Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактОдиночные МОП-транзисторы(33658)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Режим работы | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Количество контактов | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Справочный стандарт | Поверхностный монтаж | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Количество контактов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Код JESD-30 | Дата проведения проверки исходного URL | Поставщик пакета оборудования | Входная емкость | Включить время задержки | Время подъема | Осень (тип.) | Время задержки отключения | Непрерывный ток стока (ID) | Напряжение от затвора до источника (Vgs) | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Напряжение стока к источнику (Vdss) | DS Напряжение проба-мин. | Пороговое напряжение | Рассеиваемая мощность-Макс. | Код JEDEC-95 | Максимальный ток стока (Abs) (ID) | Максимальный импульсный ток стока (IDM) | Источник стока при максимальном сопротивлении | Снижение сопротивления до источника | Рейтинг лавинной энергии (Eas) | Напряжение проба стока к источнику | Тип полярного транзистора | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | Номинальный объем | Rds включено (макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс) @ Id | Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | Заряд ворот (Qg) (Макс.) @ Vgs | РДС на Максе | Напряжение привода (макс. значение включено, минимальное значение включено) | ВГС (Макс) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| БУК7C4R5-100EJ | NXP США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | ТО-263-7, Д2Пак (6 отведений + вкладка), ТО-263СВ | 100В | N-канал | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PHB153NQ08LT,118 | NXP США Инк. | 0,43 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчМОС™ | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 1997 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/nxpusainc-phb153nq08lt118-datasheets-6544.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | 2 | EAR99 | СОВМЕСТИМЫЙ ЛОГИЧЕСКИЙ УРОВЕНЬ | неизвестный | ДА | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 3 | 1 | Не квалифицирован | Р-ПССО-Г2 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 75В | 75В | 300 Вт Тс | 75А | 240А | 0,0066Ом | 560 мДж | N-канал | 8770пФ при 25 В | 5,5 мОм при 25 А, 10 В | 2 В при 1 мА | 75А Ц | 95 НК при 5 В | 4,5 В 10 В | ±15 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CPH6350-TL-E | Рочестер Электроникс, ООО | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/rochesterelectronicsllc-cph3456tlh-datasheets-5034.pdf | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БУЗ32 | Рочестер Электроникс, ООО | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | СИПМОС® | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Не соответствует требованиям RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/rochesterelectronicsllc-buz21-datasheets-0561.pdf | ТО-220-3 | 3 | нет | неизвестный | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | НЕТ | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | КОММЕРЧЕСКИЙ | Р-ПСФМ-Т3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 200В | 200В | 75 Вт Тс | ТО-220АБ | 9,5А | 38А | 0,4 Ом | N-канал | 530пФ при 25В | 400 мОм при 6 А, 10 В | 4 В при 1 мА | 9,5 А Тс | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CMF20120D | Кри/Вулфспид | 2,77 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Z-FET™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~135°С, ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | 135°С | -55°С | SiCFET (карбид кремния) | Соответствует RoHS | 2005 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/creewolfspeed-cmf20120d-datasheets-6523.pdf | ТО-247-3 | 16,13 мм | 21,1 мм | 5,21 мм | 10 недель | Неизвестный | 3 | Нет | Одинокий | 150 Вт | 1 | ТО-247-3 | 1,915 нФ | 13 нс | 38нс | 24 нс | 40 нс | 42А | 25В | 1200В | 2,5 В | 215 Вт Тс | 80мОм | 1,2 кВ | N-канал | 1915пФ при 800В | 2,5 В | 110 мОм при 20 А, 20 В | 4 В при 1 мА | 42А Тк | 90,8 НК при 20 В | 110 мОм | 20 В | +25В, -5В | |||||||||||||||||||||||||||||||
| БУК6510-75С,127 | НХП Полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчМОС™ | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Не соответствует требованиям RoHS | 2010 год | /files/nxpusainc-buk651075c127-datasheets-6526.pdf | ТО-220-3 | 3 | 2013-06-14 00:00:00 | 75В | 158 Вт Тс | N-канал | 5251пФ при 25 В | 10,4 мОм при 25 А, 10 В | 2,8 В @ 1 мА | 77А Тк | 81 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±16 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БУК9Е4Р9-60Е,127 | NXP США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчМОС™ | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2012 год | ТО-262-3 Длинные выводы, И2Пак, ТО-262АА | 3 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | не_совместимо | е3 | Олово (Вс) | АЭК-Q101; МЭК-60134 | НЕТ | ОДИНОКИЙ | 3 | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Р-ПСИП-Т3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 60В | 60В | 234 Вт Тс | 100А | 590А | 0,0049Ом | 273 мДж | N-канал | 9710пФ при 25 В | 4,5 мОм при 25 А, 10 В | 2,1 В при 1 мА | 100А Ц | 65 НК при 5 В | 5В 10В | ±10 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NP82N04NDG-S18-AY | Рочестер Электроникс, ООО | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 175°С, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/rochesterelectronicsllc-np82n04ndgs18ay-datasheets-6527.pdf | ТО-262-3 Полный пакет, И2Пак | ТО-262-3 | 40В | 1,8 Вт Та 143 Вт Тс | N-канал | 9пФ при 25В | 4,2 мОм при 41 А, 10 В | 2,5 В при 250 мкА | 82А Ц | 150 НК при 10 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БУК754Р7-60Э,127 | NXP США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчМОС™ | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2012 год | ТО-220-3 | не_совместимо | е3 | Олово (Вс) | НЕТ | 3 | Полевой транзистор общего назначения | Одинокий | 60В | 234 Вт Тс | 100А | N-канал | 6230пФ при 25В | 4,6 мОм при 25 А, 10 В | 4 В при 1 мА | 100А Ц | 82 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| HUF75309D3S | Рочестер Электроникс, ООО | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | УльтраФЕТ™ | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Не соответствует требованиям RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/rochesterelectronicsllc-huf75339p3-datasheets-2976.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 2 | да | неизвестный | НЕ УКАЗАН | ДА | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | КОММЕРЧЕСКИЙ | Р-ПССО-Г2 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 55В | 55В | 55 Вт Тс | ТО-252АА | 19А | 0,07 Ом | N-канал | 350пФ при 25В | 70 мОм при 19 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 19А Тк | 24 НК при 20 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PHP54N06T,127 | NXP США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчМОС™ | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/nxpusainc-php54n06t127-datasheets-6535.pdf | ТО-220-3 | 3 | EAR99 | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕТ | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Не квалифицирован | Р-ПСФМ-Т3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 55В | 55В | 118 Вт Тс | ТО-220АБ | 54А | 217А | 0,02 Ом | 115 мДж | N-канал | 1592пФ при 25 В | 20 мОм при 25 А, 10 В | 4 В при 1 мА | 54А Тк | 36 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БУК9C1R3-40EJ | NXP США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2016 год | ТО-263-7, Д2Пак (6 отведений + вкладка), ТО-263СВ | 40В | N-канал | 1,3 мОм при 90 А, 5 В | 190А Ц | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SCH1337-TL-H | Рочестер Электроникс, ООО | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/rochesterelectronicsllc-sfm9110tf-datasheets-5082.pdf | СОТ-563, СОТ-666 | 6-СЧ | 30В | 800мВт Та | P-канал | 172пФ при 10 В | 150 мОм при 1 А, 10 В | 2А Та | 3,9 НК при 10 В | 4В 10В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CMF10120D | Кри/Вулфспид | $12,11 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Z-FET™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~135°С, ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | 135°С | -55°С | SiCFET (карбид кремния) | Соответствует RoHS | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/creewolfspeed-cmf10120d-datasheets-6476.pdf | ТО-247-3 | 16,13 мм | 21,1 мм | 5,21 мм | Неизвестный | 3 | Нет | Одинокий | 152 Вт | 1 | ТО-247 | 928пФ | 8,8 нс | 34 нс | 21 нс | 38 нс | 24А | 25В | 1200В | 2,5 В | 134 Вт Тс | 160мОм | 1,2 кВ | N-канал | 928пФ при 800В | 2,5 В | 220 мОм при 10 А, 20 В | 4 В при 500 мкА | 24А Тк | 47,1 НК при 20 В | 220 мОм | 20 В | +25В, -5В | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| CA/JCOP/MF4K/4B-УЗ | NXP США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БУК9Y7R8-80Е,115 | NXP США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | СК-100, СОТ-669 | 80В | N-канал | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CPMF-1200-S080B | Кри/Вулфспид | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Z-FET™ | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | SiCFET (карбид кремния) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/creewolfspeed-cpmf1200s080b-datasheets-6510.pdf | Править | 1200В | 313 МВт ТДж | N-канал | 1915пФ при 800В | 110 мОм при 20 А, 20 В | 4 В при 1 мА | 50А Тдж | 90,8 НК при 20 В | 20 В | +25В, -5В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БУК952Р8-60Э,127 | NXP США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчМОС™ | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/nxpusainc-buk952r860e127-datasheets-6479.pdf | ТО-220-3 | не_совместимо | е3 | Олово (Вс) | НЕТ | 3 | Полевой транзистор общего назначения | Одинокий | 60В | 349 Вт Тс | 120А | N-канал | 17450пФ при 25В | 2,6 мОм при 25 А, 10 В | 2,1 В при 1 мА | 120А Ц | 120 НК при 5 В | 5В 10В | ±10 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БУК7C2R2-60EJ | NXP США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | ТО-263-7, Д2Пак (6 отведений + вкладка), ТО-263СВ | 60В | N-канал | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRF7807ZPBF | Рочестер Электроникс, ООО | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ШЕСТИГРАННЫЙ ПЕТР® | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/rochesterelectronicsllc-irf9910pbf-datasheets-5490.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8-СО | 30В | 2,5 Вт Та | N-канал | 770пФ при 15 В | 13,8 мОм при 11 А, 10 В | 2,25 В @ 250 мкА | 11А Та | 11 НК при 4,5 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПСМН7Р0-100ХС,127 | NXP США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/nxpusainc-psmn7r0100xs127-datasheets-6513.pdf | ТО-220-3 Полный пакет, изолированная вкладка | не_совместимо | 3 | 2013-06-14 00:00:00 | 100В | 57,7 Вт Тс | N-канал | 6686пФ при 50 В | 6,8 мОм при 15 А, 10 В | 4 В при 1 мА | 55А Ц | 121 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| HUF75329P3 | Рочестер Электроникс, ООО | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | УльтраФЕТ™ | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Не соответствует требованиям RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/rochesterelectronicsllc-huf75345p3-datasheets-4284.pdf | ТО-220-3 | 3 | нет | неизвестный | е0 | Оловянный свинец | НЕТ | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | КОММЕРЧЕСКИЙ | Р-ПСФМ-Т3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 55В | 55В | 128 Вт Тс | ТО-220АБ | 42А | 0,025 Ом | N-канал | 1,06 пФ при 25 В | 24 мОм при 49 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 49А ТЦ | 75 НК при 20 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRFR7540PBF | Рочестер Электроникс, ООО | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/rochesterelectronicsllc-irfw540atm-datasheets-6576.pdf | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRF7842PBF | Рочестер Электроникс, ООО | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ШЕСТИГРАННЫЙ ПЕТР® | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/rochesterelectronicsllc-irfd213-datasheets-6146.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8-СО | 40В | 2,5 Вт Та | N-канал | 4,5 пФ при 20 В | 5 мОм при 17 А, 10 В | 2,25 В @ 250 мкА | 18А Та | 50 НК при 4,5 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БУК752Р7-60Э,127 | NXP США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчМОС™ | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2012 год | ТО-220-3 | не_совместимо | е3 | Олово (Вс) | НЕТ | 3 | Полевой транзистор общего назначения | Одинокий | 60В | 349 Вт Тс | 120А | N-канал | 11180пФ при 25 В | 2,6 мОм при 25 А, 10 В | 4 В при 1 мА | 120А Ц | 158 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2Н7002ПМ,315 | NXP США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/nexperiausainc-ip4359cx4lf135-datasheets-4273.pdf | СК-101, СОТ-883 | DFN1006-3 | 60В | 250мВт Та | N-канал | 300 мА Та | 5В 10В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БУК9222-55А/С1,118 | NXP США Инк. | $13,82 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчМОС™ | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Не соответствует требованиям RoHS | 2011 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/nexperiausainc-buk922255a118-datasheets-0898.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 55В | 103 Вт Тк | N-канал | 2210пФ при 25 В | 20 мОм при 25 А, 10 В | 2 В при 1 мА | 48А ТЦ | 4,5 В 10 В | ±15 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PHP96NQ03LT,127 | NXP США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчМОС™ | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2001 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/nxpusainc-phb96nq03lt118-datasheets-6461.pdf | ТО-220-3 | 3 | EAR99 | неизвестный | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕТ | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Не квалифицирован | Р-ПСФМ-Т3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 25В | 25В | 115 Вт Тс | ТО-220АБ | 75А | 240А | 0,0075Ом | 185 мДж | N-канал | 2200пФ при 25В | 4,95 мОм при 25 А, 10 В | 2 В при 1 мА | 75А Ц | 26,7 НК при 5 В | 5В 10В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| БУК9Y98-80Е,115 | NXP США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | СК-100, СОТ-669 | 80В | N-канал | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПСМН4Р6-100ХС,127 | НХП Полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/nxpusainc-psmn4r6100xs127-datasheets-6500.pdf | ТО-220-3 Полный пакет, изолированная вкладка | не_совместимо | 3 | 100В | 63,8 Вт Тс | N-канал | 9900пФ при 50В | 4,6 мОм при 15 А, 10 В | 4 В при 1 мА | 70,4 А Тс | 153 НК при 10 В | 10 В | ±20 В |
