Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактОдиночные МОП-транзисторы(33658)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Прекращение действия | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Режим работы | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Текущий рейтинг | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Сопротивление | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Без галогенов | Поверхностный монтаж | Положение терминала | Пиковая температура оплавления (Цел) | Базовый номер детали | Количество контактов | Количество вариантов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Максимальный переход температуры (Tj) | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Входная емкость | Включить время задержки | Время подъема | Осень (тип.) | Время задержки отключения | Непрерывный ток стока (ID) | Напряжение от затвора до источника (Vgs) | Максимальное двойное напряжение питания | Двойное напряжение питания | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Напряжение стока к источнику (Vdss) | DS Напряжение проба-мин. | Пороговое напряжение | Рассеиваемая мощность-Макс. | Код JEDEC-95 | Максимальный сток (Abs) (ID) | Максимальный импульсный ток стока (IDM) | Источник стока при максимальном сопротивлении | Снижение сопротивления до источника | Рейтинг лавинной энергии (Eas) | Напряжение проба стока к источнику | Тип полярного транзистора | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | Номинальный объем | Rds включено (макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс) @ Id | Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | РДС на Максе | Напряжение привода (макс. значение включено, минимальное значение включено) | ВГС (Макс) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| ФЧ104Н60Ф | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | HiPerFET™, Polar™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/onsemiconductor-fch104n60f-datasheets-2210.pdf | ТО-247-3 | 15,87 мм | 20,82 мм | 4,82 мм | 3 | 12 недель | 6,39 г | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 6 дней назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | Одинокий | 357 Вт | 1 | Мощность полевого транзистора общего назначения | 34 нс | 58нс | 20 нс | 98 нс | 37А | 5В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 600В | 357 Вт Тс | ТО-247АБ | 809 мДж | 650В | N-канал | 5950пФ при 100В | 104 мОм при 18,5 А, 10 В | 5 В @ 250 мкА | 37А Тц | 139 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFP22N65X2 | IXYS / Литтелфус | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | HiPerFET™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/ixys-ixfh22n65x2-datasheets-0336.pdf | ТО-220-3 | 19 недель | 22А | 650В | 390 Вт Тс | N-канал | 2310пФ при 25 В | 160 мОм при 11 А, 10 В | 5,5 В @ 1,5 мА | 22А Тк | 38 НК при 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTQ44P15T | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчП™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixtp44p15t-datasheets-5534.pdf | ТО-3П-3, СК-65-3 | 3 | 24 недели | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | неизвестный | е3 | ЧИСТОЕ ОЛОВО | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицированный | Р-ПСФМ-Т3 | 44А | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 150 В | 150 В | 298 Вт Тс | 130А | 0,065 Ом | 1000 мДж | P-канал | 13400пФ при 25В | 65 мОм при 500 мА, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 44А Тк | 175 НК при 10 В | 10 В | ±15 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTQ36N30P | IXYS / Литтелфус | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | PolarHT™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/ixys-ixta36n30p-datasheets-4075.pdf | ТО-3П-3, СК-65-3 | Без свинца | 3 | 24 недели | 3 | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 300 Вт | 1 | Не квалифицированный | 30 нс | 28 нс | 97 нс | 36А | 30В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 300 Вт Тс | 90А | 0,11 Ом | 1000 мДж | 300В | N-канал | 2250пФ при 25В | 110 мОм при 18 А, 10 В | 5,5 В @ 250 мкА | 36А Тк | 70 НК при 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АПТ8М100Б | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 1997 год | /files/microsemicorporation-apt8m100b-datasheets-2227.pdf | 1кВ | 8А | ТО-247-3 | 21,46 мм | 5,31 мм | 16,26 мм | Без свинца | 3 | 23 недели | 38.000013г | В ПРОИЗВОДСТВЕ (Последнее обновление: 1 месяц назад) | да | БЫСТРОЕ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ, ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | е1 | ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 290 Вт | 1 | Полномочия общего назначения FET | Не квалифицированный | Р-ПСФМ-Т3 | 8,5 нс | 7,8 нс | 7,2 нс | 29 нс | 8А | 30В | КРЕМНИЙ | Одинокий | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 1000В | 290 Вт Тс | ТО-247АБ | 7,3А | 27А | N-канал | 1885пФ при 25В | 1,8 Ом при 4 А, 10 В | 5 В @ 1 мА | 8А Тк | 60 НК при 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFP36N20X3 | ИКСИС | $3,71 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | HiPerFET™ | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfy36n20x3-datasheets-3750.pdf | ТО-220-3 | 3 | 19 недель | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | НЕТ | ОДИНОКИЙ | 1 | Р-ПСФМ-Т3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 200В | 200В | 176 Вт Тс | ТО-220АБ | 36А | 50А | 0,045 Ом | 300 мДж | N-канал | 1425пФ при 25В | 45 мОм при 18 А, 10 В | 4,5 В @ 500 мкА | 36А Тк | 21 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТК25Н60С5,С1Ф | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ДТМОСИВ-Г | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2015 год | /files/toshibasemiconductorandstorage-tk25n60x5s1f-datasheets-2233.pdf | ТО-247-3 | 16 недель | ТО-247 | 2,4 нФ | 25А | 600В | 180 Вт Тс | N-канал | 2400пФ при 300В | 140 мОм при 7,5 А, 10 В | 4,5 В при 1,2 мА | 25А Та | 60 НК при 10 В | 140 мОм | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИПП65Р190С7ФКСА1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | CoolMOS™ C7 | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | /files/infineontechnologies-ipp65r190c7fksa1-datasheets-2239.pdf | ТО-220-3 | Без свинца | 18 недель | 3 | ПГ-ТО220-3 | 1,15 нФ | 11 нс | 9 нс | 54 нс | 13А | 20 В | 650В | 650В | 72 Вт Тс | 168мОм | N-канал | 1150пФ при 400В | 190 мОм при 5,7 А, 10 В | 4 В @ 290 мкА | 13А Тк | 23 НК при 10 В | 190 мОм | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИПП020Н08Н5АКСА1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Оптимос™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/infineontechnologies-ipp020n08n5aksa1-datasheets-2245.pdf | ТО-220-3 | Содержит свинец | 3 | 13 недель | 6.000006г | 3 | да | EAR99 | не_совместимо | е3 | Олово (Вс) | Без галогенов | НЕ УКАЗАН | 1 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 1 | 40 нс | 36нс | 37 нс | 102 нс | 120А | 20 В | 80В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 375 Вт Тс | ТО-220АБ | 480А | 0,002 Ом | 80В | N-канал | 16900пФ при 40В | 2 м Ом при 100 А, 10 В | 3,8 В при 280 мкА | 120А Ц | 223 НК при 10 В | 6В 10В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТК35А65В5,С5С | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ДТМОСИВ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2014 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tk35a65w5s5x-datasheets-2251.pdf | ТО-220-3 Полный пакет | 16 недель | 35А | 650В | 50 Вт Тс | N-канал | 4100пФ при 300В | 95 мОм при 17,5 А, 10 В | 4,5 В @ 2,1 мА | 35А Та | 115 НК при 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИРЛ1004ПБФ | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ШЕСТИГРАННЫЙ ПЕТР® | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Сквозное отверстие | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | /files/infineontechnologies-irl1004pbf-datasheets-2254.pdf | 40В | 130А | ТО-220-3 | 10,6426 мм | 8,77 мм | 4,82 мм | Без свинца | 3 | 12 недель | Нет СВХК | 6,5 мОм | 3 | EAR99 | ЛАВИННЫЙ НОМИНАЛ, ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ, СОВМЕСТИМОСТЬ С ЛОГИЧЕСКИМ УРОВНЕМ | Олово | Нет | Одинокий | 200 Вт | 1 | Мощность полевого транзистора общего назначения | 16 нс | 210 нс | 14 нс | 25 нс | 130А | 16 В | 40В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 1В | 200 Вт Тс | ТО-220АБ | 520А | 700 мДж | 40В | N-канал | 5330пФ при 25В | 1 В | 6,5 мОм при 78 А, 10 В | 1 В при 250 мкА | 130А Ц | 100 НК при 4,5 В | 4,5 В 10 В | ±16 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| STW45N60DM2AG | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, MDmesh™ DM2 | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/stmicroelectronics-stw45n60dm2ag-datasheets-2193.pdf | ТО-247-3 | 17 недель | АКТИВНО (Последнее обновление: 8 месяцев назад) | EAR99 | НЕ УКАЗАН | STW45N | НЕ УКАЗАН | 34А | 600В | 250 Вт Тс | N-канал | 2500пФ при 100В | 93 мОм при 17 А, 10 В | 5 В @ 250 мкА | 34А Тк | 56 НК при 10 В | 10 В | ±25 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTQ52N30P | IXYS / Литтелфус | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | PolarHT™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/ixys-ixtt52n30p-datasheets-3827.pdf | ТО-3П-3, СК-65-3 | Без свинца | 3 | 24 недели | 3 | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 400 Вт | 1 | Мощность полевого транзистора общего назначения | Не квалифицированный | 22нс | 20 нс | 60 нс | 52А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 400 Вт Тс | 150А | 0,066Ом | 1000 мДж | 300В | N-канал | 3490пФ при 25В | 66 мОм при 26 А, 10 В | 5 В @ 250 мкА | 52А Тк | 110 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFH42N60P3 | ИКСИС | $7,56 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | HiPerFET™, Polar3™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfh42n60p3-datasheets-2199.pdf | ТО-247-3 | 16,26 мм | 21,46 мм | 5,3 мм | Без свинца | 3 | 30 недель | Нет СВХК | 3 | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | неизвестный | 3 | Одинокий | 830 Вт | 1 | Мощность полевого транзистора общего назначения | Не квалифицированный | 32 нс | 23нс | 17 нс | 60 нс | 42А | 30В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 4,5 В | 830 Вт Тс | 100А | 0,185 Ом | 600В | N-канал | 5150пФ при 25В | 185 мОм при 500 мА, 10 В | 5 В при 4 мА | 42А Тк | 78 НК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СТП43Н60ДМ2 | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | МДмеш™ ДМ2 | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/stmicroelectronics-stp43n60dm2-datasheets-2202.pdf | ТО-220-3 | 17 недель | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (Последнее обновление: 8 месяцев назад) | EAR99 | НЕ УКАЗАН | СТП43Н | НЕ УКАЗАН | 34А | 600В | 4В | 250 Вт Тс | N-канал | 2500пФ при 100В | 93 мОм при 17 А, 10 В | 5 В @ 250 мкА | 34А Тк | 56 НК при 10 В | 10 В | ±25 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FQPF9N90CT | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | QFET® | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/onsemiconductor-fqp9n90c-datasheets-5881.pdf | ТО-220-3 Полный пакет | 10,36 мм | 16,07 мм | 4,9 мм | Без свинца | 3 | 10 недель | 2,27 г | Нет СВХК | 1,4 Ом | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) | да | EAR99 | не_совместимо | е3 | Олово (Вс) | НЕ УКАЗАН | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 68 Вт | 1 | Мощность полевого транзистора общего назначения | 50 нс | 120 нс | 75 нс | 100 нс | 8А | 30В | КРЕМНИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 3В | 68 Вт Тк | ТО-220АБ | 8А | 900 мДж | 900В | N-канал | 2730пФ при 25В | 3 В | 1,4 Ом при 4 А, 10 В | 5 В @ 250 мкА | 8А Тк | 58 НК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||
| FQA6N90C-F109 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | QFET® | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2007 год | /files/onsemiconductor-fqa6n90cf109-datasheets-2150.pdf&product=onsemiconductor-fqa6n90cf109-10050331 | ТО-3П-3, СК-65-3 | 15,8 мм | 18,9 мм | 5 мм | 3 | 4 недели | 6,401 г | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 18 часов назад) | да | НЕ УКАЗАН | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 198 Вт | 1 | Мощность полевого транзистора общего назначения | Не квалифицированный | 35 нс | 90 нс | 60 нс | 55 нс | 6А | 30В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 5В | 198 Вт Тс | 6А | 24А | 650 мДж | 900В | N-канал | 1770пФ при 25В | 2,3 Ом при 3 А, 10 В | 5 В @ 250 мкА | 6А Тк | 40 НК при 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| STW7N90K5 | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | МДмеш™ К5 | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/stmicroelectronics-stw7n90k5-datasheets-2160.pdf | ТО-247-3 | 17 недель | АКТИВНО (Последнее обновление: 8 месяцев назад) | STW7N | 900В | 110 Вт Тс | 720мОм | N-канал | 5 В @ 100 мкА | 7А Тк | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТК25Е60С,С1С | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ДТМОСИВ-Г | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2014 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tk25e60xs1x-datasheets-2164.pdf | ТО-220-3 | 16 недель | 25А | 600В | 180 Вт Тс | N-канал | 2400пФ при 300В | 125 мОм при 7,5 А, 10 В | 3,5 В @ 1,2 мА | 25А Та | 40 НК при 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИПВ60Р190П6ФКСА1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | CoolMOS™ P6 | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/infineontechnologies-ipw60r190p6fksa1-datasheets-2168.pdf | ТО-247-3 | Без свинца | 3 | 18 недель | Нет СВХК | 3 | е3 | Олово (Вс) | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | 15 нс | 8нс | 7 нс | 45 нс | 20,2А | 20 В | 600В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 151 Вт Тс | 57А | 0,19 Ом | 419 мДж | N-канал | 1750пФ при 100В | 190 мОм при 7,6 А, 10 В | 4,5 В @ 630 мкм | 20,2 А Тс | 11 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| STW15N80K5 | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | СуперМЕШ5™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-stp15n80k5-datasheets-4469.pdf | ТО-247-3 | 15,75 мм | 20,15 мм | 5,15 мм | Без свинца | 3 | 17 недель | 3 | АКТИВНО (Последнее обновление: 8 месяцев назад) | EAR99 | не_совместимо | е3 | Олово (Вс) | STW15N | Одинокий | 190 Вт | 1 | Мощность полевого транзистора общего назначения | 19 нс | 44 нс | 14А | 30В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 800В | 800В | 190 Вт Тс | 56А | N-канал | 1100пФ при 100В | 375 мОм при 7 А, 10 В | 5 В @ 100 мкА | 14А Ц | 32 НК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFA270N06T3 | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | HiperFET™, TrenchT3™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfh270n06t3-datasheets-1458.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | 30 недель | да | неизвестный | 270А | 60В | 480 Вт Тс | N-канал | 12600пФ при 25В | 3,1 мОм при 100 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 270А Ц | 200 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFA22N65X2 | IXYS / Литтелфус | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | HiPerFET™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/ixys-ixfh22n65x2-datasheets-0336.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | 19 недель | EAR99 | не_совместимо | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 22А | 650В | 390 Вт Тс | N-канал | 2310пФ при 25 В | 160 мОм при 11 А, 10 В | 5,5 В @ 1,5 мА | 22А Тк | 38 НК при 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTQ26N50P | ИКСИС | $6,16 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ПоларХВ™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/ixys-ixtt26n50p-datasheets-3884.pdf | 500В | 26А | ТО-3П-3, СК-65-3 | Без свинца | 3 | 17 недель | 3 | да | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 400 Вт | 1 | Не квалифицированный | 25нс | 20 нс | 58 нс | 26А | 30В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 400 Вт Тс | 78А | 1000 мДж | 500В | N-канал | 3600пФ при 25В | 230 мОм при 13 А, 10 В | 5,5 В @ 250 мкА | 26А Тк | 65 НК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFP30N25X3 | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | HiPerFET™ | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfy30n25x3-datasheets-4884.pdf | ТО-220-3 | 19 недель | 250В | 176 Вт Тс | N-канал | 1450пФ при 25В | 60 мОм при 15 А, 10 В | 4,5 В при 500 мкА | 30А Ц | 21 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SPW16N50C3FKSA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | CoolMOS™ | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/infineontechnologies-spw16n50c3fksa1-datasheets-2187.pdf | ТО-247-3 | 3 | да | ЛАВИННЫЙ НОМИНАЛ, ВЫСОКОЕ НАПРЯЖЕНИЕ | е3 | Олово (Вс) | НЕТ | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Не квалифицированный | Р-ПСФМ-Т3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | 560В | 500В | 160 Вт Тс | ТО-247АД | 16А | 48А | 0,28 Ом | 460 мДж | N-канал | 1600пФ при 25В | 280 мОм при 10 А, 10 В | 3,9 В @ 675 мкА | 16А Ц | 66 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СТФ8Н90К5 | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | МДмеш™ К5 | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/stmicroelectronics-stf8n90k5-datasheets-2117.pdf | ТО-220-3 Полный пакет | 17 недель | АКТИВНО (Последнее обновление: 8 месяцев назад) | STF8N | 900В | 130 Вт Тс | 600мОм | N-канал | 5 В @ 100 мкА | 8А Тк | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФДПФ20Н50 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | УниФЕТ™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/onsemiconductor-fdp20n50-datasheets-3525.pdf | ТО-220-3 Полный пакет | 10,36 мм | 16,07 мм | 4,9 мм | Без свинца | 3 | 6 недель | 2,27 г | 230МОм | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 4 дня назад) | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | не_совместимо | е3 | Олово (Вс) | НЕ УКАЗАН | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 38,5 Вт | 1 | Мощность полевого транзистора общего назначения | Не квалифицированный | 95 нс | 375 нс | 105 нс | 100 нс | 20А | 30В | КРЕМНИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 38,5 Вт Тс | ТО-220АБ | 80А | 500В | N-канал | 3120пФ при 25В | 230 мОм при 10 А, 10 В | 5 В @ 250 мкА | 20А Ц | 59,5 НК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| NDTL03N150CG | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | /files/onsemiconductor-ndtl03n150cg-datasheets-2129.pdf | ТО-3ПЛ | 39,9 мм | 23,8 мм | 15,6 мм | Без свинца | 23 недели | 6.961991г | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | 1 | Одинокий | 140 Вт | 150°С | 15 нс | 24 нс | 47 нс | 140 нс | 2,5 А | 30В | 1500В | 4В | 2,5 Вт Та 140 Вт Тс | 1,5 кВ | N-канал | 650пФ при 30В | 10,5 Ом при 1,25 А, 10 В | 2,5 А Та | 34 НК при 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИПП60Р180С7ХКСА1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | CoolMOS™ C7 | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/infineontechnologies-ipp60r180c7xksa1-datasheets-2133.pdf | ТО-220-3 | 20,7 мм | Без свинца | 18 недель | Без галогенов | 1 | 68 Вт | 150°С | ПГ-ТО220-3-1 | 1,08 нФ | 9,3 нс | 50 нс | 13А | 20 В | 600В | 600В | 68 Вт Тк | 155 мОм | 600В | N-канал | 1080пФ при 400В | 180 мОм при 5,3 А, 10 В | 4 В @ 260 мкА | 13А Тк | 24 НК при 10 В | 180 мОм | 10 В | ±20 В |
