Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактОднофазный диодный выпрямитель(36732)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Текущий рейтинг | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Код HTS | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Полярность | Поверхностный монтаж | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Базовый номер детали | Количество контактов | Рабочая температура (макс.) | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Максимальный переход температуры (Tj) | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Выходной ток | Прямой ток | Прямое напряжение | Максимальный импульсный ток | Максимальный обратный ток утечки | Конфигурация | Соединение корпуса | Приложение | Скорость | Материал диодного элемента | Рассеиваемая мощность-Макс. | Rep Pk Обратное напряжение-Макс. | Максимальный прямой импульсный ток (Ifsm) | Пиковый обратный ток | Максимальное повторяющееся обратное напряжение (Vrrm) | Пиковый неповторяющийся импульсный ток | Обратное напряжение | Обратный ток-Макс. | Код JEDEC-95 | Обратное время восстановления | Время восстановления | Тип диода | Макс. обратное напряжение (постоянный ток) | Средний выпрямленный ток | Неповторяющийся Pk Прямой ток-макс. | Количество фаз | Выходной ток-Макс. | Эмкость @ Вр, Ф | Напряжение – обратное постоянное напряжение (Вр) (Макс.) | Ток – обратная утечка @ Vr | Напряжение – вперед (Vf) (Макс) @ If | Ток – средний выпрямленный (Io) | Рабочая температура - соединение |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| ВС-8EWS08STRL-М3 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-vs8ews12sm3-datasheets-0406.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 2 | 12 недель | 3 | EAR99 | неизвестный | 8541.10.00.80 | е3 | Matte Tin (Sn) – с никелевым (Ni) барьером | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3 | Общий анод | 10 | 1 | Выпрямительные диоды | Не квалифицированный | Р-ПССО-Г2 | 1,1 В | КАТОД | ВЫСОКОЕ НАПРЯЖЕНИЕ, ВЫСОКАЯ МОЩНОСТЬ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 150А | ТО-252АА | Стандартный | 800В | 8А | 120А | 1 | 8А | 50 мкА при 800 В | 1,1 В при 8 А | -55°К~150°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МБР760 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | 150°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/onsemiconductor-mbr760-datasheets-1017.pdf | 60В | 7,5 А | ТО-220-2 | Без свинца | 20 недель | 2,16 г | 2 | АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) | Нет | Стандартный | МБР760 | Одинокий | ТО-220-2Л | 7,5 А | 7,5 А | 750 мВ | 150А | 500 мкА | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 150А | 500 мкА | 60В | 150А | Шоттки | 60В | 7,5 А | 60В | 500 мкА при 60 В | 750 мВ при 7,5 А | 7,5 А | -65°К~150°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НРВА4006T3G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/onsemiconductor-mra4007t3g-datasheets-8490.pdf | ДО-214АС, СМА | 4,57 мм | 2,2 мм | 2,92 мм | Без свинца | 2 | 12 недель | 2 | АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) | да | EAR99 | Нет | 8541.10.00.80 | е3 | Олово (Вс) | ДА | ДВОЙНОЙ | ДЖ БЕНД | 2 | Одинокий | 1 | Выпрямительные диоды | 150°С | 1А | 30А | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | КРЕМНИЙ | 30А | 10 мкА | 800В | 30А | 800В | Стандартный | 800В | 1А | 1А | 10 мкА при 800 В | 1,1 В при 1 А | -55°К~150°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЦУП10М60Ш С1Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-tsup10m60shs1g-datasheets-0950.pdf | ТО-277, 3-PowerDFN | 16 недель | СМПК4.6У | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | Шоттки | 658пФ @ 4В 1МГц | 60В | 250 мкА при 60 В | 640 мВ при 10 А | 10 А постоянного тока | -55°К~175°К | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ВС-HFA08SD60STR-M3 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ГЕКСФРЕД® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-vshfa08sd60sm3-datasheets-7940.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 2 | 13 недель | 3 | EAR99 | СВОБОДНЫЙ ДИОД | неизвестный | 8541.10.00.80 | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 1 | Выпрямительные диоды | Не квалифицированный | Р-ПССО-Г2 | 8А | КАТОД | УЛЬТРА БЫСТРОЕ МЯГКОЕ ВОССТАНОВЛЕНИЕ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 14 Вт | 5мкА | 600В | 60А | ТО-252АА | 55 нс | Стандартный | 600В | 8А | 1 | 8А | 5 мкА при 600 В | 1,7 В при 8 А | -55°К~150°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ВС-30BQ040HM3/9АТ | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2017 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-vs30bq040hm39at-datasheets-1049.pdf | ДО-214АБ, СМК | 2 | 11 недель | EAR99 | СВОБОДНЫЙ ДИОД, ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | 150°С | НЕ УКАЗАН | 1 | Выпрямительные диоды | Р-ПДСО-С2 | ОДИНОКИЙ | ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 500 мкА | Шоттки | 40В | 3А | 1600А | 1 | 4А | 230пФ @ 5В 1МГц | 40В | 500 мкА при 40 В | 570 мВ при 3 А | -55°К~150°К | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| HERF1008GAHC0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-herf1007gac0g-datasheets-4537.pdf | ТО-220-3 Полный пакет, изолированная вкладка | 10 недель | ИТО-220АБ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 80нс | Стандартный | 40пФ @ 4В 1МГц | 1000В | 10 мкА при 1000 В | 1,7 В при 5 А | 10А | -55°К~150°К | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФЕРД20С100СТС | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-ferd20s100sts-datasheets-0954.pdf | ТО-220-3 | 3 | 15 недель | АКТИВНО (Последнее обновление: 7 месяцев назад) | НЕТ | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | ФЕРД20 | 175°С | НЕ УКАЗАН | 1 | Р-ПСФМ-Т3 | 20А | ОДИНОКИЙ | КАТОД | ЭФФЕКТИВНОСТЬ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 100В | 110 мкА | ТО-220АБ | FERD (полевой выпрямительный диод) | 1 | 100В | 100 мкА при 100 В | 780 мВ при 10 А | 175°С Макс. | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПМЭГ050Т150ЭПДЗ | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 175°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | /files/nexperiausainc-pmeg050t150epdz-datasheets-0673.pdf | ТО-277, 3-PowerDFN | 3 | 4 недели | 3 | СВОБОДНЫЙ ДИОД, НИЗКИЙ ТОК УТЕЧКИ | Олово | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | 3 | Общий анод | 1 | 15А | КАТОД | ЭФФЕКТИВНОСТЬ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 1,66 Вт | 50В | 210А | 100 мкА | 60 нс | Шоттки | 50В | 15А | 1 | 800пФ @ 10В 1МГц | 100 мкА при 50 В | 550 мВ при 15 А | 175°С Макс. | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЦУП10М45Ш С1Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-tsup10m45shs1g-datasheets-0822.pdf | ТО-277, 3-PowerDFN | 16 недель | СМПК4.6У | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | Шоттки | 1099пФ @ 4В 1МГц | 45В | 200 мкА при 45 В | 600 мВ при 10 А | 10 А постоянного тока | -55°К~175°К | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MSQ1PG-M3/H | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | eSMP® | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-msq1pgm3h-datasheets-0776.pdf | ДО-219АД | 10 недель | МикроСМП (ДО-219АД) | 1А | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | 650 нс | Стандартный | 4пФ @ 4В 1МГц | 400В | 1 мкА при 400 В | 1,2 В при 1 А | 1А | -55°К~175°К | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ВС-15ЭТХ03-1-М3 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ФРЕД Пт® | Сквозное отверстие | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-vs15eth031m3-datasheets-0969.pdf | ТО-262-3 Длинные выводы, И2Пак, ТО-262АА | 14 недель | ТО-262АА | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 40 нс | Стандартный | 300В | 40 мкА при 300 В | 1,25 В @ 15 А | 15А | -65°К~175°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТСД3Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | 0,19 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | ДО-214АБ, СМК | 6 недель | EAR99 | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | Стандартный | 45пФ @ 4В 1МГц | 400В | 1 мкА при 400 В | 3А | -55°К~175°К | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| УКУ20Д30 | Kyocera International Inc. Электронные компоненты | 2,52 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | 14 недель | ТО-263ЛП | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 33нс | Стандартный | 300В | 25 мкА при 300 В | 1,3 В @ 10 А | 20А | -40°К~175°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MSQ1PJHM3/Ч | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | 1,05 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, eSMP® | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2018 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-msq1pgm3h-datasheets-0776.pdf | ДО-219АД | 10 недель | МикроСМП (ДО-219АД) | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | 650 нс | Стандартный | 4пФ @ 4В 1МГц | 600В | 1 мкА при 600 В | 1,2 В при 1 А | 1А | -55°К~175°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ВС-30WQ06FN-М3 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Трубка | 1 (без блокировки) | 150°С | -40°С | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-vs30wq06fnm3-datasheets-0872.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 6,73 мм | 2,39 мм | 6,22 мм | 2 | 12 недель | 3 | EAR99 | СВОБОДНЫЙ ДИОД, ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | неизвестный | е3 | Матовый олово (Sn) | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3 | Общий анод | 40 | 1 | Выпрямительные диоды | Не квалифицированный | Р-ПССО-Г2 | 3,5 А | КАТОД | ВЫСОКАЯ МОЩНОСТЬ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 490А | 2мА | 60В | 490А | Шоттки | 60В | 3,5 А | 1 | 145пФ @ 5В 1МГц | 2 мкА при 60 В | 610 мВ при 3 А | -40°К~150°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ГП10Т-Е3/73 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | СУПЕРЕКТИФИКАТОР® | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | 150°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-gp10we354-datasheets-8508.pdf | ДО-204АЛ, ДО-41, Осевой | 2 | 22 недели | 2 | да | EAR99 | СВОБОДНЫЙ ДИОД | Нет | 8541.10.00.80 | е3 | Матовый олово (Sn) | ПРОВОЛОКА | ГП10Т | 2 | Одинокий | 1 | Выпрямительные диоды | 1А | 1,3 В | 25А | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | КРЕМНИЙ | 5мкА | 1,3 кВ | 25А | 1,3 кВ | 3 мкс | 3 мкс | Стандартный | 1,3 кВ | 1А | 1А | 5пФ @ 4В 1МГц | 1300В | 5 мкА при 1300 В | 1,3 В при 1 А | -65°К~150°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТСД3GHR7G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | ДО-214АБ, СМК | 20 недель | ДО-214АБ (СМК) | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | Стандартный | 45пФ @ 4В 1МГц | 400В | 1 мкА при 400 В | 3А | -55°К~175°К | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ВС-30WQ10ФН-М3 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Трубка | 1 (без блокировки) | 150°С | -40°С | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-vs30wq10fnm3-datasheets-0900.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 6,73 мм | 2,39 мм | 6,22 мм | 2 | 12 недель | 3 | EAR99 | СВОБОДНЫЙ ДИОД, ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | неизвестный | е3 | Матовый олово (Sn) | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3 | Общий анод | 40 | 1 | Выпрямительные диоды | Не квалифицированный | Р-ПССО-Г2 | 3,5 А | 960 мВ | КАТОД | ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 440А | 1 мА | 100В | 440А | Шоттки | 100В | 3,5 А | 1 | 92пФ @ 5В 1МГц | 1 при мА 100 В | 810 мВ при 3 А | -40°К~150°К | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЦУП15М60Ш С1Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-tsup15m60shs1g-datasheets-0904.pdf | ТО-277, 3-PowerDFN | 16 недель | СМПК4.6У | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | Шоттки | 1046пФ @ 4В 1МГц | 60В | 450 мкА при 60 В | 640 мВ при 15 А | 15 А постоянного тока | -55°К~175°К | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИДДД04G65C6XTMA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | CoolSiC™+ | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/infineontechnologies-iddd04g65c6xtma1-datasheets-0906.pdf | Модуль 10-PowerSOP | 18 недель | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | Нет времени восстановления > 500 мА (Io) | 0нс | Карбид кремния Шоттки | 205пФ @ 1В 1МГц | 650В | 14 мкА при 420 В | 13А постоянного тока | -55°К~175°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SBRD8835LG-VF01 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | РЕЖИМ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ™ | Поверхностный монтаж | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/onsemiconductor-mbrd835lt4g-datasheets-1505.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 8 недель | МБРД835 | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | Шоттки | 35В | 1,4 мА при 35 В | 510 мВ при 8 А | 8А | -65°К~150°К | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЦУП5М45Ш С1Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-tsup5m45shs1g-datasheets-0862.pdf | ТО-277, 3-PowerDFN | 16 недель | СМПК4.6У | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | Шоттки | 589пФ @ 4В 1МГц | 45В | 150 мкА при 45 В | 600 мВ при 5 А | 5А постоянного тока | -55°К~175°К | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| HERF1007GAHC0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | 1,29 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-herf1007gac0g-datasheets-4537.pdf | ТО-220-3 Полный пакет, изолированная вкладка | 3 | 10 недель | EAR99 | НИЗКИЕ ПОТЕРИ МОЖНОСТИ | 8541.10.00.80 | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕТ | ОДИНОКИЙ | 150°С | 2 | Р-ПСФМ-Т3 | ОБЩИЙ АНОД, 2 ЭЛЕМЕНТА | ЭФФЕКТИВНОСТЬ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 800В | 10 мкА | ТО-220АБ | 80нс | Стандартный | 125А | 1 | 5А | 40пФ @ 4В 1МГц | 800В | 10 мкА при 800 В | 1,7 В при 5 А | 10А | -55°К~150°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СТПС1045Б | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Трубка | 1 (без блокировки) | 175°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-stps1045b-datasheets-0941.pdf | 45В | 10А | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 6,6 мм | 2,4 мм | 6,2 мм | Без свинца | 2 | 11 недель | Нет СВХК | 2 | АКТИВНО (Последнее обновление: 7 месяцев назад) | EAR99 | Нет | 8541.10.00.80 | е3 | Матовое олово (Sn) - отожженное | Стандартный | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | СТПС1045 | 3 | Общий анод | 30 | 1 | Выпрямительные диоды | 10А | 10А | 840мВ | 75А | 100 мкА | КАТОД | ВЫСОКОЕ НАПРЯЖЕНИЕ МОЩНОСТИ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 75А | 100 мкА | 45В | 75А | Шоттки | 45В | 10А | 1 | 100 мкА при 45 В | 630 мВ при 10 А | 175°С Макс. | |||||||||||||||||||||||||||||
| В3ФЛ45-М3/Ч | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | 0,30 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | эСМП®, ТМБС® | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2018 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-v3fl45m3h-datasheets-0662.pdf | ДО-219АБ | 13 недель | ДО-219АБ (СМФ) | 3А | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | Шоттки | 370пФ @ 4В 1МГц | 45В | 750 мкА при 45 В | 580 мВ при 3 А | 3А | -40°К~150°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МБРБ1045-Е3/81 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | 2010 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-mbrb1060e381-datasheets-9582.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | 2 | 22 недели | 3 | да | EAR99 | СВОБОДНЫЙ ДИОД, НИЗКИЕ ПОТЕРИ МОЩНОСТИ | Нет | 8541.10.00.80 | е3 | Матовый олово (Sn) | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | МБРБ1045 | 3 | Общий катод | 1 | Выпрямительные диоды | Р-ПССО-Г2 | 10А | 840мВ | ЭФФЕКТИВНОСТЬ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 150А | 100 мкА | 45В | 150А | Шоттки | 45В | 10А | 1 | 100 мкА при 45 В | 840 мВ при 20 А | -65°К~150°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BYM10-400-E3/97 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | СУПЕРЕКТИФИКАТОР® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 175°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-gl41ae397-datasheets-5861.pdf | ДО-213АБ, МЭЛФ (Стекло) | 5,2 мм | 2,67 мм | 2,67 мм | Без свинца | 2 | 19 недель | 2 | да | EAR99 | СВОБОДНЫЙ ДИОД | Олово | Нет | 8541.10.00.80 | е3 | КОНЕЦ | ЗАВЕРШИТЬ ВОКРУГ | 250 | БМ10-400 | 2 | Одинокий | 40 | 1 | Выпрямительные диоды | 1А | 1,1 В | 30А | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | КРЕМНИЙ | 30А | 10 мкА | 400В | 30А | 400В | Стандартный | 400В | 1А | 1А | 8пФ @ 4В 1МГц | 10 мкА при 400 В | 1,1 В при 1 А | -65°К~175°К | |||||||||||||||||||||||||||||||
| ЦУП5М60Ш С1Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-tsup5m60shs1g-datasheets-0756.pdf | ТО-277, 3-PowerDFN | 16 недель | СМПК4.6У | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | Шоттки | 346пФ @ 4В 1МГц | 60В | 200 мкА при 60 В | 640 мВ при 5 А | 5А постоянного тока | -55°К~175°К | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| RFV8BM6SFHTL | РОМ Полупроводник | 1,41 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/rohmsemiconductor-rfv8bm6sfhtl-datasheets-0679.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 20 недель | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 45нс | Стандартный | 600В | 10 мкА при 600 В | 2,8 В при 8 А | 8А | 150°С Макс. |
