| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Код HTS | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Справочный стандарт | Поверхностный монтаж | Терминальная позиция | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Базовый номер детали | Количество контактов | Рабочая температура (макс.) | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Прямой ток | Прямое напряжение | Максимальный импульсный ток | Максимальный обратный ток утечки | Конфигурация | Соединение корпуса | Приложение | Естественное термическое сопротивление | Скорость | Материал диодного элемента | Рассеиваемая мощность-Макс. | Rep Pk Обратное напряжение-Макс. | Максимальный прямой импульсный ток (Ifsm) | Пиковый обратный ток | Максимальное повторяющееся обратное напряжение (Vrrm) | Пиковый неповторяющийся импульсный ток | Обратное напряжение | Обратный ток-Макс. | Прямое напряжение-Макс. | Обратное время восстановления | Время восстановления | Тип диода | Макс. обратное напряжение (постоянный ток) | Средний выпрямленный ток | Неповторяющийся Pk Прямой ток-макс. | Количество фаз | Выходной ток-Макс. | Эмкость @ Вр, Ф | Напряжение – обратное постоянное напряжение (Вр) (Макс.) | Ток – обратная утечка @ Vr | Напряжение – вперед (Vf) (Макс) @ If | Ток – средний выпрямленный (Io) | Рабочая температура - соединение |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| S1AHE3_A/Ч | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-s1me361t-datasheets-6649.pdf | ДО-214АС, СМА | 2 | 11 недель | 2 | да | EAR99 | СВОБОДНЫЙ ДИОД | 8541.10.00.80 | е3 | Матовый олово (Sn) | АЭК-Q101 | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | С1А | Одинокий | 30 | 1 | Выпрямительные диоды | 1,1 В | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | КРЕМНИЙ | 40А | 1,8 мкс | Стандартный | 50В | 1А | 1А | 12пФ @ 4В 1МГц | 1 мкА при 50 В | 1,1 В @ 1 А | -55°К~150°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СС1Ф4-М3/Ч | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | 0,23 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 175°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-ss1f4m3h-datasheets-0192.pdf | ДО-219АБ | 2,9 мм | 1,08 мм | 1,9 мм | 2 | 13 недель | 2 | EAR99 | СВОБОДНЫЙ ДИОД, НИЗКИЕ ПОТЕРИ МОЩНОСТИ | е3 | Матовый олово (Sn) | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | НЕ УКАЗАН | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 1 | 1А | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 150 мкА | 40В | Шоттки | 40В | 1А | 1А | 85пФ @ 4В 1МГц | 150 мкА при 40 В | 520 мВ при 1 А | 175°С Макс. | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1N4947GP-E3/73 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | СУПЕРЕКТИФИКАТОР® | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | 175°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-1n4947gpe354-datasheets-9953.pdf | ДО-204АЛ, ДО-41, Осевой | 2 | 22 недели | 2 | да | EAR99 | СВОБОДНЫЙ ДИОД, ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Олово | неизвестный | 8541.10.00.80 | е3 | ПРОВОЛОКА | НЕПРИГОДНЫЙ | 1N4947 | 2 | Одинокий | НЕПРИГОДНЫЙ | 1 | Выпрямительные диоды | Не квалифицирован | 25А | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 1 мкА | 800В | 25А | 800В | 250 нс | 250 нс | Стандартный | 800В | 1А | 1А | 15пФ @ 4В 1МГц | 1 мкА при 800 В | 1,3 В при 1 А | -65°К~175°К | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| PMEG4005AEAZ | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/nexperiausainc-pmeg4005aea115-datasheets-3259.pdf | СК-76, СОД-323 | 2 | 4 недели | е3 | Олово (Вс) | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 2 | 150°С | 30 | 1 | Р-ПДСО-Г2 | ОДИНОКИЙ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 40В | Шоттки | 0,5 А | 43пФ @ 1В 1МГц | 40В | 100 мкА при 40 В | 470 мВ при 500 мА | 500 мА постоянного тока | 150°С Макс. | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СТПС2170АФН | СТМикроэлектроника | 0,39 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/stmicroelectronics-stps2170afn-datasheets-0039.pdf | ВЫПРЯМИТЕЛЬНЫЙ ДИОД | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПМЭГ4010ЭТП,115 | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 175°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2007 год | /files/nexperiausainc-pmeg4010etp115-datasheets-0262.pdf | СОД-128 | 2 | 4 недели | EAR99 | Нет | 8541.10.00.50 | е3 | Олово (Вс) | АЭК-Q101 | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | 260 | ПМЭГ4010 | 2 | Одинокий | 30 | 1 | Р-ПДСО-Ф2 | 1А | 12 °С/Вт | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 0,75 Вт | 50 мкА | 40В | 50А | Шоттки | 40В | 1А | 1А | 130пФ @ 1В 1МГц | 50 мкА при 40 В | 490 мВ при 1 А | 175°С Макс. | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1N5817-E3/73 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | 125°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | 2017 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-1n5819e354-datasheets-2766.pdf | ДО-204АЛ, ДО-41, Осевой | 2 | 8 недель | 2 | да | EAR99 | СВОБОДНЫЙ ДИОД | Олово | Нет | 8541.10.00.80 | е3 | ПРОВОЛОКА | 1N5817 | 2 | Одинокий | 1 | Выпрямительные диоды | 1А | 450 мВ | 25А | 1 мА | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 1 мА | 20 В | 25А | Шоттки | 20 В | 1А | 1А | 1 при мА 20 В | 450 мВ при 1 А | -65°К~125°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1N4947GP-E3/54 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | СУПЕРЕКТИФИКАТОР® | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 175°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-1n4947gpe354-datasheets-9953.pdf | ДО-204АЛ, ДО-41, Осевой | 2 | 22 недели | 2 | да | EAR99 | СВОБОДНЫЙ ДИОД, ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Олово | Нет | 8541.10.00.80 | е3 | ПРОВОЛОКА | 1N4947 | 2 | Одинокий | 1 | Выпрямительные диоды | 1,3 В | 25А | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 1 мкА | 800В | 25А | 800В | 250 нс | 250 нс | Стандартный | 800В | 1А | 1А | 15пФ @ 4В 1МГц | 1 мкА при 800 В | 1,3 В при 1 А | -65°К~175°К | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| С1МФШМВГ | Тайванская полупроводниковая корпорация | 0,03 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | СОД-128 | 10 недель | совместимый | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | Стандартный | 9пФ @ 4В 1МГц | 1000В | 1 мкА при 1000 В | 1,1 В @ 1 А | 1А | -55°К~150°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1N4936GP-E3/54 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | СУПЕРЕКТИФИКАТОР® | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 175°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-1n4934gpe354-datasheets-9941.pdf | ДО-204АЛ, ДО-41, Осевой | Без свинца | 2 | 22 недели | 2 | да | EAR99 | СВОБОДНЫЙ ДИОД, ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Олово | неизвестный | 8541.10.00.80 | е3 | ПРОВОЛОКА | НЕПРИГОДНЫЙ | 1N4936 | 2 | Одинокий | НЕПРИГОДНЫЙ | 1 | Выпрямительные диоды | Не квалифицирован | 1,2 В | 30А | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 5 мкА | 400В | 30А | 400В | 200 нс | 200 нс | Стандартный | 400В | 1А | 1А | 15пФ @ 4В 1МГц | 5 мкА при 400 В | 1,2 В при 1 А | -65°К~175°К | |||||||||||||||||||||||||||||||
| СТПС2Л60АФН | СТМикроэлектроника | 0,33 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/stmicroelectronics-stps2l60afn-datasheets-0012.pdf | ВЫПРЯМИТЕЛЬНЫЙ ДИОД | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БА159ГП-Е3/54 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | СУПЕРЕКТИФИКАТОР® | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 175°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-ba159gpe373-datasheets-2400.pdf | ДО-204АЛ, ДО-41, Осевой | 22 недели | Неизвестный | 2 | Олово | Нет | БА159ГП | Одинокий | ДО-204АЛ (ДО-41) | 1А | 1,3 В | 20А | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 15А | 5 мкА | 1кВ | 20А | 1кВ | 500 нс | 500 нс | Стандартный | 1кВ | 1А | 15пФ @ 4В 1МГц | 1000В | 5 мкА при 1000 В | 1,3 В при 1 А | 1А | -65°К~175°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| В2ФМ10-М3/Ч | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | 0,22 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | эСМП®, ТМБС® | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2018 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-v2fm10m3h-datasheets-0029.pdf | ДО-219АБ | 13 недель | ДО-219АБ (СМФ) | 2А | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | Шоттки | 150пФ @ 4В 1МГц | 100В | 55 мкА при 100 В | 830 мВ при 2 А | 2А | -40°К~175°К | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| RFU01SM4ST2R | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/rohmsemiconductor-rfu01sm4st2r-datasheets-9768.pdf | СК-79, СОД-523 | 2 | 12 недель | EAR99 | 8541.10.00.70 | ДА | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | НЕ УКАЗАН | 150°С | НЕ УКАЗАН | 1 | Р-ПДСО-Ф2 | ОДИНОКИЙ | Малый сигнал =< 200 мА (Io), любая скорость | КРЕМНИЙ | 450В | 35 нс | Стандартный | 0,1 А | 1,5 пФ @ 0 В 1 МГц | 450В | 10 мкА при 450 В | 1,8 В при 100 мА | 100 мА | 150°С | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТСД1Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | 0,37 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | ДО-214АС, СМА | 2 | 6 недель | е3 | Матовый олово (Sn) | МЭК-61000-4-2 | ДА | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 175°С | 1 | Р-ПДСО-С2 | ОДИНОКИЙ | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | КРЕМНИЙ | 400В | 1 мкА | 1,25 В | Стандартный | 40А | 1 | 1А | 14пФ @ 4В 1МГц | 400В | 1 мкА при 400 В | 1А | -55°К~175°К | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СТПС2Л40АФН | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/stmicroelectronics-stps2l40afn-datasheets-0011.pdf | ВЫПРЯМИТЕЛЬНЫЙ ДИОД | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СК310БТР | Диодные решения SMC | 0,36 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2016 год | ДО-214АА, СМБ | 6 недель | СМБ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | Шоттки | 250пФ @ 4В 1МГц | 100В | 600 мкА при 100 В | 850 мВ при 3 А | 3А | -55°К~150°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| В2ФМ12-М3/Ч | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | эСМП®, ТМБС® | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2018 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-v2fm12m3h-datasheets-0083.pdf | ДО-219АБ | 13 недель | ДО-219АБ (СМФ) | 2А | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | Шоттки | 130пФ @ 4В 1МГц | 120 В | 65 мкА при 120 В | 960 мВ при 2 А | 2А | -40°К~175°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| С2К-Е3/5БТ | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-s2me35bt-datasheets-9163.pdf | ДО-214АА, СМБ | 2 | 11 недель | 2 | да | EAR99 | СВОБОДНЫЙ ДИОД, НИЗКИЙ ТОК УТЕЧКИ | Нет | 8541.10.00.80 | е3 | Матовый олово (Sn) | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | С2К | 2 | Одинокий | 30 | 1 | Выпрямительные диоды | 1,5 А | 1,15 В | 50А | ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | КРЕМНИЙ | 1 мкА | 800В | 50А | 800В | 2 мкс | 2 мкс | Стандартный | 800В | 1,5 А | 1 | 16пФ @ 4В 1МГц | 1 мкА при 800 В | 1,15 В @ 1,5 А | -55°К~150°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| RS1JFSHMWG | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | СОД-128 | 10 недель | совместимый | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 250 нс | Стандартный | 7пФ @ 4В 1МГц | 600В | 5 мкА при 600 В | 1,3 В при 1 А | 1А | -55°К~150°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MSE1PJHM3J/89A | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | 0,47 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2017 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-mse1pjm389a-datasheets-6809.pdf | ДО-219АД | Без свинца | 28 недель | МикроСМП (ДО-219АД) | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | 780 нс | Стандартный | 600В | 1А | 5пФ @ 4В 1МГц | 600В | 1 мкА при 600 В | 1,1 В @ 1 А | 1А | -55°К~175°К | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| RS1GFA | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/onsemiconductor-rs1gfa-datasheets-9984.pdf | СОД-123W | 2 | 10 недель | 19мг | АКТИВНО (последнее обновление: 1 неделю назад) | да | EAR99 | не_совместимо | 8541.10.00.80 | е3 | Олово (Вс) | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | 260 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 1 | Р-ПДСО-Ф2 | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 30А | 400В | 250 нс | Стандартный | 400В | 800 мА | 0,8А | 10 пФ @ 4 В 1 МГц | 5 мкА при 400 В | 1,3 В @ 800 мА | -55°К~150°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТСД1ГХ | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | ДО-214АС, СМА | 2 | 6 недель | е3 | Матовый олово (Sn) | АЭК-Q101; МЭК-61000-4-2 | ДА | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 175°С | 1 | Р-ПДСО-С2 | ОДИНОКИЙ | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | КРЕМНИЙ | 400В | 1 мкА | 1,25 В | Стандартный | 40А | 1 | 1А | 14пФ @ 4В 1МГц | 400В | 1 мкА при 400 В | 1А | -55°К~175°К | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CDBU0520-HF | Комчип Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/comchiptechnology-cdbu0520-datasheets-3078.pdf | 2-СМД, без свинца | 2 | 8 недель | EAR99 | 8541.10.00.70 | ДВОЙНОЙ | 260 | CDBU0520 | 125°С | 30 | 1 | Выпрямительные диоды | Р-ПДСО-Н2 | ОДИНОКИЙ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | Шоттки | 20 В | 500 мА | 2А | 0,5 А | 100пФ при 0В 1МГц | 20 В | 100 мкА при 20 В | 470 мВ при 500 мА | 125°С Макс. | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ГП10-4004-Е3/73 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-gp104004e373-datasheets-9874.pdf | ДО-204АЛ, ДО-41, Осевой | 22 недели | ГП10-4004 | ДО-204АЛ (ДО-41) | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | Стандартный | 400В | 1А | 400В | 1А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ГП10-4007-Е3/73 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-gp104004e373-datasheets-9874.pdf | ДО-204АЛ, ДО-41, Осевой | Без свинца | 22 недели | ГП10-4007 | ДО-204АЛ (ДО-41) | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | 5 мкА | 1кВ | Стандартный | 1кВ | 1А | 1000В | 1А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1Н4003ГП-Е3/73 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | СУПЕРЕКТИФИКАТОР® | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | 175°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-1n4007gpe354-datasheets-2720.pdf | ДО-204АЛ, ДО-41, Осевой | 2 | 22 недели | 2 | да | EAR99 | СВОБОДНЫЙ ДИОД, ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Олово | неизвестный | 8541.10.00.80 | е3 | ПРОВОЛОКА | НЕПРИГОДНЫЙ | 1N4003 | 2 | Одинокий | НЕПРИГОДНЫЙ | 1 | Выпрямительные диоды | Не квалифицирован | 1,1 В | 30А | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | КРЕМНИЙ | 5 мкА | 200В | 30А | 200В | 2 мкс | 2 мкс | Стандартный | 200В | 1А | 1А | 8пФ @ 4В 1МГц | 5 мкА при 200 В | 1,1 В @ 1 А | -65°К~175°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| BAT64T5Q-7-F | Диодс Инкорпорейтед | 0,40 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/diodesincorporated-bat64t5q7f-datasheets-9660.pdf | СК-79, СОД-523 | 16 недель | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 5нс | Шоттки | 6пФ @ 5В 1МГц | 40В | 2 мкА при 40 В | 480 мВ при 30 мА | 250 мА постоянного тока | -65°К~150°К | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1Н4007ГП-Е3/73 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | СУПЕРЕКТИФИКАТОР® | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | 175°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-1n4007gpe354-datasheets-2720.pdf | ДО-204АЛ, ДО-41, Осевой | 5,2 мм | 2,7 мм | 2,7 мм | 2 | 22 недели | 2 | да | EAR99 | СВОБОДНЫЙ ДИОД, ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Олово | Нет | 8541.10.00.80 | е3 | ПРОВОЛОКА | 1N4007 | 2 | Одинокий | 1 | Выпрямительные диоды | 1А | 1,1 В | 30А | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | КРЕМНИЙ | 30А | 5 мкА | 1кВ | 30А | 1кВ | 2 мкс | 2 мкс | Стандартный | 1кВ | 1А | 1А | 8пФ @ 4В 1МГц | 1000В | 5 мкА при 1000 В | 1,1 В @ 1 А | -65°К~175°К | ||||||||||||||||||||||||||||||
| РГП10Г-Е3/54 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | СУПЕРЕКТИФИКАТОР® | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 175°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-rgp10je354-datasheets-8986.pdf | ДО-204АЛ, ДО-41, Осевой | Без свинца | 2 | 22 недели | 2 | да | EAR99 | СВОБОДНЫЙ ДИОД | неизвестный | 8541.10.00.80 | е3 | Матовый олово (Sn) | ПРОВОЛОКА | НЕПРИГОДНЫЙ | РГП10Г | 2 | Одинокий | НЕПРИГОДНЫЙ | 1 | Выпрямительные диоды | Не квалифицирован | 1,3 В | 30А | 5 мкА | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 5 мкА | 400В | 30А | 150 нс | 150 нс | Стандартный | 400В | 1А | 1А | 15пФ @ 4В 1МГц | 5 мкА при 400 В | 1,3 В при 1 А | -65°К~175°К |
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.