Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактОдиночные МОП-транзисторы(33658)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Технология | Режим работы | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Количество окончаний | ECCN-код | Дополнительная функция | Достичь соответствия кода | Код HTS | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Справочный стандарт | Поверхностный монтаж | Положение терминала | Пиковая температура оплавления (Цел) | Количество контактов | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Код JESD-30 | Дата проведения проверки исходного URL | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Напряжение стока к источнику (Vdss) | DS Напряжение проба-мин. | Рассеиваемая мощность-Макс. | Код JEDEC-95 | Максимальный сток (Abs) (ID) | Максимальный импульсный ток стока (IDM) | Источник стока при максимальном сопротивлении | Рейтинг лавинной энергии (Eas) | Тип полярного транзистора | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | Rds включено (макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс) @ Id | Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Напряжение привода (макс. значение включено, минимальное значение включено) | ВГС (Макс) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| КПМФ-1200-С160Б | Кри/Вулфспид | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Z-FET™ | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | SiCFET (карбид кремния) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/creewolfspeed-cpmf1200s160b-datasheets-6443.pdf | Править | 1200В | 202 Вт Тиджей | N-канал | 928пФ при 800В | 220 мОм при 10 А, 20 В | 4 В @ 1 мА | 28А Тдж | 47,1 НК при 20 В | 20 В | +25В, -5В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БУК953Р2-40Э,127 | NXP США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчМОС™ | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/nxpusainc-buk953r240e127-datasheets-6445.pdf | ТО-220-3 | 3 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | не_совместимо | е3 | Олово (Вс) | АЭК-Q101; МЭК-60134 | НЕТ | ОДИНОКИЙ | 3 | 1 | Мощность полевого транзистора общего назначения | Р-ПСФМ-Т3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 40В | 40В | 234 Вт Тс | ТО-220АБ | 100А | 781А | 0,0032Ом | 419 мДж | N-канал | 9150пФ при 25 В | 2,8 мОм при 25 А, 10 В | 2,1 В при 1 мА | 100А Ц | 69,5 НК при 5 В | 5В 10В | ±10 В | |||||||||
| БУК7C1R2-40EJ | NXP США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2013 год | ТО-263-7, Д2Пак (6 отведений + вкладка), ТО-263СВ | 40В | N-канал | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БУК7210-55Б/С1,118 | NXP США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчМОС™ | Поверхностный монтаж | -55°С~185°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Не соответствует требованиям RoHS | 2012 год | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 55В | 167 Вт Тс | N-канал | 2453пФ при 25 В | 10 мОм при 25 А, 10 В | 4 В @ 1 мА | 75А Ц | 35 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПМТ200РУ,115 | NXP США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2012 год | ТО-261-4, ТО-261АА | е3 | Олово (Вс) | ДА | 4 | Мощность полевого транзистора общего назначения | Одинокий | 100 В | 800 мВт Ta 8,3 Вт Tc | 1,8 А | N-канал | 475пФ при 80В | 235 мОм при 1,5 А, 10 В | 2,5 В @ 250 мкА | 1,8 А Та | 10 нк @ 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||
| ПСМН5Р6-100ХС,127 | НХП Полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2012 год | ТО-220-3 Полный пакет, изолированная вкладка | не_совместимо | 3 | 2013-06-14 00:00:00 | 100 В | 60 Вт Тс | N-канал | 8061пФ при 50 В | 5,6 мОм при 15 А, 10 В | 4 В @ 1 мА | 61,8А Ц | 145 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||
| БУК654Р6-55С,127 | NXP США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчМОС™ | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Не соответствует требованиям RoHS | 2010 год | ТО-220-3 | 3 | 2013-06-14 00:00:00 | 55В | 204 Вт Тк | N-канал | 7750пФ при 25В | 5,4 мОм при 25 А, 10 В | 2,8 В при 1 мА | 100А Ц | 124 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±16 В | |||||||||||||||||||||||||||||||
| БУК7C3R1-80EJ | NXP США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2013 год | ТО-263-7, Д2Пак (6 отведений + вкладка), ТО-263СВ | 80В | N-канал | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БУК7C5R4-100EJ | NXP США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | ТО-263-7, Д2Пак (6 отведений + вкладка), ТО-263СВ | 100 В | N-канал | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БУК9Е6Р1-100Е,127 | NXP США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчМОС™ | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/nxpusainc-buk9e6r1100e127-datasheets-6429.pdf | ТО-262-3 Длинные выводы, И2Пак, ТО-262АА | 3 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | не_совместимо | е3 | Олово (Вс) | АЭК-Q101; МЭК-60134 | НЕТ | ОДИНОКИЙ | 3 | 1 | Мощность полевого транзистора общего назначения | Р-ПСИП-Т3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 100 В | 100 В | 349 Вт Тс | 120А | 576А | 0,0061Ом | 387 мДж | N-канал | 17460пФ при 25В | 5,9 мОм при 25 А, 10 В | 2,1 В при 1 мА | 120А Ц | 133 НК при 5 В | 5В 10В | ±10 В | ||||||||||
| БУК9Е8Р5-40Е,127 | NXP США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчМОС™ | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/nxpusainc-buk9e8r540e127-datasheets-6452.pdf | ТО-262-3 Длинные выводы, И2Пак, ТО-262АА | 3 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | не_совместимо | е3 | Олово (Вс) | АЭК-Q101; МЭК-60134 | НЕТ | ОДИНОКИЙ | 3 | 1 | Мощность полевого транзистора общего назначения | Р-ПСИП-Т3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 40В | 40В | 96 Вт Тс | 75А | 315А | 0,0081Ом | 44 мДж | N-канал | 2600пФ при 25В | 6,6 мОм при 20 А, 10 В | 2,1 В при 1 мА | 75А Ц | 20,9 НК при 5 В | 5В 10В | ±10 В | ||||||||||
| ПСМН5Р0-100ХС,127 | НХП Полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2012 год | ТО-220-3 Полный пакет, изолированная вкладка | не_совместимо | 3 | 100 В | 63,8 Вт Тс | N-канал | 9900пФ при 50В | 5 м Ом при 15 А, 10 В | 4 В @ 1 мА | 67,5 А Тс | 153 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| БУК7Е4Р0-80Е,127 | NXP США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчМОС™ | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/nxpusainc-buk7e4r080e127-datasheets-6411.pdf | ТО-262-3 Длинные выводы, И2Пак, ТО-262АА | 3 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | не_совместимо | е3 | Олово (Вс) | АЭК-Q101; МЭК-60134 | НЕТ | ОДИНОКИЙ | 3 | 1 | Мощность полевого транзистора общего назначения | Р-ПСИП-Т3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 80В | 80В | 349 Вт Тс | 120А | 758А | 0,004 Ом | 488 мДж | N-канал | 12030пФ при 25 В | 4 м Ом при 25 А, 10 В | 4 В @ 1 мА | 120А Ц | 169 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||
| БУК655Р0-75С,127 | NXP США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчМОС™ | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Не соответствует требованиям RoHS | 2010 год | ТО-220-3 | 3 | 2013-06-14 00:00:00 | 75В | 263 Вт Тс | N-канал | 11400пФ при 25В | 5,3 мОм при 25 А, 10 В | 2,8 В при 1 мА | 120А Ц | 177 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±16 В | |||||||||||||||||||||||||||||||
| ПМТ29РУ,135 | NXP США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/nxpusainc-pmt29en115-datasheets-8895.pdf | ТО-261-4, ТО-261АА | 4 | 2013-06-14 00:00:00 | 30 В | 820 мВт Ta 8,33 Вт Tc | N-канал | 492пФ при 15 В | 29 мОм при 6 А, 10 В | 2,5 В @ 250 мкА | 6А Та | 11 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||
| ПСМН9Р5-100ХС,127 | NXP США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/nxpusainc-psmn9r5100xs127-datasheets-6414.pdf | ТО-220-3 Полный пакет, изолированная вкладка | не_совместимо | 3 | 2013-06-14 00:00:00 | 100 В | 52,6 Вт Тс | N-канал | 4454 пФ при 50 В | 9,6 мОм при 10 А, 10 В | 4 В @ 1 мА | 44,2А Тс | 81,5 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||
| БУК9Е4Р4-80Е,127 | NXP США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчМОС™ | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2012 год | ТО-262-3 Длинные выводы, И2Пак, ТО-262АА | 3 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | не_совместимо | е3 | Олово (Вс) | АЭК-Q101; МЭК-60134 | НЕТ | ОДИНОКИЙ | 3 | 1 | Мощность полевого транзистора общего назначения | Р-ПСИП-Т3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 80В | 80В | 349 Вт Тс | 120А | 715А | 0,0044Ом | 488 мДж | N-канал | 17130пФ при 25В | 4,2 мОм при 25 А, 10 В | 2,1 В при 1 мА | 120А Ц | 123 НК при 5 В | 5В 10В | ±10 В | |||||||||||
| PHX18NQ20T, 127 | NXP США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчМОС™ | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | /files/nxpusainc-phx18nq20t127-datasheets-6416.pdf | ТО-220-3 Полный пакет, изолированная вкладка | 3 | EAR99 | неизвестный | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕТ | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Мощность полевого транзистора общего назначения | Не квалифицированный | Р-ПСФМ-Т3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 200В | 200В | 30 Вт Тс | 8,2А | 33А | 0,18 Ом | N-канал | 1850пФ при 25В | 180 мОм при 8 А, 10 В | 4 В @ 1 мА | 8,2 А Тс | 40 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||
| БУК954Р4-80Э,127 | NXP США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчМОС™ | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/nxpusainc-buk954r480e127-datasheets-6417.pdf | ТО-220-3 | 3 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | не_совместимо | е3 | Олово (Вс) | АЭК-Q101; МЭК-60134 | НЕТ | ОДИНОКИЙ | 3 | 1 | Мощность полевого транзистора общего назначения | Р-ПСФМ-Т3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 80В | 80В | 349 Вт Тс | ТО-220АБ | 120А | 715А | 0,0044Ом | 488 мДж | N-канал | 17130пФ при 25В | 4,2 мОм при 25 А, 10 В | 2,1 В при 1 мА | 120А Ц | 123 НК при 5 В | 5В 10В | ±10 В | |||||||||
| БУК951Р9-40Э,127 | NXP США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчМОС™ | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/nxpusainc-buk951r940e127-datasheets-6418.pdf | ТО-220-3 | 3 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | не_совместимо | е3 | Олово (Вс) | АЭК-Q101; МЭК-60134 | НЕТ | ОДИНОКИЙ | 3 | 1 | Мощность полевого транзистора общего назначения | Р-ПСФМ-Т3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 40В | 40В | 349 Вт Тс | ТО-220АБ | 120А | 1257А | 0,00184Ом | 1008 мДж | N-канал | 16400пФ при 25В | 1,7 мОм при 25 А, 10 В | 2,1 В при 1 мА | 120А Ц | 120 НК при 5 В | 5В 10В | ±10 В | |||||||||
| БУК7628-100А/С,118 | NXP США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчМОС™ | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Не соответствует требованиям RoHS | 2000 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/nexperiausainc-buk7628100a118-datasheets-5264.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | 100 В | 166 Вт Тс | N-канал | 3100пФ при 25 В | 28 мОм при 25 А, 10 В | 4 В @ 1 мА | 47А ТЦ | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| БУК75150-55А,127 | NXP США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчМОС™ | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 1997 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/nxpusainc-buk7615055a118-datasheets-6274.pdf | ТО-220-3 | 3 | EAR99 | 8541.29.00.75 | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕТ | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Мощность полевого транзистора общего назначения | Не квалифицированный | Р-ПСФМ-Т3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 55В | 55В | 36 Вт Тк | ТО-220АБ | 11А | 44А | 0,15 Ом | 16 мДж | N-канал | 322пФ при 25 В | 150 мОм при 5 А, 10 В | 4 В @ 1 мА | 11А Тк | 5,5 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||
| БУК7524-55А,127 | NXP США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчМОС™ | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 1997 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/nxpusainc-buk762455a118-datasheets-6287.pdf | ТО-220-3 | 3 | EAR99 | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕТ | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Мощность полевого транзистора общего назначения | Не квалифицированный | Р-ПСФМ-Т3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 55В | 55В | 106 Вт Тс | ТО-220АБ | 47А | 188А | 0,024 Ом | 76 мДж | N-канал | 1310пФ при 25 В | 24 мОм при 25 А, 10 В | 4 В @ 1 мА | 47А ТЦ | 10 В | ±20 В | |||||||||
| PHX9NQ20T,127 | NXP США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчМОС™ | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/nxpusainc-phx9nq20t127-datasheets-6403.pdf | ТО-220-3 Полный пакет, изолированная вкладка | 3 | EAR99 | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕТ | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Мощность полевого транзистора общего назначения | Не квалифицированный | Р-ПСФМ-Т3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 200В | 200В | 25 Вт Тс | 5,2А | 21А | 0,4 Ом | 93 мДж | N-канал | 959пФ при 25 В | 400 мОм при 4,5 А, 10 В | 4 В @ 1 мА | 5,2 А Тс | 24 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||
| БУК9Е3Р7-60Е,127 | NXP США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчМОС™ | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2012 год | ТО-262-3 Длинные выводы, И2Пак, ТО-262АА | 3 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | не_совместимо | е3 | Олово (Вс) | АЭК-Q101; МЭК-60134 | НЕТ | ОДИНОКИЙ | 3 | 1 | Мощность полевого транзистора общего назначения | Р-ПСИП-Т3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 60В | 60В | 293 Вт Тс | 120А | 758А | 0,0037Ом | 404 мДж | N-канал | 13490пФ при 25В | 3,4 мОм при 25 А, 10 В | 2,1 В при 1 мА | 120А Ц | 95 НК при 5 В | 5В 10В | ±10 В | |||||||||||
| БУК753Р4-30Б,127 | NXP США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчМОС™ | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/nxpusainc-buk753r430b127-datasheets-6407.pdf | ТО-220-3 | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕТ | 3 | Мощность полевого транзистора общего назначения | 2013-06-14 00:00:00 | Одинокий | 30 В | 255 Вт Тс | 75А | N-канал | 4951пФ при 25 В | 3,4 мОм при 25 А, 10 В | 4 В @ 1 мА | 75А Ц | 75 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||
| PH1825AL,115 | NXP США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчМОС™ | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/nxpusainc-ph1825al115-datasheets-6408.pdf | СК-100, СОТ-669 | 4 | 25 В | 104 Вт Тс | N-канал | 4300пФ при 12 В | 1,8 мОм при 25 А, 10 В | 2,15 В @ 1 мА | 100А Ц | 31 НК при 4,5 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||
| БУК753Р5-60Э,127 | NXP США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчМОС™ | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2012 год | ТО-220-3 | не_совместимо | е3 | Олово (Вс) | НЕТ | 3 | Мощность полевого транзистора общего назначения | Одинокий | 60В | 293 Вт Тс | 120А | N-канал | 8920пФ при 25 В | 3,5 мОм при 25 А, 10 В | 4 В @ 1 мА | 120А Ц | 114 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||
| ПСМН016-100XS,127 | NXP США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2012 год | ТО-220-3 Полный пакет, изолированная вкладка | не_совместимо | 3 | 2013-06-14 00:00:00 | 100 В | 46,1 Вт Тс | N-канал | 2404пФ при 50В | 16 мОм при 10 А, 10 В | 4 В @ 1 мА | 32,1А Тс | 46,2 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||
| PHP45NQ10TA,127 | NXP США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчМОС™ | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | ТО-220-3 | 100 В | N-канал | 2600пФ при 25В | 25 мОм при 25 А, 10 В | 4 В @ 1 мА | 47А ТЦ | 61 НК при 10 В |
