Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактОдиночные МОП-транзисторы(33658)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Технология | Режим работы | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Количество окончаний | ECCN-код | Дополнительная функция | Достичь соответствия кода | Код HTS | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Поверхностный монтаж | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Количество контактов | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Напряжение стока к источнику (Vdss) | DS Напряжение проба-мин. | Рассеиваемая мощность-Макс. | Код JEDEC-95 | Максимальный сток (Abs) (ID) | Максимальный импульсный ток стока (IDM) | Источник стока при максимальном сопротивлении | Обратная связь Cap-Max (Crss) | Рейтинг лавинной энергии (Eas) | Тип полярного транзистора | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | Выключить Тайм-Макс (toff) | Время включения-Макс (тонна) | Rds включено (макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс) @ Id | Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Напряжение привода (макс. значение включено, минимальное значение включено) | ВГС (Макс) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| PHK12NQ10T,518 | NXP США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчМОС™ | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/nxpusainc-phk12nq10t518-datasheets-5895.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 | EAR99 | 8541.29.00.75 | е4 | НИКЕЛЬ ПАЛЛАДИЙ ЗОЛОТО | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 8 | 30 | 1 | Мощность полевого транзистора общего назначения | Не квалифицирован | Р-ПДСО-Г8 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 100 В | 100 В | 8,9 Вт Тс | МС-012АА | 11,6А | 48А | 0,028 Ом | 65 мДж | N-канал | 1965 пФ при 25 В | 28 мОм при 6 А, 10 В | 4 В при 1 мА | 11,6 А Тс | 35 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||
| PHD22NQ20T,118 | NXP США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчМОС™ | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 1997 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/nxpusainc-phd22nq20t118-datasheets-5879.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 2 | EAR99 | е3 | ИНН | ДА | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Не квалифицирован | Р-ПССО-Г2 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 200В | 200В | 150 Вт Тс | 21,1А | 42,2А | 0,12 Ом | 150 мДж | N-канал | 1380пФ при 25В | 120 мОм при 12 А, 10 В | 4 В при 1 мА | 21.1А Ц | 30,8 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||
| PHM30NQ10T,518 | NXP США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчМОС™ | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 1997 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/nxpusainc-phm30nq10t518-datasheets-5880.pdf | 8-ВДФН Открытая площадка | 8 | EAR99 | неизвестный | ДА | ДВОЙНОЙ | НЕТ ЛИДЕСА | 8 | 1 | Не квалифицирован | Р-ПДСО-Н8 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 100 В | 100 В | 62,5 Вт Тс | 37,6А | 60А | 0,02 Ом | N-канал | 3600пФ при 25В | 20 мОм при 18 А, 10 В | 4 В при 1 мА | 37,6А Тс | 53,7 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||
| ИРФЗ44Н,127 | NXP США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчМОС™ | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 1999 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/nxpusainc-irfz44n127-datasheets-5881.pdf | ТО-220-3 | 3 | EAR99 | ЭСР ЗАЩИТА | неизвестный | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕТ | ОДИНОКИЙ | 260 | 30 | 1 | Мощность полевого транзистора общего назначения | Не квалифицирован | Р-ПСФМ-Т3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 55В | 55В | 110 Вт Тс | ТО-220АБ | 49А | 160А | 0,022 Ом | 110 мДж | N-канал | 1800пФ при 25В | 22 мОм при 25 А, 10 В | 4 В при 1 мА | 49А ТЦ | 62 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||
| PHD96NQ03LT,118 | NXP США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчМОС™ | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/nxpusainc-phd96nq03lt118-datasheets-5883.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 2 | EAR99 | е3 | Олово (Вс) | ДА | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Не квалифицирован | Р-ПССО-Г2 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 25 В | 25 В | 115 Вт Тс | ТО-252АА | 75А | 240А | 0,0075Ом | 185 мДж | N-канал | 2200пФ при 25В | 4,95 мОм при 25 А, 10 В | 2 В @ 1 мА | 75А Ц | 26,7 НК при 5 В | 5В 10В | ±20 В | |||||||||||
| PHD98N03LT,118 | NXP США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчМОС™ | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/nxpusainc-phd98n03lt118-datasheets-5884.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 2 | EAR99 | неизвестный | е3 | ИНН | ДА | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Не квалифицирован | Р-ПССО-Г2 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 25 В | 25 В | 111 Вт Тс | ТО-252АА | 75А | 240А | 0,0073Ом | 183 мДж | N-канал | 3000пФ при 20В | 5,9 мОм при 25 А, 10 В | 2 В @ 1 мА | 75А Ц | 40 НК при 5 В | 5В 10В | ±20 В | |||||||||||
| БУК7511-55А,127 | NXP США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчМОС™ | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2010 год | ТО-220-3 | 3 | EAR99 | 8541.29.00.75 | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕТ | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Мощность полевого транзистора общего назначения | Не квалифицирован | Р-ПСФМ-Т3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 55В | 55В | 166 Вт Тс | ТО-220АБ | 75А | 347А | 0,011 Ом | 211 мДж | N-канал | 3093пФ при 25 В | 11 мОм при 25 А, 10 В | 4 В при 1 мА | 75А Ц | 10 В | ±20 В | ||||||||||||
| ИРФЗ24Н,127 | NXP США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчМОС™ | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 1997 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/nxpusainc-irfz24n127-datasheets-5869.pdf | ТО-220-3 | 3 | EAR99 | ЭСР ЗАЩИТА | неизвестный | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕТ | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | Мощность полевого транзистора общего назначения | Не квалифицирован | Р-ПСФМ-Т3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 55В | 55В | 45 Вт Тс | ТО-220АБ | 17А | 68А | 0,07 Ом | 30 мДж | N-канал | 500пФ при 25В | 70 мОм при 10 А, 10 В | 4 В при 1 мА | 17А Тк | 19 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||
| PHD110NQ03LT,118 | NXP США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчМОС™ | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/nxpusainc-phd110nq03lt118-datasheets-5870.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 25 В | 115 Вт Тс | N-канал | 2200пФ при 25В | 4,6 мОм при 25 А, 10 В | 2 В @ 1 мА | 75А Ц | 26,7 НК при 5 В | 5В 10В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PHK4NQ10T,518 | NXP США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчМОС™ | Поверхностный монтаж | -65°С~150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 1999 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/nxpusainc-phk4nq10t518-datasheets-5871.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 | EAR99 | 8541.29.00.95 | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 1 | Не квалифицирован | Р-ПДСО-Г8 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 100 В | 100 В | 2,5 Вт Та | 4А | 16А | 0,07 Ом | N-канал | 880пФ при 25В | 70 мОм при 4 А, 10 В | 4 В при 1 мА | 22 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||
| PHK4NQ20T,518 | NXP США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчМОС™ | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 1997 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/nxpusainc-phk4nq20t518-datasheets-5872.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 | EAR99 | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 8 | 1 | Полномочия общего назначения FET | Не квалифицирован | Р-ПДСО-Г8 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 200В | 200В | 6,25 Вт Тс | МС-012 | 4А | 0,13 Ом | N-канал | 1230пФ при 25В | 130 мОм при 4 А, 10 В | 4 В при 1 мА | 4А Тк | 26 НК при 10 В | 5В 10В | ±20 В | |||||||||||||||||
| PHD66NQ03LT,118 | NXP США Инк. | 0,07 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчМОС™ | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/nexperiausainc-phb66nq03lt118-datasheets-6694.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 2 | EAR99 | неизвестный | е3 | ИНН | ДА | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Мощность полевого транзистора общего назначения | Не квалифицирован | Р-ПССО-Г2 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 25 В | 25 В | 93 Вт Тс | ТО-252АА | 66А | 228А | 0,0136Ом | 90 мДж | N-канал | 860пФ при 25В | 10,5 мОм при 25 А, 10 В | 2 В @ 1 мА | 66А Тк | 12 НК при 5 В | 5В 10В | ±20 В | ||||||||
| PHM12NQ20T,518 | NXP США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчМОС™ | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 1997 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/nxpusainc-phm12nq20t518-datasheets-5874.pdf | 8-ВДФН Открытая площадка | 2 | EAR99 | неизвестный | ДА | ДВОЙНОЙ | НЕТ ЛИДЕСА | 8 | 1 | Не квалифицирован | Р-ПДСО-Н2 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 200В | 200В | 62,5 Вт Тс | 20,4А | 60А | 0,085Ом | N-канал | 1230пФ при 25В | 130 мОм при 12 А, 10 В | 4 В при 1 мА | 14,4 А Тс | 26 НК при 10 В | 5В 10В | ±20 В | ||||||||||||||||
| PHD55N03LTA,118 | NXP США Инк. | 0,14 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчМОС™ | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 1997 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/nxpusainc-phb55n03lta118-datasheets-6300.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 2 | EAR99 | е3 | ИНН | ДА | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Не квалифицирован | Р-ПССО-Г2 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 25 В | 25 В | 85 Вт Тс | 55А | 220А | 0,018Ом | 60 мДж | N-канал | 950пФ при 25В | 14 мОм при 25 А, 10 В | 2 В @ 1 мА | 55А Ц | 20 НК при 5 В | 5В 10В | ±20 В | |||||||||||
| PHB176NQ04T,118 | NXP США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчМОС™ | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/nxpusainc-phb176nq04t118-datasheets-5876.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | 40В | 250 Вт Тс | N-канал | 3620пФ при 25В | 4,3 мОм при 25 А, 10 В | 4 В при 1 мА | 75А Ц | 68,9 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PHM15NQ20T,518 | NXP США Инк. | 0,33 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчМОС™ | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 1997 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/nxpusainc-phm15nq20t518-datasheets-5877.pdf | 8-ВДФН Открытая площадка | 8 | EAR99 | ДА | ДВОЙНОЙ | НЕТ ЛИДЕСА | 8 | 1 | Не квалифицирован | Р-ПДСО-Н8 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 200В | 200В | 62,5 Вт Тс | 17,5А | 60А | 0,085Ом | 210 мДж | N-канал | 2170пФ при 30 В | 85 мОм при 15 А, 10 В | 4 В при 1 мА | 17,5 А Тс | 40 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||
| БУК9635-55,118 | NXP США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчМОС™ | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 1998 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/nxpusainc-buk963555118-datasheets-5878.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | 2 | EAR99 | СОВМЕСТИМОСТЬ ЛОГИЧЕСКОГО УРОВНЯ, ЗАЩИТА ОТ ЭСР | неизвестный | ДА | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 3 | 1 | Полномочия общего назначения FET | Не квалифицирован | Р-ПССО-Г2 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 55В | 55В | 85 Вт Тс | 34А | 136А | 0,035 Ом | 45 мДж | N-канал | 1400пФ при 25В | 35 мОм при 17 А, 5 В | 2 В @ 1 мА | 34А Тк | 5В | ±10 В | ||||||||||||||
| PHB78NQ03LT,118 | NXP США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчМОС™ | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/nxpusainc-phb78nq03lt118-datasheets-5864.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | 2 | EAR99 | СОВМЕСТИМЫЙ ЛОГИЧЕСКИЙ УРОВЕНЬ | неизвестный | е3 | ИНН | ДА | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Не квалифицирован | Р-ПССО-Г2 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 25 В | 25 В | 107 Вт Тс | 40А | 160А | 0,0135Ом | 185 мДж | N-канал | 970пФ при 12 В | 9 м Ом при 25 А, 10 В | 2 В @ 1 мА | 40А Ц | 11 НК при 4,5 В | 5В 10В | ±20 В | ||||||||||
| PHD14NQ20T,118 | NXP США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчМОС™ | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 1997 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/nxpusainc-phd14nq20t118-datasheets-5865.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | ДПАК | 200В | 125 Вт Тс | N-канал | 1500пФ при 25В | 230 мОм при 7 А, 10 В | 4 В при 1 мА | 14А Ц | 38 НК при 10 В | 5В 10В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PHB95NQ04LT,118 | NXP США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчМОС™ | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 1997 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/nxpusainc-phb95nq04lt118-datasheets-5866.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | 40В | 157 Вт Тс | N-канал | 2700пФ при 25В | 7 мОм при 25 А, 10 В | 2 В @ 1 мА | 75А Ц | 32,7 НК при 5 В | 4,5 В 10 В | ±15 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БУК7540-100А,127 | NXP США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчМОС™ | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 1999 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/nxpusainc-buk7540100a127-datasheets-5867.pdf | ТО-220-3 | 3 | EAR99 | 8541.29.00.75 | е3 | Олово (Вс) | НЕТ | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Мощность полевого транзистора общего назначения | Не квалифицирован | Р-ПСФМ-Т3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 100 В | 100 В | 138 Вт Тс | ТО-220АБ | 37А | 149А | 0,04 Ом | 31 мДж | N-канал | 2293пФ при 25 В | 40 мОм при 40 А, 10 В | 4 В при 1 мА | 37А Тц | 10 В | ±20 В | |||||||||||
| БУК7528-55,127 | NXP США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчМОС™ | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 1998 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/nxpusainc-buk752855127-datasheets-5853.pdf | ТО-220-3 | 3 | EAR99 | ЗАЩИТА ОТ ЭСР | неизвестный | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕТ | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Мощность полевого транзистора общего назначения | Не квалифицирован | Р-ПСФМ-Т3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 55В | 55В | 96 Вт Тс | ТО-220АБ | 40А | 160А | 0,028 Ом | 160 пФ | 70 мДж | N-канал | 1300пФ при 25В | 62нс | 94нс | 28 мОм при 20 А, 10 В | 4 В при 1 мА | 40А Ц | 10 В | ±16 В | |||||||
| БУК9506-55А,127 | NXP США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчМОС™ | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 1997 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/nxpusainc-buk950655a127-datasheets-5854.pdf | ТО-220-3 | 3 | EAR99 | СОВМЕСТИМЫЙ ЛОГИЧЕСКИЙ УРОВЕНЬ | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕТ | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Мощность полевого транзистора общего назначения | Не квалифицирован | Р-ПСФМ-Т3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 55В | 55В | 300 Вт Тс | ТО-220АБ | 75А | 616А | 0,0067Ом | 1100 мДж | N-канал | 8600пФ при 25В | 5,8 мОм при 25 А, 10 В | 2 В @ 1 мА | 75А Ц | 4,5 В 10 В | ±15 В | |||||||||||
| БУК7616-55А,118 | NXP США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчМОС™ | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 1997 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/nxpusainc-buk761655a118-datasheets-5855.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | 2 | EAR99 | неизвестный | е3 | ИНН | ДА | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3 | 40 | 1 | Не квалифицирован | Р-ПССО-Г2 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 55В | 55В | 138 Вт Тс | 65,7А | 263А | 0,016Ом | 120 мДж | N-канал | 2245пФ при 25В | 16 мОм при 25 А, 10 В | 4 В при 1 мА | 65,7 А Тс | 10 В | ±20 В | ||||||||||||
| БУК9620-100А,118 | NXP США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчМОС™ | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 1997 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/nxpusainc-buk9620100a118-datasheets-5856.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | 2 | EAR99 | неизвестный | е3 | ИНН | ДА | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3 | 40 | 1 | Не квалифицирован | Р-ПССО-Г2 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 100 В | 100 В | 200 Вт Тс | 63А | 253А | 0,022 Ом | 420 мДж | N-канал | 6385пФ при 25 В | 19 мОм при 25 А, 10 В | 2 В @ 1 мА | 63А Тк | 4,5 В 10 В | ±10 В | ||||||||||||
| БУК7514-55А,127 | NXP США Инк. | $3,54 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчМОС™ | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/nxpusainc-buk751455a127-datasheets-5857.pdf | ТО-220-3 | 3 | EAR99 | ЗАЩИТА ОТ ЭСР | неизвестный | 8541.29.00.75 | е3 | Олово (Вс) | НЕТ | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Мощность полевого транзистора общего назначения | Не квалифицирован | Р-ПСФМ-Т3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 55В | 55В | 166 Вт Тс | ТО-220АБ | 73А | 266А | 0,014 Ом | 125 мДж | N-канал | 2464 пФ при 25 В | 14 мОм при 25 А, 10 В | 4 В при 1 мА | 73А Тц | 10 В | ±20 В | ||||||||
| БУК9616-55А,118 | NXP США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, TrenchMOS™ | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/nxpusainc-buk961655a118-datasheets-5859.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | 2 | EAR99 | е3 | ИНН | ДА | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3 | 40 | 1 | Не квалифицирован | Р-ПССО-Г2 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 55В | 55В | 138 Вт Тс | 66А | 263А | 0,017Ом | 120 мДж | N-канал | 3085пФ при 25В | 15 мОм при 25 А, 10 В | 2 В @ 1 мА | 66А Тк | 5В 10В | ±10 В | |||||||||||||
| БУК9237-55,118 | NXP США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчМОС™ | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 55В | N-канал | 1236пФ при 25 В | 33 мОм при 15 А, 10 В | 2 В @ 1 мА | 32А Тк | 17,6 НК при 5 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БУК9508-55А,127 | NXP США Инк. | 0,84 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчМОС™ | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/nxpusainc-buk950855a127-datasheets-5860.pdf | ТО-220-3 | 3 | EAR99 | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕТ | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Мощность полевого транзистора общего назначения | Не квалифицирован | Р-ПСФМ-Т3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 55В | 55В | 253 Вт Тс | ТО-220АБ | 75А | 503А | 0,0085Ом | 670 мДж | N-канал | 6021пФ при 25 В | 7,5 мОм при 25 А, 10 В | 2 В @ 1 мА | 75А Ц | 92 НК при 5 В | 4,5 В 10 В | ±15 В | ||||||||||
| PHB145NQ06T,118 | NXP США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчМОС™ | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 1997 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/nxpusainc-phb145nq06t118-datasheets-5861.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | 55В | 250 Вт Тс | N-канал | 3825пФ при 25В | 6 мОм при 25 А, 10 В | 4 В при 1 мА | 75А Ц | 64,7 НК при 10 В | 10 В | ±20 В |
