Одиночные МОП-транзисторы - Поиск электронных компонентов - Лучший агент по электронным компонентам - ICGNT
+86 19168759373 info@chipsmt.ru
Английский

Одиночные МОП-транзисторы(33658)

Сравнить Изображение Имя Производитель Цена (долл. США) Количество Вес (кг) Размер (ДхШхВ) Статус детали Ряд Тип монтажа Рабочая температура Упаковка Уровень чувствительности к влаге (MSL) Технология Режим работы Статус RoHS Опубликовано Техническая спецификация Пакет/ключи Количество окончаний ECCN-код Дополнительная функция Достичь соответствия кода Код HTS Код JESD-609 Терминальные отделки Поверхностный монтаж Положение терминала Терминальная форма Пиковая температура оплавления (Цел) Количество контактов Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) Количество элементов Подкатегория Статус квалификации Код JESD-30 Дата проведения проверки исходного URL Поставщик пакета оборудования Материал транзисторного элемента Конфигурация Соединение корпуса Применение транзистора Напряжение стока к источнику (Vdss) DS Напряжение проба-мин. Рассеиваемая мощность-Макс. Код JEDEC-95 Максимальный сток (Abs) (ID) Максимальный импульсный ток стока (IDM) Источник стока при максимальном сопротивлении Обратная связь Cap-Max (Crss) Рейтинг лавинной энергии (Eas) Тип полярного транзистора Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds Выключить Тайм-Макс (toff) Время включения-Макс (тонна) Rds включено (макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс) @ Id Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Напряжение привода (макс. значение включено, минимальное значение включено) ВГС (Макс)
PHU11NQ10T,127 PHU11NQ10T,127 NXP США Инк.
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать ТренчМОС™ Сквозное отверстие -55°С~175°С ТДж Трубка 1 (без блокировки) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 1997 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/nxpusainc-phu11nq10t127-datasheets-5922.pdf ТО-251-3 Короткие выводы, ИПак, ТО-251АА 3 EAR99 не_совместимо е3 Матовый олово (Sn) НЕТ ОДИНОКИЙ НЕ УКАЗАН 3 НЕ УКАЗАН 1 Мощность полевого транзистора общего назначения Не квалифицированный Р-ПСИП-Т3 КРЕМНИЙ ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ ОСУШАТЬ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 100 В 100 В 57,7 Вт Тс 10,9А 43,6А 0,18 Ом 35 мДж N-канал 360пФ при 25В 180 мОм при 9 А, 10 В 4 В при 1 мА 10,9 А Тс 14,7 НК при 10 В 10 В ±20 В
PHP66NQ03LT,127 PHP66NQ03LT,127 NXP США Инк.
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать ТренчМОС™ Сквозное отверстие -55°С~175°С ТДж Трубка 1 (без блокировки) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 2004 г. https://pdf.utmel.com/r/datasheets/nxpusainc-php66nq03lt127-datasheets-5923.pdf ТО-220-3 3 EAR99 неизвестный е3 Матовый олово (Sn) НЕТ ОДИНОКИЙ НЕ УКАЗАН 3 НЕ УКАЗАН 1 Мощность полевого транзистора общего назначения Не квалифицированный Р-ПСФМ-Т3 КРЕМНИЙ ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ ОСУШАТЬ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 25 В 25 В 93 Вт Тс ТО-220АБ 66А 228А 0,0136Ом 90 мДж N-канал 860пФ при 25В 10,5 мОм при 25 А, 10 В 2 В @ 1 мА 66А Тк 12 НК при 5 В 5В 10В ±20 В
PHP73N06T,127 PHP73N06T,127 NXP США Инк.
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать ТренчМОС™ Сквозное отверстие -55°С~175°С ТДж Трубка 1 (без блокировки) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 1997 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/nxpusainc-phb73n06t118-datasheets-5911.pdf ТО-220-3 3 EAR99 е3 Матовый олово (Sn) НЕТ ОДИНОКИЙ НЕ УКАЗАН 3 НЕ УКАЗАН 1 Мощность полевого транзистора общего назначения Не квалифицированный Р-ПСФМ-Т3 КРЕМНИЙ ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ ОСУШАТЬ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 60В 60В 166 Вт Тс ТО-220АБ 73А 266А 0,014 Ом 125 мДж N-канал 2464 пФ при 25 В 14 мОм при 25 А, 10 В 4 В при 1 мА 73А Тц 54 НК при 10 В 10 В ±20 В
PHP45NQ15T,127 PHP45NQ15T,127 NXP США Инк.
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать ТренчМОС™ Сквозное отверстие -55°С~175°С ТДж Трубка 1 (без блокировки) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 1997 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/nexperiausainc-phb45nq15t118-datasheets-9695.pdf ТО-220-3 3 EAR99 неизвестный НЕТ ОДИНОКИЙ 3 1 Мощность полевого транзистора общего назначения Не квалифицированный Р-ПСФМ-Т3 КРЕМНИЙ ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ ОСУШАТЬ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 150 В 150 В 230 Вт Тс ТО-220АБ 45,1А 90,2А 0,042 Ом 180 мДж N-канал 1770пФ при 25В 42 мОм при 20 А, 10 В 4 В при 1 мА 45,1А Тс 32 НК при 10 В 10 В ±20 В
PHP78NQ03LT,127 PHP78NQ03LT,127 NXP США Инк.
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать ТренчМОС™ Сквозное отверстие -55°С~175°С ТДж Трубка 1 (без блокировки) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 2009 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/nxpusainc-php78nq03lt127-datasheets-5926.pdf ТО-220-3 3 EAR99 СОВМЕСТИМЫЙ ЛОГИЧЕСКИЙ УРОВЕНЬ неизвестный е3 Матовый олово (Sn) НЕТ ОДИНОКИЙ НЕ УКАЗАН 3 НЕ УКАЗАН 1 Мощность полевого транзистора общего назначения Не квалифицированный Р-ПСФМ-Т3 КРЕМНИЙ ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ ОСУШАТЬ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 25 В 25 В 93 Вт Тс ТО-220АБ 75А 228А 0,0135Ом 185 мДж N-канал 1074пФ при 25В 9 м Ом при 25 А, 10 В 2 В @ 1 мА 75А Ц 13 НК при 5 В 5В 10В ±20 В
PHB73N06T,118 ПХБ73Н06Т,118 NXP США Инк.
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать ТренчМОС™ Поверхностный монтаж -55°С~175°С ТДж Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) МОП-транзистор (оксид металла) Соответствует ROHS3 1997 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/nxpusainc-phb73n06t118-datasheets-5911.pdf ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ 60В 166 Вт Тс N-канал 2464 пФ при 25 В 14 мОм при 25 А, 10 В 4 В при 1 мА 73А Тц 54 НК при 10 В 10 В ±20 В
PHP21N06LT,127 PHP21N06LT,127 NXP США Инк.
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать ТренчМОС™ Сквозное отверстие -55°С~175°С ТДж Трубка 1 (без блокировки) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 1999 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/nexperiausainc-phb21n06lt118-datasheets-8632.pdf ТО-220-3 3 EAR99 СОВМЕСТИМОСТЬ ЛОГИЧЕСКОГО УРОВНЯ, БЫСТРОЕ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ е3 Матовый олово (Sn) НЕТ ОДИНОКИЙ НЕ УКАЗАН 3 НЕ УКАЗАН 1 Мощность полевого транзистора общего назначения Не квалифицированный Р-ПСФМ-Т3 2013-06-14 00:00:00 КРЕМНИЙ ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ ОСУШАТЬ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 55В 55В 56 Вт Тс ТО-220АБ 19А 76А 0,075Ом 34 мДж N-канал 650пФ при 25В 70 мОм при 10 А, 10 В 2 В @ 1 мА 19А Тк 9,4 нк при 5 В 5В 10В ±15 В
BUK9518-55,127 БУК9518-55,127 NXP США Инк.
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать ТренчМОС™ Сквозное отверстие -55°С~175°С ТДж Трубка 1 (без блокировки) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 1998 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/nxpusainc-buk951855127-datasheets-5913.pdf ТО-220-3 3 EAR99 СОВМЕСТИМОСТЬ ЛОГИЧЕСКОГО УРОВНЯ, ЗАЩИТА от электростатического разряда неизвестный е3 Матовый олово (Sn) НЕТ ОДИНОКИЙ НЕ УКАЗАН 3 НЕ УКАЗАН 1 Мощность полевого транзистора общего назначения Не квалифицированный Р-ПСФМ-Т3 КРЕМНИЙ ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ ОСУШАТЬ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 55В 55В 125 Вт Тс ТО-220АБ 57А 228А 0,018Ом 290 пФ 125 мДж N-канал 2600пФ при 25В 215нс 175 нс 18 мОм при 25 А, 5 В 2 В @ 1 мА 57А Тк 5В ±10 В
PHP129NQ04LT,127 PHP129NQ04LT,127 NXP США Инк.
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать ТренчМОС™ Сквозное отверстие -55°С~175°С ТДж Трубка 1 (без блокировки) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 1997 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/nxpusainc-phb129nq04lt118-datasheets-7627.pdf ТО-220-3 3 EAR99 неизвестный е3 Матовый олово (Sn) НЕТ ОДИНОКИЙ НЕ УКАЗАН 3 НЕ УКАЗАН 1 Мощность полевого транзистора общего назначения Не квалифицированный Р-ПСФМ-Т3 КРЕМНИЙ ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ ОСУШАТЬ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 40В 40В 200 Вт Тс ТО-220АБ 75А 240А 0,0071Ом 475 мДж N-канал 3965пФ при 25 В 5 м Ом при 25 А, 10 В 2 В @ 1 мА 75А Ц 44,2 НК при 5 В 4,5 В 10 В ±15 В
PHP14NQ20T,127 PHP14NQ20T,127 NXP США Инк.
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать ТренчМОС™ Сквозное отверстие -55°С~175°С ТДж Трубка 1 (без блокировки) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 1997 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/nxpusainc-phd14nq20t118-datasheets-5865.pdf ТО-220-3 3 EAR99 е3 ИНН НЕТ ОДИНОКИЙ НЕ УКАЗАН 3 НЕ УКАЗАН 1 Мощность полевого транзистора общего назначения Не квалифицированный Р-ПСФМ-Т3 КРЕМНИЙ ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ ОСУШАТЬ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 200В 200В 125 Вт Тс ТО-220АБ 14А 56А 0,23 Ом 70 мДж N-канал 1500пФ при 25В 230 мОм при 7 А, 10 В 4 В при 1 мА 14А Ц 38 НК при 10 В 10 В ±20 В
PHP101NQ04T,127 PHP101NQ04T,127 NXP США Инк.
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать ТренчМОС™ Сквозное отверстие -55°С~175°С ТДж Трубка 1 (без блокировки) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 2009 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/nxpusainc-phb101nq04t118-datasheets-7021.pdf ТО-220-3 3 EAR99 неизвестный е3 Матовый олово (Sn) НЕТ ОДИНОКИЙ НЕ УКАЗАН 3 НЕ УКАЗАН 1 Мощность полевого транзистора общего назначения Не квалифицированный Р-ПСФМ-Т3 КРЕМНИЙ ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ ОСУШАТЬ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 40В 40В 157 Вт Тс ТО-220АБ 75А 240А 0,008 Ом 200 мДж N-канал 2020пФ при 25В 8 м Ом при 25 А, 10 В 4 В при 1 мА 75А Ц 36,6 НК при 10 В 10 В ±20 В
PHD78NQ03LT,118 PHD78NQ03LT,118 NXP США Инк.
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать ТренчМОС™ Поверхностный монтаж -55°С~175°С ТДж Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 2009 год ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 2 EAR99 СОВМЕСТИМЫЙ ЛОГИЧЕСКИЙ УРОВЕНЬ е3 ИНН ДА ОДИНОКИЙ КРЫЛО ЧАЙКИ НЕ УКАЗАН 3 НЕ УКАЗАН 1 Мощность полевого транзистора общего назначения Не квалифицированный Р-ПССО-Г2 КРЕМНИЙ ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ ОСУШАТЬ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 25 В 25 В 107 Вт Тс 75А 240А 0,0135Ом 100 мДж N-канал 970пФ при 12 В 9 м Ом при 25 А, 10 В 2 В @ 1 мА 75А Ц 11 НК при 4,5 В 5В 10В ±20 В
PHP119NQ06T,127 PHP119NQ06T,127 NXP США Инк.
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать ТренчМОС™ Сквозное отверстие -55°С~175°С ТДж Трубка 1 (без блокировки) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 1997 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/nxpusainc-php119nq06t127-datasheets-5900.pdf ТО-220-3 3 EAR99 неизвестный е3 Матовый олово (Sn) НЕТ ОДИНОКИЙ НЕ УКАЗАН 3 НЕ УКАЗАН 1 Мощность полевого транзистора общего назначения Не квалифицированный Р-ПСФМ-Т3 КРЕМНИЙ ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ ОСУШАТЬ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 55В 55В 200 Вт Тс ТО-220АБ 75А 240А 0,0071Ом 280 мДж N-канал 2820пФ при 25В 7,1 мОм при 25 А, 10 В 4 В при 1 мА 75А Ц 53 НК при 10 В 10 В ±20 В
PHB11N06LT,118 PHB11N06LT,118 NXP США Инк.
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать ТренчМОС™ Поверхностный монтаж -55°С~175°С ТДж Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 1999 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/nxpusainc-phb11n06lt118-datasheets-5901.pdf ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ 2 EAR99 СОВМЕСТИМЫЙ ЛОГИЧЕСКИЙ УРОВЕНЬ неизвестный ДА ОДИНОКИЙ КРЫЛО ЧАЙКИ 3 1 Не квалифицированный Р-ПССО-Г2 КРЕМНИЙ ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ ОСУШАТЬ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 55В 55В 33 Вт Тк 10,3А 41А 0,15 Ом 25 мДж N-канал 330пФ при 25В 130 мОм при 5,5 А, 10 В 2 В @ 1 мА 10,3 А Тс 5,2 нк при 5 В 5В 10В ±15 В
PHB225NQ04T,118 PHB225NQ04T,118 NXP США Инк.
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать ТренчМОС™ Поверхностный монтаж -55°С~175°С ТДж Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) МОП-транзистор (оксид металла) Соответствует ROHS3 1997 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/nxpusainc-phb225nq04t118-datasheets-5902.pdf ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ Д2ПАК 40В 300 Вт Тс N-канал 5100пФ при 25 В 3,1 мОм при 25 А, 10 В 4 В при 1 мА 75А Ц 94 НК при 10 В 10 В ±20 В
PHP174NQ04LT,127 PHP174NQ04LT,127 NXP США Инк.
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать ТренчМОС™ Сквозное отверстие -55°С~175°С ТДж Трубка 1 (без блокировки) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 1997 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/nxpusainc-phb174nq04lt118-datasheets-7625.pdf ТО-220-3 3 EAR99 неизвестный е3 Матовый олово (Sn) НЕТ ОДИНОКИЙ НЕ УКАЗАН 3 НЕ УКАЗАН 1 Мощность полевого транзистора общего назначения Не квалифицированный Р-ПСФМ-Т3 КРЕМНИЙ ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ ОСУШАТЬ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 40В 40В 250 Вт Тс ТО-220АБ 75А 240А 0,0048Ом 560 мДж N-канал 5345пФ при 25 В 4 м Ом при 25 А, 10 В 2 В @ 1 мА 75А Ц 64 НК при 5 В 4,5 В 10 В ±15 В
PHP101NQ03LT,127 PHP101NQ03LT,127 NXP США Инк.
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать ТренчМОС™ Сквозное отверстие -55°С~175°С ТДж Трубка 1 (без блокировки) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 2009 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/nxpusainc-php101nq03lt127-datasheets-5904.pdf ТО-220-3 3 EAR99 е3 Матовый олово (Sn) НЕТ ОДИНОКИЙ НЕ УКАЗАН 3 НЕ УКАЗАН 1 Мощность полевого транзистора общего назначения Не квалифицированный Р-ПСФМ-Т3 КРЕМНИЙ ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ ОСУШАТЬ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 30В 30В 166 Вт Тс ТО-220АБ 75А 240А 0,0075Ом 185 мДж N-канал 2180пФ при 25В 5,5 мОм при 25 А, 10 В 2,5 В @ 1 мА 75А Ц 23 НК при 5 В 5В 10В ±20 В
PHD63NQ03LT,118 PHD63NQ03LT,118 NXP США Инк.
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать ТренчМОС™ Поверхностный монтаж -55°С~175°С ТДж Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 2000 г. https://pdf.utmel.com/r/datasheets/nxpusainc-php63nq03lt127-datasheets-6341.pdf ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 2 EAR99 не_совместимо е3 Матовый олово (Sn) ДА ОДИНОКИЙ КРЫЛО ЧАЙКИ НЕ УКАЗАН 3 НЕ УКАЗАН 1 Мощность полевого транзистора общего назначения Не квалифицированный Р-ПССО-Г2 КРЕМНИЙ ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ ОСУШАТЬ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 30В 30В 111 Вт Тс 68,9А 240А 0,0177Ом N-канал 920пФ при 25 В 13 мОм при 25 А, 10 В 2,5 В @ 1 мА 68,9А Ц 9,6 НК при 5 В 5В 10В ±20 В
BUK9635-100A,118 БУК9635-100А,118 NXP США Инк.
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать ТренчМОС™ Поверхностный монтаж -55°С~175°С ТДж Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 1997 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/nxpusainc-buk9635100a118-datasheets-5906.pdf ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ 2 EAR99 не_совместимо 8541.29.00.75 е3 Олово (Вс) ДА ОДИНОКИЙ КРЫЛО ЧАЙКИ 260 3 40 1 Мощность полевого транзистора общего назначения Не квалифицированный Р-ПССО-Г2 КРЕМНИЙ ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ ОСУШАТЬ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 100 В 100 В 149 Вт Тс 41А 165А 0,039 Ом 125 мДж N-канал 3573пФ при 25 В 34 мОм при 25 А, 10 В 2 В @ 1 мА 41А Тц 4,5 В 10 В ±10 В
PHP193NQ06T,127 PHP193NQ06T,127 NXP США Инк.
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать ТренчМОС™ Сквозное отверстие -55°С~175°С ТДж Трубка 1 (без блокировки) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 1997 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/nxpusainc-phb193nq06t118-datasheets-5887.pdf ТО-220-3 3 EAR99 е3 Матовый олово (Sn) НЕТ ОДИНОКИЙ НЕ УКАЗАН 3 НЕ УКАЗАН 1 Мощность полевого транзистора общего назначения Не квалифицированный Р-ПСФМ-Т3 КРЕМНИЙ ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ ОСУШАТЬ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 55В 55В 300 Вт Тс ТО-220АБ 75А 240А 0,004 Ом 560 мДж N-канал 5082пФ при 25 В 4 м Ом при 25 А, 10 В 4 В при 1 мА 75А Ц 85,6 НК при 10 В 10 В ±20 В
PHP143NQ04T,127 PHP143NQ04T,127 NXP США Инк.
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать ТренчМОС™ Сквозное отверстие -55°С~175°С ТДж Трубка 1 (без блокировки) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 1997 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/nxpusainc-php143nq04t127-datasheets-5910.pdf ТО-220-3 3 EAR99 неизвестный е3 Матовый олово (Sn) НЕТ ОДИНОКИЙ НЕ УКАЗАН 3 НЕ УКАЗАН 1 Мощность полевого транзистора общего назначения Не квалифицированный Р-ПСФМ-Т3 КРЕМНИЙ ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ ОСУШАТЬ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 40В 40В 200 Вт Тс ТО-220АБ 75А 240А 0,0052Ом 475 мДж N-канал 2840пФ при 25В 5,2 мОм при 25 А, 10 В 4 В при 1 мА 75А Ц 52 НК при 10 В 10 В ±20 В
PHD22NQ20T,118 PHD22NQ20T,118 NXP США Инк.
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать ТренчМОС™ Поверхностный монтаж -55°С~175°С ТДж Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 1997 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/nxpusainc-phd22nq20t118-datasheets-5879.pdf ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 2 EAR99 е3 ИНН ДА ОДИНОКИЙ КРЫЛО ЧАЙКИ НЕ УКАЗАН 3 НЕ УКАЗАН 1 Не квалифицированный Р-ПССО-Г2 КРЕМНИЙ ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ ОСУШАТЬ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 200В 200В 150 Вт Тс 21,1А 42,2А 0,12 Ом 150 мДж N-канал 1380пФ при 25В 120 мОм при 12 А, 10 В 4 В при 1 мА 21.1А Ц 30,8 НК при 10 В 10 В ±20 В
PHM30NQ10T,518 PHM30NQ10T,518 NXP США Инк.
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать ТренчМОС™ Поверхностный монтаж -55°C~150°C, ТиДжей Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 1997 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/nxpusainc-phm30nq10t518-datasheets-5880.pdf 8-ВДФН Открытая площадка 8 EAR99 неизвестный ДА ДВОЙНОЙ НЕТ ЛИДЕСА 8 1 Не квалифицированный Р-ПДСО-Н8 КРЕМНИЙ ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 100 В 100 В 62,5 Вт Тс 37,6А 60А 0,02 Ом N-канал 3600пФ при 25В 20 мОм при 18 А, 10 В 4 В при 1 мА 37,6А Тс 53,7 НК при 10 В 10 В ±20 В
IRFZ44N,127 ИРФЗ44Н,127 NXP США Инк.
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать ТренчМОС™ Сквозное отверстие -55°С~175°С ТДж Трубка 1 (без блокировки) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 1999 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/nxpusainc-irfz44n127-datasheets-5881.pdf ТО-220-3 3 EAR99 ЭСР ЗАЩИТА неизвестный е3 Матовый олово (Sn) НЕТ ОДИНОКИЙ 260 30 1 Мощность полевого транзистора общего назначения Не квалифицированный Р-ПСФМ-Т3 КРЕМНИЙ ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ ОСУШАТЬ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 55В 55В 110 Вт Тс ТО-220АБ 49А 160А 0,022 Ом 110 мДж N-канал 1800пФ при 25В 22 мОм при 25 А, 10 В 4 В при 1 мА 49А ТЦ 62 НК при 10 В 10 В ±20 В
PHD96NQ03LT,118 PHD96NQ03LT,118 NXP США Инк.
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать ТренчМОС™ Поверхностный монтаж -55°С~175°С ТДж Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 2010 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/nxpusainc-phd96nq03lt118-datasheets-5883.pdf ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 2 EAR99 е3 Олово (Вс) ДА ОДИНОКИЙ КРЫЛО ЧАЙКИ НЕ УКАЗАН 3 НЕ УКАЗАН 1 Не квалифицированный Р-ПССО-Г2 КРЕМНИЙ ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ ОСУШАТЬ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 25 В 25 В 115 Вт Тс ТО-252АА 75А 240А 0,0075Ом 185 мДж N-канал 2200пФ при 25В 4,95 мОм при 25 А, 10 В 2 В @ 1 мА 75А Ц 26,7 НК при 5 В 5В 10В ±20 В
PHD98N03LT,118 PHD98N03LT,118 NXP США Инк.
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать ТренчМОС™ Поверхностный монтаж -55°С~175°С ТДж Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/nxpusainc-phd98n03lt118-datasheets-5884.pdf ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 2 EAR99 неизвестный е3 ИНН ДА ОДИНОКИЙ КРЫЛО ЧАЙКИ НЕ УКАЗАН 3 НЕ УКАЗАН 1 Не квалифицированный Р-ПССО-Г2 КРЕМНИЙ ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ ОСУШАТЬ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 25 В 25 В 111 Вт Тс ТО-252АА 75А 240А 0,0073Ом 183 мДж N-канал 3000пФ при 20В 5,9 мОм при 25 А, 10 В 2 В @ 1 мА 75А Ц 40 НК при 5 В 5В 10В ±20 В
R6050JNZC8 R6050JNZC8 РОМ Полупроводник
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие 150°С ТДж 1 (без блокировки) МОП-транзистор (оксид металла) Соответствует ROHS3 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/rohmsemiconductor-r6050jnzc17-datasheets-5732.pdf ТО-3П-3 Полный пакет НЕ УКАЗАН НЕ УКАЗАН 600В 120 Вт Тс N-канал 4,5 нФ при 100 В 83 мОм при 25 А, 15 В 7 В при 5 мА 50А Ц 120 НК при 15 В 15 В ±30 В
PHB193NQ06T,118 PHB193NQ06T,118 NXP США Инк.
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать ТренчМОС™ Поверхностный монтаж -55°С~175°С ТДж Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) МОП-транзистор (оксид металла) Соответствует ROHS3 1997 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/nxpusainc-phb193nq06t118-datasheets-5887.pdf ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ Д2ПАК 55В 300 Вт Тс N-канал 5082пФ при 25 В 4 мОм при 25 А, 10 В 4 В при 1 мА 75А Ц 85,6 НК при 10 В 10 В ±20 В
PHM25NQ10T,518 PHM25NQ10T,518 NXP США Инк.
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать ТренчМОС™ Поверхностный монтаж -55°C~150°C, ТиДжей Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 1997 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/nxpusainc-phm25nq10t518-datasheets-5888.pdf 8-ВДФН Открытая площадка 8 EAR99 неизвестный ДА ДВОЙНОЙ НЕТ ЛИДЕСА 8 1 Не квалифицированный Р-ПДСО-Н8 КРЕМНИЙ ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ ОСУШАТЬ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 100 В 100 В 62,5 Вт Тс 30,7А 60А 0,03 Ом 170 мДж N-канал 1800пФ при 20В 30 мОм при 10 А, 10 В 4 В при 1 мА 30,7 А Тс 26,6 НК при 10 В 10 В ±20 В
PHD45N03LTA,118 PHD45N03LTA,118 NXP США Инк.
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать ТренчМОС™ Поверхностный монтаж -55°С~175°С ТДж Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/nxpusainc-php45n03lta127-datasheets-6376.pdf ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 2 EAR99 неизвестный е3 ИНН ДА ОДИНОКИЙ КРЫЛО ЧАЙКИ НЕ УКАЗАН 3 НЕ УКАЗАН 1 Не квалифицированный Р-ПССО-Г2 КРЕМНИЙ ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ ОСУШАТЬ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 25 В 25 В 65 Вт Тс 40А 160А 0,024 Ом 40 мДж N-канал 700пФ при 25В 21 мОм при 25 А, 10 В 2 В @ 1 мА 40А Ц 19 НК при 5 В 3,5 В 10 В ±20 В
Нажмите Enter для поиска или ESC для закрытия.

В наличии

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Список запросов цен (0 позиций)