Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактОдиночные МОП-транзисторы(33658)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Технология | Режим работы | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Количество окончаний | ECCN-код | Дополнительная функция | Достичь соответствия кода | Код HTS | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Поверхностный монтаж | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Количество контактов | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Код JESD-30 | Дата проведения проверки исходного URL | Поставщик пакета оборудования | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Напряжение стока к источнику (Vdss) | DS Напряжение проба-мин. | Рассеиваемая мощность-Макс. | Код JEDEC-95 | Максимальный сток (Abs) (ID) | Максимальный импульсный ток стока (IDM) | Источник стока при максимальном сопротивлении | Обратная связь Cap-Max (Crss) | Рейтинг лавинной энергии (Eas) | Тип полярного транзистора | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | Выключить Тайм-Макс (toff) | Время включения-Макс (тонна) | Rds включено (макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс) @ Id | Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Напряжение привода (макс. значение включено, минимальное значение включено) | ВГС (Макс) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| БУК9508-55А,127 | NXP США Инк. | 0,84 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчМОС™ | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/nxpusainc-buk950855a127-datasheets-5860.pdf | ТО-220-3 | 3 | EAR99 | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕТ | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Мощность полевого транзистора общего назначения | Не квалифицированный | Р-ПСФМ-Т3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 55В | 55В | 253 Вт Тс | ТО-220АБ | 75А | 503А | 0,0085Ом | 670 мДж | N-канал | 6021пФ при 25 В | 7,5 мОм при 25 А, 10 В | 2 В @ 1 мА | 75А Ц | 92 НК при 5 В | 4,5 В 10 В | ±15 В | |||||||||||
| PHB145NQ06T,118 | NXP США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчМОС™ | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 1997 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/nxpusainc-phb145nq06t118-datasheets-5861.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | 55В | 250 Вт Тс | N-канал | 3825пФ при 25В | 6 мОм при 25 А, 10 В | 4 В @ 1 мА | 75А Ц | 64,7 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IPD350N06LGBUMA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Оптимос™ | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 60В | 68 Вт Тк | N-канал | 800пФ при 30В | 35 мОм при 29 А, 10 В | 2 В @ 28 мкА | 29А Тц | 13 НК при 5 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 220 118 индийских франков | NXP США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчМОС™ | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2001 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/nxpusainc-irfr220118-datasheets-5862.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 2 | EAR99 | е3 | ИНН | ДА | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 3 | 1 | Не квалифицированный | Р-ПССО-Г2 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 200В | 200В | 42 Вт Тс | 4,8А | 19А | 0,8 Ом | N-канал | 280пФ при 25В | 800 мОм при 2,9 А, 10 В | 4 В при 250 мкА | 4,8 А Тс | 14 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||
| PHD16N03LT,118 | NXP США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчМОС™ | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 1997 год | /files/nxpusainc-phd16n03lt118-datasheets-5863.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 2 | EAR99 | неизвестный | е3 | ИНН | ДА | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Не квалифицированный | Р-ПССО-Г2 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30 В | 30 В | 32,6 Вт Тс | 16А | 32А | 0,067Ом | N-канал | 210пФ при 30В | 67 мОм при 16 А, 10 В | 2 В @ 1 мА | 16А Ц | 8,5 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±15 В | |||||||||||||
| БУК7505-30А,127 | NXP США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчМОС™ | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 1999 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/nxpusainc-buk750530a127-datasheets-5849.pdf | ТО-220-3 | 3 | EAR99 | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕТ | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Мощность полевого транзистора общего назначения | Не квалифицированный | Р-ПСФМ-Т3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30 В | 30 В | 230 Вт Тс | ТО-220АБ | 75А | 400А | 0,005 Ом | 500 мДж | N-канал | 6000пФ при 25В | 5 м Ом при 25 А, 10 В | 4 В @ 1 мА | 75А Ц | 10 В | ±20 В | |||||||||||||
| 254 126 бац. | NXP США Инк. | 0,71 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2002 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/nxpusainc-bsn254a126-datasheets-5836.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | 3 | EAR99 | неизвестный | е3 | ИНН | НЕТ | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Не квалифицированный | О-PBCY-T3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 250 В | 250 В | 1 Вт Та | 0,3 А | 7Ом | 15 пФ | N-канал | 120пФ при 25В | 5 Ом при 300 мА, 10 В | 2 В @ 1 мА | 310 мА Та | 2,4 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||
| БУК7605-30А,118 | NXP США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчМОС™ | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 1999 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/nxpusainc-buk760530a118-datasheets-5833.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | 2 | EAR99 | неизвестный | е3 | ИНН | ДА | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3 | 40 | 1 | Не квалифицированный | Р-ПССО-Г2 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30 В | 30 В | 230 Вт Тс | 75А | 400А | 0,005 Ом | 500 мДж | N-канал | 6000пФ при 25В | 5 м Ом при 25 А, 10 В | 4 В @ 1 мА | 75А Ц | 10 В | ±20 В | |||||||||||||
| БСП254А,126 | NXP США Инк. | 0,34 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 1998 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/nxpusainc-bsp254a126-datasheets-5834.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | 3 | EAR99 | СОВМЕСТИМЫЙ ЛОГИЧЕСКИЙ УРОВЕНЬ | неизвестный | 8541.29.00.95 | е3 | ИНН | НЕТ | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Не квалифицированный | О-PBCY-T3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 250 В | 250 В | 1 Вт Та | 0,2 А | 15 пФ | P-канал | 90пФ при 25В | 15 Ом при 200 мА, 10 В | 2,8 В при 1 мА | 200 мА Та | 10 В | 20 В | |||||||||||||||
| BS108,126 | NXP США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2001 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/nxpusainc-bs10801126-datasheets-5831.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | 3 | EAR99 | 8541.29.00.95 | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕТ | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Мощность полевого транзистора общего назначения | Не квалифицированный | О-PBCY-T3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 200В | 200В | 1 Вт Та | 0,3 А | 5Ом | 15 пФ | N-канал | 120пФ при 25В | 5 Ом @ 100 мА, 2,8 В | 1,8 В при 1 мА | 300 мА Та | 2,8 В | ±20 В | ||||||||||||||||
| БСН254А,126 | NXP США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2002 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/nxpusainc-bsn254a126-datasheets-5836.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | 3 | EAR99 | неизвестный | 8541.29.00.95 | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕТ | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Мощность полевого транзистора общего назначения | Не квалифицированный | О-PBCY-T3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 250 В | 250 В | 1 Вт Та | 0,3 А | 7Ом | 15 пФ | N-канал | 120пФ при 25В | 5 Ом при 300 мА, 10 В | 2 В @ 1 мА | 310 мА Та | 2,4 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||
| БСП304А,126 | NXP США Инк. | 0,29 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -65°С~150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 1995 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/nxpusainc-bsp304a126-datasheets-5837.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | 3 | EAR99 | СОВМЕСТИМЫЙ ЛОГИЧЕСКИЙ УРОВЕНЬ | неизвестный | 8541.29.00.95 | е3 | ИНН | НЕТ | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Не квалифицированный | О-PBCY-T3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 300В | 300В | 1 Вт Та | 0,17 А | 15 пФ | P-канал | 90пФ при 25В | 17 Ом при 170 мА, 10 В | 2,55 В @ 1 мА | 170 мА Та | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||
| БУК9611-55А,118 | NXP США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчМОС™ | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 1997 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/nexperiausainc-buk951155a127-datasheets-5668.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | 2 | EAR99 | не_совместимо | 8541.29.00.75 | е3 | Олово (Вс) | ДА | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3 | 40 | 1 | Мощность полевого транзистора общего назначения | Не квалифицированный | Р-ПССО-Г2 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 55В | 55В | 166 Вт Тс | 75А | 266А | 0,012 Ом | 330 мДж | N-канал | 4230пФ при 25В | 10 мОм при 25 А, 10 В | 2 В @ 1 мА | 75А Ц | 4,5 В 10 В | ±10 В | |||||||||||
| БУК9528-100А,127 | NXP США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчМОС™ | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/nxpusainc-buk9528100a127-datasheets-5840.pdf | ТО-220-3 | 3 | EAR99 | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕТ | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Мощность полевого транзистора общего назначения | Не квалифицированный | Р-ПСФМ-Т3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 100 В | 100 В | 166 Вт Тс | ТО-220АБ | 49А | 195А | 0,028 Ом | 45 мДж | N-канал | 4293пФ при 25 В | 27 мОм при 25 А, 10 В | 2 В @ 1 мА | 49А ТЦ | 4,5 В 10 В | ±10 В | |||||||||||||
| БУК7575-55,127 | NXP США Инк. | 2,75 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчМОС™ | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 1997 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/nxpusainc-buk757555127-datasheets-5841.pdf | ТО-220-3 | 3 | EAR99 | ЗАЩИТА ОТ ЭСР | неизвестный | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕТ | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Мощность полевого транзистора общего назначения | Не квалифицированный | Р-ПСФМ-Т3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 55В | 55В | 61 Вт Тс | ТО-220АБ | 19,7А | 79А | 0,075 Ом | 85 пФ | 30 мДж | N-канал | 500пФ при 25В | 45нс | 35 нс | 75 мОм при 10 А, 10 В | 4 В @ 1 мА | 19,7 А Тс | 10 В | ±16 В | |||||||
| БУК7614-55,118 | NXP США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчМОС™ | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 1998 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/nxpusainc-buk761455118-datasheets-5842.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | 2 | EAR99 | е3 | ИНН | ДА | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3 | 40 | 1 | Не квалифицированный | Р-ПССО-Г2 | 2013-06-14 00:00:00 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 55В | 55В | 142 Вт Тс | 68А | 240А | 0,014 Ом | 270 пФ | 200 мДж | N-канал | 2900пФ при 25В | 105 нс | 111 нс | 14 мОм при 25 А, 10 В | 4 В @ 1 мА | 68А Тк | 10 В | ±16 В | ||||||||||
| БУК7624-55,118 | NXP США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчМОС™ | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 1998 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/nxpusainc-buk762455118-datasheets-5844.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | 2 | EAR99 | неизвестный | е3 | ИНН | ДА | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3 | 40 | 1 | Не квалифицированный | Р-ПССО-Г2 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 55В | 55В | 103 Вт Тк | 45А | 180А | 0,024 Ом | 180 пФ | 80 мДж | N-канал | 1500пФ при 25В | 60нс | 53нс | 24 мОм при 25 А, 10 В | 4 В @ 1 мА | 45А Ц | 10 В | ±16 В | ||||||||||
| БСТ72А,112 | NXP США Инк. | 0,51 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчМОС™ | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2007 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/nxpusainc-bst72a112-datasheets-5845.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) | 3 | EAR99 | СОВМЕСТИМЫЙ ЛОГИЧЕСКИЙ УРОВЕНЬ | неизвестный | 8541.21.00.95 | е3 | ИНН | НЕТ | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Мощность полевого транзистора общего назначения | Не квалифицированный | О-PBCY-T3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 100 В | 100 В | 830мВт Та | 0,19 А | 10 пФ | N-канал | 40пФ при 10В | 10 Ом при 150 мА, 5 В | 3,5 В при 1 мА | 190 мА Та | 5В | 20 В | |||||||||||||
| БУК78150-55А,135 | НХП Полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, TrenchMOS™ | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2010 год | /files/nexperiausainc-buk7815055acux-datasheets-0437.pdf | ТО-261-4, ТО-261АА | 4 | EAR99 | 8541.29.00.75 | е3 | Олово (Вс) | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 4 | 40 | 1 | Мощность полевого транзистора общего назначения | Не квалифицированный | Р-ПДСО-Г4 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 55В | 55В | 8 Вт Тс | 5,5 А | 22А | 0,15 Ом | 25 мДж | N-канал | 230пФ при 25В | 150 мОм при 5 А, 10 В | 4 В @ 1 мА | 5,5 А Тс | 10 В | ±20 В | ||||||||||||
| R6535ENZC8 | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/rohmsemiconductor-r6535enzc17-datasheets-5824.pdf | ТО-3П-3 Полный пакет | 3 | НЕТ | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | Р-ПСФМ-Т3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 650В | 650В | 102 Вт Тс | 35А | 105А | 0,115 Ом | 867 мДж | N-канал | 2,6 нФ при 25 В | 115 мОм при 18,1 А, 10 В | 4 В при 1,21 мА | 35А Ц | 110 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||
| БУК7608-55,118 | NXP США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, TrenchMOS™ | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 1998 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/nxpusainc-buk760855118-datasheets-5830.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | 2 | EAR99 | ДА | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 3 | 1 | Не квалифицированный | Р-ПССО-Г2 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 55В | 55В | 187 Вт Тс | 75А | 240А | 0,008 Ом | 440 пФ | 500 мДж | N-канал | 4500пФ при 25В | 210 нс | 145 нс | 8 м Ом при 25 А, 10 В | 4 В @ 1 мА | 75А Ц | 10 В | ±16 В | |||||||||||||||
| TPH3206LSGB | Трансформировать | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | GaNFET (нитрид галлия) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/transphorm-tph3206lsgb-datasheets-5802.pdf | 3-PowerDFN | 650В | 81 Вт Тс | N-канал | 720пФ при 480В | 180 мОм при 10 А, 8 В | 2,6 В при 500 мкА | 16А Ц | 6,2 нк при 4,5 В | 8В | ±18 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BS108/01,126 | NXP США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2001 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/nxpusainc-bs10801126-datasheets-5831.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | ТО-92-3 | 200В | 1 Вт Та | N-канал | 120пФ при 25В | 5 Ом при 100 мА, 2,8 В | 1,8 В при 1 мА | 300 мА Та | 2,8 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТП65Х300Г4ЛСГ | Трансформировать | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | GaNFET (нитрид галлия) | 3-PowerDFN | 650В | 21 Вт Тс | N-канал | 760пФ при 400В | 312 мОм при 5 А, 8 В | 2,6 В при 500 мкА | 6,5 А Тс | 9,6 НК при 8 В | 8В | ±18 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 304 126 БСН | NXP США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2001 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/nxpusainc-bsn304126-datasheets-5832.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | 3 | EAR99 | неизвестный | е3 | ИНН | НЕТ | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Не квалифицированный | О-PBCY-T3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 300В | 300В | 1 Вт Та | 0,25 А | 8Ом | 15 пФ | N-канал | 120пФ при 25В | 6 Ом при 250 мА, 10 В | 2 В @ 1 мА | 300 мА Та | 2,4 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||
| R6025ANZFL1C8 | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/rohmsemiconductor-r6025anzfl1c8-datasheets-5806.pdf | ТО-3П-3 Полный пакет | 600В | 150 Вт Тс | N-канал | 3,25 нФ при 10 В | 150 мОм при 12,5 А, 10 В | 4,5 В @ 1 мА | 25А Ц | 88 НК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| R6524ENZC8 | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/rohmsemiconductor-r6524enzc17-datasheets-5773.pdf | ТО-3П-3 Полный пакет | 3 | НЕТ | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | Р-ПСФМ-Т3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 650В | 650В | 74 Вт Тс | 24А | 72А | 0,185 Ом | 654 мДж | N-канал | 1,65 нФ при 25 В | 185 мОм при 11,3 А, 10 В | 4 В @ 750 мкА | 24А Тк | 70 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||
| Р6020ЕНЗМ12С8 | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/rohmsemiconductor-r6020enzc17-datasheets-5774.pdf | ТО-3П-3 Полный пакет | 600В | 120 Вт Тс | N-канал | 1,4 нФ при 25 В | 196 мОм при 9,5 А, 10 В | 4 В @ 1 мА | 20А Ц | 60 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Р6030ЕНЗМ12С8 | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/rohmsemiconductor-r6030enzc17-datasheets-5764.pdf | ТО-3П-3 Полный пакет | 600В | 120 Вт Тс | N-канал | 2,1 нФ при 25 В | 130 мОм при 14,5 А, 10 В | 4 В @ 1 мА | 30А Ц | 85 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| R6015ANZFU7C8 | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/rohmsemiconductor-r6015anzfu7c8-datasheets-5814.pdf | ТО-3П-3 Полный пакет | 600В | 110 Вт Тс | N-канал | 1,7 нФ при 25 В | 300 мОм при 7,5 А, 10 В | 4,15 В @ 1 мА | 15А Ц | 50 НК при 10 В | 10 В | ±30 В |
