Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактОдиночные МОП-транзисторы(33658)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Прекращение действия | Технология | Режим работы | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Текущий рейтинг | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Сопротивление | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Поверхностный монтаж | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Базовый номер детали | Количество контактов | Количество вариантов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Максимальный переход температуры (Tj) | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Включить время задержки | Время подъема | Осень (тип.) | Время задержки отключения | Непрерывный ток стока (ID) | Напряжение от затвора до источника (Vgs) | Максимальное двойное напряжение питания | Двойное напряжение питания | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Напряжение стока к источнику (Vdss) | DS Напряжение проба-мин. | Пороговое напряжение | Рассеиваемая мощность-Макс. | Время восстановления | Максимальный сток (Abs) (ID) | Максимальный импульсный ток стока (IDM) | Источник стока при максимальном сопротивлении | Снижение сопротивления до источника | Обратная связь Cap-Max (Crss) | Рейтинг лавинной энергии (Eas) | Напряжение проба стока к источнику | Тип полярного транзистора | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | Номинальный объем | Rds включено (макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс) @ Id | Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Напряжение привода (макс. значение включено, минимальное значение включено) | ВГС (Макс) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| НДТ014Л | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -65°С~150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | СМД/СМТ | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 1998 год | /files/onsemiconductor-ndt014l-datasheets-7844.pdf | 60В | 2,8А | ТО-261-4, ТО-261АА | 6,7 мм | 1,7 мм | 3,7 мм | Без свинца | 4 | 8 недель | 188 мг | Нет СВХК | 160мОм | 4 | АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) | да | EAR99 | Олово | Нет | е3 | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | Одинокий | 3 Вт | 1 | Мощность полевого транзистора общего назначения | 6 нс | 14 нс | 10 нс | 15 нс | 2,8А | 20 В | 60В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 1,5 В | 3 Вт Та | 2,7А | 60В | N-канал | 214пФ при 30В | 1,5 В | 160 мОм при 3,4 А, 10 В | 3 В при 250 мкА | 2,8А Та | 5нК при 4,5 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||
| SISA72DN-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | TrenchFET® Gen IV | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-sisa72dnt1ge3-datasheets-7795.pdf | PowerPAK® 1212-8 | 19 недель | EAR99 | неизвестный | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 40В | 52 Вт Тс | N-канал | 3240пФ при 20В | 3,5 мОм при 10 А, 10 В | 2,4 В при 250 мкА | 60А Ц | 30 НК при 4,5 В | 4,5 В 10 В | +20 В, -16 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SQ2364EES-T1_GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, TrenchFET® | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-sq2364eest1ge3-datasheets-7819.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 12 недель | СОТ-23-3 (ТО-236) | 60В | 3 Вт Тк | N-канал | 330пФ при 25В | 240 мОм при 2 А, 4,5 В | 1 В @ 250 мкА | 2А Тк | 2,5 нк @ 4,5 В | 1,5 В 4,5 В | ±8 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SQ1440EH-T1_GE3 | Вишай Силиконикс | 0,56 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, TrenchFET® | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-sq1440eht1ge3-datasheets-7915.pdf | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | 6 | 12 недель | EAR99 | неизвестный | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | Р-ПДСО-Г6 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | 60В | 60В | 3,3 Вт Тс | 1,7 А | 0,12 Ом | 17 пФ | N-канал | 344пФ при 15В | 120 мОм при 3,8 А, 10 В | 2,5 В @ 250 мкА | 1,7 А Тс | 5,5 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SQ2398ES-T1_GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, TrenchFET® | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Не соответствует требованиям RoHS | /files/vishaysiliconix-sq2398est1ge3-datasheets-7913.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 3 | 12 недель | EAR99 | неизвестный | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 1 | Р-ПДСО-Г3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 100В | 100В | 2 Вт Тс | 1,6А | 0,3 Ом | 12 пФ | N-канал | 152пФ при 50В | 300 мОм при 1,5 А, 10 В | 3,5 В @ 250 мкА | 1,6 А Тс | 3,4 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FDS6630A | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | PowerTrench® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 1999 год | /files/sparkfunelectronics-prt11214-datasheets-3155.pdf | 30В | 6,5 А | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,9 мм | 1,575 мм | 3,9 мм | Без свинца | 8 | 18 недель | 130мг | Нет СВХК | 38мОм | 8 | АКТИВНО (Последнее обновление: 1 день назад) | да | EAR99 | СОВМЕСТИМЫЙ ЛОГИЧЕСКИЙ УРОВЕНЬ | Нет | е3 | Олово (Вс) | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | Одинокий | 2,5 Вт | 1 | Мощность полевого транзистора общего назначения | 5 нс | 8нс | 13 нс | 17 нс | 6,5 А | 20 В | 30В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 1,7 В | 2,5 Вт Та | 30В | N-канал | 460пФ при 15В | 1,7 В | 38 мОм при 6,5 А, 10 В | 3 В при 250 мкА | 6,5 А Та | 7 НК при 5 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||
| FDS8878 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | PowerTrench® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2001 г. | /files/onsemiconductor-fds8878-datasheets-7954.pdf | 30В | 10,2А | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 5 мм | 1,5 мм | 4 мм | Без свинца | 8 | 18 недель | 130мг | Нет СВХК | 14МОм | 8 | АКТИВНО (последнее обновление: 6 дней назад) | да | EAR99 | Олово | Нет | е4 | Никель/Палладий/Золото (Ni/Pd/Au) | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | Одинокий | 2,5 Вт | 1 | Мощность полевого транзистора общего назначения | 9 нс | 29нс | 18 нс | 45 нс | 10,2А | 20 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 2,5 В | 2,5 Вт Та | 57 мДж | 30В | N-канал | 897пФ при 15 В | 2,5 В | 14 мОм при 10,2 А, 10 В | 2,5 В @ 250 мкА | 10,2А Та | 26 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||
| SIA449DJ-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/vishaysiliconix-sia449djt1ge3-datasheets-7831.pdf | PowerPAK® SC-70-6 | 2,05 мм | 750 мкм | 2,05 мм | 3 | 14 недель | 6 | EAR99 | е3 | Матовый олово (Sn) | ДВОЙНОЙ | НЕТ ЛИДЕСА | 1 | Одинокий | 3,5 Вт | 1 | С-ПДСО-Н3 | 8 нс | 20нс | 16 нс | 39 нс | 12А | -1,5 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30В | 3,5 Вт Та 19 Вт Тс | 30А | 0,02 Ом | -30В | P-канал | 2140пФ при 15 В | 20 мОм при 6 А, 10 В | 1,5 В @ 250 мкА | 12А Ц | 72 НК при 10 В | 2,5 В 10 В | ±12 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CSD17381F4T | Техасские инструменты | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ФемтоФЕТ™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 3-XFDFN | 1,035 мм | 350 мкм | 635 мкм | Без свинца | 3 | 8 недель | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) | да | EAR99 | СВЕРХНИЗКОЕ СОПРОТИВЛЕНИЕ | НИЖНИЙ | НЕТ ЛИДЕСА | 260 | CSD17381 | 1 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 1 | 3,4 нс | 1,4 нс | 3,6 нс | 10,8 нс | 3,1А | 12 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 850 мВ | 500мВт Та | 0,25 Ом | 2,9 пФ | 30В | N-канал | 195пФ при 15В | 109 мОм при 500 мА, 8 В | 1,1 В @ 250 мкА | 3.1А Та | 1,35 НК при 4,5 В | 1,8 В 4,5 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| РЗФ020П01ТЛ | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2007 год | 3-СМД, плоский вывод | 2 мм | 770 мкм | 1,7 мм | Без свинца | 3 | 16 недель | 105МОм | 3 | да | EAR99 | Нет | е2 | Олово/Медь (Sn/Cu) | ДВОЙНОЙ | 260 | 3 | 1 | Одинокий | 10 | 1 | Другие транзисторы | 10 нс | 17нс | 35 нс | 65 нс | 2А | 10 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 12 В | 800мВт Та | 2А | P-канал | 770пФ при 6В | 105 мОм при 2 А, 4,5 В | 1 В @ 1 мА | 2А Та | 6,5 нк при 4,5 В | 1,5 В 4,5 В | ±10 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI7121ADN-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -50°С~150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2011 год | /files/vishaysiliconix-si7121dnt1ge3-datasheets-5243.pdf | PowerPAK® 1212-8 | Без свинца | 5 | 14 недель | Неизвестный | 12,5 мОм | 8 | EAR99 | е3 | Матовый олово (Sn) | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | 260 | СИ7121 | 1 | Одинокий | 30 | 1 | С-ПДСО-Ф5 | 38 нс | 34 нс | 10 нс | 24 нс | -18А | 25 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30В | -2,5 В | 3,5 Вт Ta 27,8 Вт Tc | 50А | -30В | P-канал | 1870пФ при 15В | 15 мОм при 7 А, 10 В | 2,5 В @ 250 мкА | 12А Та | 50 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±25 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI2304BDS-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/vishaysiliconix-si2304bdst1ge3-datasheets-5031.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 3,04 мм | 1,02 мм | 1,4 мм | Без свинца | 3 | 14 недель | 1,437803г | Неизвестный | 70мОм | 3 | да | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3 | 1 | Одинокий | 30 | 750 мВт | 1 | Мощность полевого транзистора общего назначения | 7,5 нс | 12,5 нс | 12,5 нс | 19 нс | 3,2А | 20 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 1,5 В | 750мВт Та | 2,6А | 30В | N-канал | 225пФ при 15В | 1,5 В | 70 мОм при 2,5 А, 10 В | 3 В при 250 мкА | 2,6А Та | 4 НК при 5 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||
| DMP2123LQ-7 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/diodesincorporated-dmp2123lq13-datasheets-7935.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 15 недель | да | EAR99 | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 3А | 20 В | 1,4 Вт Та | P-канал | 443пФ при 16 В | 72 мОм при 3,5 А, 4,5 В | 1,25 В @ 250 мкА | 3А Та | 7,3 нК @ 4,5 В | 2,5 В 4,5 В | ±12 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SSM3J168F,ЛФ | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | 0,31 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | У-МОСВИ | Поверхностный монтаж | 150°С | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-ssm3j168flf-datasheets-7593.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 12 недель | 60В | 1,2 Вт Та | P-канал | 82пФ при 10 В | 1,9 Ом при 100 мА, 4,5 В | 2 В @ 1 мА | 400 мА Та | 3нК при 10 В | 4В 10В | +20 В, -16 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRLTS6342TRPBF | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ШЕСТИГРАННЫЙ ПЕТР® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2011 год | /files/infineontechnologies-irlts6342trpbf-datasheets-7625.pdf | СОТ-23-6 | 3 мм | 1,3 мм | 1,75 мм | Без свинца | 6 | 12 недель | Нет СВХК | 17,5 МОм | 6 | EAR99 | Нет | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | Одинокий | 2 Вт | 1 | Мощность полевого транзистора общего назначения | 5,4 нс | 11нс | 15 нс | 32 нс | 8,3А | 12 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 2 Вт Та | 20 нс | 30В | N-канал | 1010пФ при 25В | -400 мВ | 17,5 мОм при 8,3 А, 4,5 В | 1,1 В @ 10 мкА | 8.3А Та | 11 НК при 4,5 В | 2,5 В 4,5 В | ±12 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IPW65R019C7FKSA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | CoolMOS™ C7 | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/infineontechnologies-ipw65r019c7fksa1-datasheets-7646.pdf | ТО-247-3 | Без свинца | 3 | 18 недель | 3 | е3 | Олово (Вс) | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 446 Вт | 1 | 30 нс | 27нс | 5 нс | 106 нс | 75А | 20 В | 650В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 446 Вт Тс | 496А | N-канал | 9900пФ при 400В | 19 мОм при 58,3 А, 10 В | 4 В @ 2,92 мА | 75А Ц | 215 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IPN50R2K0CEATMA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | CoolMOS™ CE | Поверхностный монтаж | -40°С~150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/infineontechnologies-ipn50r2k0ceatma1-datasheets-7695.pdf | СОТ-223-3 | 18 недель | Нет СВХК | 3 | да | EAR99 | не_совместимо | е3 | Олово (Вс) | 3,6А | 500В | 3В | 5 Вт Тс | N-канал | 124пФ при 100В | 2 Ом при 600 мА, 13 В | 3,5 В @ 50 мкА | 3,6 А Тс | 6 нк @ 10 В | 13В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AOSP21321 | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 18 недель | 30В | 3,1 Вт Та | P-канал | 1180пФ при 15В | 17 мОм при 11 А, 10 В | 2,3 В @ 250 мкА | 11А Та | 34 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±25 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IPN50R3K0CEATMA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | CoolMOS™ CE | Поверхностный монтаж | -40°С~150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/infineontechnologies-ipn50r3k0ceatma1-datasheets-7655.pdf | СОТ-223-3 | 3 | 18 недель | Нет СВХК | 3 | да | EAR99 | не_совместимо | е3 | Олово (Вс) | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | 2,6А | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 500В | 500В | 3В | 5 Вт Тс | 3Ом | N-канал | 84пФ при 100В | 3 Ом при 400 мА, 13 В | 3,5 В при 30 мкА | 2,6 А Тс | 4,3 нк при 10 В | 13В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CPH6442-TL-W | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/onsemiconductor-cph6442tle-datasheets-7380.pdf | СОТ-23-6 Тонкий, ЦОТ-23-6 | Без свинца | 6 | 7 недель | АКТИВНО (Последнее обновление: 4 дня назад) | да | ЭСР ЗАЩИТА | Олово | не_совместимо | е6 | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 1 | Р-ПДСО-Г6 | 12 нс | 18нс | 35 нс | 80 нс | 6А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | 60В | 60В | 1,6 Вт Та | 6А | 24А | 0,043Ом | N-канал | 1040пФ при 20В | 43 мОм при 3 А, 10 В | 2,6 В при 1 мА | 6А Та | 20 НК при 10 В | 4В 10В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NTD14N03RT4G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2007 год | /files/onsemiconductor-ntd14n03r1g-datasheets-7738.pdf | 25 В | 14А | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 6,73 мм | 2,38 мм | 6,22 мм | Без свинца | 2 | 10 недель | 130МОм | 3 | АКТИВНО (Последнее обновление: 1 день назад) | да | EAR99 | Олово | Нет | е3 | ДА | КРЫЛО ЧАЙКИ | 3 | Одинокий | 1,56 Вт | 1 | Мощность полевого транзистора общего назначения | Р-ПССО-Г2 | 3,8 нс | 27нс | 27 нс | 9,6 нс | 14А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 1,04 Вт Ta 20,8 Вт Tc | 28А | 25 В | N-канал | 115пФ при 20В | 95 мОм при 5 А, 10 В | 2 В @ 250 мкА | 2,5 А Та | 1,8 НК при 5 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| АО4406А | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2011 год | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 16 недель | 8 | 13А | 30В | 3,1 Вт Та | N-канал | 910пФ при 15 В | 11,5 мОм при 12 А, 10 В | 2,5 В @ 250 мкА | 13А Та | 17 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОНР21321 | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 8-PowerVDFN | 18 недель | 30В | 4,1 Вт Та 24 Вт Тс | P-канал | 1180пФ при 15В | 16,5 мОм при 12 А, 10 В | 2,3 В @ 250 мкА | 24А Тк | 34 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±25 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTK170P10P | ИКСИС | $17,46 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ПоларП™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/ixys-ixtx170p10p-datasheets-0670.pdf | ТО-264-3, ТО-264АА | Без свинца | 3 | 28 недель | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | неизвестный | е1 | ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 890 Вт | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицирован | Р-ПСФМ-Т3 | 170А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 100В | 890 Вт Тс | 510А | 0,012 Ом | 3500 мДж | -100В | P-канал | 12600пФ при 25В | 12 м Ом при 500 мА, 10 В | 4 В при 1 мА | 170А Ц | 240 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI2347DS-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/vishaysiliconix-si2347dst1ge3-datasheets-7502.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 1,12 мм | Без свинца | 3 | 14 недель | Нет СВХК | 3 | да | EAR99 | Олово | Нет | е3 | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 1 | Одинокий | 30 | 1,7 Вт | 1 | Другие транзисторы | 150°С | 6нс | 9 нс | 19 нс | 5А | 20 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30В | -2,5 В | 1,7 Вт Тс | 5А | 0,042 Ом | -30В | P-канал | 705пФ при 15В | 42 мОм при 3,8 А, 10 В | 2,5 В @ 250 мкА | 5А Ц | 22 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| PMV50EPEAR | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/nexperiausainc-pmv50epear-datasheets-7458.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 4 недели | ТО-236АБ | 30В | 310 мВт Ta 455 мВт Tc | 35мОм | P-канал | 793пФ при 15 В | 45 мОм при 4,2 А, 10 В | 3 В при 250 мкА | 4.2А Та | 19,2 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| STW20NM60 | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | МДмеш™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-stp20nm60-datasheets-1689.pdf | 650В | 20А | ТО-247-3 | 50,8 мм | 6,35 мм | 6,35 мм | Без свинца | 3 | 16 недель | 4.535924г | Нет СВХК | 290мОм | 3 | АКТИВНО (Последнее обновление: 8 месяцев назад) | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | STW20N | 3 | Одинокий | 192 Вт | 1 | Мощность полевого транзистора общего назначения | 25 нс | 20нс | 11 нс | 42 нс | 20А | 30В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 4В | 192 Вт Тс | 80А | 650 мДж | 600В | N-канал | 1500пФ при 25В | 290 мОм при 10 А, 10 В | 5 В @ 250 мкА | 20А Ц | 54 НК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTL2N450 | IXYS / Литтелфус | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/ixys-ixtl2n450-datasheets-7451.pdf | ISOPLUSi5-Pak™ | 24 недели | 3 | неизвестный | Одинокий | 220 Вт | 1 | 38нс | 205 нс | 100 нс | 2А | 20 В | 4500В | 220 Вт Тс | 4,5 кВ | N-канал | 6900пФ при 25 В | 23 Ом при 1 А, 10 В | 6 В при 250 мкА | 2А Тк | 156 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДМН2046У-7 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/diodesincorporated-dmn2046u13-datasheets-7358.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 3 | 23 недели | EAR99 | е3 | Матовый олово (Sn) | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | Р-ПДСО-Г3 | 3,4А | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 20 В | 20 В | 760мВт Та | 0,072Ом | N-канал | 292пФ при 10 В | 72 мОм при 3,6 А, 4,5 В | 1,4 В @ 250 мкА | 3,4А Та | 3,8 нк при 4,5 В | 2,5 В 4,5 В | ±12 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СТХ270Н8Ф7-6 | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | DeepGATE™, STripFET™ VII | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/stmicroelectronics-stp270n8f7-datasheets-4375.pdf | ТО-263-7, Д2Пак (6 отведений + вкладка) | 10,4 мм | 4,8 мм | 15,25 мм | Без свинца | 6 | 7 | АКТИВНО (Последнее обновление: 8 месяцев назад) | EAR99 | СВЕРХНИЗКОЕ СОПРОТИВЛЕНИЕ | Нет | КРЫЛО ЧАЙКИ | СТХ270 | Одинокий | 315 Вт | 1 | Р-ПССО-Г6 | 56 нс | 180 нс | 42 нс | 98 нс | 180А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 315 Вт Тс | 80В | N-канал | 13600пФ при 50В | 2,1 мОм при 90 А, 10 В | 4 В при 250 мкА | 180А Ц | 193 НК при 10 В | 10 В | ±20 В |
