Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактОдиночные МОП-транзисторы(33658)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Прекращение действия | Технология | Режим работы | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Текущий рейтинг | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Сопротивление | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Справочный стандарт | Без галогенов | Поверхностный монтаж | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Количество контактов | Количество вариантов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Максимальный переход температуры (Tj) | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Включить время задержки | Время подъема | Осень (тип.) | Время задержки отключения | Непрерывный ток стока (ID) | Напряжение от затвора до источника (Vgs) | Двойное напряжение питания | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Напряжение стока к источнику (Vdss) | DS Напряжение проба-мин. | Пороговое напряжение | Рассеиваемая мощность-Макс. | Код JEDEC-95 | Время восстановления | Максимальный ток стока (Abs) (ID) | Максимальный импульсный ток стока (IDM) | Источник стока при максимальном сопротивлении | Снижение сопротивления до источника | Рейтинг лавинной энергии (Eas) | Напряжение проба стока к источнику | Тип полярного транзистора | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | Номинальный объем | Rds включено (макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс) @ Id | Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | Заряд ворот (Qg) (Макс.) @ Vgs | Напряжение привода (макс. значение включено, минимальное значение включено) | ВГС (Макс) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| ЗВП2106АСТЗ | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж, сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 1997 год | /files/diodesincorporated-zvp2106a-datasheets-8878.pdf&product=diodesincorporated-zvp2106astz-10057172 | -60В | -280 мА | Е-Линия-3 | 4,77 мм | 4,01 мм | 2,41 мм | Без свинца | 3 | 17 недель | 453,59237мг | Нет СВХК | 5Ом | 3 | да | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | ПРОВОЛОКА | 260 | 3 | 1 | Одинокий | 40 | 700мВт | 1 | Другие транзисторы | 7 нс | 15 нс | 15 нс | 12 нс | 280 мА | 20 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 60В | 700мВт Та | 0,28 А | -60В | P-канал | 100пФ при 18В | 5 Ом при 500 мА, 10 В | 3,5 В при 1 мА | 280 мА Та | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||
| IRFP250NPBF | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ШЕСТИГРАННЫЙ ПЕТР® | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Сквозное отверстие | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | /files/infineontechnologies-irfp250npbf-datasheets-8330.pdf | 200В | 30А | ТО-247-3 | 15 875 мм | 20,2946 мм | 5,3 мм | Содержит свинца, не содержит свинца | 3 | 12 недель | Нет СВХК | 75мОм | 3 | EAR99 | ЛАВИННЫЙ НОМИНАЛ, ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ, СВЕРХНИЗКАЯ СОПРОТИВЛЕНИЕ | Нет | е3 | Matte Tin (Sn) – с никелевым (Ni) барьером | 250 | Одинокий | 30 | 214 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | 14 нс | 43нс | 33 нс | 41 нс | 30А | 20 В | 200В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 214 Вт Тс | ТО-247АС | 279 нс | 200В | N-канал | 2159пФ при 25В | 4 В | 75 мОм при 18 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 30А Ц | 123 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||
| IRFR3709ZTRPBF | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ШЕСТИГРАННЫЙ ПЕТР® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | /files/infineontechnologies-irfr3709ztrrpbf-datasheets-4051.pdf | 30В | 86А | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 6,7056 мм | 2,26 мм | 6,22 мм | Содержит свинца, не содержит свинца | 2 | 12 недель | Нет СВХК | 6,5 МОм | 3 | EAR99 | Олово | Нет | е3 | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | Одинокий | 30 | 79 Вт | 1 | Р-ПССО-Г2 | 12 нс | 12нс | 3,9 нс | 15 нс | 86А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 1,8 В | 79 Вт Тс | ТО-252АА | 44 нс | 30В | N-канал | 2330пФ при 15 В | 1,8 В | 6,5 мОм при 15 А, 10 В | 2,25 В @ 250 мкА | 86А Ц | 26 НК при 4,5 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||
| ATP106-TL-H | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/onsemiconductor-atp106tlh-datasheets-8387.pdf | АТПАК (2 отверстия+вкладка) | 6,5 мм | 1,5 мм | 7,3 мм | Без свинца | 13 недель | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) | да | EAR99 | Нет | е6 | Олово/Висмут (Sn/Bi) | Без галогенов | ДА | 3 | Одинокий | 40 Вт | 1 | Другие транзисторы | 12 нс | 120 нс | 90 нс | 110 нс | 30А | 20 В | 40 Вт Тс | 40В | P-канал | 1380пФ при 20В | 25 мОм при 15 А, 10 В | 30А Та | 29 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АО4447А | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 | 16 недель | 8 | да | EAR99 | Нет | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 8 | 3,1 Вт | 1 | 17А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ И РЕЗИСТОРОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30В | 30В | 3,1 Вт Та | 0,007Ом | P-канал | 5500пФ при 15В | 7 мОм при 17 А, 10 В | 1,6 В при 250 мкА | 17А Та | 105 НК при 10 В | 4В 10В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI4436DY-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/vishaysiliconix-si4436dyt1ge3-datasheets-6502.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 5 мм | 1,5 мм | 4 мм | Без свинца | 8 | 14 недель | 186,993455мг | Неизвестный | 36мОм | 8 | да | EAR99 | е3 | Матовый олово (Sn) | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | 260 | 8 | 1 | Одинокий | 40 | 2,5 Вт | 1 | Полномочия общего назначения FET | Не квалифицированный | 10 нс | 15 нс | 10 нс | 25 нс | 8А | 20 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 60В | 60В | 1,5 В | 2,5 Вт Та 5 Вт Тс | 8А | 25А | N-канал | 1100пФ при 30В | 36 мОм при 4,6 А, 10 В | 2,5 В @ 250 мкА | 8А Тк | 32 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||
| IRLR3105TRPBF | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ШЕСТИГРАННЫЙ ПЕТР® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/infineontechnologies-irlr3105pbf-datasheets-9958.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 6,7056 мм | 2,3876 мм | 6,22 мм | Без свинца | 2 | 12 недель | 3 | EAR99 | ЛАВИННЫЙ НОМИНАЛ, ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ, СОВМЕСТИМОСТЬ С ЛОГИЧЕСКИМ УРОВНЕМ, СВЕРХНИЗКОЕ СОПРОТИВЛЕНИЕ | Нет | е3 | Matte Tin (Sn) – с никелевым (Ni) барьером | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | Одинокий | 30 | 57 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Р-ПССО-Г2 | 8 нс | 57нс | 37 нс | 25 нс | 25А | 16В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 57 Вт Тс | ТО-252АА | 100А | 61 мДж | 55В | N-канал | 710пФ при 25 В | 37 мОм при 15 А, 10 В | 3 В при 250 мкА | 25А Ц | 20 НК при 5 В | 5В 10В | ±16 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| SQ7415AEN-T1_GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-sq7415aent1ge3-datasheets-8196.pdf | PowerPAK® 1212-8 | 12 недель | PowerPAK® 1212-8 | 60В | 53 Вт Тс | 65мОм | P-канал | 1385пФ при 25В | 65 мОм при 5,7 А, 10 В | 2,5 В @ 250 мкА | 16А Ц | 38 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БУК9М12-60ЕХ | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, TrenchMOS™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/nexperiausainc-buk9m1260ex-datasheets-8182.pdf | СОТ-1210, 8-ЛФПАК33 | 4 | 26 недель | АЭК-Q101; МЭК-60134 | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 8 | 1 | Р-ПССО-Г4 | 54А | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 60В | 60В | 79 Вт Тс | 216А | 0,012 Ом | 50,5 мДж | N-канал | 2769пФ при 25 В | 11 мОм при 15 А, 10 В | 2,1 В при 1 мА | 54А Тк | 5В | ±10 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| RFD14N05LSM9A | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | /files/onsemiconductor-rfd14n05l-datasheets-8817.pdf | 50В | 14А | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 6,73 мм | 2,39 мм | 6,22 мм | Без свинца | 2 | 8 недель | 260,37 мг | Нет СВХК | 100мОм | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 1 день назад) | да | EAR99 | Олово | Нет | е3 | КРЫЛО ЧАЙКИ | Одинокий | 48 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Р-ПССО-Г2 | 13 нс | 24 нс | 16 нс | 42 нс | 14 мА | 10 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 2В | 48 Вт Тс | ТО-252АА | 50В | N-канал | 670пФ при 25В | 2 В | 100 мОм при 14 А, 5 В | 2 В @ 250 мкА | 14А Ц | 40 НК при 10 В | 5В | ±10 В | |||||||||||||||||||||||||||||
| АОН7296 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2011 год | /files/alphaomegasemiconductor-aon7296-datasheets-9167.pdf | 8-PowerVDFN | 5 | 18 недель | 8 | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | С-ПДСО-Ф5 | 12,5 А | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 100В | 100В | 3,1 Вт Ta 20,8 Вт Tc | 25А | 0,066Ом | N-канал | 415пФ при 50В | 66 мОм при 5 А, 10 В | 2,8 В @ 250 мкА | 5А Та 12,5А Ц | 12 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI2392ADS-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/vishaysiliconix-si2392adst1ge3-datasheets-7821.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 1,12 мм | Без свинца | 3 | 14 недель | Нет СВХК | 3 | EAR99 | е3 | Матовый олово (Sn) | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 1 | 30 | 1,25 Вт | 1 | 150°С | 8 нс | 10 нс | 2,2А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 3В | 1,25 Вт Ta 2,5 Вт Tc | 100В | N-канал | 196пФ при 50В | 126 мОм при 2 А, 10 В | 3 В при 250 мкА | 3,1 А Тс | 10,4 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI5424DC-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2017 год | /files/vishaysiliconix-si5424dct1e3-datasheets-5453.pdf | 8-СМД, плоский вывод | 8 | 14 недель | 84,99187мг | Неизвестный | 8 | да | EAR99 | Нет | е3 | Чистая матовая банка | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | 8 | 1 | Одинокий | 30 | 1 | Полномочия общего назначения FET | 6А | 25 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 2,3 В | 2,5 Вт Ta 6,25 Вт Tc | 6А | 40А | 0,024 Ом | 30В | N-канал | 950пФ при 15 В | 24 мОм при 4,8 А, 10 В | 2,3 В @ 250 мкА | 6А Тк | 32 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±25 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI7111EDN-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | 3,90 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | TrenchFET® Gen III | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-si7111ednt1ge3-datasheets-8071.pdf | PowerPAK® 1212-8 | 14 недель | Нет СВХК | 8 | EAR99 | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | -60А | 30В | -1,6 В | 52 Вт Тс | P-канал | 5860пФ при 15 В | 8,55 мОм при 15 А, 4,5 В | 1,6 В при 250 мкА | 60А Ц | 46 НК при 2,5 В | 2,5 В 4,5 В | ±12 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NTD20P06LT4G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | /files/onsemiconductor-ntd20p06l001-datasheets-9265.pdf&product=onsemiconductor-ntd20p06lt4g-10057132 | -60В | -15А | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 6,73 мм | 2,38 мм | 6,22 мм | Без свинца | 2 | 8 недель | Нет СВХК | 130мОм | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 1 день назад) | да | EAR99 | Олово | Нет | е3 | ДА | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3 | Одинокий | 40 | 65 Вт | 1 | Другие транзисторы | Р-ПССО-Г2 | 11 нс | 90 нс | 70 нс | 28 нс | 15,5 А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 60В | -1,5 В | 65 Вт Тс | 50А | -60В | P-канал | 1190пФ при 25В | -1,5 В | 150 мОм при 7,5 А, 5 В | 2 В @ 250 мкА | 15,5 А Та | 26 НК при 5 В | 5В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||
| АОД424 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2011 год | /files/alphaomegasemiconductor-aod424-datasheets-9185.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 18 недель | Полевой транзистор общего назначения | 45А | Одинокий | 20 В | 2,5 Вт Та 100 Вт Тс | N-канал | 4630пФ при 10 В | 4,4 мОм при 20 А, 4,5 В | 1,6 В при 250 мкА | 18А Та 45А Ц | 43 НК при 10 В | 2,5 В 4,5 В | ±12 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДМП45Х150ДНЕ-13 | Диодс Инкорпорейтед | 0,43 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/diodesincorporated-dmp45h150dhe13-datasheets-7850.pdf | ТО-261-4, ТО-261АА | 23 недели | EAR99 | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 450В | 13,9 Вт Тс | P-канал | 59,2 пФ при 25 В | 150 Ом при 50 мА, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 250 мА Тс | 1,8 НК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДМП3007СФГ-7 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/diodesincorporated-dmp3007sfg13-datasheets-3681.pdf | 8-PowerVDFN | 18 недель | EAR99 | не_совместимо | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 30В | 2,8 Вт Та | P-канал | 2826пФ при 15 В | 6 мОм при 11,5 А, 10 В | 3 В при 250 мкА | 70А Ц | 64,2 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±25 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НВТФС5К670НЛТАГ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | /files/onsemiconductor-nvtfs5c670nlwftag-datasheets-0513.pdf | 8-PowerWDFN | 18 недель | АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) | да | не_совместимо | е3 | Олово (Вс) | 60В | 3,2 Вт Та 63 Вт Тс | N-канал | 1400пФ при 25В | 6,8 мОм при 35 А, 10 В | 2 В @ 250 мкА | 16А Та 70А Ц | 20 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФДД10Н20ЛЗТМ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | УниФЕТ™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | /files/onsemiconductor-fdd10n20lztm-datasheets-8092.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 6,73 мм | 2,39 мм | 6,22 мм | 2 | 11 недель | 260,37 мг | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 6 дней назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | КРЫЛО ЧАЙКИ | Одинокий | 56 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Р-ПССО-Г2 | 10 нс | 15 нс | 25 нс | 55 нс | 7,6А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 83 Вт Тс | ТО-252АА | 200В | N-канал | 585пФ при 25В | 360 мОм при 3,8 А, 10 В | 2,5 В @ 250 мкА | 7,6 А Тс | 16 НК при 10 В | 5В 10В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АО4354 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Диги-Рил® | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2011 год | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | Без свинца | 16 недель | 8 | 3,1 Вт | 1 | 23А | 20 В | 30В | 3,1 Вт Та | N-канал | 2010пФ при 15В | 3,7 мОм при 20 А, 10 В | 2,2 В @ 250 мкА | 23А Та | 49 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRF8736TRPBF | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ШЕСТИГРАННЫЙ ПЕТР® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2007 год | /files/infineontechnologies-irf8736pbf-datasheets-7216.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,9784 мм | 1,4986 мм | 3,9878 мм | Без свинца | 8 | 12 недель | Нет СВХК | 4,8 МОм | 8 | EAR99 | Олово | Нет | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | Одинокий | 2,5 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | 12 нс | 15 нс | 7,5 нс | 13 нс | 18А | 20 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 1,8 В | 2,5 Вт Та | 30В | N-канал | 2315пФ при 15 В | 1,8 В | 4,8 мОм при 18 А, 10 В | 2,35 В @ 50 мкА | 18А Та | 26 НК при 4,5 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NVD5C684NLT4G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | /files/onsemiconductor-nvd5c684nlt4g-datasheets-8204.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 2 | 8 недель | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | не_совместимо | е3 | Олово (Вс) | ДА | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 1 | Р-ПССО-Г2 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | 60В | 60В | 27 Вт Тс | 130А | 0,0245Ом | N-канал | 700пФ при 25В | 16,5 мОм при 15 А, 10 В | 2,1 В @ 250 мкА | 38А Тк | 4,6 нк при 4,5 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДМН100-7-Ф | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | СМД/СМТ | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2011 год | /files/diodesincorporated-dmn1007f-datasheets-7878.pdf | 30В | 1,1А | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 3,1 мм | 1,3 мм | 1,7 мм | Без свинца | 3 | 19 недель | 7,994566мг | Нет СВХК | 240МОм | 3 | да | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3 | 1 | Одинокий | 40 | 500мВт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | 10 нс | 15 нс | 15 нс | 25 нс | 1,1А | 20 В | 30В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 3В | 500мВт Та | 30В | N-канал | 150пФ при 10В | 3 В | 240 мОм при 1 А, 10 В | 3 В при 1 мА | 1,1А Та | 5,5 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||
| FDS9435A | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | PowerTrench® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | СМД/СМТ | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2001 г. | /files/onsemiconductor-fds9435a-datasheets-7836.pdf | -30В | -5,3А | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 5 мм | 1,75 мм | 4 мм | Без свинца | 8 | 18 недель | 130мг | Нет СВХК | 8 | АКТИВНО (последнее обновление: 2 часа назад) | да | EAR99 | Олово | Нет | е4 | Никель/Палладий/Золото (Ni/Pd/Au) | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 1 | Одинокий | 2,5 Вт | 1 | Другие транзисторы | 175°С | 7 нс | 13нс | 9 нс | 14 нс | -5,3А | 25 В | -30В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30В | -1,7 В | 2,5 Вт Та | 0,05 Ом | -30В | P-канал | 528пФ при 15В | -1,7 В | 50 мОм при 5,3 А, 10 В | 3 В при 250 мкА | 5.3А Та | 14 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±25 В | ||||||||||||||||||||||||
| АО4576 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | 1,42 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Диги-Рил® | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2011 год | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 18 недель | 8 | 3,1 Вт | 1 | 20А | 20 В | 30В | 3,1 Вт Та | N-канал | 951пФ при 15 В | 5,8 мОм при 20 А, 10 В | 2,2 В @ 250 мкА | 20А Та | 22,5 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ССМ3К345Р,ЛФ | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | У-МОСВИ | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2016 год | /files/toshibasemiconductorandstorage-ssm3k345rlf-datasheets-7427.pdf | SOT-23-3 Плоские выводы | 3 | 12 недель | неизвестный | ДА | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | Р-ПДСО-Ф3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 20 В | 20 В | 1 Вт Та | 4А | 0,033Ом | N-канал | 410пФ при 10 В | 33 мОм при 4 А, 4,5 В | 1 В @ 1 мА | 4А Та | 3,6 нк @ 4,5 В | 1,5 В 4,5 В | ±8 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRLML0040TRPBF | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ШЕСТИГРАННЫЙ ПЕТР® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/infineontechnologies-irlml0040trpbf-datasheets-7603.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 3,0226 мм | 1,016 мм | 1397 мм | Без свинца | 3 | 12 недель | Нет СВХК | 56МОм | 3 | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | Одинокий | 1,3 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | 5,1 нс | 5,4 нс | 4,3 нс | 6,4 нс | 3,6А | 16В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 1,8 В | 1,3 Вт Та | 40В | N-канал | 266пФ при 25 В | 1,8 В | 56 мОм при 3,6 А, 10 В | 2,5 В @ 25 мкА | 3,6А Та | 3,9 нк @ 4,5 В | 4,5 В 10 В | ±16 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2СК2009ТЭ85ЛФ | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2009 год | /files/toshibasemiconductorandstorage-2sk2009te85lf-datasheets-7797.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 52 недели | 3 | EAR99 | неизвестный | Полномочия общего назначения FET | 60 нс | 120 нс | 200 мА | 20 В | Одинокий | 30В | 200мВт Та | 0,2 А | N-канал | 70пФ при 3В | 2 Ом при 50 мА, 2,5 В | 1,5 В @ 100 мкА | 200 мА Та | 2,5 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НДТ014Л | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -65°С~150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | СМД/СМТ | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 1998 год | /files/onsemiconductor-ndt014l-datasheets-7844.pdf | 60В | 2,8А | ТО-261-4, ТО-261АА | 6,7 мм | 1,7 мм | 3,7 мм | Без свинца | 4 | 8 недель | 188 мг | Нет СВХК | 160мОм | 4 | АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) | да | EAR99 | Олово | Нет | е3 | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | Одинокий | 3 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | 6 нс | 14нс | 10 нс | 15 нс | 2,8А | 20 В | 60В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 1,5 В | 3 Вт Та | 2,7А | 60В | N-канал | 214пФ при 30 В | 1,5 В | 160 мОм при 3,4 А, 10 В | 3 В при 250 мкА | 2,8А Та | 5нК при 4,5 В | 4,5 В 10 В | ±20 В |
