Одиночные МОП-транзисторы - Поиск электронных компонентов - Лучший агент по электронным компонентам - ICGNT
+86 19168759373 info@chipsmt.ru
Английский

Одиночные МОП-транзисторы(33658)

Сравнить Изображение Имя Производитель Цена (долл. США) Количество Вес (кг) Размер (ДхШхВ) Статус детали Ряд Установить Тип монтажа Рабочая температура Упаковка Уровень чувствительности к влаге (MSL) Максимальная рабочая температура Минимальная рабочая температура Технология Режим работы Статус RoHS Опубликовано Техническая спецификация Напряжение — номинальный постоянный ток Текущий рейтинг Пакет/ключи Высота Без свинца Количество окончаний Срок выполнения заказа на заводе ДОСТИГНУТЬ СВХК Количество контактов Код Pbfree ECCN-код Дополнительная функция Контактное покрытие Радиационная закалка Идентификатор производителя производителя Достичь соответствия кода Код HTS Код JESD-609 Терминальные отделки Без галогенов Поверхностный монтаж Положение терминала Терминальная форма Пиковая температура оплавления (Цел) Количество контактов Количество вариантов Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) Рассеяние активности Количество элементов Подкатегория Статус квалификации Код JESD-30 Поставщик пакета оборудования Входная емкость Включить время задержки Время подъема Осень (тип.) Время задержки отключения Непрерывный ток стока (ID) Напряжение от затвора до источника (Vgs) Максимальное двойное напряжение питания Материал транзисторного элемента Конфигурация Соединение корпуса Применение транзистора Напряжение стока к источнику (Vdss) DS Напряжение проба-мин. Пороговое напряжение Рассеиваемая мощность-Макс. Код JEDEC-95 Максимальный сток (Abs) (ID) Максимальный импульсный ток стока (IDM) Источник стока при максимальном сопротивлении Рейтинг лавинной энергии (Eas) Напряжение проба стока к источнику Тип полярного транзистора Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds Rds включено (макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс) @ Id Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Особенность левого транзистора РДС на Максе Напряжение привода (макс. значение включено, минимальное значение включено) ВГС (Макс)
AON7426 АОН7426 Альфа и Омега Semiconductor Inc. 0,13 доллара США
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°C~150°C, ТиДжей Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует RoHS 2010 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alphaomegasemiconductor-aon7426-datasheets-4109.pdf 8-PowerVDFN 16 недель Полевой транзистор общего назначения 18А Одинокий 30 В 3,1 Вт Та 29 Вт Тс 40А N-канал 2120пФ при 15В 5,5 мОм при 18 А, 10 В 2,35 В @ 250 мкА 18А Та 40А Ц 115 НК при 10 В 4,5 В 10 В ±20 В
BSP135L6433HTMA1 BSP135L6433HTMA1 Инфинеон Технологии
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать СИПМОС® Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°C~150°C, ТиДжей Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) 150°С -55°С МОП-транзистор (оксид металла) Соответствует RoHS 2012 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/infineontechnologies-bsp135l6327htsa1-datasheets-7013.pdf ТО-261-4, ТО-261АА 4 Нет 1,8 Вт 1 ПГ-СОТ223-4 146пФ 5,4 нс 5,6 нс 182 нс 28 нс 120 мА 20 В 600В 1,8 Вт Та N-канал 146пФ при 25В 45 Ом при 120 мА, 10 В 1 В @ 94 мкА 120 мА Та 4,9 нк при 5 В Режим истощения 45 Ом 0 В 10 В ±20 В
AOW480 АОВ480 Альфа и Омега Semiconductor Inc.
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать СДМОС™ Сквозное отверстие Сквозное отверстие -55°С~175°С, ТДж Трубка 1 (без блокировки) 175°С -55°С МОП-транзистор (оксид металла) Соответствует RoHS 2010 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alphaomegasemiconductorinc-aow298-datasheets-0480.pdf ТО-262-3 Длинные выводы, И2Пак, ТО-262АА 333 Вт 1 ТО-262 7,82 нФ 15А 25В 80В 1,9 Вт Та 333 Вт Тс N-канал 7820пФ при 40 В 4,5 мОм при 20 А, 10 В 4 В при 250 мкА 15А Та 180А Ц 140 НК при 10 В 4,5 мОм 7В 10В ±25 В
IPB075N04LGATMA1 ИПБ075Н04ЛГАТМА1 Инфинеон Технологии
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать Оптимос™ Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°С~175°С, ТДж Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует RoHS 2007 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/infineontechnologies-ipb075n04lgatma1-datasheets-9023.pdf ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ 2 да EAR99 СОВМЕСТИМЫЙ ЛОГИЧЕСКИЙ УРОВЕНЬ неизвестный е3 МАТОВАЯ ТУНКА ОДИНОКИЙ КРЫЛО ЧАЙКИ 260 4 40 56 Вт 1 Не квалифицирован Р-ПССО-Г2 50А 20 В КРЕМНИЙ ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ ОСУШАТЬ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 40В 40В 56 Вт Тс 20 мДж N-канал 2800пФ при 25В 7,5 мОм при 50 А, 10 В 2 В @ 20 мкА 50А Ц 36 НК при 10 В 4,5 В 10 В ±20 В
AOL1413 АОЛ1413 Альфа и Омега Semiconductor Inc. $6,84
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°С~175°С, ТДж Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует RoHS 2010 год 3-PowerSMD, плоские выводы 3 EAR99 ДВОЙНОЙ 3 1 Не квалифицирован Р-ПДСО-Ф3 38А КРЕМНИЙ ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ ОСУШАТЬ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 30 В 30 В 2,1 Вт Та 38 Вт Тс 70А 0,036Ом P-канал 2200пФ при 15В 17 мОм при 20 А, 10 В 3,5 В @ 250 мкА 38А Тц 38 НК при 10 В 5В 10В ±25 В
IPB052N04NGATMA1 IPB052N04NGATMA1 Инфинеон Технологии
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать Оптимос™ Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°С~175°С, ТДж Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует RoHS 2011 г. https://pdf.utmel.com/r/datasheets/infineontechnologies-ipb052n04ngatma1-datasheets-9027.pdf ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ 2 да EAR99 ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ е3 МАТОВАЯ ТУНКА ОДИНОКИЙ КРЫЛО ЧАЙКИ 260 4 40 79 Вт 1 Полевой транзистор общего назначения Не квалифицирован Р-ПССО-Г2 70А 20 В КРЕМНИЙ ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ ОСУШАТЬ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 40В 40В 79 Вт Тс 400А 0,0052Ом 35 мДж N-канал 3300пФ при 20 В 5,2 мОм при 70 А, 10 В 4 В при 33 мкА 70А Ц 42 НК при 10 В 10 В ±20 В
IPB072N15N3GE8187ATMA1 ИПБ072Н15Н3ГЕ8187АТМА1 Инфинеон Технологии
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать Оптимос™ Поверхностный монтаж -55°С~175°С, ТДж Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) МОП-транзистор (оксид металла) 2011 г. https://pdf.utmel.com/r/datasheets/infineontechnologies-ipb072n15n3ge8187atma1-datasheets-9044.pdf ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ 150 В 300 Вт Тс N-канал 5470пФ при 75В 7,2 мОм при 100 А, 10 В 4 В @ 270 мкА 100А Ц 93 НК при 10 В 8В 10В ±20 В
IPB080N03LGATMA1 ИПБ080Н03ЛГАТМА1 Инфинеон Технологии
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать Оптимос™ Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°С~175°С, ТДж Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 2008 год /files/infineontechnologies-ipp080n03lg-datasheets-7674.pdf ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ Содержит свинец 2 3 нет EAR99 ЛАВИННЫЙ НОМИНАЛЬНЫЙ, СОВМЕСТИМЫЙ С ЛОГИЧЕСКИМ УРОВНЕМ е3 Олово (Вс) Без галогенов ОДИНОКИЙ КРЫЛО ЧАЙКИ НЕ УКАЗАН 4 НЕ УКАЗАН 47 Вт 1 Не квалифицирован Р-ПССО-Г2 4,6 нс 3,6 нс 2,8 нс 18 нс 50А 20 В 30 В КРЕМНИЙ ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ ОСУШАТЬ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 47 Вт Тс 48А 50 мДж N-канал 1900пФ при 15В 8 мОм при 30 А, 10 В 2,2 В @ 250 мкА 50А Ц 18 НК @ 10 В 4,5 В 10 В ±20 В
AOD446 АОД446 Альфа и Омега Semiconductor Inc. 0,09 доллара США
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°С~175°С, ТДж Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) МОП-транзистор (оксид металла) Соответствует RoHS 2008 год ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 3 2,1 Вт 1 10А 25В 75В 2,1 Вт Та 20 Вт Тс N-канал 350пФ при 30В 130 мОм при 5 А, 20 В 3 В @ 250 мкА 10А Ц 6,5 НК при 10 В 4,5 В 20 В ±25 В
IPB065N15N3GE8187ATMA1 ИПБ065Н15Н3ГЕ8187АТМА1 Инфинеон Технологии
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать Оптимос™ Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°С~175°С, ТДж Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) 175°С -55°С МОП-транзистор (оксид металла) Соответствует RoHS 2011 г. https://pdf.utmel.com/r/datasheets/infineontechnologies-ipb065n15n3gatma1-datasheets-1086.pdf ТО-263-7, Д2Пак (6 отведений + вкладка), ТО-263СВ ПГ-ТО263-7 7,3 нФ 130А 150 В 300 Вт Тс N-канал 7300пФ при 75В 6,5 мОм при 100 А, 10 В 4 В @ 270 мкА 130А Ц 93 НК при 10 В 6,5 мОм 8В 10В ±20 В
IPB023N06N3GATMA1 ИПБ023Н06Н3ГАТМА1 Инфинеон Технологии
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать Оптимос™ Поверхностный монтаж -55°С~175°С, ТДж Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ 2011 г. https://pdf.utmel.com/r/datasheets/infineontechnologies-ipb023n06n3gatma1-datasheets-8937.pdf ТО-263-7, Д2Пак (6 отведений + вкладка) 6 да EAR99 е3 МАТОВАЯ ТУНКА ДА ОДИНОКИЙ КРЫЛО ЧАЙКИ 260 7 40 1 Не квалифицирован Р-ПССО-Г6 КРЕМНИЙ ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ ОСУШАТЬ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 60В 60В 214 Вт Тс 140А 560А 0,0023Ом 330 мДж N-канал 16000пФ при 30В 2,3 мОм при 100 А, 10 В 4 В при 141 мкА 140А Ц 198 НК при 10 В 10 В ±20 В
BSP320SL6433HTMA1 BSP320SL6433HTMA1 Инфинеон Технологии
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать СИПМОС® Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°C~150°C, ТиДжей Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует RoHS 2008 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/infineontechnologies-bsp320sl6433htma1-datasheets-8904.pdf ТО-261-4, ТО-261АА 4 4 ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ Нет ДВОЙНОЙ КРЫЛО ЧАЙКИ 1,8 Вт 1 11 нс 25нс 35 нс 25 нс 2,9 А 20 В КРЕМНИЙ ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ ОСУШАТЬ 60В 60В 1,8 Вт Та 60 мДж N-канал 340пФ при 25В 120 мОм при 2,9 А, 10 В 4 В @ 20 мкА 2,9А Та 12 НК при 10 В 10 В ±20 В
IPB023N04NGATMA1 ИПБ023Н04НГАТМА1 Инфинеон Технологии
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать Оптимос™ Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°С~175°С, ТДж Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует RoHS 2011 г. https://pdf.utmel.com/r/datasheets/infineontechnologies-ipb023n04ngatma1-datasheets-8976.pdf ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ 2 3 да EAR99 неизвестный е3 МАТОВАЯ ТУНКА ОДИНОКИЙ КРЫЛО ЧАЙКИ 260 4 40 1 Не квалифицирован Р-ПССО-Г2 90А КРЕМНИЙ ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ ОСУШАТЬ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 40В 40В 167 Вт Тс 400А 150 мДж N-канал 10000пФ при 20В 2,3 мОм при 90 А, 10 В 4 В при 95 мкА 90А Ц 120 НК при 10 В 10 В ±20 В
BSP125L6433HTMA1 BSP125L6433HTMA1 Инфинеон Технологии
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать СИПМОС® Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°C~150°C, ТиДжей Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует RoHS 2003 г. /files/infineontechnologies-bsp125e6433-datasheets-7071.pdf ТО-261-4, ТО-261АА 4 4 СОВМЕСТИМЫЙ ЛОГИЧЕСКИЙ УРОВЕНЬ Нет ДВОЙНОЙ КРЫЛО ЧАЙКИ 1,8 Вт 1 7,7 нс 14,4 нс 110 нс 20 нс 120 мА 20 В КРЕМНИЙ ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ ОСУШАТЬ 600В 600В 1,8 Вт Та N-канал 150пФ при 25В 45 Ом при 120 мА, 10 В 2,3 В @ 94 мкА 120 мА Та 6,6 нк при 10 В 4,5 В 10 В ±20 В
FDP5500 ФДП5500 ОН Полупроводник
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие Сквозное отверстие -55°С~175°С, ТДж Трубка 1 (без блокировки) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует RoHS 2009 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-fdp5500f085-datasheets-0177.pdf ТО-220-3 3 EAR99 8541.29.00.95 е3 Олово (Вс) ОДИНОКИЙ НЕ УКАЗАН НЕ УКАЗАН 1 Полевой транзистор общего назначения Не квалифицирован Р-ПСФМ-Т3 80А КРЕМНИЙ ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ ОСУШАТЬ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 55В 55В 375 Вт Тс ТО-220АБ 0,007Ом 860 мДж N-канал 3565пФ при 25В 7 м Ом при 80 А, 10 В 4 В при 250 мкА 80А Ц 269 ​​нК при 20 В 10 В ±20 В
IPB039N04LGATMA1 ИПБ039Н04ЛГАТМА1 Инфинеон Технологии
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать Оптимос™ Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°С~175°С, ТДж Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует RoHS 2011 г. https://pdf.utmel.com/r/datasheets/infineontechnologies-ipb039n04lgatma1-datasheets-8997.pdf ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ 2 3 да EAR99 СОВМЕСТИМЫЙ ЛОГИЧЕСКИЙ УРОВЕНЬ е3 МАТОВАЯ ТУНКА ОДИНОКИЙ КРЫЛО ЧАЙКИ 260 4 40 1 Полевой транзистор общего назначения Не квалифицирован Р-ПССО-Г2 80А КРЕМНИЙ ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ ОСУШАТЬ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 40В 40В 94 Вт Тс 400А 0,0052Ом 60 мДж N-канал 6100пФ при 25В 3,9 мОм при 80 А, 10 В 2 В @ 45 мкА 80А Ц 78 НК при 10 В 4,5 В 10 В ±20 В
BSF077N06NT3GXUMA1 BSF077N06NT3GXUMA1 Инфинеон Технологии
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать Оптимос™ Поверхностный монтаж -40°С~150°С ТДж Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ 2011 г. https://pdf.utmel.com/r/datasheets/infineontechnologies-bsf077n06nt3gxuma1-datasheets-8850.pdf 3-WDSON 3 EAR99 совместимый ДА НИЖНИЙ НЕТ ЛИДЕСА 3 1 Не квалифицирован Р-МБЦК-Н3 КРЕМНИЙ ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ ОСУШАТЬ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 60В 60В 2,2 Вт Та 38 Вт Тс 13А 224А 0,0077Ом 150 мДж N-канал 3700пФ при 30 В 7,7 мОм при 30 А, 10 В 4 В при 33 мкА 13А Та 56А Ц 46 НК при 10 В 10 В ±20 В
AOTF12N60FD АОТФ12Н60ФД Альфа и Омега Semiconductor Inc. 0,28 доллара США
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие Сквозное отверстие -55°C~150°C, ТиДжей Трубка 1 (без блокировки) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует RoHS 2008 год ТО-220-3 Полный пакет 16 недель Полномочия общего назначения FET 12А Одинокий 600В 50 Вт Тс N-канал 2010пФ при 25В 650 мОм при 6 А, 10 В 4 В при 250 мкА 12А Ц 50 НК при 10 В 10 В ±30 В
AOTF2N60 АОТФ2Н60 Альфа и Омега Semiconductor Inc. $20,56
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие Сквозное отверстие -55°C~150°C, ТиДжей Трубка 1 (без блокировки) МОП-транзистор (оксид металла) Соответствует RoHS 2009 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alphaomegasemiconductorinc-aotf7t60pl-datasheets-2991.pdf ТО-220-3 Полный пакет ТО-220-3Ф 325пФ 2А 600В 31 Вт Тс N-канал 325пФ при 25В 4,4 Ом при 1 А, 10 В 4,5 В при 250 мкА 2А Тк 11,4 нк при 10 В 4,4 Ом 10 В ±30 В
BSO080P03NS3EGXUMA1 BSO080P03NS3EGXUMA1 Инфинеон Технологии
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать Оптимос™ Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°C~150°C, ТиДжей Лента и катушка (TR) 3 (168 часов) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 2011 г. /files/infineontechnologies-bso080p03ns3egxuma1-datasheets-8880.pdf 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) Без свинца 8 8 да EAR99 е3 Олово (Вс) Без галогенов ДВОЙНОЙ КРЫЛО ЧАЙКИ НЕ УКАЗАН 8 НЕ УКАЗАН 1 Не квалифицирован 16 нс 47нс 19 нс 64 нс 12А 25В -30В КРЕМНИЙ ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 30 В 1,6 Вт Та 149 мДж P-канал 6750пФ при 15 В 8 мОм при 14,8 А, 10 В 3,1 В при 150 мкА 12А Та 81 НК при 10 В 6В 10В ±25 В
BSP296L6433HTMA1 BSP296L6433HTMA1 Инфинеон Технологии
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать СИПМОС® Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°C~150°C, ТиДжей Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) МОП-транзистор (оксид металла) Соответствует RoHS 2002 г. https://pdf.utmel.com/r/datasheets/infineontechnologies-bsp296e6327-datasheets-5056.pdf ТО-261-4, ТО-261АА 4 EAR99 Нет 4 1,79 Вт 1 5,2 нс 7,9 нс 21,4 нс 37,4 нс 1,1А 20 В 100 В 1,79 Вт Та N-канал 364пФ при 25В 700 мОм при 1,1 А, 10 В 1,8 В при 400 мкА 1,1А Та 17,2 НК при 10 В 4,5 В 10 В ±20 В
IPB022N04LGATMA1 ИПБ022Н04ЛГАТМА1 Инфинеон Технологии
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать Оптимос™ Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°С~175°С, ТДж Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует RoHS 2011 г. https://pdf.utmel.com/r/datasheets/infineontechnologies-ipb022n04lgatma1-datasheets-8896.pdf ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ 2 да EAR99 СОВМЕСТИМЫЙ ЛОГИЧЕСКИЙ УРОВЕНЬ ОДИНОКИЙ КРЫЛО ЧАЙКИ НЕ УКАЗАН 4 НЕ УКАЗАН 167 Вт 1 Полевой транзистор общего назначения Не квалифицирован Р-ПССО-Г2 90А 20 В КРЕМНИЙ ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ ОСУШАТЬ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 40В 40В 167 Вт Тс 400А 0,0029Ом N-канал 13000пФ при 20В 2,2 мОм при 90 А, 10 В 2 В при 95 мкА 90А Ц 166 НК при 10 В 4,5 В 10 В ±20 В
FDB8160 ФДБ8160 ОН Полупроводник
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать PowerTrench® Поверхностный монтаж -55°С~175°С, ТДж Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует RoHS ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ 2 EAR99 совместимый 8541.29.00.95 е3 Олово (Вс) ДА ОДИНОКИЙ КРЫЛО ЧАЙКИ НЕ УКАЗАН НЕ УКАЗАН 1 Полевой транзистор общего назначения Не квалифицирован Р-ПССО-Г2 КРЕМНИЙ ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ ОСУШАТЬ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 30 В 30 В 254 Вт Тс 80А 0,0018Ом 1290 мДж N-канал 11825пФ при 15В 1,8 мОм при 80 А, 10 В 4 В при 250 мкА 80А Ц 243 НК при 10 В 10 В ±20 В
BSS123L6433HTMA1 BSS123L6433HTMA1 Инфинеон Технологии
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать СИПМОС® Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°C~150°C, ТиДжей Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует RoHS 1999 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/infineontechnologies-bss123e6327-datasheets-5104.pdf ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 3 3 СОВМЕСТИМЫЙ ЛОГИЧЕСКИЙ УРОВЕНЬ ДВОЙНОЙ КРЫЛО ЧАЙКИ 360мВт 1 170 мА 20 В КРЕМНИЙ ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ 100 В 360мВт Та 6Ом N-канал 69пФ при 25В 6 Ом при 170 мА, 10 В 1,8 В @ 50 мкА 170 мА Та 2,67 НК при 10 В 4,5 В 10 В ±20 В
AOT12N65 АОТ12Н65 Альфа и Омега Semiconductor Inc. $8,15
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие Сквозное отверстие -55°C~150°C, ТиДжей Трубка 1 (без блокировки) МОП-транзистор (оксид металла) Соответствует RoHS 2009 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alphaomegasemiconductorinc-aot430-datasheets-0079.pdf ТО-220-3 16 недель НЕ УКАЗАН НЕ УКАЗАН 12А 650В 278 Вт Тс N-канал 2150пФ при 25В 720 мОм при 6 А, 10 В 4,5 В при 250 мкА 12А Ц 48 НК при 10 В 10 В ±30 В
AOT210L АОТ210Л Альфа и Омега Semiconductor Inc.
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие Сквозное отверстие -55°С~175°С, ТДж Трубка 1 (без блокировки) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует RoHS 2010 год ТО-220-3 176 Вт 1 Полевой транзистор общего назначения 105А 20 В Одинокий 30 В 1,9 Вт Ta 176 Вт Tc N-канал 4300пФ при 15В 2,9 мОм при 20 А, 10 В 2,2 В @ 250 мкА 20А Та 105А Ц 58 НК при 10 В 4,5 В 10 В ±20 В
FDP083N15A ФДП083Н15А ОН Полупроводник
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать PowerTrench® Сквозное отверстие -55°С~175°С, ТДж Трубка 1 (без блокировки) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-fdp083n15af102-datasheets-5278.pdf ТО-220-3 да неизвестный НЕТ Полевой транзистор общего назначения Одинокий 150 В 294 Вт Тс 105А N-канал 6040пФ при 25В 8,3 мОм при 75 А, 10 В 4 В при 250 мкА 83А Тк 84 НК при 10 В 10 В ±20 В
BSC889N03LSGATMA1 BSC889N03LSGATMA1 Инфинеон Технологии
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать Оптимос™ Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°C~150°C, ТиДжей Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует RoHS 2011 г. https://pdf.utmel.com/r/datasheets/infineontechnologies-bsc889n03lsgatma1-datasheets-8713.pdf 8-PowerTDFN 5 8 EAR99 ЛАВИННЫЙ НОМИНАЛЬНЫЙ, СОВМЕСТИМЫЙ С ЛОГИЧЕСКИМ УРОВНЕМ Нет ДВОЙНОЙ ПЛОСКИЙ 2,5 Вт 1 Р-ПДСО-Ф5 2,8 нс 2,2 нс 2,4 нс 13 нс 13А 20 В КРЕМНИЙ ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ ОСУШАТЬ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 30 В 30 В 2,5 Вт Та 28 Вт Тс 0,009 Ом N-канал 1300пФ при 15В 9 мОм при 30 А, 10 В 2,2 В @ 250 мкА 13А Та 45А Ц 16 НК при 10 В 4,5 В 10 В ±20 В
BSO303SPHXUMA1 БСО303SPHXUMA1 Инфинеон Технологии
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать Оптимос™ Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°C~150°C, ТиДжей Лента и катушка (TR) 3 (168 часов) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 2011 г. /files/infineontechnologies-bso303sphxuma1-datasheets-8821.pdf 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) Без свинца 8 17 недель 8 да EAR99 СОВМЕСТИМЫЙ ЛОГИЧЕСКИЙ УРОВЕНЬ Олово Без галогенов ДВОЙНОЙ КРЫЛО ЧАЙКИ НЕ УКАЗАН 8 НЕ УКАЗАН 1,56 Вт 1 Не квалифицирован 11нс 7,2А 20 В -30В КРЕМНИЙ ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ 30 В 1,56 Вт Та 36А 97 мДж P-канал 2330пФ при 25В 21 мОм при 9,1 А, 10 В 2 В при 100 мкА 7.2А Та 54 НК при 10 В 4,5 В 10 В ±20 В
BSO613SPVGHUMA1 БСО613СПВГУМА1 Инфинеон Технологии
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать СИПМОС® Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°C~150°C, ТиДжей Лента и катушка (TR) 3 (168 часов) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует RoHS 1999 год /files/infineontechnologies-bso613spv-datasheets-7075.pdf -60В -3,44А 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) 1,75 мм Без свинца 8 26 недель Нет СВХК 8 да EAR99 ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ Олово ПГ-СО 8 е3 Не содержит галогенов ДВОЙНОЙ КРЫЛО ЧАЙКИ НЕ УКАЗАН 8 1 НЕ УКАЗАН 2,5 Вт 1 Не квалифицирован 10 нс 11нс 32 нс -3,44А 20 В -60В КРЕМНИЙ ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ 60В -3В 2,5 Вт Та -60В P-канал 875пФ при 25 В 130 мОм при 3,44 А, 10 В 4 В @ 1 мА 3,44А Та 30 НК при 10 В 10 В ±20 В
Нажмите Enter для поиска или ESC для закрытия.

В наличии

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Список запросов цен (0 позиций)