Ширина Без свинца Количество окончаний Срок выполнения заказа на заводе Масса Количество контактов Статус жизненного цикла Код Pbfree ECCN-код Контактное покрытие Радиационная закалка Достичь соответствия кода Код HTS Код JESD-609 Терминальные отделки Без галогенов Поверхностный монтаж Максимальная рассеиваемая мощность Положение терминала Терминальная форма Количество контактов Количество вариантов Конфигурация элемента Рассеяние активности Количество элементов Подкатегория Статус квалификации Код JESD-30 Входная емкость Включить время задержки Время подъема Осень (тип.) Время задержки отключения Непрерывный ток стока (ID) Напряжение от затвора до источника (Vgs) Материал транзисторного элемента Конфигурация Соединение корпуса Применение транзистора Полярность/Тип канала Напряжение стока к источнику (Vdss) DS Напряжение проба-мин. Технология полевых транзисторов Рассеиваемая мощность-Макс. Код JEDEC-95 Максимальный сток (Abs) (ID) Максимальный импульсный ток стока (IDM) Источник стока при максимальном сопротивлении Снижение сопротивления до источника Рейтинг лавинной энергии (Eas) Напряжение проба стока к источнику Тип полярного транзистора Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds Rds включено (макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс) @ Id Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Напряжение привода (макс. значение включено, минимальное значение включено) ВГС (Макс)
MCH3486-TL-H MCH3486-TL-H ОН Полупроводник
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж 150°С, ТДж Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) МОП-транзистор (оксид металла) Соответствует RoHS 2014 год /files/onsemiconductor-mch3486tlh-datasheets-6971.pdf 3-СМД, плоский вывод Без свинца 4 недели 3 да EAR99 Нет е6 Олово/Висмут (Sn/Bi) Без галогенов 3 1 Одинокий 1 Вт 6 нс 5нс 11 нс 28 нс 20 В 60В 1 Вт Та N-канал 310пФ при 20В 137 мОм при 1 А, 10 В 2А Та 7 нк @ 10 В 4В 10В ±20 В
ATP404-H-TL-H ATP404-H-TL-H ОН Полупроводник
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж 150°С, ТДж Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) Соответствует ROHS3 2002 г. АТПАК (2 отверстия+вкладка) 4 недели Олово 53 нс 640 нс 520 нс 380 нс 95А 20 В 60В 7,2 мОм
BFL4036-1E БФЛ4036-1Е ОН Полупроводник
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие -55°C~150°C, ТиДжей Трубка 1 (без блокировки) МОП-транзистор (оксид металла) Соответствует RoHS 2013 год /files/onsemiconductor-bfl4036-datasheets-0020.pdf ТО-220-3 Полный пакет Без свинца 6.000006г 3 да EAR99 е3 Олово (Вс) НЕТ 3 1 Одинокий Мощность полевого транзистора общего назначения 9,6А 500В 2 Вт Та 37 Вт Тс N-канал 1000пФ при 30В 520 мОм при 7 А, 10 В 9,6 А Тс 38,4 НК при 10 В 10 В ±30 В
NTK3134NT5H NTK3134NT5H ОН Полупроводник
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж -55°C~150°C, ТиДжей Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 2013 год СОТ-723 3 3 EAR99 е3 Олово (Вс) ДА ДВОЙНОЙ ПЛОСКИЙ Одинокий 450мВт 1 Мощность полевого транзистора общего назначения 890мА КРЕМНИЙ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ Н-КАНАЛЬНЫЙ 20 В МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК 0,75 А 1,5 В 4,5 В ±6 В
NDD60N360U1-1G НДД60Н360У1-1Г ОН Полупроводник
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие -55°C~150°C, ТиДжей Трубка 1 (без блокировки) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует RoHS 2014 год /files/onsemiconductor-ndd60n360u1t4g-datasheets-6917.pdf ТО-251-3 Короткие выводы, ИПак, ТО-251АА Без свинца 3 4 недели 4 ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 1 день назад) да EAR99 Нет е3 Олово (Вс) Без галогенов НЕТ 4 Одинокий 114 Вт 1 Мощность полевого транзистора общего назначения Р-ПСИП-Т3 10 нс 20нс 22 нс 26 нс 11А 25 В КРЕМНИЙ ОСУШАТЬ 600В 600В 114 Вт Тс 0,36 Ом N-канал 790пФ при 50В 360 мОм при 5,5 А, 10 В 4 В при 250 мкА 11А Ц 26 НК при 10 В 10 В ±25 В
NTLUS3A18PZCTBG NTLUS3A18PZCTBG ОН Полупроводник
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) 150°С -55°С МОП-транзистор (оксид металла) Соответствует RoHS 2013 год 6-УДФН Открытая площадка Без свинца 6 EAR99 Нет е3 Олово (Вс) Без галогенов ДА 700мВт 1 Одинокий Другие транзисторы 8,6 нс 15нс 88 нс 150 нс 5,1А 20 В 8,2А P-канал 2240пФ при 15В 18 мОм при 7 А, 4,5 В 1 В при 250 мкА 5.1А Та 28 НК при 4,5 В 1,5 В 4,5 В ±8 В
2SK4085LS-1E 2SK4085LS-1E ОН Полупроводник
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие 150°С, ТДж Трубка 1 (без блокировки) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует RoHS 2013 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-2sk4085ls-datasheets-9123.pdf ТО-220-3 Полный пакет Без свинца 3 3 да EAR99 8541.29.00.95 е3 Олово (Вс) НЕТ 3 Одинокий 1 Полномочия общего назначения FET 11А КРЕМНИЙ ИЗОЛИРОВАННЫЙ 500В 500В 2 Вт Та 40 Вт Тс ТО-220АБ 60А 141 мДж N-канал 1200пФ при 30В 430 мОм при 8 А, 10 В 11А Ц 46,6 НК при 10 В 10 В ±30 В
NTLUS4930NTBG NTLUS4930NTBG ОН Полупроводник
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°C~150°C, ТиДжей Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) МОП-транзистор (оксид металла) Соответствует ROHS3 2013 год /files/onsemiconductor-ntlus4930ntbg-datasheets-6947.pdf 6-УДФН Открытая площадка Без свинца 52 недели 6 ПОЖИЗНЕННЫЙ (Последнее обновление: 1 день назад) да EAR99 Нет е3 Олово (Вс) Без галогенов 6 1,65 Вт 1 Мощность полевого транзистора общего назначения 6,1А 20 В Одинокий 650мВт Та 30 В N-канал 476пФ при 15 В 28,5 мОм при 6,1 А, 10 В 2,2 В @ 250 мкА 3,8А Та 8,7 НК при 10 В 4,5 В 10 В ±20 В
NTLUS4930NTAG NTLUS4930NTAG ОН Полупроводник
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж -55°C~150°C, ТиДжей Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) МОП-транзистор (оксид металла) Соответствует ROHS3 2013 год /files/onsemiconductor-ntlus4930ntbg-datasheets-6947.pdf 6-УДФН Открытая площадка Без свинца 4 недели 6 ПОЖИЗНЕННЫЙ (Последнее обновление: 1 день назад) да EAR99 Нет е3 Олово (Вс) Без галогенов ДА 6 Одинокий 1,65 Вт 1 Мощность полевого транзистора общего назначения 6,1А 20 В 30 В 650мВт Та N-канал 476пФ при 15 В 28,5 мОм при 6,1 А, 10 В 2,2 В @ 250 мкА 3,8А Та 8,7 НК при 10 В 4,5 В 10 В ±20 В
NDD01N60-1G НДД01Н60-1Г ОН Полупроводник
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие -55°C~150°C, ТиДжей Трубка 1 (без блокировки) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует RoHS 2013 год /files/onsemiconductor-ndt01n60t1g-datasheets-8440.pdf ТО-251-3 Короткие выводы, ИПак, ТО-251АА Без свинца 3 4 ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 6 дней назад) да EAR99 Нет е3 Олово (Вс) Без галогенов НЕТ 4 Одинокий 1 Мощность полевого транзистора общего назначения Р-ПСИП-Т3 8 нс 5,1 нс 21,3 нс 16,5 нс 1,5 А 30 В КРЕМНИЙ ОСУШАТЬ 46 Вт Тс 13 мДж 600В N-канал 160пФ при 25В 8,5 Ом при 200 мА, 10 В 3,7 В при 50 мкА 1,5 А Тс 7,2 НК при 10 В 10 В ±30 В
MCH6336-S-TL-E MCH6336-S-TL-E ОН Полупроводник
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) Соответствует RoHS 2013 год 6-SMD, плоские выводы 3 1,5 Вт -5А 43мОм -12В
NDD60N360U1T4G НДД60Н360У1Т4Г ОН Полупроводник
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж -55°C~150°C, ТиДжей Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует RoHS 2010 год /files/onsemiconductor-ndd60n360u1t4g-datasheets-6917.pdf ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 Без свинца 2 17 недель 3 ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 1 день назад) да EAR99 Нет е3 Олово (Вс) Без галогенов ДА КРЫЛО ЧАЙКИ 3 Одинокий 114 Вт 1 Мощность полевого транзистора общего назначения Р-ПССО-Г2 10 нс 20нс 22 нс 26 нс 11А 25 В КРЕМНИЙ ОСУШАТЬ 600В 600В 114 Вт Тс 44А 64 мДж N-канал 790пФ при 50В 360 мОм при 5,5 А, 10 В 4 В при 250 мкА 11А Ц 26 НК при 10 В 10 В ±25 В
ECH8601M-C-TL-HX ECH8601M-C-TL-HX ОН Полупроводник
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж 150°С, ТДж Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) Соответствует RoHS 2015 год 8-СМД, плоский вывод 8 Двойной 24В 23мОм
MCH6321-TL-W MCH6321-TL-W ОН Полупроводник
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж 150°С, ТДж Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует RoHS 2012 год /files/onsemiconductor-mch6321tle-datasheets-0728.pdf 6-SMD, плоские выводы Без свинца 6 4 недели 7,512624 мг 6 ПОЖИЗНЕННО (Последнее обновление: 5 дней назад) да EAR99 Нет е6 Олово/Висмут (Sn/Bi) ДВОЙНОЙ 1 1,5 Вт 1 Другие транзисторы 8,1 нс 31 нс 39 нс 40 нс 10 В КРЕМНИЙ ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ 20 В 1,5 Вт Та 0,083Ом -20В P-канал 375пФ при 10 В 83 мОм при 2 А, 4,5 В 4А Та 4,6 нк @ 4,5 В 1,8 В 4,5 В ±10 В
ECH8308-P-TL-H ECH8308-P-TL-H ОН Полупроводник
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) Соответствует RoHS 2016 год 8-СМД, плоский вывод
NTLJS3A18PZTWG NTLJS3A18PZTWG ОН Полупроводник
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж -55°C~150°C, ТиДжей Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) МОП-транзистор (оксид металла) Соответствует RoHS 2012 год /files/onsemiconductor-ntljs3a18pztxg-datasheets-6910.pdf 6-WDFN Открытая площадка Без свинца 6 ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 1 день назад) да EAR99 Нет е3 Олово (Вс) ДА 6 Одинокий Другие транзисторы 8,6 нс 15нс 88 нс 150 нс 20 В 700мВт Та 8,2А P-канал 2240пФ при 15В 18 мОм при 7 А, 4,5 В 1 В при 250 мкА 5А Та 28 НК при 4,5 В 1,5 В 4,5 В ±8 В
NTMFS4C50NT3G НТМФС4К50НТ3Г ОН Полупроводник
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) Соответствует RoHS 2015 год 8-PowerTDFN 38 недель 8
2SK3820-DL-1E 2СК3820-ДЛ-1Э ОН Полупроводник
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж 150°С, ТДж Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) МОП-транзистор (оксид металла) 2013 год /files/onsemiconductor-2sk3820dle-datasheets-9924.pdf ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ да EAR99 не_совместимо е3 Олово (Вс) ДА 2 Полномочия общего назначения FET Одинокий 100 В 1,65 Вт Та 50 Вт Тс 26А N-канал 2150пФ при 20 В 60 мОм при 13 А, 10 В 26А Та 44 НК при 10 В 4В 10В ±20 В
CPH6341-M-TL-E CPH6341-M-TL-E ОН Полупроводник
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) 150°С Соответствует ROHS3 2015 год СОТ-23-6 Тонкий, ЦОТ-23-6 2,9 мм 900 мкм 1,6 мм 6 1,6 Вт Одинокий 1,6 Вт 430пФ 7,5 нс 45 нс -5А 20 В 59мОм -30В
NTMFS4C53NT1G НТМФС4К53НТ1Г ОН Полупроводник
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) Соответствует RoHS 2015 год 8-PowerTDFN 38 недель 8
5LP01SP 5ЛП01СП ОН Полупроводник
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие Сквозное отверстие 150°С, ТДж Масса 1 (без блокировки) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует RoHS 2000 г. https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-5lp01spac-datasheets-6835.pdf СК-72 Без свинца 3 да EAR99 Олово/медь/серебро/никель (Sn/Cu/Ag/Ni) ОДИНОКИЙ 3 1 1 Другие транзисторы Не квалифицирован Р-ПСИП-Т3 20 нс 35 нс 150 нс 160 нс 70 мА 10 В КРЕМНИЙ ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ И РЕЗИСТОРОМ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 50В 250мВт Та 0,07А -50В P-канал 7,4 пФ при 10 В 23 Ом при 40 мА, 4 В 70 Та мА 1,4 НК при 10 В 1,5 В 4 В ±10 В
EFC6604R-A-TR EFC6604R-A-TR ОН Полупроводник
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж 150°С, ТДж Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) Соответствует ROHS3 6-XFBGA 9 недель 6 2
NTLUS3A40PZCTAG NTLUS3A40PZCTAG ОН Полупроводник
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°C~150°C, ТиДжей Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует RoHS 2011 г. https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-ntlus3a40pzctag-datasheets-6903.pdf 6-УДФН Открытая площадка 6 EAR99 е3 Олово (Вс) Другие транзисторы Одинокий 20 В 700мВт Та -20В P-канал 2600пФ при 15В 29 мОм при 6,4 А, 4,5 В 1 В при 250 мкА 4А Та 29 НК при 4,5 В 1,5 В 4,5 В ±8 В
BFL4007-1E БФЛ4007-1Е ОН Полупроводник
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие -55°C~150°C, ТиДжей Трубка 1 (без блокировки) МОП-транзистор (оксид металла) Соответствует RoHS 2013 год /files/onsemiconductor-bfl40071e-datasheets-3406.pdf ТО-220-3 Полный пакет Без свинца 3 да EAR99 е3 Олово (Вс) НЕТ 3 Одинокий 2 Вт 1 Полномочия общего назначения FET 27 нс 72нс 48 нс 122 нс 8,7А 30 В 2 Вт Та 40 Вт Тс 600В N-канал 1200пФ при 30В 680 мОм при 7 А, 10 В 8,7 А Тс 46 НК при 10 В 10 В ±30 В
MCH3478-S-TL-H MCH3478-S-TL-H ОН Полупроводник
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) Соответствует RoHS 2013 год 3-СМД, плоский вывод 3 800мВт 165мОм 30 В
CMPDM203NH TR CMPDM203NH ТР Центральная полупроводниковая корпорация
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж -55°C~150°C, ТиДжей Разрезанная лента (CT) 1 (без блокировки) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует RoHS 2016 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-cmpdm203nhtr-datasheets-6679.pdf SOT-23-3 Плоские выводы 10 недель совместимый ДА Мощность полевого транзистора общего назначения Одинокий 20 В 350мВт Та 3,2А N-канал 395пФ при 10 В 50 мОм при 1,6 А, 4,5 В 1,2 В @ 250 мкА 3.2А Та 10 НК при 4,5 В 2,5 В 4,5 В 12 В
NTMFS4C56NT3G НТМФС4К56НТ3Г ОН Полупроводник
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) Соответствует RoHS 2015 год 8-PowerTDFN 38 недель 8
CPH6350-P-TL-E CPH6350-P-TL-E ОН Полупроводник
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) Соответствует ROHS3 2012 год -6А -30В 43мОм
NTLJS3A18PZTXG NTLJS3A18PZTXG ОН Полупроводник
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж -55°C~150°C, ТиДжей Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) МОП-транзистор (оксид металла) Соответствует RoHS 2012 год /files/onsemiconductor-ntljs3a18pztxg-datasheets-6910.pdf 6-WDFN Открытая площадка Без свинца 6 ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 1 день назад) да EAR99 Нет е3 Олово (Вс) ДА 6 Одинокий 1,8 Вт 1 Другие транзисторы 8,6 нс 15нс 88 нс 150 нс 20 В 700мВт Та 8,2А P-канал 2240пФ при 15В 18 мОм при 7 А, 4,5 В 1 В при 250 мкА 5А Та 28 НК при 4,5 В 1,5 В 4,5 В ±8 В
ATP207-S-TL-H ATP207-S-TL-H ОН Полупроводник
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж 150°С, ТДж Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) Соответствует RoHS 2016 год АТПАК (2 отверстия+вкладка)

В наличии

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.