Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактОднофазный диодный выпрямитель(36732)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Текущий рейтинг | Пакет/ключи | Эмкость | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Код HTS | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Полярность | Поверхностный монтаж | Терминальная позиция | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Базовый номер детали | Количество контактов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Максимальный переход температуры (Tj) | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Выходной ток | Прямой ток | Прямое напряжение | Максимальный импульсный ток | Максимальный обратный ток утечки | Соединение корпуса | Приложение | Скорость | Материал диодного элемента | Рассеиваемая мощность-Макс. | Максимальный прямой импульсный ток (Ifsm) | Пиковый обратный ток | Максимальное повторяющееся обратное напряжение (Vrrm) | Пиковый неповторяющийся импульсный ток | Обратное напряжение | Обратный ток-Макс. | Код JEDEC-95 | Обратное время восстановления | Время восстановления | Тип диода | Макс. обратное напряжение (постоянный ток) | Средний выпрямленный ток | Неповторяющийся Pk Прямой ток-макс. | Количество фаз | Выходной ток-Макс. | Обратное напряжение (постоянный ток) | Эмкость @ Вр, Ф | Напряжение — обратное постоянное напряжение (Вр) (Макс.) | Ток – обратная утечка @ Vr | Напряжение – вперед (Vf) (Макс) @ If | Ток – средний выпрямленный (Io) | Рабочая температура - соединение |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| ВС-35АПФ06ЛХМ3 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-vs35apf06lhm3-datasheets-1178.pdf | ТО-3П-3, СК-65-3 (Сформированные выводы) | 12 недель | ТО-247АД | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 160 нс | Стандартный | 600В | 100 мкА при 600 В | 1,46 В при 35 А | 35А | -40°К~150°К | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CGP30-E3/54 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | СУПЕРЕКТИФИКАТОР® | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 175°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-cgp30e354-datasheets-0705.pdf | ДО-201АД, Осевой | 2 | 22 недели | 2 | да | EAR99 | СВОБОДНЫЙ ДИОД | Олово | неизвестный | 8541.10.00.80 | е3 | ПРОВОЛОКА | НЕПРИГОДНЫЙ | 2 | Одинокий | НЕПРИГОДНЫЙ | 1 | Выпрямительные диоды | Не квалифицирован | 1,2 В | 100А | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | КРЕМНИЙ | 5 мкА | 1,4 кВ | 100А | 1,4 кВ | 15 мкс | 15 мкс | Стандартный | 1,4 кВ | 3А | 1 | 3А | 40пФ @ 4В 1МГц | 1400В | 5 мкА при 1400 В | 1,2 В при 3 А | -65°К~175°К | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| CDBDSC8650-G | Комчип Технология | 0,75 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/comchiptechnology-cdbdsc8650g-datasheets-1181.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 12 недель | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | Нет времени восстановления > 500 мА (Io) | 0нс | Карбид кремния Шоттки | 550пФ при 0 В 1 МГц | 650В | 100 мкА при 650 В | 1,7 В при 8 А | 25,5 А постоянного тока | -55°К~175°К | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ВС-15ЭТЛ06ФП-Н3 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | 1,77 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, FRED Pt® | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | 175°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | 2017 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-vs15etl06fpn3-datasheets-1098.pdf | ТО-220-2 Полный пакет | 2 | 14 недель | 2 | EAR99 | СВОБОДНЫЙ ДИОД, НИЗКИЙ ТОК УТЕЧКИ, ПРИЗНАН УЛ | неизвестный | 8541.10.00.80 | НЕ УКАЗАН | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 1 | 1,05 В | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ГИПЕРБЫСТРОЕ МЯГКОЕ ВОССТАНОВЛЕНИЕ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 250А | 10 мкА | 29 нс | Стандартный | 600В | 15А | 1 | 50 мкА при 600 В | 2,2 В при 15 А | -65°К~175°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФФШ1065Б-Ф085 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | 1 (без блокировки) | /files/onsemiconductor-ffsh1065bf085-datasheets-1185.pdf | ТО-247-2 | 10 недель | да | совместимый | Нет времени восстановления > 500 мА (Io) | 0нс | Карбид кремния Шоттки | 421пФ @ 1В 100кГц | 650В | 40 мкА при 650 В | 11,5 А постоянного тока | -55°К~175°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АИДК08С65С5АТМА1 | Инфинеон Технологии | $3,34 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 26 недель | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЛСИК2СД065А06А | Литтелфуз | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Ген2 | Сквозное отверстие | Непригодный | Соответствует ROHS3 | /files/littelfuseinc-lsic2sd065a06a-datasheets-1190.pdf | ТО-220-2 | 23 недели | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | Нет времени восстановления > 500 мА (Io) | 0нс | Карбид кремния Шоттки | 300пФ @ 1В 1МГц | 650В | 50 мкА при 650 В | 1,8 В при 6 А | 18,5 А постоянного тока | -55°К~175°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BYV28-150-TAP | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | 175°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-byv28200tr-datasheets-5476.pdf | СОД-64, Осевой | 2 | 17 недель | 2 | да | EAR99 | МЕТАЛЛУРГИЧЕСКИ СВЯЗАННЫЙ | Серебро, Олово | Нет | 8541.10.00.80 | е2 | Олово/Серебро (Sn/Ag) | ПРОВОЛОКА | 2 | Одинокий | 1 | Выпрямительные диоды | 3,5 А | 1,1 В | 90А | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | УЛЬТРА БЫСТРОЕ ВОССТАНОВЛЕНИЕ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 100 мкА | 150 В | 90А | 150 В | 30 нс | 30 нс | лавина | 150 В | 3,5 А | 1 | 1 мкА при 150 В | 1,1 В при 5 А | -55°К~175°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| STTH30R04W | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | 175°С | -40°С | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-stth30r04w-datasheets-1127.pdf | DO-247-2 (прямые выводы) | 15,75 мм | 20,15 мм | 5,15 мм | Без свинца | 2 | 11 недель | Нет СВХК | 2 | АКТИВНО (Последнее обновление: 7 месяцев назад) | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ, НИЗКИЙ ТОК УТЕЧКИ | Нет | 8541.10.00.80 | СТТХ30 | 2 | Одинокий | 1 | Выпрямительные диоды | 30А | 1,45 В | 300А | УЛЬТРА БЫСТРОЕ ВОССТАНОВЛЕНИЕ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 300А | 15 мкА | 400В | 300А | 400В | 100 нс | 100 нс | Стандартный | 400В | 30А | 1 | 15 мкА при 400 В | 1,45 В при 30 А | -40°К~175°К | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ВС-20ETF06SLHM3 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | 2,86 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-vs20etf06slhm3-datasheets-1043.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | 12 недель | ТО-263 (Д2Пак) | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 160 нс | Стандартный | 600В | 100 мкА при 600 В | 1,67 В при 60 А | 20А | -40°К~150°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АИДК10С65С5АТМА1 | Инфинеон Технологии | 4,55 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 26 недель | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЛСИК2СД065Д10А | Литтелфуз | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, GEN2 | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/littelfuseinc-lsic2sd065d10a-datasheets-1151.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | 23 недели | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | Нет времени восстановления > 500 мА (Io) | 0нс | Карбид кремния Шоттки | 470пФ @ 1В 1МГц | 650В | 50 мкА при 650 В | 1,8 В при 10 А | 27А постоянного тока | -55°К~175°К | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СТТХ810ФП | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | 175°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-stth810di-datasheets-4389.pdf | 1кВ | 8А | ТО-220-2 Полный пакет, изолированная вкладка | Без свинца | 2 | 15 недель | Нет СВХК | 2 | EAR99 | СВОБОДНЫЙ ДИОД, НИЗКИЙ ТОК УТЕЧКИ, ДЕМПФЕРНЫЙ ДИОД, ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Нет | 8541.10.00.80 | е3 | Олово (Вс) | СТТХ810 | 3 | Одинокий | 1 | Выпрямительные диоды | 8А | 8А | 2В | 60А | ВЫСОКОЕ НАПРЯЖЕНИЕ СВЕРХБЫСТРОЕ МЯГКОЕ ВОССТАНОВЛЕНИЕ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 60А | 5 мкА | 1кВ | 60А | 100В | 85 нс | 85 нс | Стандартный | 1кВ | 8А | 1 | 1000В | 5 мкА при 1000 В | 2 В @ 8 А | 175°С Макс. | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| UCQS20A045 | Kyocera International Inc. Электронные компоненты | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | 14 недель | ТО-263ЛП | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | Шоттки | 45В | 600 мкА при 45 В | 540 мВ при 10 А | 20А | -40°К~150°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИДК08G120C5XTMA1 | Инфинеон Технологии | $4,39 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | CoolSiC™+ | Поверхностный монтаж | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | 16 недель | Нет времени восстановления > 500 мА (Io) | Карбид кремния Шоттки | 365пФ @ 1В 1МГц | 1200В | 40 мкА при 1200 В | 1,95 В @ 8 В | 22,8 А постоянного тока | -55°К~175°К | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BYV28-600-TAP | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | 175°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-byv28600tr-datasheets-6958.pdf | 3,5 А | СОД-64, Осевой | 2 | 17 недель | 2 | да | EAR99 | Нет | 8541.10.00.80 | е2 | Олово/Серебро (Sn/Ag) | ПРОВОЛОКА | 2 | Одинокий | 1 | Выпрямительные диоды | 3,5 А | 1,35 В | 90А | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | УЛЬТРА БЫСТРОЕ МЯГКОЕ ВОССТАНОВЛЕНИЕ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 5 мкА | 600В | 90А | 600В | 210 нс | 50 нс | лавина | 600В | 3,5 А | 1 | 5 мкА при 600 В | 1,35 В при 5 А | -55°К~175°К | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИСЛ9Р30120Г2 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Стелс™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2002 г. | /files/onsemiconductor-isl9r30120g2-datasheets-4623.pdf | 1,2 кВ | 30А | ТО-247-2 | 115пФ | 15,87 мм | 20,82 мм | 4,82 мм | Без свинца | 2 | 2 недели | 6,33 г | Нет СВХК | 2 | АКТИВНО (Последнее обновление: 4 дня назад) | да | EAR99 | СВОБОДНЫЙ ДИОД, ДЕМПФЕРНЫЙ ДИОД | Нет | 8541.10.00.80 | е3 | Олово (Вс) | Одинокий | 166 Вт | 1 | Выпрямительные диоды | 30А | 30А | 3,3 В | 325А | КАТОД | БЫСТРОЕ МЯГКОЕ ВОССТАНОВЛЕНИЕ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 325А | 1 мА | 1,2 кВ | 325А | 1,2 кВ | 100 нс | 100 нс | Стандартный | 1,2 кВ | 30А | 1 | 1200В | 100 мкА при 1200 В | 3,3 В при 30 А | -55°К~150°К | ||||||||||||||||||||||||||
| АПТ30Д120БГ | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | 175°С | -55°С | Соответствует RoHS | 1997 год | /files/microsemicorporation-apt30d120bg-datasheets-1174.pdf | 1,2 кВ | 30А | ТО-247-2 | 21,46 мм | 5,31 мм | 16,26 мм | Без свинца | 2 | 25 недель | 6,500007г | В ПРОИЗВОДСТВЕ (Последнее обновление: 2 недели назад) | да | Нет | 8541.10.00.80 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | 3 | Одинокий | 1 | Выпрямительные диоды | Р-ПСФМ-Т2 | 30А | 30А | 2,5 В | 210А | КАТОД | УЛЬТРА БЫСТРОЕ МЯГКОЕ ВОССТАНОВЛЕНИЕ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 250 мкА | 1,2 кВ | 210А | 370 нс | 370 нс | Стандартный | 1,2 кВ | 30А | 1 | 1,2 кВ | 1200В | 250 мкА при 1200 В | 2,5 В при 30 А | -55°К~175°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИДК10G120C5XTMA1 | Инфинеон Технологии | $5,40 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | CoolSiC™+ | Поверхностный монтаж | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | 16 недель | Нет времени восстановления > 500 мА (Io) | Карбид кремния Шоттки | 525пФ @ 1В 1МГц | 1200В | 18 мкА при 1200 В | 1,8 В при 10 А | 31,9 А постоянного тока | -55°К~175°К | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| V30100SG-E3/4W | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТМБС® | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | 150°С | -40°С | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-v30100sge34w-datasheets-0975.pdf | ТО-220-3 | Без свинца | 3 | 10 недель | да | EAR99 | СВОБОДНЫЙ ДИОД, НИЗКИЕ ПОТЕРИ МОЩНОСТИ | Нет | 8541.10.00.80 | е3 | Матовый олово (Sn) | Стандартный | ОДИНОКИЙ | 3 | Общий анод | 1 | Выпрямительные диоды | Р-ПСФМ-Т3 | 30А | 30А | 970 мВ | 250А | 350 мкА | КАТОД | ЭФФЕКТИВНОСТЬ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 350 мкА | 100В | 250А | ТО-220АБ | Шоттки | 100В | 30А | 1 | 350 мкА при 100 В | 1 В при 30 А | -40°К~150°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FFSB0665B | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/onsemiconductor-ffsb0665b-datasheets-1088.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | 10 недель | да | Нет времени восстановления > 500 мА (Io) | Карбид кремния Шоттки | 259пФ @ 1В 100кГц | 650В | 40 мкА при 650 В | 1,7 В при 6 А | 8А постоянного тока | -55°К~175°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| STTH5L06D | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | 175°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-stth5l06rl-datasheets-7391.pdf | 600В | 5А | ТО-220-2 | 10,4 мм | 9,3 мм | 4,6 мм | Без свинца | 2 | 11 недель | 2 | АКТИВНО (Последнее обновление: 7 месяцев назад) | EAR99 | СВОБОДНЫЙ ДИОД | не_совместимо | 8541.10.00.80 | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕ УКАЗАН | STTH5L06 | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 1 | Выпрямительные диоды | Не квалифицирован | 5А | 5А | 1,3 В | 90А | КАТОД | ВЫСОКОЕ НАПРЯЖЕНИЕ СВЕРХБЫСТРОЕ ВОССТАНОВЛЕНИЕ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 90А | 5 мкА | 600В | 90А | 600В | 95 нс | 95 нс | Стандартный | 600В | 5А | 1 | 5 мкА при 600 В | 1,3 В при 5 А | 175°С Макс. | |||||||||||||||||||||||||||||
| СТТХ20Р04Д | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | 175°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-stth20r04fp-datasheets-9921.pdf | ТО-220-2 | Без свинца | 2 | 11 недель | 2 | АКТИВНО (Последнее обновление: 7 месяцев назад) | EAR99 | Олово | 8541.10.00.80 | е3 | 225 | СТТХ2 | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 1 | Выпрямительные диоды | Не квалифицирован | 20А | 1,7 В | 150А | КАТОД | УЛЬТРА БЫСТРОЕ ВОССТАНОВЛЕНИЕ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 20 мкА | 400В | 150А | 400В | 45 нс | 45 нс | Стандартный | 400В | 20А | 1 | 20 мкА при 400 В | 1,7 В при 20 А | 175°С Макс. | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ВС-15ЭТХ03-М3 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | 0,81 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ФРЕД Пт® | Сквозное отверстие | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-vs15eth03m3-datasheets-0994.pdf | ТО-220-2 | 14 недель | ТО-220АС | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 40 нс | Стандартный | 300В | 40 мкА при 300 В | 1,25 В @ 15 А | 15А | -65°К~175°К | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МБР1660-Е3/45 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | 150°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-mbrb1660e345-datasheets-0067.pdf | ТО-220-3 | 10,54 мм | 8,89 мм | 4,7 мм | 2 | 10 недель | 2 | да | EAR99 | СВОБОДНЫЙ ДИОД, НИЗКИЕ ПОТЕРИ МОЩНОСТИ | Нет | 8541.10.00.80 | е3 | Матовый олово (Sn) | 260 | МБР1660 | 3 | Одинокий | 30 | 1 | Выпрямительные диоды | 16А | 750 мВ | КАТОД | ЭФФЕКТИВНОСТЬ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 150А | 1 мА | 60В | 150А | Шоттки | 60В | 16А | 1 | 1 при мА 60 В | 750 мВ при 16 А | -65°К~150°К | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ВС-8EWS08STRL-М3 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-vs8ews12sm3-datasheets-0406.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 2 | 12 недель | 3 | EAR99 | неизвестный | 8541.10.00.80 | е3 | Matte Tin (Sn) – с никелевым (Ni) барьером | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3 | Общий анод | 10 | 1 | Выпрямительные диоды | Не квалифицирован | Р-ПССО-Г2 | 1,1 В | КАТОД | ВЫСОКОЕ НАПРЯЖЕНИЕ, ВЫСОКАЯ МОЩНОСТЬ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 150А | ТО-252АА | Стандартный | 800В | 8А | 120А | 1 | 8А | 50 мкА при 800 В | 1,1 В при 8 А | -55°К~150°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МБР760 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | 150°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/onsemiconductor-mbr760-datasheets-1017.pdf | 60В | 7,5 А | ТО-220-2 | Без свинца | 20 недель | 2,16 г | 2 | АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) | Нет | Стандартный | МБР760 | Одинокий | ТО-220-2Л | 7,5 А | 7,5 А | 750 мВ | 150А | 500 мкА | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 150А | 500 мкА | 60В | 150А | Шоттки | 60В | 7,5 А | 60В | 500 мкА при 60 В | 750 мВ при 7,5 А | 7,5 А | -65°К~150°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НРВА4006T3G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/onsemiconductor-mra4007t3g-datasheets-8490.pdf | ДО-214АС, СМА | 4,57 мм | 2,2 мм | 2,92 мм | Без свинца | 2 | 12 недель | 2 | АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) | да | EAR99 | Нет | 8541.10.00.80 | е3 | Олово (Вс) | ДА | ДВОЙНОЙ | ДЖ БЕНД | 2 | Одинокий | 1 | Выпрямительные диоды | 150°С | 1А | 30А | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | КРЕМНИЙ | 30А | 10 мкА | 800В | 30А | 800В | Стандартный | 800В | 1А | 1А | 10 мкА при 800 В | 1,1 В при 1 А | -55°К~150°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЦУП10М60Ш С1Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-tsup10m60shs1g-datasheets-0950.pdf | ТО-277, 3-PowerDFN | 16 недель | СМПК4.6У | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | Шоттки | 658пФ @ 4В 1МГц | 60В | 250 мкА при 60 В | 640 мВ при 10 А | 10 А постоянного тока | -55°К~175°К | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ВС-HFA08SD60STR-M3 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ГЕКСФРЕД® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-vshfa08sd60sm3-datasheets-7940.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 2 | 13 недель | 3 | EAR99 | СВОБОДНЫЙ ДИОД | неизвестный | 8541.10.00.80 | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 1 | Выпрямительные диоды | Не квалифицирован | Р-ПССО-Г2 | 8А | КАТОД | УЛЬТРА БЫСТРОЕ МЯГКОЕ ВОССТАНОВЛЕНИЕ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 14 Вт | 5 мкА | 600В | 60А | ТО-252АА | 55 нс | Стандартный | 600В | 8А | 1 | 8А | 5 мкА при 600 В | 1,7 В при 8 А | -55°К~150°К |
