Транзисторы с одним MOSFETS - Электронные компоненты Sourcing - Лучший электронный компонентный агент - ICGNT
+86 19168759373 info@chipsmt.ru
Английский

Odinoчnыetranhystorы mosfet (33658)

Срэйват Ибрагейн Сознание Проиджодель ЦEnы (DOLLARR) Колист Вер (К.) Raзmer (lxwxh) Статус В припании Управый МОНТАНАНГИП Rraboч -yemperatura Упако Вернояж МАКСИМАЛЕН Мин Тела Опрегиону Статус Ройс Опуликовано Техниль На Это PakeT / KORPUES Emcostath Делина Вес Шyrina СОУДНО ПРИОН Колист Верна - МАССА DOSTIчH SVHC СОПРОТИВЛЕЙН Колист Статус жIзnennogogo цikla PBFREE CODE КОД ECCN Доленитейн Ая Rradiaцyonnoe wyproчneneenee ТЕКУИГИГ DOSTISHOCHODA SOOTWOTSTVIN КОД JESD-609 ТЕРМИНАЛЕН Naprayeseee Пефер Терминала Терминаланая Пико -Аймперратара Поседл Колист. Каналов Коунфигуразия Wremaping@pikovoйtemperaturu (я) R. Колист Подкейгория Кваликакахионн Статус КОД JESD-30 ПАКЕТИВАЕТСЯ Взёд В. Верна Я не могу Otklючitath -map зaderжki Neprrerыwnыйtokdrenaжa (id) Вернека MATERIOLTRANSHOTORA Коунфигура Слюна Прилоэна Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds) DS Breakdown Tarstage-Min Переоборот Power Dissipation-Max JEDEC-95 Кодеб Дренан-ток-ток (abs) (id) Ипюльснтк Слифно -Тока (IDM) Деджаньиньённик на копротивёни-макс Rerйtinge evalanche Energy (EAS) Слив иатошника ТИП ФЕТ Взёр. Н. Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs FET FUONKSHINA Rds naMaks Napraheneeee privoda (максимум, мин rds on) Vgs (mmaks)
IXFH70N20Q3 IXFH70N20Q3 Ixys $ 10,90
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Hiperfet ™ Чereз dыru Чereз dыru -55 ° C ~ 150 ° C TJ Трубка 1 (neograniчennnый) МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) Rershym uluheEnjaina Rohs3 2011 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixft70n20q3-datasheets-4448.pdf 247-3 16,26 мм 16,26 мм 5,3 мм СОУДНО ПРИОН 3 30 40 МАМ 3 Ear99 Лавина 3 Одинокий 690 Вт 1 Скандал Н.Квалиирована 17 млн 10NS 9 млн 24 млн 70A 30 Кремни Ох Псевдон 690 yt tc 210A 1500 мк 200 N-канал 3150PF @ 25V 40 м ω @ 35a, 10 В 6,5 w @ 4ma 70A TC 67NC @ 10V 10 В ± 20 В.
APT5010LFLLG Apt5010lfllg Microsemi Corporation
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Power MOS 7® Чereз dыru Чereз dыru -55 ° C ~ 150 ° C TJ Трубка 1 (neograniчennnый) МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) Rershym uluheEnjaina ROHS COMPRINT 1997 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microsemicorporation-apt5010b2fllg-datasheets-2852.pdf 500 46А 264-3, 264AA СОУДНО ПРИОН 3 26 nedely Проиод. в дар Ear99 E1 Жestaynanaynan -cerebraynan medion Одинокий Nukahan 3 Nukahan 520 Вт 1 Н.Квалиирована R-PSFM-T3 11 млн 15NS 3 млн 25 млн 46А 30 Кремни Сингл Соузроннммиди Ох Псевдон 520W TC N-канал 4360PF @ 25V 100 м ω @ 23а, 10 В 5 w @ 2,5 мая 46A TC 95NC @ 10V 10 В ± 30 v
APT17F100B APT17F100B Микросоми
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Чereз dыru Чereз dыru -55 ° C ~ 150 ° C TJ Трубка 1 (neograniчennnый) МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) Rershym uluheEnjaina ROHS COMPRINT 1997 /files/microsemicorporation-apt17f100b-datasheets-2471.pdf 1 к 17. 247-3 21,46 мм 5,31 мм 16,26 мм СОУДНО ПРИОН 3 22 НЕДЕЛИ 38.000013G в дар Вес, лавина Не E1 Жestaynanaynan -cerebraynan medion Одинокий 3 625 Вт 1 R-PSFM-T3 29 млн 31ns 28 млн 105 м 17. 30 Кремни Сингл Соузроннммиди Ох Псевдон 1000 625W TC TO-247AB 68а 0,8 ОМ N-канал 4845pf @ 25V 800 м ω @ 9a, 10 В 5V @ 1MA 17a tc 150NC @ 10V 10 В ± 30 v
APT47N60SC3G APT47N60SC3G Microsemi Corporation
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Coolmos ™ Пефер Пефер -55 ° C ~ 150 ° C TJ Трубка 1 (neograniчennnый) 150 ° С -55 ° С МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) ROHS COMPRINT 1997 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microsemicorporation-apt47n60bc3g-datasheets-2051.pdf 600 47а TO-268-3, D3PAK (2 LEADS + TAB), TO-268AA СОУДНО ПРИОН 25 3 Проиод. Не 417 Вт 1 D3 [S] 7.015NF 18 млн 27ns 8 млн 110 млн 47а 20 600 417W TC N-канал 7015pf @ 25V 70mohm @ 30a, 10 В 3,9 В @ 2,7 мая 47A TC 260NC @ 10V 70 МОМ 10 В ± 20 В.
TK39A60W,S4VX TK39A60W, S4VX Toshiba semiconductor и хraneneee $ 23,74
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Dtmosiv Чereз dыru Чereз dыru 150 ° C TJ Трубка 1 (neograniчennnый) МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) Rershym uluheEnjaina ROHS COMPRINT 2012 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemyonductorandstorage-tk39a60ws4vx-datasheets-2433.pdf 220-3- 3 16 6.000006G 3 Не 1 Одинокий 1 80 млн 50NS 9 млн 200 млн 38.8a 30 Кремни Иолирована Псевдон 600 600 50 Вт ДО-220AB 0,065ohm 608 MJ N-канал 4100PF @ 300V 65 м ω @ 19.4a, 10v 3,7 В @ 1,9 мая 38.8a ta 110NC @ 10V 10 В ± 30 v
IXTH24P20 IXTH24P20 Ixys $ 9,97
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Чereз dыru Чereз dыru -55 ° C ~ 150 ° C TJ Трубка 1 (neograniчennnый) МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) Rershym uluheEnjaina Rohs3 2005 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixtt24p20-datasheets-4098.pdf -200v -24a 247-3 СОУДНО ПРИОН 3 28 nedely 150mohm 3 в дар Лавина Не E1 Olovo/serebro/mmedion (sn/ag/cu) 3 Одинокий 300 Вт 1 Дригейтере 29ns 28 млн 68 м 24. 20 Кремни Ох Псевдон 200 300 - ТК 96а -200v П-канал 4200PF @ 25V 150 м ω @ 500 май, 10 В 5 w @ 250 мк 24a tc 150NC @ 10V 10 В ± 20 В.
IXFX32N100P IXFX32N100P Ixys
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Hiperfet ™, Polarp2 ™ Чereз dыru Чereз dыru -55 ° C ~ 150 ° C TJ Трубка 1 (neograniчennnый) МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) Rershym uluheEnjaina Rohs3 2008 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfk32n100p-datasheets-0781.pdf 247-3 3 30 3 в дар Лавина E1 Olovo/serebro/mmedion (sn/ag/cu) Nukahan 3 Одинокий Nukahan 960 Вт 1 Скандал Н.Квалиирована 55NS 43 м 76 м 32а 30 Кремни Ох Псевдон 1000 960 yt tc 75а 1500 мк 1 к N-канал 14200pf @ 25V 320 мм ω @ 16a, 10 6,5 h @ 1ma 32A TC 225NC @ 10V 10 В ± 30 v
IXFH50N60P3 Ixfh50n60p3 Ixys $ 9,73
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Hiperfet ™, Polar3 ™ Чereз dыru Чereз dыru -55 ° C ~ 150 ° C TJ Трубка 1 (neograniчennnый) МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) Rershym uluheEnjaina Rohs3 2012 /files/ixys-ixfq50n60p3-datasheets-1666.pdf 247-3 16,26 мм 21,46 мм 5,3 мм СОУДНО ПРИОН 3 30 НЕТ SVHC 3 Ear99 Лавина НЕИ Nukahan 3 Одинокий Nukahan 1,04 кстр 1 Скандал Н.Квалиирована 31 м 20ns 17 млн 62 м 50 часов 30 Кремни Ох Псевдон 5в 1040W TC DO-247AD 125. 0,145d 1000 мк 600 N-канал 6300PF @ 25V 145m ω @ 500 май, 10 5V @ 4MA 50A TC 94NC @ 10V 10 В ± 30 v
IXTH48N65X2 Ixth48n65x2 Ixys / littelfuse
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Чereз dыru Чereз dыru -55 ° C ~ 150 ° C TJ Трубка 1 (neograniчennnый) МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) Rohs3 2015 /files/ixys-ixth48n65x2-datasheets-2444.pdf 247-3 15 Ear99 not_compliant Nukahan Nukahan 48. 650 660 N-канал 4420pf @ 25V 68 м ω @ 24а, 10 В 4,5 Е @ 4MA 48A TC 77NC @ 10V 10 В ± 30 v
IXTH30N50L2 IXTH30N50L2 Ixys / littelfuse
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Илинген L2 ™ Чereз dыru Чereз dыru -55 ° C ~ 150 ° C TJ Трубка 1 (neograniчennnый) МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) Rershym uluheEnjaina Rohs3 2001 /files/ixys-ixtt30n50l2-datasheets-3664.pdf 247-3 СОУДНО ПРИОН 3 28 nedely НЕТ SVHC 3 в дар Ear99 Лавина E1 Olovo/serebro/mmedion (sn/ag/cu) Nukahan 3 Одинокий Nukahan 400 Вт 1 Скандал Н.Квалиирована 117ns 40 млн 94 м 30A 20 Кремни Ох Псевдон 2,5 В. 400 - ТК DO-247AD 60A 0,2 ОМ 1500 мк 500 N-канал 8100PF @ 25V 2,5 В. 200 МЕТРОВ ω @ 15a, 10 В 4,5 -50 мк 30A TC 240NC @ 10V 10 В ± 20 В.
IXFK100N65X2 Ixfk100n65x2 Ixys / littelfuse
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Hiperfet ™ Чereз dыru Чereз dыru -55 ° C ~ 150 ° C TJ Трубка 1 (neograniчennnый) МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) Rohs3 2015 /files/ixys-ixfx100n65x2-datasheets-8750.pdf 264-3, 264AA 19 nedely Ear99 НЕИ Nukahan Nukahan 100 а 650 1040W TC N-канал 11300PF @ 25V 30 м ω @ 50a, 10 В 5,5 В @ 4MA 100a Tc 180nc @ 10v 10 В ± 30 v
IXTQ180N10T IXTQ180N10T Ixys $ 22,82
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Trenchmv ™ Чereз dыru Чereз dыru -55 ° C ~ 175 ° C TJ Трубка 1 (neograniчennnый) МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) Rershym uluheEnjaina Rohs3 2006 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixth180n10t-datasheets-4587.pdf TO-3P-3, SC-65-3 3 8 3 в дар Ear99 Лавина НЕИ E3 Чystogogo olowa Nukahan 3 Одинокий Nukahan 480 Вт 1 Н.Квалиирована 54ns 31 м 42 м 180a Кремни Ох Псевдон 480W TC 450A 0,0064OM 750 мк 100 N-канал 6900PF @ 25V 6,4 метра ω @ 25a, 10 4,5 -50 мк 180A TC 151NC @ 10V 10 В ± 30 v
TK62N60W,S1VF TK62N60W, S1VF Toshiba semiconductor и хraneneee
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Dtmosiv Чereз dыru Чereз dыru 150 ° C TJ Трубка 1 (neograniчennnый) МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) ROHS COMPRINT 2014 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemyonductorandstorage-tk62n60ws1vf-datasheets-2457.pdf 247-3 16 Одинокий 58NS 15 млн 310 м 61.8a 30 400 - ТК 600 N-канал 6500pf @ 300V 40 м ω @ 30,9а, 10 В 3,7 В @ 3,1 мая 61.8a ta 180nc @ 10v Gryperrd -ankшn 10 В ± 30 v
SIHG70N60EF-GE3 SIHG70N60EF-GE3 Виаликоеникс
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Чereз dыru Чereз dыru -55 ° C ~ 150 ° C TJ Трубка 1 (neograniчennnый) МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) Rershym uluheEnjaina Rohs3 2014 /files/vishaysiliconix-sihg70n60efge3-datasheets-2460.pdf 247-3 3 14 Одинокий Nukahan Nukahan 1 R-PSFM-T3 70A Кремни Сингл Соузроннммиди Ох Псевдон 600 600 520W TC ДО-247AC 229. 0,038ohm 1706 MJ N-канал 7500pf @ 100v 38 м ω @ 35a, 10 4 В @ 250 мк 70A TC 380NC @ 10V 10 В ± 30 v
IXTH88N30P Ixth88n30p Ixys $ 1,50
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Polarht ™ Чereз dыru Чereз dыru -55 ° C ~ 150 ° C TJ Трубка 1 (neograniчennnый) МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) Rershym uluheEnjaina Rohs3 2006 /files/ixys-ixtq88n30p-datasheets-2251.pdf 247-3 СОУДНО ПРИОН 3 35 nedely 40 МАМ в дар Ear99 Лавина Не E1 Olovo/serebro/mmedion (sn/ag/cu) 3 Одинокий 600 Вт 1 R-PSFM-T3 24ns 25 млн 96 м 88а 20 Кремни Ох Псевдон 600 - ТК DO-247AD 220A 2000 MJ 300 N-канал 6300PF @ 25V 40 м ω @ 44a, 10 В 5 w @ 250 мк 88A TC 180nc @ 10v 10 В ± 20 В.
APT106N60B2C6 Apt106n60b2c6 Microsemi Corporation
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Coolmos ™ Чereз dыru Чereз dыru -55 ° C ~ 150 ° C TJ Трубка 1 (neograniчennnый) МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) Rershym uluheEnjaina ROHS COMPRINT 1997 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microsemicorporation-apt106n60b2c6-datasheets-2467.pdf ДО 247-3 ВАРИАНТ 21,46 мм 5,31 мм 16,26 мм СОУДНО ПРИОН 3 24 nede 35mohm 3 Проиод. Ear99 О.Лавин Не Одинокий 3 833W 1 25 млн 79ns 164 м 277 м 106а 20 Кремни Сингл Соузроннммиди Ох Псевдон 600 600 833W TC 2200 MJ N-канал 8390pf @ 25V 35 м ω @ 53a, 10 3,5 -3,4 мая 106A TC 308NC @ 10V 10 В ± 20 В.
IXFH50N85X Ixfh50n85x Ixys / littelfuse
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Hiperfet ™ Чereз dыru Чereз dыru -55 ° C ~ 150 ° C TJ Трубка 1 (neograniчennnый) МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) Rohs3 2016 /files/ixys-ixfk50n85x-datasheets-1394.pdf 247-3 19 nedely в дар НЕИ 50 часов 850 890 yt tc N-канал 4480pf @ 25V 105 м ω @ 500 май, 10 5,5 В @ 4MA 50A TC 152NC @ 10V 10 В ± 30 v
APT38N60BC6 APT38N60BC6 Microsemi Corporation
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Coolmos ™ Чereз dыru Чereз dыru -55 ° C ~ 150 ° C TJ Трубка 1 (neograniчennnый) МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) Rershym uluheEnjaina ROHS COMPRINT 1997 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microsemicorporation-apt38n60bc6-datasheets-2390.pdf 247-3 21,46 мм 5,31 мм 16,26 мм СОУДНО ПРИОН 3 24 nede 38.000013G Проиод. Ear99 О. Не Одинокий 3 278 Вт 1 R-PSFM-T3 14 млн 29ns 69 м 118 м 38а 20 Кремни Сингл Соузроннммиди Ох 600 600 278W TC 0,099 ОМ 796 MJ N-канал 2826pf @ 25V 99 м ω @ 18a, 10 В 3,5 В @ 1,2 мая 38A TC 112NC @ 10V 10 В ± 20 В.
IXFQ72N30X3 Ixfq72n30x3 Ixys $ 10,44
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Hiperfet ™ Чereз dыru -55 ° C ~ 150 ° C TJ Трубка 1 (neograniчennnый) МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) Rohs3 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfh72n30x3-datasheets-4703.pdf TO-3P-3, SC-65-3 19 nedely 300 390 Вт N-канал 5.4nf @ 25V 19 м ω @ 36а, 10 В 4,5 -пр. 1,5 мая 72A TC 82NC @ 10V 10 В ± 20 В.
IXFQ120N25X3 IXFQ120N25x3 Ixys $ 10,20
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Hiperfet ™ Чereз dыru -55 ° C ~ 150 ° C TJ Трубка 1 (neograniчennnый) МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) Rohs3 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixft120n25x3hv-datasheets-4945.pdf TO-3P-3, SC-65-3 19 nedely 250 520W TC N-канал 7870pf @ 25V 12m ω @ 60a, 10 В 4,5 Е @ 4MA 120A TC 122NC @ 10V 10 В ± 20 В.
IXTH26P20P IXTH26P20P Ixys / littelfuse
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Polarp ™ Чereз dыru Чereз dыru -55 ° C ~ 175 ° C TJ Трубка 1 (neograniчennnый) МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) Rershym uluheEnjaina Rohs3 2007 /files/ixys-ixtp26p20p-datasheets-1592.pdf 247-3 СОУДНО ПРИОН 3 28 nedely в дар Ear99 Лавина Nukahan 3 Одинокий Nukahan 300 Вт 1 Дригейтере Н.Квалиирована R-PSFM-T3 33NS 21 млн 46 м 26 а 20 Кремни Ох Псевдон 200 300 - ТК DO-247AD 70A 0,17 1500 мк -200v П-канал 2740pf @ 25V 170 м ω @ 13a, 10 В 4 В @ 250 мк 26a tc 56NC @ 10V 10 В ± 20 В.
IPP60R170CFD7XKSA1 IPP60R170CFD7XKSA1 Infineon Technologies
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Coolmos ™ CFD7 Чereз dыru -55 ° C ~ 150 ° C TJ Трубка 1 (neograniчennnый) МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) Rershym uluheEnjaina Rohs3 2014 /files/infineontechnologies-ipp60r170cfd7xksa1-datasheets-2399.pdf 220-3 3 18 Ear99 E3 Олово (sn) Не Одинокий Nukahan Nukahan 1 R-PSFM-T3 Кремни Сингл Соузроннммиди Ох Псевдон 650 600 75W TC ДО-220AB 14. 51а 0,17 60 мк N-канал 1199pf @ 400V 170 м ω @ 6a, 10v 4,5 В 300 мк 14a tc 28NC @ 10V 10 В ± 20 В.
IXFT44N50P Ixft44n50p Ixys / littelfuse
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Hiperfet ™, Polarht ™ Пефер Пефер -55 ° C ~ 150 ° C TJ Трубка 1 (neograniчennnый) МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) Rershym uluheEnjaina Rohs3 2006 /files/ixys-ixfk44n50p-datasheets-1512.pdf 500 44. TO-268-3, D3PAK (2 LEADS + TAB), TO-268AA СОУДНО ПРИОН 2 26 nedely 3 в дар Лавина 44. E3 MATOWAN ONOUVA (SN) 500 Крхлоп Nukahan 4 Одинокий Nukahan 650 Вт 1 Н.Квалиирована R-PSSO-G2 29ns 27 млн 85 м 44. 30 Кремни Ох Псевдон 658W TC 0,14om 1700 MJ 500 N-канал 5440pf @ 25V 140 м ω @ 22а, 10 В 5V @ 4MA 44A TC 98NC @ 10V 10 В ± 30 v
IXFQ140N20X3 Ixfq140n20x3 Ixys $ 11,86
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Hiperfet ™ Чereз dыru -55 ° C ~ 150 ° C TJ Трубка 1 (neograniчennnый) МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) Rohs3 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfh140n20x3-datasheets-4865.pdf TO-3P-3, SC-65-3 19 nedely 200 520W TC N-канал 7660PF @ 25V 9,6 мм ω @ 70a, 10 В 4,5 Е @ 4MA 140A TC 127NC @ 10V 10 В ± 20 В.
IXFK98N50P3 Ixfk98n50p3 Ixys
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Hiperfet ™, Polar3 ™ Чereз dыru Чereз dыru -55 ° C ~ 150 ° C TJ Трубка 1 (neograniчennnый) МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) Rershym uluheEnjaina Rohs3 2011 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfx98n50p3-datasheets-8690.pdf 264-3, 264AA 19,96 мм 26,16 ММ 5,13 мм 3 30 НЕТ SVHC 3 Ear99 Лавина НЕИ 3 Одинокий 1,3 Кст 1 Скандал Н.Квалиирована 35 м 8ns 6 м 65 м 98а 30 Кремни Ох Псевдон 5в 1300 245а 0,05OM 2000 MJ 500 N-канал 13100pf @ 25V 50 м ω @ 500 май, 10 5 w @ 8ma 98A TC 197nc @ 10V 10 В ± 30 v
TK31N60W,S1VF TK31N60W, S1VF Toshiba semiconductor и хraneneee
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Dtmosiv Чereз dыru Чereз dыru 150 ° C TJ Трубка 1 (neograniчennnый) МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) ROHS COMPRINT 2013 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemyonductorandstorage-tk31n60ws1vf-datasheets-2412.pdf 247-3 3nf 16 88mohm НЕИ Одинокий 32NS 8,5 млн 165 м 30.8a 30 230W TC 600 N-канал 3000PF @ 300V 88m ω @ 15.4a, 10 3,7 В @ 1,5 мая 30.8a ta 86NC @ 10V Gryperrd -ankшn 10 В ± 30 v
APT5010LLLG APT5010LLLG Microsemi Corporation
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Power MOS 7® Чereз dыru Чereз dыru -55 ° C ~ 150 ° C TJ Трубка 1 (neograniчennnый) МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) Rershym uluheEnjaina ROHS COMPRINT 1997 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microsemi-apt5010lllg-datasheets-1374.pdf 500 46А 264-3, 264AA СОУДНО ПРИОН 3 23 nede 3 Ear99 Не E3 ЧiStayamyanyayanyonova Одинокий 3 520 Вт 1 11 млн 15NS 3 млн 25 млн 46А 30 Кремни Сингл Соузроннммиди Ох Псевдон 520W TC N-канал 4360PF @ 25V 100 м ω @ 23а, 10 В 5 w @ 2,5 мая 46A TC 95NC @ 10V 10 В ± 30 v
IXFH180N20X3 IXFH180N20x3 Ixys
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Hiperfet ™ Чereз dыru -55 ° C ~ 150 ° C TJ Трубка 1 (neograniчennnый) МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) Rohs3 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixft180n20x3hv-datasheets-1427.pdf 247-3 19 nedely 200 780W TC N-канал 10300PF @ 25V 7,5 мм ω @ 90a, 10 В 4,5 Е @ 4MA 180A TC 154NC @ 10V 10 В ± 20 В.
IXFQ60N50P3 Ixfq60n50p3 Ixys $ 9,91
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Hiperfet ™, Polar3 ™ Чereз dыru Чereз dыru -55 ° C ~ 150 ° C TJ Трубка 1 (neograniчennnый) МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) Rershym uluheEnjaina Rohs3 2012 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfh60n50p3-datasheets-1724.pdf TO-3P-3, SC-65-3 15,8 мм 20,3 мм 4,9 мм 3 26 nedely 3 Лавина 3 Одинокий 1,04 кстр 1 Скандал Н.Квалиирована 18 млн 16ns 8 млн 37 м 60A 30 Кремни Ох Псевдон 1040W TC 150a 0,1 О 1000 мк 500 N-канал 6250pf @ 25V 100 м ω @ 30a, 10 В 5V @ 4MA 60a tc 96NC @ 10V 10 В ± 30 v
IXTX102N65X2 Ixtx102n65x2 Ixys $ 12,79
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Чereз dыru Чereз dыru -55 ° C ~ 150 ° C TJ Трубка 1 (neograniчennnый) МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) Rohs3 2015 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixtk102n65x2-datasheets-4817.pdf 247-3 15 102а 650 1040W TC N-канал 10900pf @ 25V 30 м ω @ 51a, 10 В 5 w @ 250 мк 102A TC 152NC @ 10V 10 В ± 30 v
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть

В наличии

Пожалуйста, отправьте RFQ, мы ответим немедленно.

Список запросов (0 пунктов)