Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактОдиночные МОП-транзисторы(33658)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Прекращение действия | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Режим работы | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Текущий рейтинг | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Сопротивление | Количество контактов | Ведущая презентация | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Идентификатор производитель производитель | Достичь соответствия кода | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Без галогенов | Поверхностный монтаж | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Базовый номер детали | Количество контактов | Количество вариантов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Максимальный переход температуры (Tj) | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Входная емкость | Выходной ток | Включить время задержки | Время подъема | Осень (тип.) | Время задержки отключения | Непрерывный ток стока (ID) | Напряжение от затвора до источника (Vgs) | Максимальное двойное напряжение питания | Двойное напряжение питания | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Напряжение стока к источнику (Vdss) | Пороговое напряжение | Рассеиваемая мощность-Макс. | Код JEDEC-95 | Время восстановления | Максимальный ток стока (Abs) (ID) | Максимальный импульсный ток стока (IDM) | Источник стока при максимальном сопротивлении | Снижение сопротивления до источника | Рейтинг лавинной энергии (Eas) | Напряжение проба стока к источнику | Тип полярного транзистора | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | Номинальный объем | Rds включено (макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс) @ Id | Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | Заряд ворот (Qg) (Макс.) @ Vgs | РДС на Максе | Напряжение привода (макс. значение включено, минимальное значение включено) | ВГС (Макс) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IXTA44P15T-ТРЛ | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчП™ | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixtp44p15t-datasheets-5534.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | 28 недель | 150 В | 298 Вт Тс | P-канал | 13400пФ при 25В | 65 мОм при 22 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 44А Тк | 175 НК при 10 В | 10 В | ±15 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| STP80NF12 | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | СТРипФЕТ™ II | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-stp80nf12-datasheets-7087.pdf | 120 В | 80А | ТО-220-3 | 10,4 мм | 15,75 мм | 4,6 мм | Без свинца | 3 | 12 недель | Нет СВХК | 18мОм | 3 | АКТИВНО (Последнее обновление: 8 месяцев назад) | EAR99 | Олово | Нет | е3 | СТП80Н | 3 | Одинокий | 300 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | 40 нс | 145 нс | 115 нс | 134 нс | 80А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 2В | 300 Вт Тс | ТО-220АБ | 700 мДж | 120 В | N-канал | 4300пФ при 25В | 18 мОм при 40 А, 10 В | 2 В @ 250 мкА | 80А Ц | 189 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| STP80NF03L-04 | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | СТРипФЕТ™ II | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 175°С, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-stp80nf03l-datasheets-5480.pdf | 30В | 80А | ТО-220-3 | 10,4 мм | 19,68 мм | 4,6 мм | Без свинца | 3 | 12 недель | Нет СВХК | 4,5 МОм | 3 | да | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | СТП80Н | 3 | 1 | Одинокий | 300 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | 175°С | 30 нс | 270 нс | 95 нс | 110 нс | 80А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 1,5 В | 300 Вт Тс | ТО-220АБ | 30В | N-канал | 5500пФ при 25В | 4,5 мОм при 40 А, 10 В | 2,5 В @ 250 мкА | 80А Ц | 110 НК при 4,5 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SQM120P04-04L_GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, TrenchFET® | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-sqm120p0404lge3-datasheets-6730.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | 12 недель | ТО-263 (Д2Пак) | 40В | 375 Вт Тс | P-канал | 13980пФ при 20В | 4 мОм при 30 А, 10 В | 2,5 В @ 250 мкА | 120А Ц | 330 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СТД18Н65М5 | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | МДмеш™ V | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-stb18n65m5-datasheets-7378.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 6,6 мм | 2,4 мм | 6,2 мм | Без свинца | 2 | 17 недель | 220мОм | 3 | АКТИВНО (Последнее обновление: 8 месяцев назад) | EAR99 | Олово | Нет | е3 | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | СТД18 | Одинокий | 110 Вт | 1 | Р-ПССО-Г2 | 36 нс | 7нс | 9 нс | 9 нс | 15А | 25 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 110 Вт Тс | 60А | 650В | N-канал | 1240пФ при 100В | 220 мОм при 7,5 А, 10 В | 5 В @ 250 мкА | 15А Ц | 31 НК при 10 В | 10 В | ±25 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRF740ASPBF | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 1999 год | /files/vishaysiliconix-irf740alpbf-datasheets-5440.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | 10,67 мм | 4,83 мм | 9,65 мм | Без свинца | 8 недель | 1,437803г | Неизвестный | 550мОм | 3 | Нет | 1 | Одинокий | 3,1 Вт | 1 | Д2ПАК | 1,03 нФ | 10 нс | 35 нс | 22 нс | 24 нс | 10А | 30В | 400В | 4В | 3,1 Вт Ta 125 Вт Tc | 550мОм | N-канал | 1030пФ при 25В | 550 мОм при 6 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 10А Ц | 36 НК при 10 В | 550 мОм | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИРЛ640А | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/onsemiconductor-irl640a-datasheets-6916.pdf | 200В | 18А | ТО-220-3 | 10,67 мм | 16,3 мм | 4,7 мм | Без свинца | 3 | 8 недель | 1,8 г | Нет СВХК | 180мОм | 3 | АКТИВНО (Последнее обновление: 4 дня назад) | да | EAR99 | СОВМЕСТИМЫЙ ЛОГИЧЕСКИЙ УРОВЕНЬ | Нет | е3 | Олово (Вс) | Одинокий | 110 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | 11 нс | 8нс | 15 нс | 46 нс | 18А | 20 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 2В | 110 Вт Тс | ТО-220АБ | 64 мДж | 200В | N-канал | 1705пФ при 25В | 2 В | 180 мОм при 9 А, 5 В | 2 В @ 250 мкА | 18А Тк | 56 НК при 5 В | 5В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИРФС3107ТРЛ7ПП | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ШЕСТИГРАННЫЙ ПЕТР® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/infineontechnologies-irfs31077ppbf-datasheets-0853.pdf | ТО-263-7, Д2Пак (6 отведений + вкладка), ТО-263СВ | Без свинца | 12 недель | Нет СВХК | 7 | Нет | 370 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | 17 нс | 80 нс | 64 нс | 100 нс | 240А | 20 В | Одинокий | 4В | 370 Вт Тс | 260А | 75В | N-канал | 9200пФ при 50В | 2,6 мОм при 160 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 240А Ц | 240 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИПТ004Н03ЛАТМА1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Оптимос™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/infineontechnologies-ipt004n03latma1-datasheets-6952.pdf | 8-PowerSFN | Содержит свинец | 2 | 18 недель | Нет СВХК | 8 | EAR99 | не_совместимо | е3 | Олово (Вс) | Без галогенов | ОДИНОКИЙ | ПЛОСКИЙ | 300 Вт | 1 | Р-ПССО-Ф2 | 30 нс | 17нс | 37 нс | 149 нс | 300А | 20 В | 30В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 2,2 В | 3,8 Вт Та 300 Вт Тс | 0,0005Ом | N-канал | 24000пФ при 15В | 0,4 мОм при 150 А, 10 В | 2,2 В @ 250 мкА | 300А Ц | 163 НК при 4,5 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRFP240PBF | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Сквозное отверстие | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/vishaysiliconix-irfp240-datasheets-7426.pdf | 200В | 20А | ТО-247-3 | 15,87 мм | 25,11 мм | 5,31 мм | Без свинца | 8 недель | 38.000013г | Неизвестный | 180мОм | 3 | 5,45 мм | Нет | 1 | Одинокий | 150 Вт | 1 | 150°С | ТО-247-3 | 1,3 нФ | 14 нс | 51нс | 36 нс | 45 нс | 20А | 20 В | 200В | 200В | 4В | 150 Вт Тс | 610 нс | 180мОм | 200В | N-канал | 1300пФ при 25В | 4 В | 180 мОм при 12 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 20А Ц | 70 НК при 10 В | 180 мОм | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НВМФС5А160ПЛЗВФТ1Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/onsemiconductor-nvmfs5a160plzwft3g-datasheets-8931.pdf | 8-PowerTDFN, 5 выводов | 1,1 мм | 5 | 41 неделя | АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) | да | не_совместимо | е3 | Олово (Вс) | ДА | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | 260 | 1 | 10 | 3,8 Вт | 1 | 175°С | Р-ПДСО-Ф5 | 50 нс | 645 нс | -15А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | 60В | 3,8 Вт Ta 200 Вт Tc | 400А | 335 мДж | -60В | P-канал | 7700пФ при 20 В | 7,7 мОм при 50 А, 10 В | 2,6 В @ 1 мА | 15А Та 100А Ц | 160 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИРФ1405ПБФ | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ШЕСТИГРАННЫЙ ПЕТР® | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Сквозное отверстие | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | /files/infineontechnologies-irf1405pbf-datasheets-7003.pdf | 55В | 169А | ТО-220-3 | 10 668 мм | 19,8 мм | 4826 мм | Без свинца | 3 | 12 недель | Нет СВХК | 5,3 мОм | 3 | 2,54 мм | EAR99 | ЛАВИННЫЙ НОМИНАЛ, ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ, СВЕРХНИЗКАЯ СОПРОТИВЛЕНИЕ | Нет | 1 | Одинокий | 330 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | 175°С | 13 нс | 190 нс | 110 нс | 130 нс | 169А | 20 В | 55В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 4В | 330 Вт Тс | ТО-220АБ | 130 нс | 75А | 680А | 560 мДж | 55В | N-канал | 5480пФ при 25В | 4 В | 5,3 мОм при 101 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 169А Тк | 260 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИПБ017N06N3GATMA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Оптимос™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/infineontechnologies-ipb017n06n3gatma1-datasheets-6784.pdf | ТО-263-7, Д2Пак (6 отведений + вкладка) | Содержит свинец | 6 | 13 недель | 7 | нет | EAR99 | не_совместимо | е3 | Олово (Вс) | Без галогенов | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 7 | НЕ УКАЗАН | 250 Вт | 1 | Не квалифицированный | Р-ПССО-Г6 | 41 нс | 80 нс | 24 нс | 79 нс | 180А | 20 В | 60В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 250 Вт Тс | 634 мДж | N-канал | 23000пФ при 30В | 1,7 мОм при 100 А, 10 В | 4 В @ 196 мкА | 180А Ц | 275 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФДМТ80080DC | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Dual Cool™, PowerTrench® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | /files/onsemiconductor-fdmt80080dc-datasheets-6926.pdf | 8-PowerVDFN | Без свинца | 27 недель | 248,52072мг | 8 | АКТИВНО (Последнее обновление: 5 дней назад) | да | EAR99 | не_совместимо | е3 | Олово (Вс) | 260 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 254А | 80В | 3,2 Вт Ta 156 Вт Tc | N-канал | 20720пФ при 40В | 1,35 мОм при 36 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 36А Та 254А Ц | 273 НК при 10 В | 8В 10В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRF4905LPBF | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ШЕСТИГРАННЫЙ ПЕТР® | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | СМД/СМТ | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 1997 год | /files/infineontechnologies-irf4905strrpbf-datasheets-8724.pdf | -55В | -74А | ТО-262-3 Длинные выводы, И2Пак, ТО-262АА | 10 668 мм | 9,652 мм | 4826 мм | Без свинца | 3 | 12 недель | Нет СВХК | 3 | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ, ЛАВИННАЯ СТЕПЕНЬ | Нет | е3 | Matte Tin (Sn) – с никелевым (Ni) барьером | 260 | Одинокий | 30 | 200 Вт | 1 | Другие транзисторы | 20 нс | 99нс | 64 нс | 51 нс | -74А | 20 В | 55В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 4В | 170 Вт Тс | 42А | 280А | 0,02 Ом | -55В | P-канал | 3500пФ при 25В | 4 В | 20 мОм при 42 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 42А Тк | 180 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СТХ315Н10Ф7-6 | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, DeepGATE™, STripFET™ VII | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/stmicroelectronics-sth315n10f72-datasheets-8819.pdf | ТО-263-7, Д2Пак (6 отведений + вкладка) | Без свинца | 6 | 1,59999 г | Нет СВХК | 7 | АКТИВНО (Последнее обновление: 8 месяцев назад) | EAR99 | СВЕРХНИЗКОЕ СОПРОТИВЛЕНИЕ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | СТХ315 | 1 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 315 Вт | 1 | Р-ПССО-Г6 | 62 нс | 108 нс | 40 нс | 148 нс | 180А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 3,5 В | 315 Вт Тс | 0,0023Ом | 100В | N-канал | 12800пФ при 25В | 2,3 мОм при 60 А, 10 В | 4,5 В при 250 мкА | 180А Ц | 180 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| STP36NF06L | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | СТРипФЕТ™ II | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-stb36nf06lt4-datasheets-8229.pdf | 60В | 30А | ТО-220-3 | 10,4 мм | 9,15 мм | 4,6 мм | Без свинца | 3 | 12 недель | Нет СВХК | 32мОм | 3 | АКТИВНО (Последнее обновление: 8 месяцев назад) | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | СТП36Н | 3 | Одинокий | 70 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | 10 нс | 80 нс | 13 нс | 19 нс | 30А | 18В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 2,5 В | 70 Вт Тс | ТО-220АБ | 225 мДж | 60В | N-канал | 660пФ при 25В | 40 мОм при 15 А, 10 В | 2,5 В @ 250 мкА | 30А Ц | 17 НК при 5 В | 5В 10В | ±18 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИРФЗ44НПБФ | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ШЕСТИГРАННЫЙ ПЕТР® | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Сквозное отверстие | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2001 г. | /files/infineontechnologies-irfz44npbf-datasheets-6582.pdf | 55В | 49А | ТО-220-3 | 10 668 мм | 8,77 мм | 4826 мм | Без свинца | 3 | 12 недель | Нет СВХК | 17,5 МОм | 3 | 2,54 мм | EAR99 | ЛАВИННЫЙ НОМИНАЛ, ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ, СВЕРХНИЗКАЯ СОПРОТИВЛЕНИЕ | Олово | Нет | е3 | 250 | Одинокий | 30 | 83 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | 12 нс | 60нс | 45 нс | 44 нс | 49А | 20 В | 55В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 2,1 В | 94 Вт Тс | ТО-220АБ | 95 нс | 55В | N-канал | 1470пФ при 25В | 2,1 В | 17,5 мОм при 25 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 49А ТЦ | 63 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИРФ540НПБФ | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ШЕСТИГРАННЫЙ ПЕТР® | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Сквозное отверстие | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 1997 год | /files/infineontechnologies-irf540npbf-datasheets-6592.pdf | 100В | 27А | ТО-220-3 | 10,54 мм | 8,77 мм | 4,69 мм | Без свинца | 3 | 12 недель | Нет СВХК | 44МОм | 3 | 2,54 мм | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Олово | Нет | е3 | 250 | Одинокий | 30 | 130 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | 11 нс | 35 нс | 35 нс | 39 нс | 33А | 20 В | 100В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 4В | 130 Вт Тс | ТО-220АБ | 170 нс | 100В | N-канал | 1960пФ при 25В | 4 В | 44 мОм при 16 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 33А Тц | 71 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| FDMS86163P | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | PowerTrench® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2017 год | /files/onsemiconductor-fdms86163p-datasheets-6604.pdf | 8-PowerTDFN | 5 мм | 1,1 мм | 5,85 мм | 5 | 16 недель | 68,1 мг | Нет СВХК | 8 | АКТИВНО (Последнее обновление: 4 дня назад) | да | EAR99 | Олово | не_совместимо | е3 | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | НЕ УКАЗАН | 1 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 104 Вт | 1 | Другие транзисторы | 150°С | Р-ПДСО-Ф5 | 17 нс | 8,8 нс | 6,9 нс | 33 нс | -50А | 25 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 100В | -2,8 В | 2,5 Вт Та 104 Вт Тс | МО-240АА | 7,9А | 0,022 Ом | -100В | P-канал | 4085пФ при 50В | 22 мОм при 7,9 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 7,9 А Та 50 А Тс | 59 НК при 10 В | 6В 10В | ±25 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRF7842TRPBF | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ШЕСТИГРАННЫЙ ПЕТР® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | СМД/СМТ | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | /files/infineontechnologies-irf7842pbf-datasheets-6863.pdf | 40В | 18А | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,9784 мм | 1,75 мм | 3,9878 мм | Содержит свинца, не содержит свинца | 8 | 12 недель | Нет СВХК | 5МОм | 8 | EAR99 | Олово | Нет | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 1 | Одинокий | 2,5 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | 150°С | 2,5 А | 14 нс | 12нс | 5 нс | 21 нс | 18А | 20 В | 40В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 2,25 В | 2,5 Вт Та | 150 нс | 40В | N-канал | 4500пФ при 20В | 2,25 В | 5 мОм при 17 А, 10 В | 2,25 В @ 250 мкА | 18А Та | 50 НК при 4,5 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRF4905STRLPBF | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ШЕСТИГРАННЫЙ ПЕТР® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | СМД/СМТ | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 1997 год | /files/infineontechnologies-irf4905strrpbf-datasheets-8724.pdf | -55В | -74А | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | 10,54 мм | 4,83 мм | 10,54 мм | Содержит свинец | 2 | 12 недель | Нет СВХК | 20мОм | 3 | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ, ЛАВИННАЯ СТЕПЕНЬ | Олово | Нет | Д2Пак | е3 | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 1 | Одинокий | 30 | 3,8 Вт | 1 | Другие транзисторы | 150°С | Р-ПССО-Г2 | 20 нс | 99нс | 64 нс | 51 нс | -42А | 20 В | -55В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 55В | -2В | 170 Вт Тс | 92 нс | 280А | -55В | P-канал | 3500пФ при 25В | -4 В | 20 мОм при 42 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 42А Тк | 180 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||
| СТЛ130Н8Ф7 | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | DeepGATE™, STripFET™ VII | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/stmicroelectronics-stl130n8f7-datasheets-6671.pdf | 8-PowerVDFN | Без свинца | 5 | 3,6 мОм | 8 | АКТИВНО (Последнее обновление: 8 месяцев назад) | EAR99 | СВЕРХНИЗКОЕ СОПРОТИВЛЕНИЕ | Нет | е3 | Матовое олово (Sn) - отожженное | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | 260 | СТЛ130 | 2 | 5 Вт | 1 | Р-ПДСО-Ф5 | 123А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 135 Вт Тс | 560А | 80В | N-канал | 6340пФ при 40В | 3,6 мОм при 13 А, 10 В | 4,5 В при 250 мкА | 130А Ц | 96 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRF5210STRLPBF | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ШЕСТИГРАННЫЙ ПЕТР® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | СМД/СМТ | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 1998 год | /files/infineontechnologies-irf5210lpbf-datasheets-8886.pdf | -100В | -40А | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | 10 668 мм | 4,83 мм | 9,65 мм | Содержит свинец | 2 | 12 недель | Нет СВХК | 60мОм | 3 | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ, ЛАВИННАЯ СТОЙКОСТЬ, СВЕРХНИЗКАЯ УСТОЙЧИВОСТЬ | Олово | Нет | е3 | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 1 | Одинокий | 30 | 3,8 Вт | 1 | Другие транзисторы | 150°С | Р-ПССО-Г2 | 14 нс | 63нс | 55 нс | 72 нс | -40А | 20 В | 100В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | -4В | 3,1 Вт Ta 170 Вт Tc | 260 нс | -100В | P-канал | 2780пФ при 25В | -4 В | 60 мОм при 38 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 38А Тк | 230 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||
| СТБ10НК60ЗТ4 | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | СуперМЕШ™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | СМД/СМТ | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-stp10nk60zfp-datasheets-5354.pdf | 600В | 10А | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | 10,4 мм | 4,6 мм | 9,35 мм | Без свинца | 2 | Нет СВХК | 750мОм | 3 | АКТИВНО (Последнее обновление: 7 месяцев назад) | EAR99 | Нет | е3 | Матовое олово (Sn) - отожженное | КРЫЛО ЧАЙКИ | 245 | СТБ10Н | 4 | Одинокий | 30 | 115 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Р-ПССО-Г2 | 20 нс | 20 нс | 30 нс | 55 нс | 4,5 А | 30В | 600В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 3,75 В | 115 Вт Тс | 600В | N-канал | 1370пФ при 25 В | 3,75 В | 750 мОм при 4,5 А, 10 В | 4,5 В при 250 мкА | 10А Ц | 70 НК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИРФ840ПБФ | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 1997 год | /files/vishaysiliconix-irf840-datasheets-7243.pdf | 500В | 8А | ТО-220-3 | 10,41 мм | 9,01 мм | 4,7 мм | Без свинца | 3 | 11 недель | 6.000006г | Нет СВХК | 3 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | Олово | Нет | е3 | 3 | 1 | Одинокий | 125 Вт | 1 | 14 нс | 23нс | 20 нс | 49 нс | 8А | 20 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 4В | 125 Вт Тс | ТО-220АБ | 970 нс | 8А | 0,85 Ом | 500В | N-канал | 1300пФ при 25В | 4 В | 850 мОм при 4,8 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 8А Тк | 63 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЕПК2212 | EPC | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ЭГАН® | Поверхностный монтаж | -40°С~150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | GaNFET (нитрид галлия) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc9126-datasheets-2873.pdf | Править | 14 недель | Править | 100В | N-канал | 407пФ при 50В | 13,5 мОм при 11 А, 5 В | 2,5 В при 3 мА | 18А Та | 4 НК при 5 В | 5В | +6В, -4В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRFS4010TRLPBF | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ШЕСТИГРАННЫЙ ПЕТР® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2011 год | /files/infineontechnologies-irfsl4010pbf-datasheets-3814.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | 10 668 мм | 4826 мм | 9,65 мм | Без свинца | 2 | 12 недель | Нет СВХК | 3 | EAR99 | Нет | е3 | Matte Tin (Sn) – с никелевым (Ni) барьером | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 30 | 375 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Р-ПССО-Г2 | 21 нс | 86нс | 77 нс | 100 нс | 180А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 375 Вт Тс | 720А | 0,0047Ом | 100В | N-канал | 9575пФ при 50 В | 4 В | 4,7 мОм при 106 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 180А Ц | 215 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БСК220Н20НСФДАТМА1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Оптимос™ | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/infineontechnologies-bsc220n20nsfdatma1-datasheets-6814.pdf | 8-PowerTDFN | 39 недель | 200В | 214 Вт Тс | N-канал | 3680пФ при 100В | 22 мОм при 52 А, 10 В | 4 В @ 137 мкА | 52А | 43 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БСК190Н15НС3ГАТМА1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Оптимос™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2011 год | /files/infineontechnologies-bsc190n15ns3gatma1-datasheets-6565.pdf | 8-PowerTDFN | 1,1 мм | Содержит свинец | 5 | 13 недель | 8 | нет | EAR99 | не_совместимо | е3 | Олово (Вс) | Без галогенов | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | 8 | 1 | 125 Вт | 1 | Не квалифицированный | 150°С | Р-ПДСО-Ф5 | 15 нс | 53нс | 6 нс | 25 нс | 50А | 20 В | 150 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 3В | 125 Вт Тс | 200А | 150 В | N-канал | 2420пФ при 75В | 19 мОм при 50 А, 10 В | 4 В @ 90 мкА | 50А Ц | 31 НК при 10 В | 8В 10В | ±20 В |
