Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактОдиночные МОП-транзисторы(33658)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Режим работы | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Количество контактов | Код Pbfree | ECCN-код | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Положение терминала | Пиковая температура оплавления (Цел) | Количество контактов | Количество вариантов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Входная емкость | Включить время задержки | Время подъема | Осень (тип.) | Время задержки отключения | Непрерывный ток стока (ID) | Напряжение от затвора до источника (Vgs) | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Напряжение стока к источнику (Vdss) | DS Напряжение проба-мин. | Пороговое напряжение | Рассеиваемая мощность-Макс. | Максимальный сток (Abs) (ID) | Максимальный импульсный ток стока (IDM) | Источник стока при максимальном сопротивлении | Напряжение проба стока к источнику | Тип полярного транзистора | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | Rds включено (макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс) @ Id | Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Особенность левого транзистора | РДС на Максе | Напряжение привода (макс. значение включено, минимальное значение включено) | ВГС (Макс) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| AOD496A | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | 0,08 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2006 г. | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 57А | 30 В | 2,3 Вт Та 50 Вт Тс | N-канал | 770пФ при 15 В | 9 мОм при 20 А, 10 В | 2,2 В @ 250 мкА | 11А Та 57А Ц | 18 НК @ 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОН7422Е | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | 0,12 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2009 год | 8-PowerVDFN | Полевой транзистор общего назначения | 20А | Одинокий | 30 В | 3,1 Вт Та 36 Вт Тс | 40А | N-канал | 2940пФ при 15В | 4,3 мОм при 20 А, 10 В | 2,4 В при 250 мкА | 20А Та 40А Ц | 50 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОИ482 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | $12,47 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~175°С, ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2011 г. | ТО-251-3 Заглушки, ИПак | 32А | 100 В | 2,5 Вт Та 100 Вт Тс | N-канал | 2000пФ при 50В | 37 мОм при 10 А, 10 В | 2,7 В при 250 мкА | 5А Та 32А Ц | 44 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОИ472А | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~175°С, ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2011 г. | ТО-251-3 Заглушки, ИПак | 3 | EAR99 | ОДИНОКИЙ | 3 | 1 | Не квалифицирован | Р-ПСИП-Т3 | 46А | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 25 В | 25 В | 2,5 Вт Та 50 Вт Тс | 50А | 100А | 0,0052Ом | N-канал | 1333пФ при 15 В | 5 м Ом при 20 А, 10 В | 2,4 В при 250 мкА | 18А Та 46А Ц | 33 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОД492 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | 0,07 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | СРФЕТ™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2008 год | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 2,5 Вт | 1 | 85А | 20 В | 30 В | 2,5 Вт Та 100 Вт Тс | N-канал | 4512пФ при 15 В | 4,4 мОм при 20 А, 10 В | 2,2 В @ 250 мкА | 85А Ц | 74 НК при 10 В | Диод Шоттки (корпус) | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОД456 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | 0,07 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2008 год | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 50А | 25 В | 3 Вт Та 50 Вт Тс | N-канал | 2220пФ при 12,5 В | 6 м Ом при 30 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 50А Ц | 38 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОИ516 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | $11,94 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~175°С, ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2011 г. | ТО-251-3 Заглушки, ИПак | Полевой транзистор общего назначения | 46А | Одинокий | 30 В | 2,5 Вт Та 50 Вт Тс | N-канал | 1229пФ при 15В | 5 м Ом при 20 А, 10 В | 2,2 В @ 250 мкА | 18А Та 46А Ц | 33 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОН7220 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2011 г. | 8-PowerWDFN | Полевой транзистор общего назначения | 37А | Одинокий | 25 В | 6,2 Вт Та 83 Вт Тс | 50А | N-канал | 3554пФ при 12,5 В | 3 м Ом при 20 А, 10 В | 1,8 В @ 250 мкА | 37А Та 50А Ц | 52 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±12 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОЛ1428А | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | 0,16 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alphaomegasemiconductor-aol1428a-datasheets-4033.pdf | 3-PowerSMD, плоские выводы | 49А | 30 В | 2,1 Вт Та 93 Вт Тс | N-канал | 1300пФ при 15В | 8 мОм при 12,4 А, 10 В | 2,6 В при 250 мкА | 12,4А Та 49А Ц | 22 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОИ2610 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | 0,18 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~175°С, ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | 175°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2012 год | ТО-251-3 Заглушки, ИПак | ТО-251А | 2,007 нФ | 46А | 60В | 2,5 Вт Ta 71,5 Вт Tc | N-канал | 2007пФ при 30В | 10,7 мОм при 20 А, 10 В | 2,5 В @ 250 мкА | 10А Та 46А Ц | 30 НК при 10 В | 10,7 мОм | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ГП2М007А080Ф | ПолуQ | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/semiq-gp2m007a080f-datasheets-8105.pdf | ТО-220-3 Полный пакет | ТО-220Ф | 800В | 50 Вт Тс | N-канал | 1410пФ при 25В | 1,9 Ом @ 3,5 А, 10 В | 4 В при 250 мкА | 7А Тк | 38 НК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ГП2М004А065ФГ | ПолуQ | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/semiq-gp2m004a065hg-datasheets-7701.pdf | ТО-220-3 Полный пакет | ТО-220Ф | 650В | 32,8 Вт Тс | N-канал | 642пФ при 25 В | 2,4 Ом при 2 А, 10 В | 5 В @ 250 мкА | 4А Тк | 15 НК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ГП1М005А050ХС | ПолуQ | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/semiq-gp1m005a050fsh-datasheets-7769.pdf | ТО-220-3 | ТО-220 | 500В | 92,5 Вт Тс | N-канал | 602пФ при 25В | 1,85 Ом при 2 А, 10 В | 3,5 В @ 250 мкА | 4А Тк | 11 НК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NDDP010N25AZ-1H | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2010 год | /files/onsemiconductor-nddp010n25azt4h-datasheets-0268.pdf | ТО-251-3 Короткие выводы, ИПак, ТО-251АА | 6,5 мм | 7 мм | 2,3 мм | Без свинца | 3 | 4 недели | 3,949996 г | Нет СВХК | 3 | да | е6 | Олово/Висмут (Sn/Bi) | НЕ УКАЗАН | 1 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 1 | Полевой транзистор общего назначения | 18 нс | 26нс | 31 нс | 44 нс | 10А | 30 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 4,5 В | 1 Вт Та 52 Вт Тс | 0,42 Ом | 250 В | N-канал | 980пФ при 20В | 420 мОм при 5 А, 10 В | 4,5 В @ 1 мА | 10А Та | 16 НК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||
| ГП2М008А060ХГ | ПолуQ | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/semiq-gp2m008a060fgh-datasheets-7819.pdf | ТО-220-3 | ТО-220 | 600В | 120 Вт Тс | N-канал | 1063пФ при 25 В | 1,2 Ом при 3,75 А, 10 В | 5 В @ 250 мкА | 7,5 А Тс | 23 НК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ГП2М020А050Н | ПолуQ | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/semiq-gp2m020a050n-datasheets-8021.pdf | ТО-3П-3, СК-65-3 | ТО-3ПН | 500В | 312 Вт Тс | N-канал | 2880пФ при 25 В | 300 мОм при 10 А, 10 В | 5 В @ 250 мкА | 20А Ц | 44 НК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ГП1М010А080Х | ПолуQ | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/semiq-gp1m010a080fh-datasheets-7814.pdf | ТО-220-3 | ТО-220 | 800В | 290 Вт Тс | N-канал | 2336пФ при 25 В | 1,05 Ом при 4,75 А, 10 В | 4 В при 250 мкА | 9,5 А Тс | 53 НК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ГП2М005А050CG | ПолуQ | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/semiq-gp2m005a050pg-datasheets-7813.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | Д-Пак | 500В | 98,4 Вт Тс | N-канал | 645пФ при 25В | 1,5 Ом при 2,25 А, 10 В | 5 В @ 250 мкА | 4,5 А Тс | 15 НК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОИ2614 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~175°С, ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | 175°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2012 год | ТО-251-3 Заглушки, ИПак | ТО-251А | 1,34 нФ | 35А | 60В | 6,2 Вт Та 60 Вт Тс | N-канал | 1340пФ при 30В | 16 мОм при 20 А, 10 В | 2,5 В @ 250 мкА | 13А Та 35А Ц | 30 НК при 10 В | 16 мОм | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОД4Т60П | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2011 г. | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 16 недель | ТО-252, (Д-Пак) | 522пФ | 4А | 600В | 83 Вт Тс | N-канал | 522пФ при 100 В | 2,1 Ом при 2 А, 10 В | 5 В @ 250 мкА | 4А Тк | 15 НК при 10 В | 2,1 Ом | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ГП2М012А060Ф | ПолуQ | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/semiq-gp2m012a060h-datasheets-7727.pdf | ТО-220-3 Полный пакет | ТО-220Ф | 600В | 53,4 Вт Тс | N-канал | 1890пФ при 25В | 650 мОм при 6 А, 10 В | 5 В @ 250 мкА | 12А Ц | 40 НК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ГП1М006А070ФХ | ПолуQ | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/semiq-gp1m006a070f-datasheets-7589.pdf | ТО-220-3 Полный пакет | ТО-220Ф | 700В | 39 Вт Тс | N-канал | 1500пФ при 25В | 1,65 Ом при 2,5 А, 10 В | 4 В при 250 мкА | 5А Ц | 23 НК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АУ2Н60А | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -50°С~150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | 150°С | -50°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2010 год | ТО-251-3 Короткие выводы, ИПак, ТО-251АА | ТО-251-3 | 295пФ | 2А | 600В | 57 Вт Тс | N-канал | 295пФ при 25В | 4,7 Ом при 1 А, 10 В | 4,5 В при 250 мкА | 2А Тк | 11 НК при 10 В | 4,7 Ом | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОИ2606 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~175°С, ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | 175°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2012 год | ТО-251-3 Заглушки, ИПак | ТО-251А | 4,05 нФ | 46А | 60В | 2,5 Вт Та 150 Вт Тс | N-канал | 4050пФ при 30 В | 6,8 мОм при 20 А, 10 В | 3,5 В @ 250 мкА | 14А Та 46А Ц | 75 НК при 10 В | 6,8 мОм | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОТ20С60ПЛ | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alphaomegasemiconductorinc-aot430-datasheets-0079.pdf | ТО-220-3 | 16 недель | ТО-220 | 3,607 нФ | 20А | 600В | 463 Вт Тс | N-канал | 3607пФ при 100 В | 260 мОм при 10 А, 10 В | 5 В @ 250 мкА | 20А Ц | 80 НК при 10 В | 260 мОм | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОТФ20К60П | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alphaomegasemiconductorinc-aotf7t60pl-datasheets-2991.pdf | ТО-220-3 Полный пакет | 16 недель | ТО-220-3Ф | 3,607 нФ | 20А | 600В | 50 Вт Тс | N-канал | 3607пФ при 100 В | 250 мОм при 10 А, 10 В | 5 В @ 250 мкА | 20А Ц | 80 НК при 10 В | 250 мОм | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОИ528 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~175°С, ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alphaomegasemiconductorinc-aoy514-datasheets-7884.pdf | ТО-251-3 Заглушки, ИПак | 50А | 30 В | 2,5 Вт Та 50 Вт Тс | N-канал | 1400пФ при 15В | 5,4 мОм при 20 А, 10 В | 2,4 В при 250 мкА | 17А Та 50А Ц | 18 НК @ 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ГП2М020А050Х | ПолуQ | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/semiq-gp2m020a050f-datasheets-7720.pdf | ТО-220-3 | ТО-220 | 500В | 290 Вт Тс | N-канал | 2880пФ при 25 В | 300 мОм при 9 А, 10 В | 5 В @ 250 мкА | 18А Тк | 44 НК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОН7474А | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -50°С~150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -50°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2014 год | 8-PowerVDFN | 8-ДФН-ЭП (3х3) | 280пФ | 7,5 А | 75В | 4,1 Вт Ta 15,5 Вт Tc | N-канал | 280пФ при 37,5 В | 130 мОм при 5 А, 10 В | 1,6 В @ 250 мкА | 4А Та 7,5А Ц | 15 НК при 10 В | 130 мОм | 4,5 В 10 В | ±16 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АИ4Т60П | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | 17,61 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -50°С~150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | 150°С | -50°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2012 год | ТО-251-3 Заглушки, ИПак | ТО-251 | 522пФ | 4А | 600В | 83 Вт Тс | N-канал | 522пФ при 100 В | 2,1 Ом при 2 А, 10 В | 5 В @ 250 мкА | 4А Тк | 15 НК при 10 В | 2,1 Ом | 10 В | ±30 В |
