Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактОдиночные МОП-транзисторы(33658)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Режим работы | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Эмкость | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Справочный стандарт | Без галогенов | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Базовый номер детали | Количество контактов | Рабочая температура (макс.) | Количество вариантов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Максимальный переход температуры (Tj) | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Входная емкость | Включить время задержки | Время подъема | Осень (тип.) | Время задержки отключения | Непрерывный ток стока (ID) | Напряжение от затвора до источника (Vgs) | Максимальное двойное напряжение питания | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Напряжение стока к источнику (Vdss) | DS Напряжение проба-мин. | Пороговое напряжение | Рассеиваемая мощность-Макс. | Код JEDEC-95 | Максимальный сток (Abs) (ID) | Максимальный импульсный ток стока (IDM) | Источник стока при максимальном сопротивлении | Снижение сопротивления до источника | Рейтинг лавинной энергии (Eas) | Напряжение проба стока к источнику | Тип полярного транзистора | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | Rds включено (макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс) @ Id | Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | РДС на Максе | Напряжение привода (макс. значение включено, минимальное значение включено) | ВГС (Макс) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| NVB5860NLT4G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2012 год | /files/onsemiconductor-nvb5860nlt4g-datasheets-7484.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | 10,29 мм | 4,83 мм | 9,65 мм | Без свинца | 2 | 25 недель | 3 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | е3 | Олово (Вс) | ДА | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 283 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Р-ПССО-Г2 | 25 нс | 98 нс | 220А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 283 Вт Тк | 660А | 60В | N-канал | 13216пФ при 25 В | 3 м Ом при 20 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 220А Та | 220 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИРФС7730-7ППБФ | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | StrongIRFET™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/infineontechnologies-irfs7730trl7pp-datasheets-6584.pdf | ТО-263-7, Д2Пак (6 отведений + вкладка), ТО-263СВ | 10,67 мм | 5,084 мм | 9,65 мм | Без свинца | 16 недель | 1,59999 г | Нет СВВК | 7 | EAR99 | НЕ УКАЗАН | 1 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 375 Вт | 175°С | 20 нс | 90 нс | 91 нс | 182 нс | 240А | 20 В | 2,1 В | 375 Вт Тс | 75В | N-канал | 13970пФ при 25В | 2 м Ом при 100 А, 10 В | 3,7 В при 250 мкА | 240А Ц | 428 НК при 10 В | 6В 10В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ГП1М003А050CG | ПолуQ | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/semiq-gp1m003a050cg-datasheets-7503.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | Д-Пак | 500В | 52 Вт Тс | N-канал | 395пФ при 25В | 2,8 Ом при 1,25 А, 10 В | 4 В при 250 мкА | 2,5 А Тс | 9,2 НК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИПУ80Р1К4СЕБКМА1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | CoolMOS™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/infineon-ipu80r1k4cebkma1-datasheets-3653.pdf | ТО-251-3 Короткие выводы, ИПак, ТО-251АА | Содержит свинец | 343,085929мг | 3 | Не содержит галогенов | 1 | Одинокий | ПГ-ТО251-3 | 570пФ | 25 нс | 15нс | 12 нс | 72 нс | 3,9А | 30 В | 800В | 800В | 63 Вт Тс | 1,4 Ом | N-канал | 570пФ при 100В | 1,4 Ом @ 2,3 А, 10 В | 3,9 В @ 240 мкА | 3,9 А Тс | 23 НК при 10 В | 1,4 Ом | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| WPB4001-1E | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-wpb40011e-datasheets-7511.pdf | ТО-3П-3, СК-65-3 | Без свинца | 6.961991г | 3 | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | 3 | 44 нс | 156 нс | 94 нс | 224 нс | 26А | 30 В | 2,5 Вт Та 220 Вт Тс | 500В | N-канал | 2250пФ при 30 В | 260 мОм при 13 А, 10 В | 26А Та | 87 НК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИРФС7730ПБФ | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | HEXFET®, StrongIRFET™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/infineontechnologies-irfb7730pbf-datasheets-3733.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | 10,67 мм | 4,83 мм | 9,65 мм | Без свинца | 17 недель | 3,949996 г | Нет СВВК | 3 | EAR99 | 1 | Одинокий | 375 Вт | 21 нс | 120 нс | 115 нс | 180 нс | 195А | 20 В | 75В | 375 Вт Тс | N-канал | 13660пФ при 25 В | 2,6 мОм при 100 А, 10 В | 3,7 В при 250 мкА | 195А Ц | 407 НК при 10 В | 6В 10В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GP1M003A040CG | ПолуQ | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/semiq-gp1m003a040cg-datasheets-7525.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | Д-Пак | 400В | 30 Вт Тс | N-канал | 210пФ при 25В | 3,4 Ом при 1 А, 10 В | 4 В при 250 мкА | 2А Тк | 3,7 НК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ВС-ФБ180СА10П | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на шасси | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-vsfb180sa10p-datasheets-7535.pdf | СОТ-227-4, миниБЛОК | СОТ-227 | 100 В | 480 Вт Тс | N-канал | 10700пФ при 25В | 6,5 мОм при 180 А, 10 В | 4 В при 250 мкА | 180А Ц | 380 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PHM10030DLSX | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | СОТ-1210, 8-ЛФПАК33 | ЛФПАК33 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОБ12Т60ПЛ | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2011 г. | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | 2 | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | Р-ПССО-Г2 | 12А | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 600В | 600В | 250 Вт Тс | 48А | 0,52 Ом | 750 мДж | N-канал | 2028пФ при 100В | 520 мОм при 6 А, 10 В | 5 В @ 250 мкА | 12А Ц | 50 НК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRFR7740PBF | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ШЕСТИГРАННЫЙ ПЕТР® | Поверхностный монтаж, сквозное отверстие | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | /files/infineontechnologies-irfr7740trpbf-datasheets-4261.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 6,73 мм | 2,39 мм | 6,22 мм | Без свинца | 19 недель | 3,949996 г | Нет СВВК | 3 | EAR99 | не_совместимо | е3 | Matte Tin (Sn) – с никелевым (Ni) барьером | НЕ УКАЗАН | 1 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 140 Вт | 10 нс | 36нс | 30 нс | 55 нс | 87А | 20 В | 75В | 3,7 В | 140 Вт Тс | N-канал | 4430пФ при 25В | 7,2 мОм при 52 А, 10 В | 3,7 В при 100 мкА | 87А Тц | 126 НК при 10 В | 6В 10В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОБ10Т60ПЛ | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2011 г. | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | ТО-263 (Д2Пак) | 1595 нФ | 10А | 600В | 208 Вт Тк | N-канал | 1595пФ при 100В | 700 мОм при 5 А, 10 В | 5 В @ 250 мкА | 10А Ц | 40 НК при 10 В | 700 мОм | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRFR7546PBF | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | StrongIRFET™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/infineontechnologies-irfr7546trpbf-datasheets-1026.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | Без свинца | 19 недель | 3,949996 г | 3 | EAR99 | не_совместимо | е3 | Matte Tin (Sn) – с никелевым (Ni) барьером | НЕ УКАЗАН | 1 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 99 Вт | 8,1 нс | 28нс | 20 нс | 36 нс | 56А | 20 В | 60В | 99 Вт Тс | N-канал | 3020пФ при 25В | 7,9 мОм при 43 А, 10 В | 3,7 В при 100 мкА | 56А Ц | 87 НК при 10 В | 6В 10В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИРФС7430-7ППБФ | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | HEXFET®, StrongIRFET™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | /files/infineontechnologies-irfs7430trl7pp-datasheets-2401.pdf | ТО-263-7, Д2Пак (6 отведений + вкладка) | 10,67 мм | 4,83 мм | 9,65 мм | Без свинца | 14 недель | 1,59999 г | 7 | EAR99 | 1 | Одинокий | 375 Вт | 28 нс | 79нс | 93 нс | 161 нс | 240А | 20 В | 40В | 375 Вт Тс | N-канал | 13975пФ при 25 В | 0,75 мОм при 100 А, 10 В | 3,9 В при 250 мкА | 240А Ц | 460 НК при 10 В | 6В 10В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОТФ12Т60П | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | 2,77 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2009 год | ТО-220-3 Полный пакет | 3 | 16 недель | да | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | Р-ПСФМ-Т3 | 12А | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 600В | 600В | 50 Вт Тс | ТО-220АБ | 48А | 0,52 Ом | 750 мДж | N-канал | 2028пФ при 100В | 520 мОм при 6 А, 10 В | 5 В @ 250 мкА | 12А Ц | 50 НК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИРФС7430ПБФ | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | HEXFET®, StrongIRFET™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/infineontechnologies-irfs7430trlpbf-datasheets-6167.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | 10,67 мм | 4,83 мм | 9,65 мм | Без свинца | 3,949996 г | Нет СВВК | 3 | EAR99 | е3 | Matte Tin (Sn) – с никелевым (Ni) барьером | 260 | 1 | Одинокий | 30 | 375 Вт | Полевой транзистор общего назначения | 32 нс | 105 нс | 100 нс | 160 нс | 195А | 20 В | 40В | 3,9 В | 375 Вт Тс | N-канал | 14240пФ при 25В | 1,2 мОм при 100 А, 10 В | 3,9 В при 250 мкА | 195А Ц | 460 НК при 10 В | 6В 10В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОБ20С60Л | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2011 г. | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | 16 недель | Полевой транзистор общего назначения | 20А | Одинокий | 600В | 463 Вт Тс | N-канал | 3440пФ при 100В | 250 мОм при 10 А, 10 В | 5 В @ 250 мкА | 20А Ц | 74 НК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АО4455 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | 0,12 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2011 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alphaomegasemiconductor-ao4455-datasheets-3621.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 16 недель | Другие транзисторы | Одинокий | 30 В | 3,1 Вт Та | 17А | P-канал | 3400пФ при 15В | 6,2 мОм при 15 А, 20 В | 2,6 В при 250 мкА | 76 НК при 10 В | 6В 20В | ±25 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОТ11С60Л | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alphaomegasemiconductorinc-aot430-datasheets-0079.pdf | ТО-220-3 | 16 недель | Полевой транзистор общего назначения | 11А | Одинокий | 600В | 278 Вт Тс | N-канал | 2000пФ при 100В | 400 мОм при 5,5 А, 10 В | 5 В @ 250 мкА | 11А Ц | 42 НК при 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRFH7936TRPBF | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ШЕСТИГРАННЫЙ ПЕТР® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/infineontechnologies-irfh7936tr2pbf-datasheets-8369.pdf | 8-PowerTDFN | 5,2324 мм | 1,1684 мм | 6,1468 мм | Без свинца | 16 недель | Нет СВВК | 8 | EAR99 | Нет | 3,1 Вт | Полевой транзистор общего назначения | 17 нс | 12нс | 7 нс | 19 нс | 54А | 20 В | Одинокий | 3,1 Вт Та | 76А | 30 В | N-канал | 2360пФ при 15В | 4,8 мОм при 20 А, 10 В | 2,35 В @ 50 мкА | 20А Та 54А Ц | 26 НК при 4,5 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRFH4226TRPBF | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | FASTIRFET™, HEXFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2014 год | /files/infineon-irfh4226trpbf-datasheets-3626.pdf | 8-PowerTDFN | Без свинца | 8 | EAR99 | НЕ УКАЗАН | IRFH4226 | 1 | НЕ УКАЗАН | 3,4 Вт | 11 нс | 35 нс | 8,1 нс | 14 нс | 30А | 20 В | 25 В | 3,4 Вт Та 46 Вт Тс | N-канал | 2000пФ при 13В | 2,4 мОм при 30 А, 10 В | 2,1 В @ 50 мкА | 30А Та 70А Ц | 32 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОТФ7Т60П | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | $3,22 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alphaomegasemiconductorinc-aotf7t60pl-datasheets-2991.pdf | ТО-220-3 Полный пакет | 16 недель | ТО-220-3Ф | 965пФ | 7А | 600В | 38 Вт Тс | N-канал | 965пФ при 100В | 1,1 Ом @ 3,5 А, 10 В | 5 В @ 250 мкА | 7А Тк | 25 НК при 10 В | 1,1 Ом | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NTTFS4965NFTAG | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 8-PowerWDFN | 23 недели | 8 | EAR99 | не_совместимо | е3 | Олово (Вс) | 1,47 Вт | 150°С | Полномочия общего назначения FET | 64А | Одинокий | 30 В | N-канал | 2075пФ при 15В | 3,5 мОм при 20 А, 10 В | 2,3 В @ 250 мкА | 16,3А Та 64А Ц | 29,4 НК при 10 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НВМФС5885НЛВФТ1Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/onsemiconductor-nvmfs5885nlt1g-datasheets-3979.pdf | 8-PowerTDFN | Без свинца | 38 недель | 5 | АКТИВНО, НЕ ЗАПИСЫВАЕТСЯ (последнее обновление: 4 дня назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | Без галогенов | ДА | 5 | 1 | Одинокий | Полевой транзистор общего назначения | 10 нс | 64нс | 52 нс | 18 нс | 39А | 20 В | 3,7 Вт Та 54 Вт Тс | 60В | N-канал | 1340пФ при 25В | 15 мОм при 15 А, 10 В | 2,5 В @ 250 мкА | 10,2А Та | 21 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АУИРЛ3705ЗСТРЛ | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ШЕСТИГРАННЫЙ ПЕТР® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2010 год | /files/infineontechnologies-auirl3705z-datasheets-8586.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | Без свинца | 2 | 3 | EAR99 | ЛАВИННЫЙ НОМИНАЛ, СОВМЕСТИМОСТЬ С ЛОГИЧЕСКИМ УРОВНЕМ, СВЕРХНИЗКОЕ СОПРОТИВЛЕНИЕ | Олово | Нет | е3 | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | Одинокий | 30 | 130 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Р-ПССО-Г2 | 17 нс | 240 нс | 83 нс | 26 нс | 75А | 16 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 130 Вт Тс | 0,008 Ом | 55В | N-канал | 2880пФ при 25 В | 8 мОм при 52 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 75А Ц | 60 НК при 5 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НВМФС5834НЛТ3Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-nvmfs5834nlwft1g-datasheets-1921.pdf | 8-PowerTDFN | Без свинца | 5 | 38 недель | 5 | АКТИВНО, НЕ ЗАПИСЫВАЕТСЯ (последнее обновление: 3 дня назад) | да | EAR99 | не_совместимо | е3 | Олово (Вс) | Без галогенов | ДА | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | НЕ УКАЗАН | 5 | 1 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 1 | Полевой транзистор общего назначения | 10 нс | 56,4 нс | 6,6 нс | 17,4 нс | 75А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | 3,6 Вт Та 107 Вт Тс | 276А | 48 мДж | 40В | N-канал | 1231пФ при 20 В | 9,3 мОм при 20 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 14А Та 75А Ц | 24 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДМП2038УСС-13 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/diodesincorporated-dmp2038uss13-datasheets-7275.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 1,496 нФ | 8 | 73,992255мг | 8 | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | е3 | Матовый олово (Sn) | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 1 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 1 | 13,7 нс | 14 нс | 35,5 нс | 79,1 нс | 6,5 А | 8В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 20 В | 20 В | 2,5 Вт Та | 25А | 26 мДж | P-канал | 1496 пФ при 15 В | 38 мОм при 5 А, 4,5 В | 1,1 В @ 250 мкА | 6,5 А Та | 14,4 НК при 4,5 В | 2,5 В 4,5 В | ±8 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NVTFS5811NLWFTAG | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-nvtfs5811nltag-datasheets-2630.pdf | 8-PowerWDFN | Без свинца | 23 недели | 8 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 4 дня назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | Без галогенов | 8 | 1 | Полевой транзистор общего назначения | 11 нс | 55нс | 40 нс | 20 нс | 40А | 20 В | Одинокий | 3,2 Вт Та 21 Вт Тс | 40В | N-канал | 1570пФ при 25В | 6,7 мОм при 20 А, 10 В | 2,2 В @ 250 мкА | 16А Та | 30 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NVB5860NT4G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2012 год | /files/onsemiconductor-ntp5860ng-datasheets-3459.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | 10,29 мм | 4,83 мм | 9,65 мм | Без свинца | 2 | 3 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | е3 | Олово (Вс) | АЭК-Q101 | ДА | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Р-ПССО-Г2 | 27 нс | 66 нс | 220А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | 60В | 60В | 283 Вт Тк | 660А | N-канал | 10760пФ при 25В | 3 м Ом при 75 А, 10 В | 4 В при 250 мкА | 220А Ц | 180 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SCH1331-P-TL-H | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2013 год | СОТ-563, СОТ-666 | 1 Вт | -3А | 84мОм | -12В |
