Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактОдиночные МОП-транзисторы(33658)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Технология | Режим работы | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Количество окончаний | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Достичь соответствия кода | Код HTS | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Справочный стандарт | Поверхностный монтаж | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Количество контактов | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Код JESD-30 | Дата проведения проверки исходного URL | Поставщик пакета оборудования | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Рассеиваемая мощность-Макс (Абс) | Напряжение стока к источнику (Vdss) | DS Напряжение проба-мин. | Рассеиваемая мощность-Макс. | Код JEDEC-95 | Максимальный ток стока (Abs) (ID) | Максимальный импульсный ток стока (IDM) | Источник стока при максимальном сопротивлении | Обратная связь Cap-Max (Crss) | Рейтинг лавинной энергии (Eas) | Тип полярного транзистора | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | Выключить Тайм-Макс (toff) | Время включения-Макс (тонна) | Rds включено (макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс) @ Id | Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | Заряд ворот (Qg) (Макс.) @ Vgs | Напряжение привода (макс. значение включено, минимальное значение включено) | ВГС (Макс) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| ПСМН7Р0-100ХС,127 | NXP США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/nxpusainc-psmn7r0100xs127-datasheets-6513.pdf | ТО-220-3 Полный пакет, изолированная вкладка | не_совместимо | 3 | 2013-06-14 00:00:00 | 100В | 57,7 Вт Тс | N-канал | 6686пФ при 50 В | 6,8 мОм при 15 А, 10 В | 4 В при 1 мА | 55А Ц | 121 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| HUF75329P3 | Рочестер Электроникс, ООО | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | УльтраФЕТ™ | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Не соответствует требованиям RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/rochesterelectronicsllc-huf75345p3-datasheets-4284.pdf | ТО-220-3 | 3 | нет | неизвестный | е0 | Оловянный свинец | НЕТ | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | КОММЕРЧЕСКИЙ | Р-ПСФМ-Т3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 55В | 55В | 128 Вт Тс | ТО-220АБ | 42А | 0,025 Ом | N-канал | 1,06 пФ при 25 В | 24 мОм при 49 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 49А ТЦ | 75 НК при 20 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||
| IRFR7540PBF | Рочестер Электроникс, ООО | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/rochesterelectronicsllc-irfw540atm-datasheets-6576.pdf | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПСМН7Р6-60XSQ | NXP США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | ТО-220-3 Полный пакет, изолированная вкладка | 60В | 46 Вт Тс | N-канал | 2651пФ при 30 В | 7,8 мОм при 25 А, 10 В | 4,6 В при 1 мА | 51,5 А Тс | 38,7 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПСМН8Р5-100XSQ | NXP США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/nxpusainc-psmn8r5100xsq-datasheets-6463.pdf | ТО-220-3 Полный пакет, изолированная вкладка | 3 | 100В | 55 Вт Тс | N-канал | 5512пФ при 50 В | 8,5 мОм при 10 А, 10 В | 4 В при 1 мА | Тиджей, 49А | 100 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БУК9Е1Р9-40Е,127 | NXP США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2013 год | ТО-262-3 Длинные выводы, И2Пак, ТО-262АА | 3 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | не_совместимо | е3 | Олово (Вс) | АЭК-Q101; МЭК-60134 | НЕТ | ОДИНОКИЙ | 3 | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Р-ПСИП-Т3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 349 Вт | 40В | 40В | 120А | 1228А | 0,00193Ом | 1008 мДж | N-канал | ||||||||||||||||||||||||||
| БУК653Р5-55С,127 | NXP США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчМОС™ | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Не соответствует требованиям RoHS | 2010 год | ТО-220-3 | 3 | 2013-06-14 00:00:00 | 55В | 263 Вт Тс | N-канал | 11516пФ при 25 В | 3,9 мОм при 25 А, 10 В | 2,8 В @ 1 мА | 120А Ц | 191 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±16 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PHB23NQ10LT,118 | NXP США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчМОС™ | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/nxpusainc-phb23nq10lt118-datasheets-6469.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | 100В | 98 Вт Тс | N-канал | 1704пФ при 25В | 72 мОм при 10 А, 10 В | 2 В при 1 мА | 23А Тк | 49 НК при 10 В | 5В 10В | ±15 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БУК9Y9R9-80Е,115 | NXP США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | СК-100, СОТ-669 | 80В | N-канал | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БУК7Y25-80E/CX | NXP США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчМОС™ | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | СК-100, СОТ-669 | 80В | 95 Вт Тс | N-канал | 1800пФ при 25В | 25 мОм при 10 А, 10 В | 4 В при 1 мА | 39А Тц | 25,9 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PMN35EN,115 | NXP США Инк. | 0,82 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/nexperiausainc-pmn35en125-datasheets-8842.pdf | СК-74, СОТ-457 | 6 | 2013-06-14 00:00:00 | 30В | 500мВт Та | N-канал | 334пФ при 15В | 31 мОм при 5,1 А, 10 В | 2,5 В при 250 мкА | 5.1А Та | 9,3 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PHT11N06LT,135 | NXP США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчМОС™ | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 1998 год | ТО-261-4, ТО-261АА | 4 | EAR99 | 8541.29.00.95 | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 4 | НЕ УКАЗАН | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Не квалифицирован | Р-ПДСО-Г4 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 55В | 55В | 1,8 Вт Ta 8,3 Вт Tc | 4,9А | 19А | 0,04 Ом | 150 пФ | 60 мДж | N-канал | 1400пФ при 25В | 210 нс | 125 нс | 40 мОм при 5 А, 5 В | 2 В при 1 мА | 4,9А Та | 17 НК при 5 В | 5В | ±13 В | ||||||||||||
| РН1875Л, 115 | NXP США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/nxpusainc-ph1875l115-datasheets-6453.pdf | СК-100, СОТ-669 | 4 | EAR99 | 8541.29.00.95 | е3 | ИНН | ДА | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 4 | НЕ УКАЗАН | 1 | Не квалифицирован | Р-ПССО-Г4 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 75В | 75В | 62,5 Вт Тс | 45,8А | 183А | 0,0165Ом | 165 мДж | N-канал | 2600пФ при 25В | 16,5 мОм при 20 А, 10 В | 2 В при 1 мА | 45,8 А Тс | 33,4 НК при 5 В | 4,5 В 10 В | ±15 В | |||||||||||||||||
| IRF7478PBF | Рочестер Электроникс, ООО | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ШЕСТИГРАННЫЙ ПЕТР® | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/rochesterelectronicsllc-irf8910pbf-datasheets-2215.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8-СО | 60В | 2,5 Вт Та | N-канал | 1,74 пФ при 25 В | 26 мОм при 4,2 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 7А Та | 31 НК при 4,5 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БУК9Е2Р8-60Э,127 | NXP США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчМОС™ | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/nxpusainc-buk9e2r860e127-datasheets-6454.pdf | ТО-262-3 Длинные выводы, И2Пак, ТО-262АА | 3 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | не_совместимо | е3 | Олово (Вс) | АЭК-Q101; МЭК-60134 | НЕТ | ОДИНОКИЙ | 3 | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Р-ПСИП-Т3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 60В | 60В | 349 Вт Тс | 120А | 952А | 0,0028Ом | 655 мДж | N-канал | 17450пФ при 25В | 2,6 мОм при 25 А, 10 В | 2,1 В при 1 мА | 120А Ц | 120 НК при 5 В | 5В 10В | ±10 В | |||||||||||||||||
| НДФ02Н60ЗГ | Рочестер Электроникс, ООО | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/rochesterelectronicsllc-nds8858h-datasheets-2305.pdf | ТО-220-3 Полный пакет | ТО-220ФП | 600В | 24 Вт Тс | N-канал | 274пФ при 25В | 4,8 Ом при 1 А, 10 В | 4,5 В при 50 мкА | 2,4 А Тс | 10,1 нк при 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БУК7Е1Р6-30Э,127 | NXP США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчМОС™ | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/nxpusainc-buk7e1r630e127-datasheets-6455.pdf | ТО-262-3 Длинные выводы, И2Пак, ТО-262АА | 3 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | не_совместимо | е3 | Олово (Вс) | АЭК-Q101; МЭК-60134 | НЕТ | ОДИНОКИЙ | 3 | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Р-ПСИП-Т3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30В | 30В | 349 Вт Тс | 120А | 1408А | 0,0016Ом | 1405 мДж | N-канал | 11960пФ при 25В | 1,6 мОм при 25 А, 10 В | 4 В при 1 мА | 120А Ц | 154 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||
| БУК9237-55А/С1,118 | NXP США Инк. | 1,48 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчМОС™ | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Не соответствует требованиям RoHS | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/nexperiausainc-buk923755a118-datasheets-4757.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 55В | 77 Вт Тс | N-канал | 1236пФ при 25 В | 33 мОм при 15 А, 10 В | 2 В при 1 мА | 32А Тк | 17,6 НК при 5 В | 4,5 В 10 В | ±15 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PHD108NQ03LT,118 | НХП Полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчМОС™ | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | /files/nxpusainc-phb108nq03lt118-datasheets-6292.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 2 | EAR99 | СОВМЕСТИМЫЙ ЛОГИЧЕСКИЙ УРОВЕНЬ | неизвестный | е3 | ИНН | ДА | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Не квалифицирован | Р-ПССО-Г2 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 25В | 25В | 187 Вт Тс | ТО-252АА | 75А | 240А | 0,0075Ом | 180 мДж | N-канал | 1375пФ при 12В | 6 мОм при 25 А, 10 В | 2 В при 1 мА | 75А Ц | 16,3 НК при 4,5 В | 5В 10В | ±20 В | ||||||||||||
| БУК952Р3-40Э,127 | NXP США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчМОС™ | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/nxpusainc-buk952r340e127-datasheets-6459.pdf | ТО-220-3 | 3 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | не_совместимо | е3 | Олово (Вс) | АЭК-Q101; МЭК-60134 | НЕТ | ОДИНОКИЙ | 3 | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Р-ПСФМ-Т3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 40В | 40В | 293 Вт Тс | ТО-220АБ | 120А | 988А | 0,0025Ом | 622 мДж | N-канал | 13160пФ при 25 В | 2,2 мОм при 25 А, 10 В | 2,1 В при 1 мА | 120А Ц | 87,8 НК при 5 В | 5В 10В | ±10 В | ||||||||||||||||
| PHB96NQ03LT,118 | NXP США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчМОС™ | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2001 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/nxpusainc-phb96nq03lt118-datasheets-6461.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | Д2ПАК | 25В | 115 Вт Тс | N-канал | 2200пФ при 25В | 4,95 мОм при 25 А, 10 В | 2 В при 1 мА | 75А Ц | 26,7 НК при 5 В | 5В 10В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PH3430AL,115 | NXP США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчМОС™ | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2010 год | СК-100, СОТ-669 | 30В | N-канал | 2458пФ при 12 В | 3,5 мОм при 15 А, 10 В | 2,15 В при 1 мА | 100А Ц | 41 НК при 10 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PHU97NQ03LT,127 | NXP США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2010 год | ТО-251-3 Короткие выводы, ИПак, ТО-251АА | 3 | EAR99 | СОВМЕСТИМЫЙ ЛОГИЧЕСКИЙ УРОВЕНЬ | е3 | ИНН | НЕТ | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Не квалифицирован | Р-ПСИП-Т3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 25В | 25В | 107 Вт Тс | 75А | 300А | 0,0109Ом | 60 мДж | N-канал | 1570пФ при 12В | 6,6 мОм при 25 А, 10 В | 2,15 В при 1 мА | 75А Ц | 11,7 НК при 4,5 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||
| КПМФ-1200-С160Б | Кри/Вулфспид | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Z-FET™ | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | SiCFET (карбид кремния) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/creewolfspeed-cpmf1200s160b-datasheets-6443.pdf | Править | 1200В | 202 Вт Тиджей | N-канал | 928пФ при 800В | 220 мОм при 10 А, 20 В | 4 В при 1 мА | 28А Тдж | 47,1 НК при 20 В | 20 В | +25В, -5В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БУК953Р2-40Э,127 | NXP США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчМОС™ | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/nxpusainc-buk953r240e127-datasheets-6445.pdf | ТО-220-3 | 3 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | не_совместимо | е3 | Олово (Вс) | АЭК-Q101; МЭК-60134 | НЕТ | ОДИНОКИЙ | 3 | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Р-ПСФМ-Т3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 40В | 40В | 234 Вт Тс | ТО-220АБ | 100А | 781А | 0,0032Ом | 419 мДж | N-канал | 9150пФ при 25 В | 2,8 мОм при 25 А, 10 В | 2,1 В при 1 мА | 100А Ц | 69,5 НК при 5 В | 5В 10В | ±10 В | ||||||||||||||||
| БУК7C1R2-40EJ | NXP США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2013 год | ТО-263-7, Д2Пак (6 отведений + вкладка), ТО-263СВ | 40В | N-канал | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БУК7210-55Б/С1,118 | NXP США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчМОС™ | Поверхностный монтаж | -55°С~185°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Не соответствует требованиям RoHS | 2012 год | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 55В | 167 Вт Тс | N-канал | 2453пФ при 25 В | 10 мОм при 25 А, 10 В | 4 В при 1 мА | 75А Ц | 35 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПМТ200РУ,115 | NXP США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2012 год | ТО-261-4, ТО-261АА | е3 | Олово (Вс) | ДА | 4 | Полевой транзистор общего назначения | Одинокий | 100В | 800 мВт Ta 8,3 Вт Tc | 1,8 А | N-канал | 475пФ при 80В | 235 мОм при 1,5 А, 10 В | 2,5 В при 250 мкА | 1,8 А Та | 10 нк @ 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПСМН5Р6-100ХС,127 | НХП Полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2012 год | ТО-220-3 Полный пакет, изолированная вкладка | не_совместимо | 3 | 2013-06-14 00:00:00 | 100В | 60 Вт Тс | N-канал | 8061пФ при 50 В | 5,6 мОм при 15 А, 10 В | 4 В при 1 мА | 61,8А Тс | 145 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БУК654Р6-55С,127 | NXP США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчМОС™ | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Не соответствует требованиям RoHS | 2010 год | ТО-220-3 | 3 | 2013-06-14 00:00:00 | 55В | 204 Вт Тк | N-канал | 7750пФ при 25В | 5,4 мОм при 25 А, 10 В | 2,8 В @ 1 мА | 100А Ц | 124 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±16 В |
