Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактОдиночные МОП-транзисторы(33658)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Технология | Режим работы | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Количество окончаний | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Достичь соответствия кода | Код HTS | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Справочный стандарт | Поверхностный монтаж | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Количество контактов | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Код JESD-30 | Дата проведения проверки исходного URL | Поставщик пакета оборудования | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Рассеиваемая мощность-Макс (Абс) | Напряжение стока к источнику (Vdss) | DS Напряжение проба-мин. | Рассеиваемая мощность-Макс. | Код JEDEC-95 | Максимальный сток (Abs) (ID) | Максимальный импульсный ток стока (IDM) | Источник стока при максимальном сопротивлении | Обратная связь Cap-Max (Crss) | Рейтинг лавинной энергии (Eas) | Тип полярного транзистора | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | Rds включено (макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс) @ Id | Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Напряжение привода (макс. значение включено, минимальное значение включено) | ВГС (Макс) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| PHB110NQ08LT,118 | NXP США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчМОС™ | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 1997 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/nxpusainc-php110nq08lt127-datasheets-6363.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | Д2ПАК | 75В | 230 Вт Тс | N-канал | 6631пФ при 25 В | 8,5 мОм при 25 А, 10 В | 2 В при 1 мА | 75А Ц | 127,3 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БУК9Е2Р3-40Е,127 | NXP США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчМОС™ | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/nxpusainc-buk9e2r340e127-datasheets-6396.pdf | ТО-262-3 Длинные выводы, И2Пак, ТО-262АА | 3 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | не_совместимо | е3 | Олово (Вс) | АЭК-Q101; МЭК-60134 | НЕТ | ОДИНОКИЙ | 3 | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Р-ПСИП-Т3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 40В | 40В | 293 Вт Тс | 120А | 988А | 0,0025Ом | 622 мДж | N-канал | 13160пФ при 25 В | 2,2 мОм при 25 А, 10 В | 2,1 В @ 1 мА | 120А Ц | 87,8 НК при 5 В | 5В 10В | ±10 В | |||||||||||||||
| БУК956Р1-100Э,127 | NXP США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчМОС™ | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/nxpusainc-buk956r1100e127-datasheets-6397.pdf | ТО-220-3 | не_совместимо | е3 | Олово (Вс) | НЕТ | 3 | Полевой транзистор общего назначения | Одинокий | 100В | 349 Вт Тс | 120А | N-канал | 17460пФ при 25В | 5,9 мОм при 25 А, 10 В | 2,1 В @ 1 мА | 120А Ц | 133 НК при 5 В | 5В 10В | ±10 В | ||||||||||||||||||||||||||||
| БУК7514-60Э,127 | NXP США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчМОС™ | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/nxpusainc-buk751460e127-datasheets-6401.pdf | ТО-220-3 | не_совместимо | е3 | Олово (Вс) | НЕТ | 3 | Полевой транзистор общего назначения | Одинокий | 60В | 96 Вт Тс | 58А | N-канал | 1730пФ при 25В | 13 мОм при 15 А, 10 В | 4 В при 1 мА | 58А Ц | 22,9 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||
| БУК751Р6-30Э,127 | NXP США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчМОС™ | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2012 год | ТО-220-3 | 3 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | не_совместимо | е3 | Олово (Вс) | АЭК-Q101; МЭК-60134 | НЕТ | ОДИНОКИЙ | 3 | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Р-ПСФМ-Т3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30 В | 30 В | 349 Вт Тс | ТО-220АБ | 120А | 1408А | 0,0016Ом | 1405 мДж | N-канал | 11960пФ при 25В | 1,6 мОм при 25 А, 10 В | 4 В при 1 мА | 120А Ц | 154 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||
| PHP45N03LTA,127 | NXP США Инк. | 0,28 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчМОС™ | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/nxpusainc-php45n03lta127-datasheets-6376.pdf | ТО-220-3 | 3 | да | EAR99 | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕТ | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Не квалифицированный | Р-ПСФМ-Т3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 25 В | 25 В | 65 Вт Тс | ТО-220АБ | 40А | 160А | 0,024 Ом | 40 мДж | N-канал | 700пФ при 25В | 21 мОм при 25 А, 10 В | 2 В при 1 мА | 40А Ц | 19 НК при 5 В | 3,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||
| PHB119NQ06T,118 | NXP США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчМОС™ | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 1997 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/nxpusainc-phb119nq06t118-datasheets-6377.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | 2 | EAR99 | неизвестный | е3 | Олово (Вс) | ДА | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Не квалифицированный | Р-ПССО-Г2 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 55В | 55В | 200 Вт Тс | 75А | 240А | 0,0071Ом | 280 мДж | N-канал | 2820пФ при 25В | 7,1 мОм при 25 А, 10 В | 4 В при 1 мА | 75А Ц | 53 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||
| PH4530AL,115 | NXP США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Не соответствует требованиям RoHS | СК-100, СОТ-669 | 30 В | N-канал | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БУК6507-55С,127 | NXP США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчМОС™ | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Не соответствует требованиям RoHS | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/nxpusainc-buk650755c127-datasheets-6380.pdf | ТО-220-3 | 3 | 2013-06-14 00:00:00 | 55В | 158 Вт Тс | N-канал | 5160пФ при 25В | 7 мОм при 25 А, 10 В | 2,8 В @ 1 мА | 100А Ц | 82 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±16 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БУК753Р5-60Э,127 | NXP США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчМОС™ | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2012 год | ТО-220-3 | не_совместимо | е3 | Олово (Вс) | НЕТ | 3 | Полевой транзистор общего назначения | Одинокий | 60В | 293 Вт Тс | 120А | N-канал | 8920пФ при 25 В | 3,5 мОм при 25 А, 10 В | 4 В при 1 мА | 120А Ц | 114 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||
| ПСМН016-100XS,127 | NXP США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2012 год | ТО-220-3 Полный пакет, изолированная вкладка | не_совместимо | 3 | 2013-06-14 00:00:00 | 100В | 46,1 Вт Тс | N-канал | 2404пФ при 50В | 16 мОм при 10 А, 10 В | 4 В при 1 мА | 32,1А Тс | 46,2 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PHP45NQ10TA,127 | NXP США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчМОС™ | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | ТО-220-3 | 100В | N-канал | 2600пФ при 25В | 25 мОм при 25 А, 10 В | 4 В при 1 мА | 47А Тц | 61 НК при 10 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БУК7226-75А/С1,118 | NXP США Инк. | 1,49 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчМОС™ | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/nexperiausainc-buk722675a118-datasheets-2064.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | ДПАК | 75В | 158 Вт Тс | N-канал | 2385пФ при 25 В | 26 мОм при 25 А, 10 В | 4 В при 1 мА | 45А Ц | 48 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПСМН013-100XS,127 | NXP США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/nxpusainc-psmn013100xs127-datasheets-6365.pdf | ТО-220-3 Полный пакет, изолированная вкладка | не_совместимо | НЕТ | 3 | Полевой транзистор общего назначения | 2013-06-14 00:00:00 | Одинокий | 100В | 48,4 Вт Тс | 35,2А | N-канал | 3195пФ при 50В | 13,9 мОм при 10 А, 10 В | 4 В при 1 мА | 35,2 А Тс | 57,5 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||
| БУК7Y25-40Б/С,115 | NXP США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчМОС™ | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/nexperiausainc-buk7y2540b115-datasheets-4647.pdf | СК-100, СОТ-669 | 40В | 59,4 Вт Тс | N-канал | 693пФ при 25 В | 25 мОм при 20 А, 10 В | 4 В при 1 мА | 35,3 А Тс | 12,1 нк при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БУК7628-55А,118 | NXP США Инк. | 2,85 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, TrenchMOS™ | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/nexperiausainc-buk752855a127-datasheets-5742.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | 2 | EAR99 | е3 | ИНН | ДА | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Не квалифицированный | Р-ПССО-Г2 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 55В | 55В | 99 Вт Тс | 42А | 168А | 0,028 Ом | 58 мДж | N-канал | 1165пФ при 25В | 28 мОм при 25 А, 10 В | 4 В при 1 мА | 42А Тк | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||
| 2Н7002Т,215 | NXP США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/nxpusainc-2n7002t215-datasheets-6370.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 3 | EAR99 | СОВМЕСТИМЫЙ ЛОГИЧЕСКИЙ УРОВЕНЬ | неизвестный | е3 | Олово (Вс) | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Не квалифицированный | Р-ПДСО-Г3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 60В | 60В | 830мВт Та | ТО-236АБ | 0,3 А | 5Ом | 10 пФ | N-канал | 40пФ при 10В | 5 Ом при 500 мА, 10 В | 2,5 В при 1 мА | 300 мА Та | 5В 10В | ±20 В | |||||||||||||||
| БУК9213-30А,118 | NXP США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчМОС™ | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/nxpusainc-buk921330a118-datasheets-6371.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | не_совместимо | 3 | 30 В | 150 Вт Тс | N-канал | 2852пФ при 25 В | 11 мОм при 25 А, 10 В | 2 В при 1 мА | 55А Ц | 37 НК при 5 В | 4,5 В 10 В | ±15 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СИ4800,518 | NXP США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчМОС™ | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2001 г. | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 | EAR99 | е4 | НИКЕЛЬ ПАЛЛАДИЙ ЗОЛОТО | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 8 | 1 | Не квалифицированный | Р-ПДСО-G8 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30 В | 30 В | 2,5 Вт Та | МС-012АА | 9А | 40А | 0,0185Ом | N-канал | 18,5 мОм при 9 А, 10 В | 800 мВ при 250 мкА | 9А Та | 11,8 НК при 5 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||
| PH2030AL,115 | NXP США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2009 год | СК-100, СОТ-669 | 30 В | N-канал | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БУК7Y08-40Б/С,115 | NXP США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчМОС™ | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/nexperiausainc-buk7y0840b115-datasheets-3251.pdf | СК-100, СОТ-669 | 40В | 105 Вт Тс | N-канал | 2040пФ при 25В | 8 м Ом при 25 А, 10 В | 4 В при 1 мА | 75А Ц | 36,3 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПСМН004-60П,127 | NXP США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчМОС™ | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2001 г. | ТО-220-3 | 3 | EAR99 | СОВМЕСТИМЫЙ ЛОГИЧЕСКИЙ УРОВЕНЬ | е3 | ИНН | НЕТ | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Не квалифицированный | Р-ПСФМ-Т3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 230 Вт | 60В | 60В | ТО-220АБ | 75А | 400А | 0,0036Ом | 500 мДж | N-канал | 8300пФ при 25 В | 3,6 мОм при 25 А, 10 В | 4 В при 1 мА | 75А Ц | 168 НК при 10 В | |||||||||||||||
| PHP55N03LTA,127 | NXP США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчМОС™ | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 1997 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/nxpusainc-phb55n03lta118-datasheets-6300.pdf | ТО-220-3 | 3 | EAR99 | неизвестный | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕТ | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Не квалифицированный | Р-ПСФМ-Т3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 25 В | 25 В | 85 Вт Тс | ТО-220АБ | 55А | 220А | 0,018 Ом | 60 мДж | N-канал | 950пФ при 25В | 14 мОм при 25 А, 10 В | 2 В при 1 мА | 55А Ц | 20 НК при 5 В | 5В 10В | ±20 В | ||||||||||||
| БУК653Р7-30С,127 | NXP США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчМОС™ | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Не соответствует требованиям RoHS | 2010 год | ТО-220-3 | 3 | 2013-06-14 00:00:00 | 30 В | 158 Вт Тс | N-канал | 4707пФ при 25 В | 3,9 мОм при 25 А, 10 В | 2,8 В @ 1 мА | 100А Ц | 78 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±16 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПМН50XP,165 | НХП Полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчМОС™ | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2007 год | /files/nxpusainc-pmn50xp165-datasheets-6359.pdf | СК-74, СОТ-457 | 6 | EAR99 | 8541.29.00.75 | е3 | Олово (Вс) | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 6 | НЕ УКАЗАН | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицированный | Р-ПДСО-Г6 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 20 В | 20 В | 2,2 Вт Тс | 4,8А | 19,4А | 0,06 Ом | P-канал | 1020пФ при 20В | 60 мОм при 2,8 А, 4,5 В | 950 мВ при 250 мкА | 4,8 А Тс | 10 НК при 4,5 В | 2,5 В 4,5 В | ±12 В | ||||||||||||||
| ПСМН003-30Б,118 | NXP США Инк. | 1,91 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчМОС™ | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2001 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/nexperiausainc-psmn00330p127-datasheets-5837.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | 2 | EAR99 | СОВМЕСТИМЫЙ ЛОГИЧЕСКИЙ УРОВЕНЬ | неизвестный | е3 | ИНН | ДА | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Не квалифицированный | Р-ПССО-Г2 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30 В | 30 В | 230 Вт Тс | 75А | 400А | 0,004 Ом | 500 мДж | N-канал | 9200пФ при 25В | 2,8 мОм при 25 А, 10 В | 3 В при 1 мА | 75А Ц | 170 НК при 10 В | 5В 10В | ±20 В | |||||||||||
| БУК7524-55,127 | NXP США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчМОС™ | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 1999 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/nxpusainc-buk752455127-datasheets-6362.pdf | ТО-220-3 | 3 | ЗАЩИТА ОТ ЭСР | неизвестный | НЕТ | ОДИНОКИЙ | 3 | 1 | Не квалифицированный | Р-ПСФМ-Т3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 55В | 55В | 103 Вт Тк | ТО-220АБ | 45А | 180А | 0,024 Ом | 80 мДж | N-канал | 1500пФ при 25В | 24 мОм при 25 А, 10 В | 4 В при 1 мА | 45А Ц | 10 В | ±16 В | ||||||||||||||||||
| PHP110NQ08LT,127 | NXP США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчМОС™ | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 1997 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/nxpusainc-php110nq08lt127-datasheets-6363.pdf | ТО-220-3 | 3 | EAR99 | СОВМЕСТИМЫЙ ЛОГИЧЕСКИЙ УРОВЕНЬ, ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | е3 | ИНН | НЕТ | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Не квалифицированный | Р-ПСФМ-Т3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 75В | 75В | 230 Вт Тс | ТО-220АБ | 75А | 240А | 0,00995Ом | 560 мДж | N-канал | 6631пФ при 25 В | 8,5 мОм при 25 А, 10 В | 2 В при 1 мА | 75А Ц | 127,3 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||
| PHD77NQ03T,118 | NXP США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/nxpusainc-phd77nq03t118-datasheets-6364.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 2 | EAR99 | БЫСТРОЕ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | е3 | ИНН | ДА | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Не квалифицированный | Р-ПССО-Г2 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | 25 В | 25 В | 107 Вт Тс | 75А | 240А | 0,0171Ом | 100 мДж | N-канал | 860пФ при 12 В | 9,5 мОм при 25 А, 10 В | 3,2 В при 1 мА | 75А Ц | 17,1 нк при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||
| БУК754Р3-40Б,127 | NXP США Инк. | 4,90 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчМОС™ | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2002 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/nxpusainc-buk754r340b127-datasheets-6345.pdf | ТО-220-3 | 3 | EAR99 | 8541.29.00.75 | е3 | Олово (Вс) | НЕТ | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Не квалифицированный | Р-ПСФМ-Т3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 40В | 40В | 254 Вт Тс | ТО-220АБ | 75А | 706А | 0,0043Ом | 961 мДж | N-канал | 4824пФ при 25 В | 4,3 мОм при 25 А, 10 В | 4 В при 1 мА | 75А Ц | 69 НК при 10 В | 10 В | ±20 В |
