Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактОднофазный диодный выпрямитель(36732)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Диаметр | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Количество контактов | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Код HTS | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Справочный стандарт | Терминальная позиция | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Базовый номер детали | Количество контактов | Рабочая температура (макс.) | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Прямой ток | Прямое напряжение | Максимальный импульсный ток | Максимальный обратный ток утечки | Конфигурация | Соединение корпуса | Приложение | Скорость | Материал диодного элемента | Рассеиваемая мощность-Макс. | Максимальный прямой импульсный ток (Ifsm) | Пиковый обратный ток | Максимальное повторяющееся обратное напряжение (Vrrm) | Пиковый неповторяющийся импульсный ток | Обратное напряжение | Обратный ток-Макс. | Обратное время восстановления | Время восстановления | Тип диода | Макс. обратное напряжение (постоянный ток) | Средний выпрямленный ток | Неповторяющийся Pk Прямой ток-макс. | Количество фаз | Выходной ток-Макс. | Эмкость @ Вр, Ф | Напряжение – обратное постоянное напряжение (Вр) (Макс.) | Ток – обратная утечка @ Vr | Напряжение – вперед (Vf) (Макс) @ If | Ток – средний выпрямленный (Io) | Рабочая температура - соединение |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 1N4934GP-E3/54 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | 0,42 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | СУПЕРЕКТИФИКАТОР® | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 175°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-1n4934gpe354-datasheets-9941.pdf | 2,7 мм | ДО-204АЛ, ДО-41, Осевой | 5,1816 мм | 22 недели | 2 | Олово | Нет | 1N4934 | Одинокий | ДО-204АЛ (ДО-41) | 1А | 1,2 В | 30А | 5 мкА | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 30А | 5 мкА | 100В | 30А | 200 нс | 200 нс | Стандартный | 100В | 1А | 15пФ @ 4В 1МГц | 100В | 5 мкА при 100 В | 1,2 В при 1 А | 1А | -65°К~175°К | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СБ160-Е3/73 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | 150°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | 2017 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-sb130e354-datasheets-9597.pdf | ДО-204АЛ, ДО-41, Осевой | 8 недель | 2 | Нет | СБ160 | Одинокий | ДО-204АЛ (ДО-41) | 1А | 650 мВ | 50А | 500 мкА | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 500 мкА | 60В | 50А | Шоттки | 60В | 1А | 60В | 500 мкА при 60 В | 650 мВ при 1 А | 1А | -65°К~150°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СТПС2Х100АФН | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/stmicroelectronics-stps2h100afn-datasheets-0250.pdf | ВЫПРЯМИТЕЛЬНЫЙ ДИОД | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ГП10В-Е3/73 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | СУПЕРЕКТИФИКАТОР® | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | 150°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-gp10we354-datasheets-8508.pdf | ДО-204АЛ, ДО-41, Осевой | 2 | 22 недели | 2 | да | EAR99 | СВОБОДНЫЙ ДИОД | Нет | 8541.10.00.80 | е3 | Матовый олово (Sn) | ПРОВОЛОКА | ГП10В | 2 | Одинокий | 1 | Выпрямительные диоды | 1А | 1,3 В | 25А | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | КРЕМНИЙ | 5 мкА | 1,5 кВ | 25А | 1,5 кВ | 3 мкс | 3 мкс | Стандартный | 1,5 кВ | 1А | 1А | 5пФ @ 4В 1МГц | 1500В | 5 мкА при 1500 В | 1,3 В при 1 А | -65°К~150°К | ||||||||||||||||||||||||||||
| 1N4007E-E3/53 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | 150°С | -50°С | Соответствует ROHS3 | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-1n4004e353-datasheets-9234.pdf | 2,7 мм | ДО-204АЛ, ДО-41, Осевой | 5,2 мм | 18 недель | 2 | Олово | Нет | Одинокий | ДО-204АЛ (ДО-41) | 1А | 1,1 В | 45А | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | 5 мкА | 1кВ | 45А | 1кВ | 2 мкс | Стандартный | 1кВ | 1А | 15пФ @ 4В 1МГц | 1000В | 5 мкА при 1000 В | 1,1 В при 1 А | 1А | -50°К~150°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SE20FGHM3/И | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | 0,33 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-se20fjm3h-datasheets-2572.pdf | ДО-219АБ | 2 | 13 недель | EAR99 | НИЗКИЙ ТОК УТЕЧКИ | неизвестный | 8541.10.00.80 | е3 | Матовый олово (Sn) | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | НЕ УКАЗАН | 175°С | НЕ УКАЗАН | 1 | Р-ПДСО-Ф2 | ОДИНОКИЙ | ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | КРЕМНИЙ | 5 мкА | 920 нс | Стандартный | 400В | 1,7 А | 35А | 1 | 13пФ @ 4В 1МГц | 400В | 5 мкА при 400 В | 1,1 В при 2 А | -55°К~175°К | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CD214A-F150 | Борнс Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/bournsinc-cd214af1100-datasheets-9528.pdf | ДО-214АС, СМА | 2 | 18 недель | Нет СВХК | 2 | EAR99 | не_совместимо | 8541.10.00.80 | е3 | Олово (Вс) | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | НЕ УКАЗАН | CD214A | 2 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 1 | Не квалифицирован | 1А | 950 мВ | 30А | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 30А | 5 мкА | 50В | 30А | 50В | 25 нс | 25 нс | Стандартный | 50В | 1А | 1А | 10 пФ @ 4 В 1 МГц | 5 мкА при 50 В | 950 мВ при 1 А | -55°К~150°К | ||||||||||||||||||||||||||||
| Б150-Е3/61Т | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-b140e361t-datasheets-7496.pdf | ДО-214АС, СМА | 2 | 11 недель | 2 | да | EAR99 | СВОБОДНЫЙ ДИОД, НИЗКИЕ ПОТЕРИ МОЩНОСТИ | Олово | Нет | 8541.10.00.80 | е3 | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | Б150 | 2 | Одинокий | 40 | 1 | Выпрямительные диоды | 1А | 750 мВ | 30А | 200 мкА | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 200 мкА | 50В | 30А | Шоттки | 50В | 1А | 1А | 200 мкА при 50 В | 750 мВ при 1 А | -65°К~150°К | |||||||||||||||||||||||||||||||
| 1N4936GP-E3/73 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | СУПЕРЕКТИФИКАТОР® | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | 175°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-1n4934gpe354-datasheets-9941.pdf | ДО-204АЛ, ДО-41, Осевой | 2 | 22 недели | 2 | да | EAR99 | СВОБОДНЫЙ ДИОД, ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Олово | Нет | 8541.10.00.80 | е3 | ПРОВОЛОКА | 1N4936 | 2 | Одинокий | 1 | Выпрямительные диоды | 1,2 В | 30А | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 5 мкА | 400В | 30А | 400В | 200 нс | 200 нс | Стандартный | 400В | 1А | 1А | 15пФ @ 4В 1МГц | 5 мкА при 400 В | 1,2 В при 1 А | -65°К~175°К | ||||||||||||||||||||||||||||||
| ЭР3ГТР | Диодные решения SMC | 0,45 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | ДО-214АБ, СМК | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 35 нс | Стандартный | 45пФ @ 4В 1МГц | 400В | 5 мкА при 400 В | 1,25 В при 3 А | 3А | -65°К~150°К | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BAT54WFILMY | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Q Автомобильная промышленность | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | 150°С | -40°С | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-bat54swfilmy-datasheets-0632.pdf | СК-70, СОТ-323 | 3 | 3 | EAR99 | Олово | 8541.10.00.70 | е3 | АЭК-Q101 | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | БАТ54 | Одинокий | 1 | 300 мА | 900 мВ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 40В | 1А | 1 мкА | 5 нс | Шоттки | 40В | 300 мА | 1 | 10пФ @ 1В 1МГц | 1 мкА при 30 В | 900 мВ при 100 мА | 300 мА постоянного тока | -40°К~150°К | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| В2ФЛ45ХМ3/Ч | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, eSMP®, TMBS® | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2018 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-v2fl45m3h-datasheets-0150.pdf | ДО-219АБ | 13 недель | ДО-219АБ (СМФ) | 2А | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | Шоттки | 270пФ @ 4В 1МГц | 45В | 570 мкА при 45 В | 560 мВ при 2 А | 2А | -40°К~150°К | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| РС1ПГ-М3/84А | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | 0,34 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | eSMP® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-rs1pdm384a-datasheets-2346.pdf | ДО-220АА | 3,61 мм | 1,15 мм | 2,18 мм | 10 недель | 2 | Нет | Одинокий | ДО-220АА (СМП) | 1А | 1,3 В | 30А | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 1 мкА | 400В | 30А | 400В | 150 нс | 150 нс | Стандартный | 400В | 1А | 9пФ @ 4В 1МГц | 400В | 1 мкА при 400 В | 1,3 В при 1 А | 1А | -55°К~150°К | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| РБ162ММ-30ТФТР | РОМ Полупроводник | 0,42 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | СОД-123Ф | 20 недель | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1А | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | Шоттки | 30 В | 100 мкА при 30 В | 520 мВ при 1 А | 150°С Макс. | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GP10Q-E3/54 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | СУПЕРЕКТИФИКАТОР® | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-gp10we354-datasheets-8508.pdf | ДО-204АЛ, ДО-41, Осевой | 2 | 22 недели | 2 | да | EAR99 | СВОБОДНЫЙ ДИОД | Нет | 8541.10.00.80 | е3 | Матовый олово (Sn) | ПРОВОЛОКА | GP10Q | 2 | Одинокий | 1 | Выпрямительные диоды | 1А | 1,2 В | 25А | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | КРЕМНИЙ | 5 мкА | 1,2 кВ | 25А | 1,2 кВ | 3 мкс | 3 мкс | Стандартный | 1,2 кВ | 1А | 1А | 7пФ @ 4В 1МГц | 1200В | 5 мкА при 1200 В | 1,2 В при 1 А | -65°К~150°К | ||||||||||||||||||||||||||||
| CD214B-S3G | Борнс Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | CD214B-S3x | Поверхностный монтаж | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/bournsinc-cd214bs3g-datasheets-0390.pdf | 2-СМД, без свинца | 20 недель | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | Стандартный | 23пФ @ 4В 1МГц | 400В | 5 мкА при 400 В | 1 В при 3 А | 3А | -65°К~175°К | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| В2ФЛ45-М3/Ч | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | эСМП®, ТМБС® | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2018 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-v2fl45m3h-datasheets-0150.pdf | ДО-219АБ | 13 недель | ДО-219АБ (СМФ) | 2А | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | Шоттки | 270пФ @ 4В 1МГц | 45В | 570 мкА при 45 В | 560 мВ при 2 А | 2А | -40°К~150°К | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| В2ФМ10ХМ3/Ч | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, eSMP®, TMBS® | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2018 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-v2fm10m3h-datasheets-0029.pdf | ДО-219АБ | 13 недель | ДО-219АБ (СМФ) | 2А | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | Шоттки | 150пФ @ 4В 1МГц | 100В | 55 мкА при 100 В | 830 мВ при 2 А | 2А | -40°К~175°К | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| УС1М-М3/5АТ | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-us1me361t-datasheets-6834.pdf | ДО-214АС, СМА | 2 | 11 недель | 2 | EAR99 | СВОБОДНЫЙ ДИОД | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | Одинокий | 1 | 1А | 1В | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 10 мкА | 1кВ | 30А | 75 нс | Стандартный | 1кВ | 1А | 1А | 1000В | 10 мкА при 1000 В | 1,7 В при 1 А | -55°К~150°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| РГП10Дж-Е3/73 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| В2ФМ15-М3/Ч | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | 0,32 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | эСМП®, ТМБС® | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2018 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-v2fm15m3h-datasheets-0016.pdf | ДО-219АБ | 13 недель | ДО-219АБ (СМФ) | 2А | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | Шоттки | 90пФ @ 4В 1МГц | 150 В | 50 мкА при 150 В | 1,46 В при 2 А | 2А | -40°К~175°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| РГП10Д-Е3/73 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | СУПЕРЕКТИФИКАТОР® | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | 175°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-rgp10je354-datasheets-8986.pdf | ДО-204АЛ, ДО-41, Осевой | Без свинца | 2 | 22 недели | 2 | да | EAR99 | СВОБОДНЫЙ ДИОД | Нет | 8541.10.00.80 | е3 | Матовый олово (Sn) | ПРОВОЛОКА | РГП10Д | 2 | Одинокий | 1 | Выпрямительные диоды | 1,3 В | 30А | 5 мкА | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 5 мкА | 200В | 30А | 150 нс | 150 нс | Стандартный | 200В | 1А | 1А | 15пФ @ 4В 1МГц | 5 мкА при 200 В | 1,3 В при 1 А | -65°К~175°К | |||||||||||||||||||||||||||||
| 1Н4005ГП-Е3/73 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | СУПЕРЕКТИФИКАТОР® | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | 175°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-1n4007gpe354-datasheets-2720.pdf | ДО-204АЛ, ДО-41, Осевой | 2 | 22 недели | 2 | да | EAR99 | СВОБОДНЫЙ ДИОД, ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Олово | Нет | 8541.10.00.80 | е3 | ПРОВОЛОКА | 1N4005 | 2 | Одинокий | 1 | Выпрямительные диоды | 1,1 В | 30А | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | КРЕМНИЙ | 5 мкА | 600В | 30А | 600В | 2 мкс | 2 мкс | Стандартный | 600В | 1А | 1А | 8пФ @ 4В 1МГц | 5 мкА при 600 В | 1,1 В при 1 А | -65°К~175°К | ||||||||||||||||||||||||||||||
| 1N4937GP-E3/73 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | СУПЕРЕКТИФИКАТОР® | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | 175°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-1n4934gpe354-datasheets-9941.pdf | ДО-204АЛ, ДО-41, Осевой | 2 | 22 недели | 2 | да | EAR99 | СВОБОДНЫЙ ДИОД, ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Олово | Нет | 8541.10.00.80 | е3 | ПРОВОЛОКА | 1N4937 | 2 | Одинокий | 1 | Выпрямительные диоды | 30А | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 5 мкА | 600В | 30А | 600В | 200 нс | 200 нс | Стандартный | 600В | 1А | 1А | 15пФ @ 4В 1МГц | 5 мкА при 600 В | 1,2 В при 1 А | -65°К~175°К | |||||||||||||||||||||||||||||||
| РГП10Г-Е3/73 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | СУПЕРЕКТИФИКАТОР® | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | 175°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-rgp10je354-datasheets-8986.pdf | ДО-204АЛ, ДО-41, Осевой | 2 | 22 недели | 2 | да | EAR99 | СВОБОДНЫЙ ДИОД | Нет | 8541.10.00.80 | е3 | Матовый олово (Sn) | ПРОВОЛОКА | РГП10Г | 2 | Одинокий | 1 | Выпрямительные диоды | 1,3 В | 30А | 5 мкА | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 5 мкА | 400В | 30А | 150 нс | 150 нс | Стандартный | 400В | 1А | 1А | 15пФ @ 4В 1МГц | 5 мкА при 400 В | 1,3 В при 1 А | -65°К~175°К | ||||||||||||||||||||||||||||||
| CDBFN160-HF | Комчип Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/comchiptechnology-cdbfn140hf-datasheets-9078.pdf | 2-СМД, плоский вывод | 2 | 10 недель | EAR99 | НИЗКИЕ ПОТЕРИ МОЖНОСТИ | 8541.10.00.80 | ДВОЙНОЙ | 260 | 150°С | 30 | 1 | Выпрямительные диоды | Р-ПДСО-Ф2 | ОДИНОКИЙ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | Шоттки | 60В | 1А | 30А | 1А | 120пФ @ 4В 1МГц | 500 мкА при 60 В | 700 мВ при 1 А | 1А постоянного тока | -50°К~150°К | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| S1BHE3_A/Ч | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-s1me361t-datasheets-6649.pdf | ДО-214АС, СМА | Без свинца | 2 | 11 недель | 2 | да | EAR99 | СВОБОДНЫЙ ДИОД | Нет | 8541.10.00.80 | е3 | Матовый олово (Sn) | АЭК-Q101 | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | С1Б | Одинокий | 30 | 1 | Выпрямительные диоды | 1,1 В | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | КРЕМНИЙ | 100В | 40А | 1,8 мкс | Стандартный | 100В | 1А | 1А | 12пФ @ 4В 1МГц | 1 мкА при 100 В | 1,1 В при 1 А | -55°К~150°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1N4150W-HE3-08 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2017 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-1n4150we308-datasheets-4309.pdf | СОД-123 | 2 | 12 недель | 2 | да | EAR99 | Нет | 8541.10.00.70 | е3 | Матовый олово (Sn) | АЭК-Q101 | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 2 | Одинокий | 30 | 1 | 200 мА | Малый сигнал =< 200 мА (Io), любая скорость | КРЕМНИЙ | 0,41 Вт | 50В | 4 нс | Стандартный | 50В | 200 мА | 2,5 пФ @ 0 В 1 МГц | 100 нА при 50 В | 1 В при 200 мА | -55°К~150°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| S1AHE3_A/Ч | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-s1me361t-datasheets-6649.pdf | ДО-214АС, СМА | 2 | 11 недель | 2 | да | EAR99 | СВОБОДНЫЙ ДИОД | 8541.10.00.80 | е3 | Матовый олово (Sn) | АЭК-Q101 | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | С1А | Одинокий | 30 | 1 | Выпрямительные диоды | 1,1 В | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | КРЕМНИЙ | 40А | 1,8 мкс | Стандартный | 50В | 1А | 1А | 12пФ @ 4В 1МГц | 1 мкА при 50 В | 1,1 В при 1 А | -55°К~150°К | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СС1Ф4-М3/Ч | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | 0,23 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 175°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-ss1f4m3h-datasheets-0192.pdf | ДО-219АБ | 2,9 мм | 1,08 мм | 1,9 мм | 2 | 13 недель | 2 | EAR99 | СВОБОДНЫЙ ДИОД, НИЗКИЕ ПОТЕРИ МОЩНОСТИ | е3 | Матовый олово (Sn) | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | НЕ УКАЗАН | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 1 | 1А | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 150 мкА | 40В | Шоттки | 40В | 1А | 1А | 85пФ @ 4В 1МГц | 150 мкА при 40 В | 520 мВ при 1 А | 175°С Макс. |
