Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактОдиночные МОП-транзисторы(33658)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Режим работы | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Без галогенов | Поверхностный монтаж | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Количество контактов | Количество вариантов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Входная емкость | Включить время задержки | Время подъема | Осень (тип.) | Время задержки отключения | Непрерывный ток стока (ID) | Напряжение от затвора до источника (Vgs) | Максимальное двойное напряжение питания | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Напряжение стока к источнику (Vdss) | DS Напряжение проба-мин. | Пороговое напряжение | Рассеиваемая мощность-Макс. | Максимальный сток (Abs) (ID) | Максимальный импульсный ток стока (IDM) | Снижение сопротивления до источника | Рейтинг лавинной энергии (Eas) | Напряжение проба стока к источнику | Тип полярного транзистора | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | Rds включено (макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс) @ Id | Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | РДС на Максе | Напряжение привода (макс. значение включено, минимальное значение включено) | ВГС (Макс) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| SCH1433-S-TL-H | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2014 год | СОТ-563, СОТ-666 | 800мВт | 3,5 А | 64мОм | 20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИПУ80Р2К8СЕБКМА1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | CoolMOS™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/infineontechnologies-ipu80r2k8cebkma1-datasheets-7230.pdf | ТО-251-3 Короткие выводы, ИПак, ТО-251АА | 6,73 мм | 6,22 мм | 2,41 мм | Содержит свинец | 343,085929мг | 3 | Не содержит галогенов | 1 | Одинокий | ПГ-ТО251-3 | 290пФ | 25 нс | 15нс | 18 нс | 72 нс | 1,9 А | 30 В | 800В | 800В | 42 Вт Тс | 2,8 Ом | N-канал | 290пФ при 100В | 2,8 Ом @ 1,1 А, 10 В | 3,9 В при 120 мкА | 1,9 А Тс | 12 НК при 10 В | 2,8 Ом | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AOW20C60 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alphaomegasemiconductorinc-aow298-datasheets-0480.pdf | ТО-262-3 Длинные выводы, И2Пак, ТО-262АА | Полевой транзистор общего назначения | 20А | Одинокий | 600В | 463 Вт Тс | N-канал | 3440пФ при 100В | 250 мОм при 10 А, 10 В | 5 В @ 250 мкА | 20А Ц | 74 НК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИПУ80Р1К0СЕБКМА1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | CoolMOS™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/infineontechnologies-ipd80r1k0ceatma1-datasheets-3432.pdf | ТО-251-3 Короткие выводы, ИПак, ТО-251АА | Содержит свинец | 343,085929мг | 3 | Не содержит галогенов | 1 | Одинокий | ПГ-ТО251-3 | 785пФ | 25 нс | 15нс | 8 нс | 72 нс | 5,7А | 30 В | 800В | 800В | 83 Вт Тс | 950мОм | N-канал | 785пФ при 100 В | 950 мОм при 3,6 А, 10 В | 3,9 В при 250 мкА | 5,7 А Тс | 31 НК при 10 В | 950 мОм | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRFR7540PBF | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | StrongIRFET™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/infineontechnologies-irfr7540trpbf-datasheets-9329.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 6,73 мм | 2,39 мм | 6,22 мм | Без свинца | 3,949996 г | 3 | EAR99 | не_совместимо | е3 | Matte Tin (Sn) – с никелевым (Ni) барьером | НЕ УКАЗАН | 1 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 140 Вт | 8,7 нс | 38нс | 32 нс | 59 нс | 90А | 20 В | 60В | 140 Вт Тс | N-канал | 4360пФ при 25В | 4,8 мОм при 66 А, 10 В | 3,7 В при 100 мкА | 90А Ц | 130 НК при 10 В | 6В 10В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОБ11С60Л | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2011 г. | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | 16 недель | Полевой транзистор общего назначения | 11А | Одинокий | 600В | 278 Вт Тс | N-канал | 2000пФ при 100В | 400 мОм при 5,5 А, 10 В | 5 В @ 250 мкА | 11А Ц | 42 НК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОТФ10Т60П | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | 0,13 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alphaomegasemiconductorinc-aotf7t60pl-datasheets-2991.pdf | ТО-220-3 Полный пакет | 16 недель | ТО-220-3Ф | 1595 нФ | 10А | 600В | 43 Вт Тс | N-канал | 1595пФ при 100В | 700 мОм при 5 А, 10 В | 5 В @ 250 мкА | 10А Ц | 40 НК при 10 В | 700 мОм | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| WPB4002-1E | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2013 год | /files/onsemiconductor-wpb4002-datasheets-0092.pdf | ТО-3П-3, СК-65-3 | Без свинца | 6.961991г | 3 | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | 3 | Одинокий | 42 нс | 130 нс | 84 нс | 234 нс | 23А | 30 В | 2,5 Вт Та 220 Вт Тс | 600В | N-канал | 2200пФ при 30В | 360 мОм при 11,5 А, 10 В | 23А Та | 84 НК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИРФС7434ПБФ | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | HEXFET®, StrongIRFET™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/infineontechnologies-irfs7434trlpbf-datasheets-5878.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | 10,67 мм | 4,83 мм | 9,65 мм | Без свинца | 2 | 3,949996 г | Нет СВВК | 3 | EAR99 | е3 | Matte Tin (Sn) – с никелевым (Ni) барьером | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 1 | Одинокий | 30 | 294 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Р-ПССО-Г2 | 24 нс | 68нс | 68 нс | 115 нс | 195А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 40В | 40В | 3В | 294 Вт Тс | 780А | N-канал | 10820пФ при 25 В | 1,6 мОм при 100 А, 10 В | 3,9 В при 250 мкА | 195А Ц | 324 НК при 10 В | 6В 10В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||
| SCH1331-S-TL-H | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2013 год | СОТ-563, СОТ-666 | 1 Вт | -3А | 84мОм | -12В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НВМФС5834НЛТ3Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-nvmfs5834nlwft1g-datasheets-1921.pdf | 8-PowerTDFN | Без свинца | 5 | 38 недель | 5 | АКТИВНО, НЕ ЗАПИСЫВАЕТСЯ (последнее обновление: 3 дня назад) | да | EAR99 | не_совместимо | е3 | Олово (Вс) | Без галогенов | ДА | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | НЕ УКАЗАН | 5 | 1 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 1 | Полевой транзистор общего назначения | 10 нс | 56,4 нс | 6,6 нс | 17,4 нс | 75А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | 3,6 Вт Та 107 Вт Тс | 276А | 48 мДж | 40В | N-канал | 1231пФ при 20 В | 9,3 мОм при 20 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 14А Та 75А Ц | 24 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||
| AOD2HC60 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -50°С~150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -50°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alphaomegasemiconductorinc-aod2hc60-datasheets-7209.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 16 недель | ТО-252, (Д-Пак) | 466пФ | 2,5 А | 600В | 74 Вт Тс | N-канал | 466пФ при 100 В | 2 Ом при 800 мА, 10 В | 5 В @ 250 мкА | 2,5 А Тс | 10 нк @ 10 В | 2 Ом | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NVTFS5811NLWFTWG | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/onsemiconductor-nvtfs5811nltag-datasheets-2630.pdf | 8-PowerWDFN | Без свинца | 23 недели | 8 | АКТИВНО, НЕ ЗАПИСЫВАЕТСЯ (последнее обновление: 4 дня назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | Без галогенов | ДА | 8 | 1 | Одинокий | Полевой транзистор общего назначения | 11 нс | 55нс | 40 нс | 20 нс | 16А | 20 В | 40В | 3,2 Вт Та 21 Вт Тс | 40А | N-канал | 1570пФ при 25В | 6,7 мОм при 20 А, 10 В | 2,2 В @ 250 мкА | 16А Та | 30 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НТМФС4К58НТ1Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2015 год | 8-PowerTDFN | 38 недель | 8 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NVMFS5844NLWFT3G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-nvmfs5844nlt1g-datasheets-4463.pdf | 8-PowerTDFN | Без свинца | 38 недель | 5 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 4 дня назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | Без галогенов | ДА | 5 | Одинокий | Полевой транзистор общего назначения | 12 нс | 25нс | 10 нс | 20 нс | 11,2А | 20 В | 60В | 3,7 Вт Та 107 Вт Тс | 61А | N-канал | 1460пФ при 25В | 12 мОм при 10 А, 10 В | 2,3 В @ 250 мкА | 11.2А Та | 30 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AOD3C50 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alphaomegasemiconductorinc-aod3c50-datasheets-7217.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 16 недель | ТО-252, (Д-Пак) | 662пФ | 3А | 500В | 83 Вт Тс | N-канал | 662пФ при 100 В | 1,4 Ом @ 2,2 А, 10 В | 5 В @ 250 мкА | 3А Тк | 25 НК при 10 В | 1,4 Ом | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NVD4809NHT4G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2011 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-ntd4809nh35g-datasheets-6867.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 3 | EAR99 | е3 | Олово (Вс) | 2 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | 58А | 20 В | Одинокий | 30 В | 1,3 Вт Та 52 Вт Тс | N-канал | 2155пФ при 12 В | 9 мОм при 30 А, 10 В | 2,5 В @ 250 мкА | 9А Та 58А Ц | 44 НК при 11,5 В | 4,5 В 11,5 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AOD474B | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2011 г. | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | Полевой транзистор общего назначения | 10А | Одинокий | 75В | 2,1 Вт Ta 28,5 Вт Tc | N-канал | 282пФ при 37,5 В | 132 мОм при 5 А, 10 В | 2,3 В @ 250 мкА | 2,5 А Та 10 А Тс | 10 нк @ 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СТД3155L104T4G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 2014 год | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОИ4Т60 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | 14,52 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -50°С~150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2011 г. | ТО-251-3 Заглушки, ИПак | Полевой транзистор общего назначения | 4А | Одинокий | 600В | 83 Вт Тс | 4А | N-канал | 460пФ при 100В | 2,1 Ом при 1 А, 10 В | 5 В @ 250 мкА | 4А Тк | 15 НК при 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НВМФС5885НЛТ3Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-nvmfs5885nlt1g-datasheets-3979.pdf | 8-PowerTDFN | Без свинца | 38 недель | 5 | АКТИВНО, НЕ ЗАПИСЫВАЕТСЯ (последнее обновление: 3 дня назад) | да | EAR99 | не_совместимо | е3 | Олово (Вс) | Без галогенов | ДА | НЕ УКАЗАН | 5 | 1 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | Полевой транзистор общего назначения | 10 нс | 64нс | 52 нс | 18 нс | 10,2А | 20 В | 60В | 3,7 Вт Та 54 Вт Тс | 39А | N-канал | 1340пФ при 25В | 15 мОм при 15 А, 10 В | 2,5 В @ 250 мкА | 10,2А Та | 21 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОТ20С60Л | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alphaomegasemiconductorinc-aot430-datasheets-0079.pdf | ТО-220-3 | 16 недель | Полевой транзистор общего назначения | 20А | Одинокий | 600В | 463 Вт Тс | N-канал | 3440пФ при 100В | 250 мОм при 10 А, 10 В | 5 В @ 250 мкА | 20А Ц | 74 НК при 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FDMC7672S-F126 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | PowerTrench®, SyncFET™ | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-fdmc7672sf126-datasheets-6605.pdf | 8-PowerWDFN | 30 В | 2,3 Вт Та 36 Вт Тс | N-канал | 2520пФ при 15В | 6 мОм при 14,8 А, 10 В | 3 В при 1 мА | 14,8А Та | 42 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NVTFS4824NWFTWG | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-nvtfs4824nwftwg-datasheets-7188.pdf | 8-PowerWDFN | Без свинца | 23 недели | 8 | АКТИВНО, НЕ ЗАПИСЫВАЕТСЯ (последнее обновление: 4 дня назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | Без галогенов | 8 | Полевой транзистор общего назначения | 12 нс | 27нс | 6 нс | 20 нс | 18,2А | 20 В | Одинокий | 30 В | 3,2 Вт Та 21 Вт Тс | 46А | N-канал | 1740пФ при 12В | 4,7 мОм при 23 А, 10 В | 2,5 В @ 250 мкА | 18.2А Та | 29 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AOD3C60 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -50°С~150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alphaomegasemiconductorinc-aod3c60-datasheets-7192.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 16 недель | Полевой транзистор общего назначения | 3А | Одинокий | 600В | 89 Вт Тс | 3А | N-канал | 648пФ при 100 В | 1,4 Ом при 1 А, 10 В | 5 В @ 250 мкА | 3А Тк | 15 НК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SFT1423-S-TL-E | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 2013 год | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AOD4C60 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -50°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alphaomegasemiconductorinc-aoi4c60-datasheets-0984.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 16 недель | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | Полевой транзистор общего назначения | 4А | Одинокий | 600В | 125 Вт Тс | 4А | N-канал | 910пФ при 100 В | 950 мОм при 1,3 А, 10 В | 5 В @ 250 мкА | 4А Тк | 18 НК @ 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NVTFS4824NWFTAG | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/onsemiconductor-nvtfs4824nwftwg-datasheets-7188.pdf | 8-PowerWDFN | Без свинца | 23 недели | 8 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 4 дня назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | Без галогенов | ДА | 8 | 1 | Одинокий | Полевой транзистор общего назначения | 12 нс | 27нс | 6 нс | 20 нс | 46А | 20 В | 3,2 Вт Та 21 Вт Тс | 30 В | N-канал | 1740пФ при 12В | 4,7 мОм при 23 А, 10 В | 2,5 В @ 250 мкА | 18.2А Та | 29 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NVTFS5826NLWFTWG | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/onsemiconductor-nvtfs5826nltag-datasheets-0710.pdf | 8-PowerWDFN | Без свинца | 23 недели | 8 | АКТИВНО, НЕ ЗАПИСЫВАЕТСЯ (последнее обновление: 4 дня назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | Без галогенов | ДА | 8 | 1 | Одинокий | Полевой транзистор общего назначения | 9 нс | 29нс | 21 нс | 14 нс | 20А | 20 В | 60В | 3,2 Вт Та 22 Вт Тс | N-канал | 850пФ при 25В | 24 мОм при 10 А, 10 В | 2,5 В @ 250 мкА | 7,6А Та | 16 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НВМФС5885НЛВФТ3Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-nvmfs5885nlt1g-datasheets-3979.pdf | 8-PowerTDFN | Без свинца | 38 недель | 5 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 4 дня назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | Без галогенов | ДА | 5 | Одинокий | Полевой транзистор общего назначения | 10 нс | 64нс | 52 нс | 18 нс | 10,2А | 20 В | 60В | 3,7 Вт Та 54 Вт Тс | 39А | N-канал | 1340пФ при 25В | 15 мОм при 15 А, 10 В | 2,5 В @ 250 мкА | 10,2А Та | 21 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В |
