Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактОдиночные МОП-транзисторы(33658)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Режим работы | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Текущий рейтинг | Пакет/ключи | Эмкость | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Сопротивление | Количество контактов | Количество водителей | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Номинальный ток питания | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Поверхностный монтаж | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Количество контактов | Количество вариантов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Входная емкость | Выходное напряжение | Выходной ток | Напряжение запуска | Включить время задержки | Время подъема | Осень (тип.) | Время задержки отключения | Непрерывный ток стока (ID) | Напряжение от затвора до источника (Vgs) | Двойное напряжение питания | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Напряжение стока к источнику (Vdss) | Пороговое напряжение | Рассеиваемая мощность-Макс. | Код JEDEC-95 | Время восстановления | Максимальный сток (Abs) (ID) | Максимальный импульсный ток стока (IDM) | Источник стока при максимальном сопротивлении | Снижение сопротивления до источника | Рейтинг лавинной энергии (Eas) | Напряжение проба стока к источнику | Тип полярного транзистора | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | Номинальный объем | Rds включено (макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс) @ Id | Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Особенность левого транзистора | РДС на Максе | Напряжение привода (макс. значение включено, минимальное значение включено) | ВГС (Макс) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| FQA46N15 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | QFET® | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | /files/onsemiconductor-fqa46n15-datasheets-2599.pdf | 150 В | 50А | ТО-3П-3, СК-65-3 | 15,8 мм | 20,1 мм | 5 мм | Без свинца | 3 | 5 недель | 6,401 г | Нет СВХК | 42МОм | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 2 часа назад) | да | EAR99 | БЫСТРОЕ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | Олово | Нет | е3 | Одинокий | 250 Вт | 1 | Мощность полевого транзистора общего назначения | 35 нс | 320 нс | 200 нс | 210 нс | 50А | 25 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 4В | 250 Вт Тс | 200А | 650 мДж | 150 В | N-канал | 3250пФ при 25В | 42 мОм при 25 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 50А Ц | 110 НК при 10 В | 10 В | ±25 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFN55N50F | IXYS / Литтелфус | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | HiPerRF™ | Крепление на шасси | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2001 г. | /files/ixys-ixfn55n50f-datasheets-2540.pdf | СОТ-227-4, миниБЛОК | 4 | 30 недель | Нет СВХК | 4 | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | Никель (Ni) | НЕТ | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | НЕ УКАЗАН | 4 | НЕ УКАЗАН | 600 Вт | 1 | Не квалифицированный | 20нс | 9,6 нс | 45 нс | 55А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 600 Вт Тс | 220А | 0,085Ом | 3000 мДж | 500В | N-канал | 6700пФ при 25 В | 85 мОм при 27,5 А, 10 В | 5,5 В при 8 мА | 55А Ц | 195 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АПТ31М100Л | Корпорация Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | СИЛОВАЯ МОС 8™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 1997 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microsemicorporation-apt31m100b2-datasheets-4101.pdf | 1кВ | 31А | ТО-264-3, ТО-264АА | Без свинца | 3 | 21 неделя | В ПРОИЗВОДСТВЕ (Последнее обновление: 1 месяц назад) | ЛАВИННАЯ СТЕПЕНЬ, ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | е3 | Чистая матовая банка | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1,04 кВт | 1 | Не квалифицированный | Р-ПСФМ-Т3 | 39 нс | 35 нс | 33 нс | 130 нс | 32А | 30В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 1000В | 1040 Вт Тс | 0,38 Ом | N-канал | 8500пФ при 25В | 400 мОм при 16 А, 10 В | 5 В при 2,5 мА | 32А Тк | 260 НК при 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АПТ48М80Л | Корпорация Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 1997 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microsemicorporation-apt48m80b2-datasheets-0832.pdf | 800В | 48А | ТО-264-3, ТО-264АА | Без свинца | 3 | 29 недель | В ПРОИЗВОДСТВЕ (Последнее обновление: 1 месяц назад) | да | БЫСТРОЕ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ, ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | Нет | е3 | Чистая матовая банка | ОДИНОКИЙ | 3 | 1 | Р-ПСФМ-Т3 | 55 нс | 75нс | 70 нс | 230 нс | 49А | 30В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 1135 Вт Тс | 0,2 Ом | N-канал | 9330пФ при 25 В | 200 мОм при 24 А, 10 В | 5 В при 2,5 мА | 49А ТЦ | 305 НК при 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АПТ50М38JLL | Корпорация Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | СИЛА МОС 7® | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 1997 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microsemicorporation-apt50m38jll-datasheets-2547.pdf | 500В | 88А | СОТ-227-4, миниБЛОК | 38,2 мм | 9,6 мм | 25,4 мм | Без свинца | 4 | 23 недели | 30.000004г | 4 | В ПРОИЗВОДСТВЕ (Последнее обновление: 1 месяц назад) | да | EAR99 | УЛ ПРИЗНАЛ | Нет | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | 4 | 1 | Одинокий | 694 Вт | 1 | Мощность полевого транзистора общего назначения | 17 нс | 22нс | 4 нс | 50 нс | 88А | 30В | КРЕМНИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 694 Вт Тс | 352А | 0,038Ом | 3600 мДж | 500В | N-канал | 12000пФ при 25В | 38 мОм при 44 А, 10 В | 5 В @ 5 мА | 88А Тк | 270 НК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFK26N120P | IXYS / Литтелфус | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | HiPerFET™, PolarP2™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2007 год | /files/ixys-ixfk26n120p-datasheets-2550.pdf | ТО-264-3, ТО-264АА | 19,96 мм | 26,16 мм | 5,13 мм | 3 | 30 недель | 3 | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | Нет | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | 3 | Одинокий | 960 Вт | 1 | Мощность полевого транзистора общего назначения | 56 нс | 55нс | 58 нс | 76 нс | 26А | 30В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 1200В | 960 Вт Тс | 60А | 0,46 Ом | 1,2 кВ | N-канал | 16000пФ при 25В | 460 мОм при 13 А, 10 В | 6,5 В при 1 мА | 26А Тк | 225 НК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АПТ10045JLL | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | СИЛА МОС 7® | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | /files/microsemicorporation-apt10045jll-datasheets-2552.pdf | 1кВ | 21А | СОТ-227-4, миниБЛОК | 38,2 мм | 9,6 мм | 25,4 мм | Без свинца | 4 | 19 недель | 30.000004г | 4 | В ПРОИЗВОДСТВЕ (Последнее обновление: 1 месяц назад) | да | EAR99 | УЛ ПРИЗНАЛ | Нет | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | 4 | 1 | Одинокий | 460 Вт | 1 | Мощность полевого транзистора общего назначения | 10 нс | 5нс | 8 нс | 30 нс | 21А | 30В | КРЕМНИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 1000В | 460 Вт Тс | 2500 мДж | 1кВ | N-канал | 4350пФ при 25 В | 450 мОм при 11,5 А, 10 В | 5 В при 2,5 мА | 21А Тц | 154 НК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTH40N30 | IXYS / Литтелфус | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | МегаМОС™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | Непригодный | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | /files/ixys-ixtm40n30-datasheets-4851.pdf | 300В | 40А | ТО-247-3 | Без свинца | 3 | 8 недель | Неизвестный | 85мОм | 3 | да | EAR99 | Нет | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | 3 | Одинокий | 300 Вт | 1 | Мощность полевого транзистора общего назначения | 40 нс | 40 нс | 75 нс | 40А | 20 В | 300В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 4В | 300 Вт Тс | ТО-247АД | 300В | N-канал | 4600пФ при 25В | 4 В | 85 мОм при 500 мА, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 40А Ц | 220 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АПТ14М120Б | Корпорация Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 1997 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microsemicorporation-apt14m120b-datasheets-2515.pdf | 1,2 кВ | 14А | ТО-247-3 | 21,46 мм | 5,31 мм | 16,26 мм | Без свинца | 3 | 18 недель | 38.000013г | В ПРОИЗВОДСТВЕ (Последнее обновление: 1 месяц назад) | да | EAR99 | ЛАВИННАЯ СТЕПЕНЬ, ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Нет | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | ОДИНОКИЙ | 3 | 625 Вт | 1 | Р-ПСФМ-Т3 | 26 нс | 15нс | 24 нс | 85 нс | 14А | 30В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 1200В | 625 Вт Тс | ТО-247АД | 1,2 кВ | N-канал | 4765пФ при 25 В | 1,2 Ом при 7 А, 10 В | 5 В @ 1 мА | 14А Ц | 145 НК при 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFX320N17T2 | IXYS / Литтелфус | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ГигаМОС™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/ixys-ixfk320n17t2-datasheets-2200.pdf | ТО-247-3 | Без свинца | 3 | 30 недель | 247 | 1 | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | 100А | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Мощность полевого транзистора общего назначения | Не квалифицированный | Р-ПСИП-Т3 | 170 В | 320А | 46 нс | 170 нс | 230 нс | 115 нс | 320А | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 1670 Вт Тс | 800А | 0,0052Ом | 5000 мДж | N-канал | 45000пФ при 25В | 5,2 мОм при 60 А, 10 В | 5 В @ 8 мА | 320А Тк | 640 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTH7P50 | IXYS / Литтелфус | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | Непригодный | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2001 г. | /files/ixys-ixth7p50-datasheets-2520.pdf | -500В | -7А | ТО-247-3 | Без свинца | 3 | 8 недель | 1,5 Ом | 3 | да | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 180 Вт | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицированный | 27нс | 35 нс | 35 нс | 7А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 500В | 180 Вт Тс | ТО-247АД | 7А | 28А | -500В | P-канал | 3400пФ при 25В | 1,5 Ом при 500 мА, 10 В | 5 В @ 250 мкА | 7А Тк | 130 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTT82N25P | ИКСИС | $8,68 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | PolarHT™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixtq82n25p-datasheets-3903.pdf | ТО-268-3, Д3Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-268АА | Без свинца | 2 | 24 недели | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | не_совместимо | е3 | Матовый олово (Sn) | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 4 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 500 Вт | 1 | Не квалифицированный | Р-ПССО-Г2 | 20нс | 22 нс | 78 нс | 82А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 500 Вт Тс | 200А | 0,035 Ом | 1000 мДж | 250В | N-канал | 4800пФ при 25В | 35 мОм при 41 А, 10 В | 5 В @ 250 мкА | 82А Ц | 142 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТК39Н60В,С1ВФ | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | $4,43 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ДТМОСИВ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tk39n60ws1vf-datasheets-2525.pdf | ТО-247-3 | 4,1 нФ | 16 недель | 65мОм | Одинокий | ТО-247 | 4,1 нФ | 50 нс | 9 нс | 200 нс | 38,8А | 30В | 600В | 270 Вт Тс | 55мОм | N-канал | 4100пФ при 300В | 65 мОм при 19,4 А, 10 В | 3,7 В @ 1,9 мА | 38,8А Та | 110 НК при 10 В | Супер Джанкшн | 65 мОм | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АПТ50М65JLL | Корпорация Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | СИЛА МОС 7® | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 1997 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microsemicorporation-apt50m65jll-datasheets-2530.pdf | 500В | 58А | СОТ-227-4, миниБЛОК | Без свинца | 4 | 23 недели | 4 | В ПРОИЗВОДСТВЕ (Последнее обновление: 1 месяц назад) | да | EAR99 | УЛ ПРИЗНАЛ | Нет | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | 4 | 520 Вт | 1 | Мощность полевого транзистора общего назначения | 12 нс | 28нс | 30 нс | 29 нс | 58А | 30В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 520 Вт Тс | 232А | 0,065 Ом | 3000 мДж | N-канал | 7010пФ при 25 В | 65 мОм при 29 А, 10 В | 5 В при 2,5 мА | 58А Ц | 141 НК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFB44N100Q3 | ИКСИС | $39,36 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | HiPerFET™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2011 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfb44n100q3-datasheets-2532.pdf | ТО-264-3, ТО-264АА | 20,29 мм | 26,59 мм | 5,31 мм | Без свинца | 3 | 20 недель | 220МОм | 264 | 3 | Одинокий | 1,56 кВт | 1 | Мощность полевого транзистора общего назначения | Не квалифицированный | Р-ПСИП-Т3 | 48 нс | 300 нс | 66 нс | 44А | 30В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 1000В | 1560 Вт Тс | 110А | 4000 мДж | 1кВ | N-канал | 13600пФ при 25В | 220 мОм при 22 А, 10 В | 6,5 В @ 8 мА | 44А Тк | 264 НК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFK64N60Q3 | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | HiPerFET™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2011 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfx64n60q3-datasheets-3702.pdf | ТО-264-3, ТО-264АА | 19,96 мм | 26,16 мм | 5,13 мм | 3 | 30 недель | 3 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | неизвестный | 3 | Одинокий | 1,25 кВт | 1 | Мощность полевого транзистора общего назначения | 45 нс | 300 нс | 50 нс | 64А | 30В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 1250 Вт Тс | 250А | 0,095Ом | 600В | N-канал | 9930пФ при 25 В | 95 мОм при 32 А, 10 В | 6,5 В при 4 мА | 64А Тк | 190 НК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTB62N50L | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2011 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixtb62n50l-datasheets-2538.pdf | ТО-264-3, ТО-264АА | Без свинца | 3 | 100мОм | 3 | да | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 800 Вт | 1 | Мощность полевого транзистора общего назначения | Не квалифицированный | 85нс | 75 нс | 110 нс | 62А | 30В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 800 Вт Тс | 150А | 5000 мДж | 500В | N-канал | 11500пФ при 25В | 100 мОм при 31 А, 20 В | 5,5 В @ 250 мкА | 62А Ц | 550 НК при 20 В | 20 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXKK85N60C | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | CoolMOS™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2003 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixkk85n60c-datasheets-2508.pdf | ТО-264-3, ТО-264АА | Без свинца | 3 | 12 недель | 36МОм | да | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 700 Вт | 1 | Мощность полевого транзистора общего назначения | Не квалифицированный | Р-ПСФМ-Т3 | 27нс | 10 нс | 110 нс | 85А | 20 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 1800 мДж | 600В | N-канал | 36 мОм при 55 А, 10 В | 4 В @ 4 мА | 85А Ц | 650 НК при 10 В | Супер Джанкшн | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| APT5010LFLLG | Корпорация Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | СИЛА МОС 7® | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 1997 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microsemicorporation-apt5010b2fllg-datasheets-2852.pdf | 500В | 46А | ТО-264-3, ТО-264АА | Без свинца | 3 | 26 недель | В ПРОИЗВОДСТВЕ (Последнее обновление: 1 месяц назад) | да | EAR99 | е1 | ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 520 Вт | 1 | Не квалифицированный | Р-ПСФМ-Т3 | 11 нс | 15нс | 3 нс | 25 нс | 46А | 30В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 520 Вт Тс | N-канал | 4360пФ при 25В | 100 мОм при 23 А, 10 В | 5 В при 2,5 мА | 46А Тц | 95 НК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АПТ17Ф100Б | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 1997 год | /files/microsemicorporation-apt17f100b-datasheets-2471.pdf | 1кВ | 17А | ТО-247-3 | 21,46 мм | 5,31 мм | 16,26 мм | Без свинца | 3 | 22 недели | 38.000013г | да | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ, ЛАВИННАЯ СТЕПЕНЬ | Нет | е1 | ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ | ОДИНОКИЙ | 3 | 625 Вт | 1 | Р-ПСФМ-Т3 | 29 нс | 31 нс | 28 нс | 105 нс | 17А | 30В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 1000В | 625 Вт Тс | ТО-247АБ | 68А | 0,8 Ом | N-канал | 4845пФ при 25В | 800 мОм при 9 А, 10 В | 5 В @ 1 мА | 17А Тк | 150 НК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTX120N65X2 | ИКСИС | $43,58 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixtx120n65x2-datasheets-2474.pdf | ТО-247-3 | 15 недель | EAR99 | неизвестный | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 120А | 650В | 1250 Вт Тс | N-канал | 13600пФ при 25В | 24 мОм при 60 А, 10 В | 4,5 В при 8 мА | 120А Ц | 240 НК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFH20N85X | IXYS / Литтелфус | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | HiPerFET™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/ixys-ixfp20n85x-datasheets-2292.pdf | ТО-247-3 | 19 недель | да | 20А | 850В | 540 Вт Тс | N-канал | 1660пФ при 25В | 330 мОм при 500 мА, 10 В | 5,5 В при 2,5 мА | 20А Ц | 63 НК при 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFN106N20 | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | HiPerFET™ | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | Непригодный | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfk90n20-datasheets-2052.pdf | 200В | 106А | СОТ-227-4, миниБЛОК | Без свинца | 8 недель | 20МОм | 4 | Нет | 520 Вт | 1 | СОТ-227Б | 9нФ | 80нс | 30 нс | 75 нс | 106А | 20 В | 200В | 521 Вт Тс | 20мОм | 200В | N-канал | 9000пФ при 25В | 20 мОм при 500 мА, 10 В | 4 В @ 8 мА | 106А Тк | 380 НК при 10 В | 20 мОм | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АПТ17F120J | Корпорация Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | СИЛОВАЯ МОС 8™ | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 1997 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microsemicorporation-apt17f120j-datasheets-2481.pdf | 1,2 кВ | 17А | СОТ-227-4, миниБЛОК | Без свинца | 4 | 22 недели | 4 | да | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ, ПРИЗНАННЫЙ УЛ | Нет | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | 4 | 545 Вт | 1 | 50 нс | 31 нс | 48 нс | 170 нс | 18А | 30В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 1200В | 545 Вт Тс | 0,58 Ом | N-канал | 9670пФ при 25 В | 580 мОм при 14 А, 10 В | 5 В при 2,5 мА | 18А Тк | 300 НК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFR80N50P | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | HiPerFET™, PolarHT™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfr80n50p-datasheets-2484.pdf | 500В | 80А | ISOPLUS247™ | Без свинца | 3 | Нет СВХК | 72МОм | 247 | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ, ПРИЗНАННЫЙ УЛ | Нет | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | 3 | Одинокий | 360 Вт | 1 | Мощность полевого транзистора общего назначения | Р-ПСИП-Т3 | 2,5 кВ | 27нс | 16 нс | 70 нс | 45А | 30В | КРЕМНИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 5В | 360 Вт Тс | 200А | 3500 мДж | 500В | N-канал | 12700пФ при 25В | 72 мОм при 40 А, 10 В | 5 В @ 8 мА | 45А Ц | 197 НК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFR80N50Q3 | ИКСИС | $31,47 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | HiPerFET™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2011 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfr80n50q3-datasheets-2486.pdf | ТО-247-3 | 16,13 мм | 21,34 мм | 5,21 мм | Без свинца | 3 | 30 недель | 72МОм | 247 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ, ПРИЗНАННЫЙ УЛ | 3 | Одинокий | 570 Вт | 1 | Мощность полевого транзистора общего назначения | Не квалифицированный | Р-ПСИП-Т3 | 30 нс | 250 нс | 43 нс | 50А | 30В | КРЕМНИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 570 Вт Тс | 45А | 240А | 5000 мДж | 500В | N-канал | 10000пФ при 25В | 72 мОм при 40 А, 10 В | 6,5 В @ 8 мА | 50А Ц | 200 НК при 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFX66N85X | IXYS / Литтелфус | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | HiPerFET™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/ixys-ixfk66n85x-datasheets-8865.pdf | ТО-247-3 | 19 недель | да | 66А | 850В | 1250 Вт Тс | N-канал | 8900пФ при 25 В | 65 мОм при 500 мА, 10 В | 5,5 В при 8 мА | 66А Тк | 230 НК при 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFN220N20X3 | ИКСИС | $32,16 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | HiPerFET™ | Крепление на шасси | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | /files/ixys-ixfn220n20x3-datasheets-2491.pdf | СОТ-227-4, миниБЛОК | 19 недель | 200В | 390 Вт Тс | N-канал | 13600пФ при 25В | 6,2 мОм при 110 А, 10 В | 4,5 В при 4 мА | 160А Ц | 204 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFN73N30 | IXYS / Литтелфус | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | HiPerFET™ | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | Непригодный | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2001 г. | /files/ixys-ixfk73n30-datasheets-0777.pdf | 300В | 73А | СОТ-227-4, миниБЛОК | Без свинца | 4 | 8 недель | Нет СВХК | 45мОм | 3 | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | Нет | Никель (Ni) | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | 4 | 520 Вт | 1 | Мощность полевого транзистора общего назначения | Р-ПУФМ-Х4 | 80нс | 50 нс | 100 нс | 73А | 20 В | 300В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 4В | 500 Вт Тс | 200 нс | 292А | 300В | N-канал | 9000пФ при 25В | 4 В | 45 мОм при 500 мА, 10 В | 4 В @ 8 мА | 73А Тц | 360 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTH75N10 | ИКСИС | $7,73 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | МегаМОС™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | Непригодный | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2003 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixth67n10-datasheets-1685.pdf | 100 В | 75А | ТО-247-3 | Без свинца | 3 | 8 недель | Нет СВХК | 20мОм | 3 | да | EAR99 | Нет | 3 | Одинокий | 300 Вт | 1 | Мощность полевого транзистора общего назначения | 60нс | 30 нс | 100 нс | 75А | 20 В | 100 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 4В | 300 Вт Тс | ТО-247АД | 100 В | N-канал | 4500пФ при 25В | 4 В | 20 мОм при 37,5 А, 10 В | 4 В @ 4 мА | 75А Ц | 260 НК при 10 В | 10 В | ±20 В |
