| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Количество контактов | Код Pbfree | Импеданс | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Текущий | Достичь соответствия кода | Код HTS | Толерантность | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Полярность | Напряжение | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Количество контактов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Прямое напряжение | Максимальный обратный ток утечки | Стабильное напряжение | Рабочее напряжение | Конфигурация | Соединение корпуса | Тестовый ток | Напряжение проба | Мощность - Макс. | Материал диодного элемента | Пиковая мощность оборотов без повторений Dis-Max | Напряжение проба-мин. | Защита от ЭСР | Пиковый обратный ток | Опорное напряжение | Напряжение Тол-Макс | Рабочий тестовый ток | Тип диода | Допуск по напряжению | Ток Зенера | Импеданс-Макс | Ток – обратная утечка @ Vr | Напряжение – вперед (Vf) (Макс) @ If | Напряжение - Стабилитрон (Ном) (Вз) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| SML4729AHE3/5A | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-sml4764ae361-datasheets-9824.pdf | ДО-214АС, СМА | 2 | да | 10Ом | EAR99 | НИЗКИЙ ИМПЕДАНС | неизвестный | 8541.10.00.50 | ±5% | е3 | Матовый олово (Sn) | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | 1 Вт | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | 10 | 1 | Диоды опорного напряжения | Р-ПДСО-С2 | 3,6 В | ОДИНОКИЙ | КРЕМНИЙ | 3,6 В | 5% | 69 мА | стабилитрон | 10Ом | 100 мкА при 1 В | 3,6 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BZG05C9V1TR | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -65°К~150°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-bzg05c9v1he3tr-datasheets-1674.pdf | ДО-214АС, СМА | 2 | 2 | 5Ом | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Олово | Нет | 8541.10.00.50 | е3 | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | 1,25 Вт | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | 2 | Одинокий | 1,25 Вт | 1 | 1 мкА | 9,1 В | 25 мА | 9,1 В | КРЕМНИЙ | 9,1 В | 6,08% | стабилитрон | 6% | 200 мА | 200Ом | 1 мкА при 6,8 В | 1,2 В при 200 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| BZG05C20TR | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -65°К~150°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductor-bzg05c20tr-datasheets-5277.pdf | ДО-214АС, СМА | 2 | 2 | 600Ом | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Нет | 8541.10.00.50 | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | 1,25 Вт | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | 2 | Одинокий | 1,25 Вт | 1 | 500нА | 20 В | 10 мА | 20 В | КРЕМНИЙ | 20 В | 6% | стабилитрон | 6% | 600Ом | 500 нА при 15 В | 1,2 В при 200 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| BZG05C8V2TR | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -65°К~150°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-bzg05c9v1he3tr-datasheets-1674.pdf | ДО-214АС, СМА | 4,5 мм | 2,2 мм | 2,8 мм | 2 | 2 | 5Ом | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Олово | Нет | 8541.10.00.50 | е3 | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | 1,25 Вт | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | 2 | Одинокий | 1,25 Вт | 1 | 1 мкА | 8,2 В | 25 мА | 8,2 В | КРЕМНИЙ | 8,2 В | 6,1% | стабилитрон | 6% | 200Ом | 1 мкА при 6,2 В | 1,2 В при 200 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||
| BZG05C39TR | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -65°К~150°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-bzg05c9v1he3tr-datasheets-1674.pdf | ДО-214АС, СМА | 2 | 2 | 50Ом | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Олово | 8541.10.00.50 | е3 | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | 1,25 Вт | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | 2 | Одинокий | 1,25 Вт | 1 | 500нА | 39В | 6мА | КРЕМНИЙ | Нет | 39В | 5,13% | стабилитрон | 5% | 1 кОм | 500 нА при 30 В | 1,2 В при 200 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BZG05C18TR | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -65°К~150°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | 1999 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-bzg05c9v1he3tr-datasheets-1674.pdf | ДО-214АС, СМА | Без свинца | 2 | 2 | 20Ом | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Олово | Нет | 8541.10.00.50 | е3 | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | 1,25 Вт | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | 2 | Одинокий | 1,25 Вт | 1 | 500нА | 18В | 15 мА | 18В | КРЕМНИЙ | 18В | 6,41% | стабилитрон | 6% | 500Ом | 500 нА при 13 В | 1,2 В при 200 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| BZW03C36-ТР | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°К~175°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЛАВИНА | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-bzw03c16tap-datasheets-9546.pdf | СОД-64, Осевой | 2 | 10 недель | 2 | да | 11Ом | EAR99 | Серебро, Олово | 8541.10.00.50 | ±5% | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | 1,85 Вт | ПРОВОЛОКА | 2 | Одинокий | 6 Вт | 1 | 2мкА | 36В | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | 30 мА | КРЕМНИЙ | 1000 Вт | 50,1 В | Нет | ДИОД ПОДАВЛЕНИЯ ТРАНС-НАПРЯЖЕНИЯ | 6% | 11Ом | 2 мкА при 27 В | 1,2 В при 1 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BZW03D33-TAP | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°К~175°К | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | 175°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-bzw03c16tap-datasheets-9546.pdf | СОД-64, Осевой | 10 недель | 10Ом | Серебро, Олово | ±10% | 1,85 Вт | Одинокий | 6 Вт | СОД-64 | 40 мкА | 33В | 40 мА | 1,85 Вт | Нет | 10% | 10 Ом | 2 мкА при 23,5 В | 1,2 В при 1 А | 33В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BZG05C33TR | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -65°К~150°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | 1999 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-bzg05c9v1he3tr-datasheets-1674.pdf | ДО-214АС, СМА | Без свинца | 2 | 2 | 35Ом | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Олово | Нет | 8541.10.00.50 | е3 | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | 1,25 Вт | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | 2 | Одинокий | 1,25 Вт | 1 | 500нА | 33В | 8мА | 33В | КРЕМНИЙ | 33В | 6,06% | стабилитрон | 6% | 1 кОм | 500 нА при 24 В | 1,2 В при 200 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| BZG05C13TR | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -65°К~150°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-bzg05c9v1he3tr-datasheets-1674.pdf | ДО-214АС, СМА | Без свинца | 2 | 2 | 10Ом | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Олово | Нет | 8541.10.00.50 | е3 | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | 1,25 Вт | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | 2 | Одинокий | 1,25 Вт | 1 | 1,2 В | 500нА | 13В | 13В | 20 мА | 13В | КРЕМНИЙ | 500нА | 13В | стабилитрон | 6% | 400Ом | 500 нА при 10 В | 1,2 В при 200 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||
| BZG05C62TR | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -65°К~150°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-bzg05c9v1he3tr-datasheets-1674.pdf | ДО-214АС, СМА | 2 | 2 | 2кОм | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Нет | 8541.10.00.50 | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | 1,25 Вт | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | 2 | Одинокий | 1,25 Вт | 1 | 500нА | 62В | 4мА | КРЕМНИЙ | 62В | 6,45% | стабилитрон | 6% | 2кОм | 500 нА при 47 В | 1,2 В при 200 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BZG05C27TR | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -65°К~150°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | 1999 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-bzg05c9v1he3tr-datasheets-1674.pdf | ДО-214АС, СМА | 4,5 мм | 2,3 мм | 2,8 мм | 2 | 2 | 30Ом | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Нет | 8541.10.00.50 | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | 1,25 Вт | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | 2 | Одинокий | 1,25 Вт | 1 | 500нА | 27В | 8мА | 27В | КРЕМНИЙ | 27В | 7,04% | стабилитрон | 5% | 750Ом | 500 нА при 20 В | 1,2 В при 200 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||
| BZG05C36TR | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -65°К~150°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | 2014 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-bzg05c9v1he3tr-datasheets-1674.pdf | ДО-214АС, СМА | 4,5 мм | 2,3 мм | 2,8 мм | 2 | 3 | 40Ом | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Нет | 8541.10.00.50 | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | 1,25 Вт | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | 2 | Одинокий | 1,25 Вт | 1 | Р-ПДСО-С2 | 500нА | 36В | 8мА | 36В | КРЕМНИЙ | 36В | 5,56% | стабилитрон | 6% | 1 кОм | 500 нА при 27 В | 1,2 В при 200 мА | |||||||||||||||||||||||||||||
| BZW03C8V2-TR | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°К~175°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЛАВИНА | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-bzw03c16tap-datasheets-9546.pdf | СОД-64, Осевой | 2 | да | 1,5 Ом | EAR99 | Серебро, Олово | 8541.10.00.50 | ±5% | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | 1,85 Вт | ПРОВОЛОКА | 2 | Одинокий | 6 Вт | 1 | О-LALF-W2 | 1,2 мА | 8,2 В | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | 150 мА | КРЕМНИЙ | 1000 Вт | 12,3 В | Нет | ДИОД ПОДАВЛЕНИЯ ТРАНС-НАПРЯЖЕНИЯ | 6% | 1,5 Ом | 1,2 мА при 6,2 В | 1,2 В при 1 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BZG03C100TR | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -65°К~150°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-bzg03c22tr-datasheets-9423.pdf | ДО-214АС, СМА | 4,5 мм | 2,2 мм | 2,8 мм | 2 | 20 недель | Неизвестный | 2 | 200Ом | EAR99 | Олово | 8541.10.00.50 | е3 | 3 Вт | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | 2 | Одинокий | 3 Вт | 1 мкА | 100 В | 5мА | 106В | 1,25 Вт | КРЕМНИЙ | Нет | стабилитрон | 6% | 200Ом | 1 мкА при 75 В | 1,2 В при 500 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| BZG05C22TR | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -65°К~150°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | 1999 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-bzg05c9v1he3tr-datasheets-1674.pdf | ДО-214АС, СМА | 2 | 2 | 600Ом | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Нет | 8541.10.00.50 | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | 1,25 Вт | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | 2 | Одинокий | 1,25 Вт | 1 | 500нА | 22В | 22В | КРЕМНИЙ | 22В | 5,67% | 10 мА | стабилитрон | 6% | 600Ом | 500 нА при 16 В | 1,2 В при 200 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| BZW03D8V2-TR | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°К~175°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЛАВИНА | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-bzw03c16tap-datasheets-9546.pdf | СОД-64, Осевой | 2 | 10 недель | да | 1,5 Ом | EAR99 | Серебро, Олово | 8541.10.00.50 | ±10% | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | 1,85 Вт | ПРОВОЛОКА | 2 | Одинокий | 6 Вт | 1 | О-LALF-W2 | 150 мкА | 8,2 В | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | 150 мА | КРЕМНИЙ | 1000 Вт | 12,6 В | Нет | ДИОД ПОДАВЛЕНИЯ ТРАНС-НАПРЯЖЕНИЯ | 10% | 1,5 Ом | 1,2 мА при 5,8 В | 1,2 В при 1 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BZG05C51TR | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -65°К~150°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | 1999 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-bzg05c9v1he3tr-datasheets-1674.pdf | ДО-214АС, СМА | 2 | 2 | 115Ом | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Олово | 8541.10.00.50 | е3 | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | 1,25 Вт | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | 2 | Одинокий | 1,25 Вт | 1 | 500нА | 51В | 4мА | КРЕМНИЙ | Нет | 51В | 5,88% | стабилитрон | 6% | 1,5 кОм | 500 нА при 39 В | 1,2 В при 200 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BZW03D9V1-TR | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°К~175°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЛАВИНА | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-bzw03c16tap-datasheets-9546.pdf | СОД-64, Осевой | 2 | 10 недель | да | 2Ом | EAR99 | Серебро, Олово | 8541.10.00.50 | ±10% | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | 1,85 Вт | ПРОВОЛОКА | 2 | Одинокий | 6 Вт | 1 | О-LALF-W2 | 150 мкА | 9,1 В | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | 150 мА | КРЕМНИЙ | 1000 Вт | 13,6 В | Нет | ДИОД ПОДАВЛЕНИЯ ТРАНС-НАПРЯЖЕНИЯ | 10% | 2Ом | 40 мкА при 6,5 В | 1,2 В при 1 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BZG05C56TR | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -65°К~150°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-bzg05c9v1he3tr-datasheets-1674.pdf | ДО-214АС, СМА | 2 | 2кОм | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Нет | 8541.10.00.50 | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | 1,25 Вт | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | 2 | Одинокий | 1,25 Вт | 1 | Р-ПДСО-С2 | 500нА | 56В | КРЕМНИЙ | 56В | 7,14% | 4мА | стабилитрон | 5% | 2кОм | 500 нА при 43 В | 1,2 В при 200 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BZG03C43TR | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | -65°К~150°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-bzg03c22tr-datasheets-9423.pdf | ДО-214АС, СМА | ДО-214АС | 1,25 Вт | 45 Ом | 1 мкА при 33 В | 1,2 В при 500 мА | 43В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BZG03C62TR | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -65°К~150°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-bzg03c22tr-datasheets-9423.pdf | ДО-214АС, СМА | 2 | 2 | 80Ом | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Олово | 8541.10.00.50 | е3 | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | 1,25 Вт | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | 2 | Одинокий | 3 Вт | 1 | 1 мкА | 62В | 10 мА | 66В | КРЕМНИЙ | Нет | 62В | 6,45% | стабилитрон | 6% | 80Ом | 1 мкА при 47 В | 1,2 В при 500 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| BZW03C7V5-TR | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°К~175°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЛАВИНА | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-bzw03c16tap-datasheets-9546.pdf | СОД-64, Осевой | 2 | 10 недель | 2 | да | 1,5 Ом | EAR99 | Серебро, Олово | 8541.10.00.50 | ±5% | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | 1,85 Вт | ПРОВОЛОКА | 2 | Одинокий | 6 Вт | 1 | 1,5 мА | 7,5 В | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | 175 мА | КРЕМНИЙ | 1000 Вт | 11,3 В | Нет | ДИОД ПОДАВЛЕНИЯ ТРАНС-НАПРЯЖЕНИЯ | 6% | 1,5 Ом | 1,5 мА при 5,6 В | 1,2 В при 1 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BZG03C39TR | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -65°К~150°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-bzg03c22tr-datasheets-9423.pdf | ДО-214АС, СМА | 4,5 мм | 2,2 мм | 2,8 мм | 2 | 2 | 40Ом | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Олово | 8541.10.00.50 | е3 | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | 1,25 Вт | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | 2 | Одинокий | 3 Вт | 1 | 1 мкА | 39В | 10 мА | 41В | КРЕМНИЙ | Нет | 39В | 5,13% | стабилитрон | 5% | 40Ом | 1 мкА при 30 В | 1,2 В при 500 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||
| BZW03C9V1-TR | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°К~175°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЛАВИНА | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-bzw03c16tap-datasheets-9546.pdf | СОД-64, Осевой | 2 | 10 недель | да | 2Ом | EAR99 | Серебро, Олово | 8541.10.00.50 | ±5% | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | 1,85 Вт | ПРОВОЛОКА | 2 | Одинокий | 6 Вт | 1 | О-LALF-W2 | 40 мкА | 9,1 В | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | 150 мА | КРЕМНИЙ | 1000 Вт | 13,3 В | Нет | ДИОД ПОДАВЛЕНИЯ ТРАНС-НАПРЯЖЕНИЯ | 6% | 2Ом | 40 мкА при 6,8 В | 1,2 В при 1 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BZG03C110TR | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -65°К~150°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-bzg03c22tr-datasheets-9423.pdf | ДО-214АС, СМА | 4,5 мм | 2,3 мм | 2,8 мм | 2 | Неизвестный | 2 | 250Ом | EAR99 | Олово | 8541.10.00.50 | е3 | 1,25 Вт | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | 2 | Одинокий | 3 Вт | 1 мкА | 110 В | 5мА | 116В | КРЕМНИЙ | Нет | стабилитрон | 5% | 250Ом | 1 мкА при 82 В | 1,2 В при 500 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BZG05C15TR | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -65°К~150°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-bzg05c9v1he3tr-datasheets-1674.pdf | ДО-214АС, СМА | 2 | 2 | 15Ом | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Олово | Нет | 8541.10.00.50 | е3 | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | 1,25 Вт | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | 2 | Одинокий | 1,25 Вт | 1 | 500нА | 15 В | 15 мА | 15 В | КРЕМНИЙ | 15 В | стабилитрон | 6% | 500Ом | 500 нА при 11 В | 1,2 В при 200 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BZG05C12TR | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -65°К~150°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | 1999 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-bzg05c9v1he3tr-datasheets-1674.pdf | ДО-214АС, СМА | Без свинца | 2 | 2 | 9Ом | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Олово | Нет | 8541.10.00.50 | е3 | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | 1,25 Вт | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | 2 | Одинокий | 1,25 Вт | 1 | 1,2 В | 500нА | 12 В | 12 В | 20 мА | 12 В | КРЕМНИЙ | 500нА | 12 В | 5,39% | стабилитрон | 5% | 350Ом | 500 нА при 9,1 В | 1,2 В при 200 мА | |||||||||||||||||||||||||||||
| BZG03C130TR | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -65°К~150°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-bzg03c22tr-datasheets-9423.pdf | ДО-214АС, СМА | 4,5 мм | 2,2 мм | 2,8 мм | Без свинца | 2 | 20 недель | Неизвестный | 2 | 300Ом | EAR99 | Олово | 5А | 8541.10.00.50 | е3 | 130 В | 3 Вт | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | 2 | Одинокий | 3 Вт | 1 мкА | 130 В | 5мА | 124 В | 1,25 Вт | КРЕМНИЙ | Нет | стабилитрон | 6% | 300Ом | 1 мкА при 100 В | 1,2 В при 500 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||
| 1N5257TA | Диодные решения SMC | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 200°С | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2013 год | ДО-204АХ, ДО-35, осевой | 6 недель | 500мВт | 58Ом | 100 нА при 25 В | 1,1 В при 200 мА | 33В |
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.