Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактОдиночные стабилитроны(43788)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Технология | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Количество контактов | Код Pbfree | Импеданс | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Код HTS | Толерантность | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Полярность | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Количество контактов | Конфигурация элемента | Рассеяние активности | Количество элементов | Статус квалификации | Код JESD-30 | Максимальный обратный ток утечки | Стабильное напряжение | Соединение корпуса | Тестовый ток | Материал диодного элемента | Пиковая мощность оборотов без повторений Dis-Max | Напряжение проба-мин. | Защита от ЭСР | Опорное напряжение | Напряжение Тол-Макс | Рабочий тестовый ток | Тип диода | Допуск по напряжению | Импеданс-Макс | Ток – обратная утечка @ Vr | Напряжение – вперед (Vf) (Макс) @ If | Напряжение - Стабилитрон (Ном) (Вз) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| BZW03D33-ТР | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°К~175°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЛАВИНА | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-bzw03c16tap-datasheets-9546.pdf | СОД-64, Осевой | 2 | 10 недель | да | 10Ом | EAR99 | Серебро, Олово | 8541.10.00.50 | ±10% | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | 1,85 Вт | ПРОВОЛОКА | 2 | Одинокий | 6 Вт | 1 | О-LALF-W2 | 40 мкА | 33В | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | 40 мА | КРЕМНИЙ | 1000 Вт | 47В | Нет | ДИОД ПОДАВЛЕНИЯ ТРАНС-НАПРЯЖЕНИЯ | 10% | 10Ом | 2 мкА при 23,5 В | 1,2 В при 1 А | ||||||||||||||||||
| BZW03C82-ТР | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°К~175°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЛАВИНА | Соответствует ROHS3 | 2017 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-bzw03c16tap-datasheets-9546.pdf | СОД-64, Осевой | 2 | 10 недель | 2 | да | 65Ом | EAR99 | Серебро, Олово | 8541.10.00.50 | ±5% | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | 1,85 Вт | ПРОВОЛОКА | 2 | Одинокий | 6 Вт | 1 | 2мкА | 82В | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | 15 мА | КРЕМНИЙ | 1000 Вт | 114В | Нет | ДИОД ПОДАВЛЕНИЯ ТРАНС-НАПРЯЖЕНИЯ | 6% | 65Ом | 2 мкА при 62 В | 1,2 В при 1 А | ||||||||||||||||||
| BZW03D110-ТР | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°К~175°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЛАВИНА | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-bzw03c16tap-datasheets-9546.pdf | СОД-64, Осевой | 2 | 10 недель | да | 125 Ом | EAR99 | Серебро, Олово | 8541.10.00.50 | ±10% | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | 1,85 Вт | ПРОВОЛОКА | 2 | Одинокий | 6 Вт | 1 | О-LALF-W2 | 12 мкА | 110 В | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | 12 мА | КРЕМНИЙ | 1000 Вт | 157В | Нет | ДИОД ПОДАВЛЕНИЯ ТРАНС-НАПРЯЖЕНИЯ | 10% | 125 Ом | 2 мкА при 82 В | 1,2 В при 1 А | ||||||||||||||||||
| BZW03C62-ТР | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°К~175°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЛАВИНА | Соответствует ROHS3 | 2017 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-bzw03c16tap-datasheets-9546.pdf | СОД-64, Осевой | 2 | 10 недель | да | 42Ом | EAR99 | Нет | 8541.10.00.50 | ±5% | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | 1,85 Вт | ПРОВОЛОКА | 2 | Одинокий | 6 Вт | 1 | О-LALF-W2 | 2мкА | 62В | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | КРЕМНИЙ | 1000 Вт | 86,5 В | ДИОД ПОДАВЛЕНИЯ ТРАНС-НАПРЯЖЕНИЯ | 6% | 42Ом | 2 мкА при 47 В | 1,2 В при 1 А | ||||||||||||||||||||
| BZW03C47-TR | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°К~175°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЛАВИНА | Соответствует ROHS3 | 2017 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-bzw03c16tap-datasheets-9546.pdf | СОД-64, Осевой | 2 | 10 недель | да | 25Ом | EAR99 | Серебро, Олово | 8541.10.00.50 | ±5% | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | 1,85 Вт | ПРОВОЛОКА | 2 | Одинокий | 6 Вт | 1 | О-LALF-W2 | 2мкА | 47В | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | 25 мА | КРЕМНИЙ | 1000 Вт | 65,5 В | Нет | ДИОД ПОДАВЛЕНИЯ ТРАНС-НАПРЯЖЕНИЯ | 6% | 25Ом | 2 мкА при 36 В | 1,2 В при 1 А | ||||||||||||||||||
| BZG05C82TR3 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -65°К~150°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-bzg05c9v1he3tr-datasheets-1674.pdf | ДО-214АС, СМА | 2 | 2 | 3кОм | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Нет | 8541.10.00.50 | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | 1,25 Вт | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | 2 | Одинокий | 1,25 Вт | 1 | 500нА | 82В | 2,7 мА | КРЕМНИЙ | 82В | 6,1% | стабилитрон | 6% | 3кОм | 500 нА при 62 В | 1,2 В при 200 мА | |||||||||||||||||
| BZW03C13-ТР | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°К~175°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЛАВИНА | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-bzw03c16tap-datasheets-9546.pdf | СОД-64, Осевой | 2 | 10 недель | да | 2,5 Ом | EAR99 | Нет | 8541.10.00.50 | ±5% | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | 1,85 Вт | ПРОВОЛОКА | 2 | Одинокий | 6 Вт | 1 | О-LALF-W2 | 4мкА | 14 В | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | КРЕМНИЙ | 1000 Вт | 18,9 В | ДИОД ПОДАВЛЕНИЯ ТРАНС-НАПРЯЖЕНИЯ | 6% | 2,5 Ом | 4 мкА при 10 В | 1,2 В при 1 А | 13В | |||||||||||||||||||
| BZW03C240-ТР | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°К~175°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЛАВИНА | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-bzw03c16tap-datasheets-9546.pdf | СОД-64, Осевой | 2 | 10 недель | да | 900Ом | EAR99 | Серебро, Олово | 8541.10.00.50 | ±5% | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | 1,85 Вт | ПРОВОЛОКА | 2 | Одинокий | 6 Вт | 1 | О-LALF-W2 | 2мкА | 240В | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | 5мА | КРЕМНИЙ | 1000 Вт | 336В | Нет | ДИОД ПОДАВЛЕНИЯ ТРАНС-НАПРЯЖЕНИЯ | 6% | 900Ом | 2 мкА при 180 В | 1,2 В при 1 А | ||||||||||||||||||
| BZW03C22-ТР | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°К~175°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЛАВИНА | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-bzw03c16tap-datasheets-9546.pdf | СОД-64, Осевой | 2 | 2 | да | 3,5 Ом | EAR99 | неизвестный | 8541.10.00.50 | ±5% | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | 1,85 Вт | ПРОВОЛОКА | 2 | Одинокий | 6 Вт | 1 | Не квалифицирован | 2мкА | 22В | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | 50 мА | КРЕМНИЙ | 1000 Вт | 31В | ДИОД ПОДАВЛЕНИЯ ТРАНС-НАПРЯЖЕНИЯ | 6% | 3,5 Ом | 2 мкА при 16 В | 1,2 В при 1 А | |||||||||||||||||||
| BZG05C9V1TR3 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | 0,69 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -65°К~150°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-bzg05c9v1he3tr-datasheets-1674.pdf | ДО-214АС, СМА | 2 | Неизвестный | 2 | 200Ом | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Нет | 8541.10.00.50 | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | 1,25 Вт | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | 2 | Одинокий | 1,25 Вт | 1 | 1 мкА | 9,1 В | 25 мА | КРЕМНИЙ | 9,1 В | 6,08% | стабилитрон | 6% | 200Ом | 1 мкА при 6,8 В | 1,2 В при 200 мА | |||||||||||||||
| BZG05C62TR3 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -65°К~150°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-bzg05c9v1he3tr-datasheets-1674.pdf | ДО-214АС, СМА | 2 | 2 | 2кОм | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Нет | 8541.10.00.50 | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | 1,25 Вт | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | 2 | Одинокий | 1,25 Вт | 1 | 500нА | 62В | 4мА | КРЕМНИЙ | 62В | 6,45% | стабилитрон | 6% | 2кОм | 500 нА при 47 В | 1,2 В при 200 мА | |||||||||||||||||
| BZW03C200-ТР | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°К~175°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЛАВИНА | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-bzw03c16tap-datasheets-9546.pdf | СОД-64, Осевой | 2 | 10 недель | 2 | да | 500Ом | EAR99 | Серебро, Олово | 8541.10.00.50 | ±5% | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | 1,85 Вт | ПРОВОЛОКА | 2 | Одинокий | 6 Вт | 1 | 2мкА | 200В | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | 5мА | КРЕМНИЙ | 1000 Вт | Нет | ДИОД ПОДАВЛЕНИЯ ТРАНС-НАПРЯЖЕНИЯ | 6% | 500Ом | 2 мкА при 150 В | 1,2 В при 1 А | |||||||||||||||||||
| BZW03C150-ТР | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°К~175°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЛАВИНА | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-bzw03c16tap-datasheets-9546.pdf | СОД-64, Осевой | 2 | 10 недель | да | 330Ом | EAR99 | Серебро, Олово | 8541.10.00.50 | ±5% | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | 1,85 Вт | ПРОВОЛОКА | 2 | Одинокий | 6 Вт | 1 | О-LALF-W2 | 2мкА | 150 В | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | 8мА | КРЕМНИЙ | 1000 Вт | 204В | Нет | ДИОД ПОДАВЛЕНИЯ ТРАНС-НАПРЯЖЕНИЯ | 6% | 330Ом | 2 мкА при 110 В | 1,2 В при 1 А | ||||||||||||||||||
| BZW03C220-TR | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°К~175°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЛАВИНА | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-bzw03c16tap-datasheets-9546.pdf | СОД-64, Осевой | 2 | 10 недель | 2 | да | 700Ом | EAR99 | Серебро, Олово | 8541.10.00.50 | ±5% | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | 1,85 Вт | ПРОВОЛОКА | 2 | Одинокий | 6 Вт | 1 | 2мкА | 220В | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | 5мА | КРЕМНИЙ | 1000 Вт | 305В | Нет | ДИОД ПОДАВЛЕНИЯ ТРАНС-НАПРЯЖЕНИЯ | 6% | 700Ом | 2 мкА при 160 В | 1,2 В при 1 А | ||||||||||||||||||
| BZW03C27-TR | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°К~175°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЛАВИНА | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-bzw03c16tap-datasheets-9546.pdf | СОД-64, Осевой | 2 | 10 недель | 2 | да | 5Ом | EAR99 | Серебро, Олово | 8541.10.00.50 | ±5% | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | 1,85 Вт | ПРОВОЛОКА | 2 | Одинокий | 6 Вт | 1 | 2мкА | 27В | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | 50 мА | КРЕМНИЙ | 1000 Вт | 38,1 В | Нет | ДИОД ПОДАВЛЕНИЯ ТРАНС-НАПРЯЖЕНИЯ | 5% | 5Ом | 2 мкА при 20 В | 1,2 В при 1 А | ||||||||||||||||||
| BZW03C75-ТР | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°К~175°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЛАВИНА | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-bzw03c16tap-datasheets-9546.pdf | СОД-64, Осевой | 2 | 10 недель | да | 45Ом | EAR99 | Серебро, Олово | 8541.10.00.50 | ±5% | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | 1,85 Вт | ПРОВОЛОКА | 2 | Одинокий | 6 Вт | 1 | О-LALF-W2 | 2мкА | 75В | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | 20 мА | КРЕМНИЙ | 1000 Вт | 103,5 В | Нет | ДИОД ПОДАВЛЕНИЯ ТРАНС-НАПРЯЖЕНИЯ | 6% | 45Ом | 2 мкА при 56 В | 1,2 В при 1 А | ||||||||||||||||||
| BZW03C43-TR | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°К~175°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЛАВИНА | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-bzw03c16tap-datasheets-9546.pdf | СОД-64, Осевой | 2 | 2 | да | 20Ом | EAR99 | Серебро, Олово | 8541.10.00.50 | ±5% | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | 1,85 Вт | ПРОВОЛОКА | 2 | Одинокий | 6 Вт | 1 | 2мкА | 43В | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | 30 мА | КРЕМНИЙ | 1000 Вт | 60,7 В | Нет | ДИОД ПОДАВЛЕНИЯ ТРАНС-НАПРЯЖЕНИЯ | 5% | 20Ом | 2 мкА при 33 В | 1,2 В при 1 А | ||||||||||||||||||||
| BZW03C33-ТР | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°К~175°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЛАВИНА | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-bzw03c16tap-datasheets-9546.pdf | СОД-64, Осевой | 2 | 10 недель | да | 10Ом | EAR99 | неизвестный | 8541.10.00.50 | ±5% | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | 1,85 Вт | ПРОВОЛОКА | 2 | Одинокий | 6 Вт | 1 | Не квалифицирован | О-LALF-W2 | 2мкА | 33В | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | КРЕМНИЙ | 1000 Вт | 46,2 В | ДИОД ПОДАВЛЕНИЯ ТРАНС-НАПРЯЖЕНИЯ | 6% | 10Ом | 2 мкА при 24 В | 1,2 В при 1 А | |||||||||||||||||||
| BZW03C110-ТР | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°К~175°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЛАВИНА | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-bzw03c16tap-datasheets-9546.pdf | СОД-64, Осевой | 2 | 10 недель | да | 125 Ом | EAR99 | Серебро, Олово | 8541.10.00.50 | ±5% | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | 1,85 Вт | ПРОВОЛОКА | 2 | Одинокий | 6 Вт | 1 | О-LALF-W2 | 2мкА | 110 В | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | 12 мА | КРЕМНИЙ | 1000 Вт | 152В | Нет | ДИОД ПОДАВЛЕНИЯ ТРАНС-НАПРЯЖЕНИЯ | 5% | 125 Ом | 2 мкА при 82 В | 1,2 В при 1 А | ||||||||||||||||||
| BZG03C62TR3 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -65°К~150°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-bzg03c22tr-datasheets-9423.pdf | ДО-214АС, СМА | 2 | 20 недель | 2 | 80Ом | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Олово | 8541.10.00.50 | е3 | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | 1,25 Вт | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | 2 | Одинокий | 3 Вт | 1 | 1 мкА | 62В | 10 мА | КРЕМНИЙ | Нет | 62В | 6,45% | стабилитрон | 6% | 80Ом | 1 мкА при 47 В | 1,2 В при 500 мА | ||||||||||||||||
| BZG05C68TR3 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -65°К~150°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-bzg05c9v1he3tr-datasheets-1674.pdf | ДО-214АС, СМА | 2 | 2кОм | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Нет | 8541.10.00.50 | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | 1,25 Вт | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | 2 | Одинокий | 1,25 Вт | 1 | Р-ПДСО-С2 | 500нА | 68В | КРЕМНИЙ | 68В | 5,88% | 4мА | стабилитрон | 6% | 2кОм | 500 нА при 51 В | 1,2 В при 200 мА | |||||||||||||||||
| BZW03C18-ТР | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°К~175°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЛАВИНА | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-bzw03c16tap-datasheets-9546.pdf | СОД-64, Осевой | 2 | 10 недель | 2 | да | 2,5 Ом | EAR99 | Серебро, Олово | 8541.10.00.50 | ±5% | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | 1,85 Вт | ПРОВОЛОКА | 2 | Одинокий | 6 Вт | 1 | 2мкА | 18В | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | 65 мА | КРЕМНИЙ | 1000 Вт | Нет | ДИОД ПОДАВЛЕНИЯ ТРАНС-НАПРЯЖЕНИЯ | 6% | 2,5 Ом | 2 мкА при 13 В | 1,2 В при 1 А | |||||||||||||||||||
| BZW03C24-TR | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°К~175°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЛАВИНА | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-bzw03c16tap-datasheets-9546.pdf | СОД-64, Осевой | 2 | 10 недель | 2 | да | 3,5 Ом | EAR99 | Серебро, Олово | 8541.10.00.50 | ±5% | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | 1,85 Вт | ПРОВОЛОКА | 2 | Одинокий | 6 Вт | 1 | 2мкА | 24В | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | 50 мА | КРЕМНИЙ | 1000 Вт | 33,8 В | Нет | ДИОД ПОДАВЛЕНИЯ ТРАНС-НАПРЯЖЕНИЯ | 6% | 3,5 Ом | 2 мкА при 18 В | 1,2 В при 1 А | ||||||||||||||||||
| BZW03C11-ТР | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°К~175°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЛАВИНА | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-bzw03c16tap-datasheets-9546.pdf | СОД-64, Осевой | 2 | 10 недель | да | 2,5 Ом | EAR99 | Серебро, Олово | 8541.10.00.50 | ±5% | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | 1,85 Вт | ПРОВОЛОКА | 2 | Одинокий | 6 Вт | 1 | О-LALF-W2 | 15 мкА | 11В | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | 125 мА | КРЕМНИЙ | 1000 Вт | 15,7 В | Нет | ДИОД ПОДАВЛЕНИЯ ТРАНС-НАПРЯЖЕНИЯ | 5% | 2,5 Ом | 15 мкА при 8,2 В | 1,2 В при 1 А | ||||||||||||||||||
| BZG05C47TR3 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -65°К~150°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-bzg05c9v1he3tr-datasheets-1674.pdf | ДО-214АС, СМА | 2 | 1,5 кОм | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Нет | 8541.10.00.50 | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | 1,25 Вт | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | 2 | Одинокий | 1,25 Вт | 1 | Р-ПДСО-С2 | 500нА | 47В | КРЕМНИЙ | 47В | 6,38% | 4мА | стабилитрон | 6% | 1,5 кОм | 500 нА при 36 В | 1,2 В при 200 мА | |||||||||||||||||
| BZG05C75TR3 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -65°К~150°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-bzg05c9v1he3tr-datasheets-1674.pdf | ДО-214АС, СМА | 2 | 2кОм | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Нет | 8541.10.00.50 | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | 1,25 Вт | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | 2 | Одинокий | 1 | Р-ПДСО-С2 | 500нА | 75В | КРЕМНИЙ | 75В | 6,04% | 4мА | стабилитрон | 6% | 2кОм | 500 нА при 56 В | 1,2 В при 200 мА | ||||||||||||||||||
| BZW03C30-TR | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°К~175°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЛАВИНА | Соответствует ROHS3 | 2017 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-bzw03c16tap-datasheets-9546.pdf | СОД-64, Осевой | 2 | 10 недель | да | 8Ом | EAR99 | неизвестный | 8541.10.00.50 | ±5% | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | 1,85 Вт | ПРОВОЛОКА | 2 | Одинокий | 6 Вт | 1 | Не квалифицирован | О-LALF-W2 | 2мкА | 30В | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | КРЕМНИЙ | 1000 Вт | 42,2 В | ДИОД ПОДАВЛЕНИЯ ТРАНС-НАПРЯЖЕНИЯ | 5% | 8Ом | 2 мкА при 22 В | 1,2 В при 1 А | |||||||||||||||||||
| BZW03C39-ТР | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°К~175°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЛАВИНА | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-bzw03c16tap-datasheets-9546.pdf | СОД-64, Осевой | 2 | 10 недель | 2 | да | 14Ом | EAR99 | Серебро, Олово | 8541.10.00.50 | ±5% | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | 1,85 Вт | ПРОВОЛОКА | 2 | Одинокий | 6 Вт | 1 | 2мкА | 39В | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | 30 мА | КРЕМНИЙ | 1000 Вт | 54,1 В | Нет | ДИОД ПОДАВЛЕНИЯ ТРАНС-НАПРЯЖЕНИЯ | 5% | 14Ом | 2 мкА при 30 В | 1,2 В при 1 А | ||||||||||||||||||
| BZW03C20-TR | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°К~175°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЛАВИНА | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-bzw03c16tap-datasheets-9546.pdf | СОД-64, Осевой | 2 | 10 недель | да | 3Ом | EAR99 | Серебро, Олово | 8541.10.00.50 | ±5% | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | 1,85 Вт | ПРОВОЛОКА | 2 | Одинокий | 6 Вт | 1 | О-LALF-W2 | 2мкА | 20 В | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | 65 мА | КРЕМНИЙ | 1000 Вт | 28,4 В | Нет | ДИОД ПОДАВЛЕНИЯ ТРАНС-НАПРЯЖЕНИЯ | 6% | 3Ом | 2 мкА при 15 В | 1,2 В при 1 А | ||||||||||||||||||
| BZG05C100TR3 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -65°К~150°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-bzg05c9v1he3tr-datasheets-1674.pdf | ДО-214АС, СМА | 2 | 3кОм | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Нет | 8541.10.00.50 | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | 1,25 Вт | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | 2 | Одинокий | 1,25 Вт | 1 | Р-ПДСО-С2 | 500нА | 100 В | КРЕМНИЙ | 100 В | 5% | 2,7 мА | стабилитрон | 5% | 3кОм | 500 нА при 75 В | 1,2 В при 200 мА |
