Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактОдиночные МОП-транзисторы(33658)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Технология | Режим работы | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Количество окончаний | Количество контактов | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Достичь соответствия кода | Код HTS | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Поверхностный монтаж | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Количество контактов | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Код JESD-30 | Непрерывный ток стока (ID) | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Напряжение стока к источнику (Vdss) | DS Напряжение проба-мин. | Рассеиваемая мощность-Макс. | Код JEDEC-95 | Максимальный сток (Abs) (ID) | Максимальный импульсный ток стока (IDM) | Источник стока при максимальном сопротивлении | Рейтинг лавинной энергии (Eas) | Тип полярного транзистора | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | Rds включено (макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс) @ Id | Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Напряжение привода (макс. значение включено, минимальное значение включено) | ВГС (Макс) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| ПСМН005-55П,127 | NXP США Инк. | $9,70 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчМОС™ | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 1998 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/nxpusainc-psmn00555b118-datasheets-7019.pdf | ТО-220-3 | 3 | EAR99 | СОВМЕСТИМЫЙ ЛОГИЧЕСКИЙ УРОВЕНЬ | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕТ | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Мощность полевого транзистора общего назначения | Не квалифицированный | Р-ПСФМ-Т3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 55В | 55В | 230 Вт Тс | ТО-220АБ | 75А | 240А | 0,0067Ом | 268 мДж | N-канал | 6500пФ при 25В | 5,8 мОм при 25 А, 10 В | 2 В @ 1 мА | 75А Ц | 103 НК при 5 В | 4,5 В 10 В | ±15 В | ||||||||
| PHP34NQ11T,127 | NXP США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчМОС™ | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 1997 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/nxpusainc-php34nq11t127-datasheets-6004.pdf | ТО-220-3 | 3 | EAR99 | неизвестный | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕТ | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Мощность полевого транзистора общего назначения | Не квалифицированный | Р-ПСФМ-Т3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 110 В | 110 В | 136 Вт Тс | ТО-220АБ | 35А | 140А | 0,04 Ом | 115 мДж | N-канал | 1700пФ при 25В | 40 мОм при 17 А, 10 В | 4 В при 1 мА | 35А Ц | 40 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||
| PHX20N06T,127 | NXP США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчМОС™ | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 1997 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/nxpusainc-phx20n06t127-datasheets-6009.pdf | ТО-220-3 Полный пакет, изолированная вкладка | 3 | EAR99 | неизвестный | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕТ | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Мощность полевого транзистора общего назначения | Не квалифицированный | Р-ПСФМ-Т3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 55В | 55В | 23 Вт Тс | ТО-220АБ | 12,9А | 51,6А | 0,075 Ом | 30,3 мДж | N-канал | 320пФ при 25В | 75 мОм при 10 А, 10 В | 4 В при 1 мА | 12,9 А Тс | 9,8 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||
| ПСМН004-55В,127 | NXP США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчМОС™ | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 1999 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/nxpusainc-psmn00455w127-datasheets-6017.pdf | ТО-247-3 | 3 | EAR99 | СОВМЕСТИМЫЙ ЛОГИЧЕСКИЙ УРОВЕНЬ | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕТ | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Мощность полевого транзистора общего назначения | Не квалифицированный | Р-ПСФМ-Т3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 55В | 55В | 300 Вт Тс | 100А | 300А | 0,005 Ом | 357 мДж | N-канал | 13000пФ при 25В | 4,2 мОм при 25 А, 10 В | 2 В @ 1 мА | 100А Ц | 226 НК при 5 В | 4,5 В 10 В | ±15 В | ||||||||||
| PHW80NQ10T, 127 | NXP США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчМОС™ | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 1999 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/nxpusainc-phw80nq10t127-datasheets-5961.pdf | ТО-247-3 | 3 | EAR99 | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕТ | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Мощность полевого транзистора общего назначения | Не квалифицированный | Р-ПСФМ-Т3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 100 В | 100 В | 263 Вт Тс | 80А | 320А | 0,015 Ом | 481 мДж | N-канал | 4720пФ при 25В | 15 мОм при 25 А, 10 В | 4 В при 1 мА | 80А Ц | 109 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||
| PHX8NQ11T,127 | NXP США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчМОС™ | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 1997 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/nxpusainc-phx8nq11t127-datasheets-5973.pdf | ТО-220-3 Полный пакет, изолированная вкладка | 3 | EAR99 | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕТ | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Мощность полевого транзистора общего назначения | Не квалифицированный | Р-ПСФМ-Т3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 110 В | 110 В | 27,7 Вт Тс | ТО-220АБ | 7,5 А | 30,2А | 0,18 Ом | 35 мДж | N-канал | 360пФ при 25В | 180 мОм при 6 А, 10 В | 4 В при 1 мА | 7,5 А Тс | 14,7 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||
| PHU66NQ03LT,127 | NXP США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчМОС™ | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/nxpusainc-php66nq03lt127-datasheets-5923.pdf | ТО-251-3 Короткие выводы, ИПак, ТО-251АА | 3 | EAR99 | е3 | Олово (Вс) | НЕТ | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Мощность полевого транзистора общего назначения | Не квалифицированный | Р-ПСИП-Т3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 25 В | 25 В | 93 Вт Тс | 66А | 228А | 0,0136Ом | 90 мДж | N-канал | 860пФ при 25В | 10,5 мОм при 25 А, 10 В | 2 В @ 1 мА | 66А Тк | 12 НК при 5 В | 5В 10В | ±20 В | ||||||||||||
| PHX45NQ11T,127 | NXP США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчМОС™ | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 1997 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/nxpusainc-phx45nq11t127-datasheets-5980.pdf | ТО-220-3 Полный пакет, изолированная вкладка | 3 | EAR99 | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕТ | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Мощность полевого транзистора общего назначения | Не квалифицированный | Р-ПСФМ-Т3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 110 В | 110 В | 62,5 Вт Тс | ТО-220АБ | 30,4А | 121А | 0,025 Ом | 250 мДж | N-канал | 2600пФ при 25В | 25 мОм при 25 А, 10 В | 4 В при 1 мА | 30,4 А Тс | 61 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||
| CP773-CMPDM302PH-CT | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Поднос | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-cp773cmpdm302phwn-datasheets-5563.pdf | Править | 30 В | P-канал | 800пФ при 10В | 91 мОм при 1,2 А, 4,5 В | 1,4 В при 250 мкА | 2,4А Та | 9,6 НК при 5 В | 2,5 В 4,5 В | 12 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PHM18NQ15T,518 | NXP США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчМОС™ | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 1997 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/nxpusainc-phm18nq15t518-datasheets-5989.pdf | 8-ВДФН Открытая площадка | 8 | EAR99 | ДА | ДВОЙНОЙ | НЕТ ЛИДЕСА | 8 | 1 | Не квалифицированный | Р-ПДСО-Н8 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 150 В | 150 В | 62,5 Вт Тс | 19А | 76А | 0,075 Ом | 170 мДж | N-канал | 1150пФ при 25В | 75 мОм при 12 А, 10 В | 4 В при 1 мА | 19А Тк | 26,4 НК при 10 В | 5В 10В | ±20 В | |||||||||||||||
| ПМН28УН,165 | NXP США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчМОС™ | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 1997 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/nexperiausainc-pmn28un135-datasheets-3964.pdf | СК-74, СОТ-457 | 6 | EAR99 | 8541.29.00.75 | е3 | Олово (Вс) | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 6 | НЕ УКАЗАН | 1 | Мощность полевого транзистора общего назначения | Не квалифицированный | Р-ПДСО-Г6 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 12 В | 12 В | 1,75 Вт Тс | 5,7А | 0,04 Ом | N-канал | 740пФ при 10 В | 34 мОм при 2 А, 4,5 В | 700 мВ @ 1 мА | 5,7 А Тс | 10,1 нк при 4,5 В | 1,8 В 4,5 В | ±8 В | ||||||||||||
| PHX34NQ11T,127 | NXP США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчМОС™ | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/nxpusainc-phx34nq11t127-datasheets-5991.pdf | ТО-220-3 Полный пакет, изолированная вкладка | 3 | EAR99 | неизвестный | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕТ | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Мощность полевого транзистора общего назначения | Не квалифицированный | Р-ПСФМ-Т3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 110 В | 110 В | 56,8 Вт Тс | ТО-220АБ | 24,8А | 99,4А | 0,04 Ом | 115 мДж | N-канал | 1700пФ при 25В | 40 мОм при 17 А, 10 В | 4 В при 1 мА | 24,8 А Тс | 40 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||
| PHX23NQ11T,127 | NXP США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчМОС™ | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 1997 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/nxpusainc-phx23nq11t127-datasheets-5934.pdf | ТО-220-3 Полный пакет, изолированная вкладка | 3 | EAR99 | неизвестный | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕТ | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Мощность полевого транзистора общего назначения | Не квалифицированный | Р-ПСФМ-Т3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 110 В | 110 В | 41,6 Вт Тс | ТО-220АБ | 16А | 64,3А | 0,07 Ом | 93 мДж | N-канал | 830пФ при 25 В | 70 мОм при 13 А, 10 В | 4 В при 1 мА | 16А Ц | 22 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||
| RQJ0305EQDQS#H1 | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/renesaselectronicsamerica-rqj0305eqdqsh1-datasheets-5935.pdf | ТО-243АА | 3 | да | EAR99 | ДА | НЕ УКАЗАН | 4 | НЕ УКАЗАН | Другие транзисторы | -3,4А | Одинокий | 30 В | 1,5 Вт Та | P-канал | 330пФ при 10В | 140 мОм при 1,7 А, 4,5 В | 1,4 В при 1 мА | 3,4А Та | 3nC @ 4,5 В | 2,5 В 4,5 В | +8В, -12В | |||||||||||||||||||||||||
| ПМГ370XN,115 | НХП Полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчМОС™ | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 1997 год | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | 6 | EAR99 | 8541.29.00.75 | е3 | Олово (Вс) | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 6 | НЕ УКАЗАН | 1 | Мощность полевого транзистора общего назначения | Не квалифицированный | Р-ПДСО-Г6 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30 В | 30 В | 690мВт Тс | 0,96А | 0,44 Ом | N-канал | 37пФ при 25В | 440 мОм при 200 мА, 4,5 В | 1,5 В @ 250 мкА | 960 мА Та | 0,65 нк при 4,5 В | 2,5 В 4,5 В | ±12 В | |||||||||||||
| PHX27NQ11T,127 | NXP США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчМОС™ | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 1997 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/nxpusainc-phx27nq11t127-datasheets-5939.pdf | ТО-220-3 Полный пакет, изолированная вкладка | 3 | EAR99 | неизвестный | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕТ | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Мощность полевого транзистора общего назначения | Не квалифицированный | Р-ПСФМ-Т3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 110 В | 110 В | 50 Вт Тс | ТО-220АБ | 20,8А | 83,4А | 0,05 Ом | 90 мДж | N-канал | 1240пФ при 25В | 50 мОм при 14 А, 10 В | 4 В при 1 мА | 20,8 А Тс | 30 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||
| PHP83N03LT,127 | NXP США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчМОС™ | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 1997 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/nxpusainc-php83n03lt127-datasheets-5927.pdf | ТО-220-3 | 3 | EAR99 | неизвестный | е3 | ИНН | НЕТ | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Мощность полевого транзистора общего назначения | Не квалифицированный | Р-ПСФМ-Т3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 25 В | 25 В | 115 Вт Тс | ТО-220АБ | 75А | 240А | 0,012 Ом | 120 мДж | N-канал | 1660пФ при 25В | 9 м Ом при 25 А, 10 В | 2 В @ 1 мА | 75А Ц | 33 НК при 5 В | 5В 10В | ±15 В | |||||||||
| PHU108NQ03LT,127 | NXP США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчМОС™ | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/nxpusainc-phb108nq03lt118-datasheets-6292.pdf | ТО-251-3 Короткие выводы, ИПак, ТО-251АА | 3 | EAR99 | СОВМЕСТИМЫЙ ЛОГИЧЕСКИЙ УРОВЕНЬ | НЕТ | ОДИНОКИЙ | 3 | 1 | Мощность полевого транзистора общего назначения | Не квалифицированный | Р-ПСИП-Т3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 25 В | 25 В | 187 Вт Тс | 75А | 240А | 0,0075Ом | 180 мДж | N-канал | 1375пФ при 12В | 6 мОм при 25 А, 10 В | 2 В @ 1 мА | 75А Ц | 16,3 НК при 4,5 В | 5В 10В | ±20 В | ||||||||||||||
| PHP32N06LT,127 | NXP США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчМОС™ | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 1997 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/nxpusainc-php32n06lt127-datasheets-5929.pdf | ТО-220-3 | 3 | EAR99 | СОВМЕСТИМЫЙ ЛОГИЧЕСКИЙ УРОВЕНЬ | неизвестный | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕТ | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Мощность полевого транзистора общего назначения | Не квалифицированный | Р-ПСФМ-Т3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 60В | 60В | 97 Вт Тс | ТО-220АБ | 34А | 136А | 0,043Ом | 100 мДж | N-канал | 1280пФ при 25В | 37 мОм при 20 А, 10 В | 2 В @ 1 мА | 34А Тк | 17 НК при 5 В | 4,5 В 10 В | ±15 В | ||||||||
| PHT2NQ10T,135 | NXP США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчМОС™ | Поверхностный монтаж | -65°С~150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/nxpusainc-pht2nq10t135-datasheets-5930.pdf | ТО-261-4, ТО-261АА | 4 | неизвестный | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 4 | НЕ УКАЗАН | 1 | Не квалифицированный | Р-ПДСО-Г4 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 100 В | 6,25 Вт Тс | 0,43 Ом | N-канал | 160пФ при 25В | 430 мОм при 1,75 А, 10 В | 4 В при 1 мА | 2,5 А Тс | 5,1 нк при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||
| ПСМН004-36Б,118 | NXP США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчМОС™ | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2001 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/nxpusainc-psmn00436b118-datasheets-5931.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | 2 | EAR99 | СОВМЕСТИМЫЙ ЛОГИЧЕСКИЙ УРОВЕНЬ | неизвестный | е3 | Олово (Вс) | ДА | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Не квалифицированный | Р-ПССО-Г2 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 36В | 36В | 230 Вт Тс | 75А | 240А | 0,0054Ом | 120 мДж | N-канал | 6000пФ при 20В | 4 м Ом при 25 А, 10 В | 2 В @ 1 мА | 75А Ц | 97 НК при 5 В | 4,5 В 10 В | ±15 В | |||||||||
| PHP52N06T,127 | NXP США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчМОС™ | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2010 год | ТО-220-3 | 3 | EAR99 | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕТ | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Мощность полевого транзистора общего назначения | Не квалифицированный | Р-ПСФМ-Т3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 60В | 60В | 120 Вт Тс | ТО-220АБ | 52А | 208А | 0,022 Ом | 115 мДж | N-канал | 1592пФ при 25 В | 22 мОм при 25 А, 10 В | 4 В при 1 мА | 52А Ц | 36 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||
| PHP110NQ06LT,127 | NXP США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчМОС™ | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 1997 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/nxpusainc-phb110nq06lt118-datasheets-7015.pdf | ТО-220-3 | 3 | EAR99 | неизвестный | 8541.29.00.95 | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕТ | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Мощность полевого транзистора общего назначения | Не квалифицированный | Р-ПСФМ-Т3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 55В | 55В | 200 Вт Тс | ТО-220АБ | 75А | 240А | 0,0093Ом | 280 мДж | N-канал | 3960пФ при 25В | 7 мОм при 25 А, 10 В | 2 В @ 1 мА | 75А Ц | 45 НК при 5 В | 4,5 В 10 В | ±15 В | ||||||||
| PMN45EN,165 | NXP США Инк. | 5,01 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчМОС™ | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 1997 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/nexperiausainc-pmn45en135-datasheets-3981.pdf | СК-74, СОТ-457 | 6 | EAR99 | 8541.29.00.75 | е3 | Олово (Вс) | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 6 | НЕ УКАЗАН | 1 | Мощность полевого транзистора общего назначения | Не квалифицированный | Р-ПДСО-Г6 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30 В | 30 В | 1,75 Вт Тс | 5,2А | 0,04 Ом | N-канал | 495пФ при 25В | 40 мОм при 3 А, 10 В | 2 В @ 1 мА | 5,2 А Тс | 6,1 нк при 4,5 В | 4,5 В 10 В | 20 В | |||||||||||
| PHU101NQ03LT,127 | NXP США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчМОС™ | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/nxpusainc-phu101nq03lt127-datasheets-5919.pdf | ТО-251-3 Короткие выводы, ИПак, ТО-251АА | 3 | EAR99 | не_совместимо | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕТ | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Мощность полевого транзистора общего назначения | Не квалифицированный | Р-ПСИП-Т3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30 В | 30 В | 166 Вт Тс | 75А | 240А | 0,0075Ом | 185 мДж | N-канал | 2180пФ при 25В | 5,5 мОм при 25 А, 10 В | 2,5 В при 1 мА | 75А Ц | 23 НК при 5 В | 5В 10В | ±20 В | ||||||||||
| PHP75NQ08T,127 | NXP США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчМОС™ | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/nxpusainc-php75nq08t127-datasheets-5920.pdf | ТО-220-3 | 3 | EAR99 | е3 | ИНН | НЕТ | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Мощность полевого транзистора общего назначения | Не квалифицированный | Р-ПСФМ-Т3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 75В | 75В | 157 Вт Тс | ТО-220АБ | 75А | 240А | 0,013Ом | 120 мДж | N-канал | 1985 ПФ при 25 В | 13 мОм при 25 А, 10 В | 4 В при 1 мА | 75А Ц | 40 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||
| PHP225NQ04T,127 | NXP США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчМОС™ | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 1997 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/nxpusainc-phb225nq04t118-datasheets-5902.pdf | ТО-220-3 | 3 | EAR99 | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕТ | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Мощность полевого транзистора общего назначения | Не квалифицированный | Р-ПСФМ-Т3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 40В | 40В | 300 Вт Тс | ТО-220АБ | 75А | 240А | 0,0031Ом | 560 мДж | N-канал | 5100пФ при 25 В | 3,1 мОм при 25 А, 10 В | 4 В при 1 мА | 75А Ц | 94 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||
| PHU11NQ10T,127 | NXP США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчМОС™ | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 1997 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/nxpusainc-phu11nq10t127-datasheets-5922.pdf | ТО-251-3 Короткие выводы, ИПак, ТО-251АА | 3 | EAR99 | не_совместимо | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕТ | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Мощность полевого транзистора общего назначения | Не квалифицированный | Р-ПСИП-Т3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 100 В | 100 В | 57,7 Вт Тс | 10,9А | 43,6А | 0,18 Ом | 35 мДж | N-канал | 360пФ при 25В | 180 мОм при 9 А, 10 В | 4 В при 1 мА | 10,9 А Тс | 14,7 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||
| PHP66NQ03LT,127 | NXP США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчМОС™ | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/nxpusainc-php66nq03lt127-datasheets-5923.pdf | ТО-220-3 | 3 | EAR99 | неизвестный | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕТ | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Мощность полевого транзистора общего назначения | Не квалифицированный | Р-ПСФМ-Т3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 25 В | 25 В | 93 Вт Тс | ТО-220АБ | 66А | 228А | 0,0136Ом | 90 мДж | N-канал | 860пФ при 25В | 10,5 мОм при 25 А, 10 В | 2 В @ 1 мА | 66А Тк | 12 НК при 5 В | 5В 10В | ±20 В | |||||||||
| PHP73N06T,127 | NXP США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчМОС™ | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 1997 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/nxpusainc-phb73n06t118-datasheets-5911.pdf | ТО-220-3 | 3 | EAR99 | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕТ | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Мощность полевого транзистора общего назначения | Не квалифицированный | Р-ПСФМ-Т3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 60В | 60В | 166 Вт Тс | ТО-220АБ | 73А | 266А | 0,014 Ом | 125 мДж | N-канал | 2464 пФ при 25 В | 14 мОм при 25 А, 10 В | 4 В при 1 мА | 73А Тц | 54 НК при 10 В | 10 В | ±20 В |
