| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Количество контактов | Код Pbfree | Импеданс | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Текущий | Код HTS | Толерантность | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Полярность | Напряжение | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Количество контактов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Статус квалификации | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Прямое напряжение | Максимальный обратный ток утечки | Стабильное напряжение | Рабочее напряжение | Конфигурация | Тестовый ток | Мощность - Макс. | Материал диодного элемента | Рассеиваемая мощность-Макс. | Защита от ЭСР | Опорное напряжение | Напряжение Тол-Макс | Тип диода | Допуск по напряжению | Импеданс-Макс. | Ток – обратная утечка @ Vr | Напряжение – вперед (Vf) (Макс) @ If | Напряжение - Стабилитрон (Ном) (Вз) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| BZW03D240-TAP | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°К~175°К | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | 175°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-bzw03c16tap-datasheets-9546.pdf | СОД-64, Осевой | 10 недель | 900Ом | Серебро, Олово | ±10% | 1,85 Вт | Одинокий | 6 Вт | СОД-64 | 5 мкА | 240В | 5мА | 1,85 Вт | Нет | 10% | 900Ом | 2 мкА при 172 В | 1,2 В при 1 А | 240В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BZW03D20-TAP | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°К~175°К | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | 175°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-bzw03c16tap-datasheets-9546.pdf | СОД-64, Осевой | 10 недель | 3Ом | Серебро, Олово | ±10% | 1,85 Вт | Одинокий | 6 Вт | СОД-64 | 65 мкА | 20 В | 65 мА | 1,85 Вт | Нет | 10% | 3Ом | 2 мкА при 14,4 В | 1,2 В при 1 А | 20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BZW03D9V1-TAP | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°К~175°К | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | 175°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-bzw03c16tap-datasheets-9546.pdf | СОД-64, Осевой | 10 недель | 2Ом | Серебро, Олово | ±10% | 1,85 Вт | Одинокий | 6 Вт | СОД-64 | 150 мкА | 9,1 В | 150 мА | 1,85 Вт | Нет | 10% | 2Ом | 40 мкА при 6,5 В | 1,2 В при 1 А | 9,1 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BZG03C13TR3 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-bzg03c22tr-datasheets-9423.pdf | ДО-214АС, СМА | 2 | 20 недель | 5Ом | EAR99 | Олово | 5А | 8541.10.00.50 | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | 13В | 1,25 Вт | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 2 | Одинокий | 3 Вт | 1 | Р-ПДСО-С2 | 2мкА | 13В | 50 мА | КРЕМНИЙ | Нет | 13В | стабилитрон | 6% | 5Ом | 2 мкА при 10 В | 1,2 В при 500 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||
| BZW03D270-TAP | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°К~175°К | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | 175°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-bzw03c16tap-datasheets-9546.pdf | СОД-64, Осевой | 10 недель | 1,2 кОм | Серебро, Олово | ±10% | 1,85 Вт | Одинокий | 6 Вт | СОД-64 | 5 мкА | 270В | 5мА | 1,85 Вт | Нет | 10% | 1,2 кОм | 2 мкА при 194 В | 1,2 В при 1 А | 270В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BZW03D39-TAP | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°К~175°К | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | 175°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-bzw03c16tap-datasheets-9546.pdf | СОД-64, Осевой | 10 недель | 14Ом | Серебро, Олово | Нет | ±10% | 1,85 Вт | Одинокий | 6 Вт | СОД-64 | 30 мкА | 39В | 30 мА | 1,85 Вт | Нет | 10% | 14 Ом | 2 мкА при 28 В | 1,2 В при 1 А | 39В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BZG03C100TR3 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -65°К~150°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-bzg03c22tr-datasheets-9423.pdf | ДО-214АС, СМА | 2 | 20 недель | Неизвестный | 2 | 200Ом | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Олово | 8541.10.00.50 | е3 | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | 3 Вт | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | 2 | Одинокий | 3 Вт | 1 | 1 мкА | 100 В | 5мА | 1,25 Вт | КРЕМНИЙ | Нет | 100 В | 3,09% | стабилитрон | 6% | 200Ом | 1 мкА при 75 В | 1,2 В при 500 мА | |||||||||||||||||||||||||
| BZW03D22-TAP | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°К~175°К | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | 175°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-bzw03c16tap-datasheets-9546.pdf | СОД-64, Осевой | 10 недель | 3,5 Ом | Серебро, Олово | ±10% | 1,85 Вт | Одинокий | 6 Вт | СОД-64 | 50 мкА | 22В | 50 мА | 1,85 Вт | Нет | 8% | 3,5 Ом | 2 мкА при 15,8 В | 1,2 В при 1 А | 22В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BZG03C20TR3 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -65°К~150°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-bzg03c22tr-datasheets-9423.pdf | ДО-214АС, СМА | 2 | Неизвестный | 2 | 15Ом | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Олово | 8541.10.00.50 | е3 | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | 3 Вт | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | 2 | Одинокий | 3 Вт | 1 | 1 мкА | 20 В | 25 мА | 1,25 Вт | КРЕМНИЙ | Нет | 20 В | 6% | стабилитрон | 6% | 15Ом | 1 мкА при 15 В | 1,2 В при 500 мА | ||||||||||||||||||||||||||
| BZW03D75-TAP | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°К~175°К | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | 175°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-bzw03c16tap-datasheets-9546.pdf | СОД-64, Осевой | 10 недель | 45Ом | Серебро, Олово | ±10% | 1,85 Вт | Одинокий | 6 Вт | СОД-64 | 20 мкА | 75В | 20 мА | 1,85 Вт | Нет | 10% | 45 Ом | 2 мкА при 54 В | 1,2 В при 1 А | 75В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BZG03C270TR3 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -65°К~150°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-bzg03c22tr-datasheets-9423.pdf | ДО-214АС, СМА | 4,5 мм | 2,3 мм | 2,8 мм | Без свинца | 2 | 20 недель | Неизвестный | 2 | 1 кОм | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Олово | 8541.10.00.50 | 5% | е3 | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | 3 Вт | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | 2 | Одинокий | 3 Вт | 1 | 1,2 В | 1 мкА | 270В | 270В | 2мА | 1,25 Вт | КРЕМНИЙ | Нет | 270В | 7,04% | стабилитрон | 5% | 1 кОм | 1 мкА при 200 В | 1,2 В при 500 мА | ||||||||||||||||||
| BZW03D130-TAP | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°К~175°К | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | 175°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-bzw03c16tap-datasheets-9546.pdf | СОД-64, Осевой | 10 недель | 190Ом | Серебро, Олово | ±10% | 1,85 Вт | Одинокий | 6 Вт | СОД-64 | 10 мкА | 130 В | 10 мА | 1,85 Вт | Нет | 10% | 190 Ом | 2 мкА при 100 В | 1,2 В при 1 А | 130 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BZG03C11TR3 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | -65°К~150°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-bzg03c22tr-datasheets-9423.pdf | ДО-214АС, СМА | 2 | 20 недель | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | 8541.10.00.50 | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | ДА | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | 2 | НЕ УКАЗАН | 1 | Не квалифицированный | Р-ПДСО-С2 | ОДИНОКИЙ | 1,25 Вт | КРЕМНИЙ | 1,25 Вт | 11В | 5,45% | стабилитрон | 7Ом | 4 мкА при 8,2 В | 1,2 В при 500 мА | 11В | ||||||||||||||||||||||||||||||
| BZW03D62-TAP | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°К~175°К | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | 175°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-bzw03c16tap-datasheets-9546.pdf | СОД-64, Осевой | 10 недель | 42Ом | Серебро, Олово | ±10% | 1,85 Вт | Одинокий | 6 Вт | СОД-64 | 20 мкА | 62В | 20 мА | 1,85 Вт | Нет | 10% | 42 Ом | 2 мкА при 44,5 В | 1,2 В при 1 А | 62В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BZW03D8V2-TAP | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°К~175°К | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | 175°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-bzw03c16tap-datasheets-9546.pdf | СОД-64, Осевой | 10 недель | 1,5 Ом | ±10% | 1,85 Вт | Одинокий | 6 Вт | СОД-64 | 150 мкА | 8,2 В | 1,85 Вт | 10% | 1,5 Ом | 1,2 мА при 5,8 В | 1,2 В при 1 А | 8,2 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BZW03D6V8-TAP | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°К~175°К | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | ЛАВИНА | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-bzw03c16tap-datasheets-9546.pdf | СОД-64, Осевой | 2 | 10 недель | да | 1,5 Ом | EAR99 | Серебро, Олово | 8541.10.00.50 | ±10% | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | 1,85 Вт | ПРОВОЛОКА | Одинокий | 6 Вт | 1 | О-LALF-W2 | 175 мкА | 6,8 В | 175 мА | КРЕМНИЙ | Нет | ДИОД ПОДАВЛЕНИЯ ТРАНС-НАПРЯЖЕНИЯ | 10% | 1,5 Ом | 2 при мА 4,8 В | 1,2 В при 1 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| BZG03C120TR3 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | -65°К~150°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-bzg03c22tr-datasheets-9423.pdf | ДО-214АС, СМА | 2 | 20 недель | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | 8541.10.00.50 | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | ДА | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | 2 | НЕ УКАЗАН | 1 | Не квалифицированный | Р-ПДСО-С2 | ОДИНОКИЙ | 1,25 Вт | КРЕМНИЙ | 1,25 Вт | 120 В | 5,39% | стабилитрон | 250Ом | 1 мкА при 91 В | 1,2 В при 500 мА | 120 В | ||||||||||||||||||||||||||||||
| BZW03D47-TAP | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°К~175°К | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | 175°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-bzw03c16tap-datasheets-9546.pdf | СОД-64, Осевой | 10 недель | 25Ом | Серебро, Олово | ±10% | 1,85 Вт | Одинокий | 6 Вт | СОД-64 | 25 мкА | 47В | 25 мА | 1,85 Вт | Нет | 10% | 25 Ом | 2 мкА при 33,5 В | 1,2 В при 1 А | 47В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BZW03D30-TAP | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°К~175°К | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | 175°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-bzw03c16tap-datasheets-9546.pdf | СОД-64, Осевой | 10 недель | 8Ом | Серебро, Олово | ±10% | 1,85 Вт | Одинокий | 6 Вт | СОД-64 | 40 мкА | 30В | 40 мА | 1,85 Вт | Нет | 10% | 8 Ом | 2 мкА при 21,5 В | 1,2 В при 1 А | 30В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BZW03D56-TAP | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°К~175°К | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | 175°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-bzw03c16tap-datasheets-9546.pdf | СОД-64, Осевой | 10 недель | 35Ом | Серебро, Олово | ±10% | 1,85 Вт | Одинокий | 6 Вт | СОД-64 | 20 мкА | 56В | 20 мА | 1,85 Вт | Нет | 10% | 35 Ом | 2 мкА при 40 В | 1,2 В при 1 А | 56В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BZW03D24-TAP | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°К~175°К | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | 175°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-bzw03c16tap-datasheets-9546.pdf | СОД-64, Осевой | 10 недель | 3,5 Ом | Серебро, Олово | ±10% | 1,85 Вт | Одинокий | 6 Вт | СОД-64 | 50 мкА | 24В | 50 мА | 1,85 Вт | Нет | 10% | 3,5 Ом | 2 мкА при 17,2 В | 1,2 В при 1 А | 24В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BZW03D27-TAP | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°К~175°К | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | 175°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-bzw03c16tap-datasheets-9546.pdf | СОД-64, Осевой | 10 недель | 5Ом | Серебро, Олово | ±10% | 1,85 Вт | Одинокий | 6 Вт | СОД-64 | 50 мкА | 27В | 50 мА | 1,85 Вт | Нет | 10% | 5 Ом | 2 мкА при 19,4 В | 1,2 В при 1 А | 27В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BZW03C270-TAP | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°К~175°К | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | 175°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-bzw03c16tap-datasheets-9546.pdf | СОД-64, Осевой | 10 недель | 2 | 1,2 кОм | Серебро, Олово | ±5% | 1,85 Вт | Одинокий | 6 Вт | СОД-64 | 2мкА | 270В | 5мА | 1,85 Вт | Нет | 5% | 1,2 кОм | 2 мкА при 200 В | 1,2 В при 1 А | 270В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BZW03D200-TAP | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°К~175°К | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | 175°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-bzw03c16tap-datasheets-9546.pdf | СОД-64, Осевой | 10 недель | 500Ом | Нет | ±10% | 1,85 Вт | Одинокий | 6 Вт | СОД-64 | 5 мкА | 200В | 1,85 Вт | 10% | 500 Ом | 2 мкА при 144 В | 1,2 В при 1 А | 200В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BZW03C9V1-TAP | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°К~175°К | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | 175°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-bzw03c16tap-datasheets-9546.pdf | СОД-64, Осевой | 10 недель | 2 | 2Ом | Серебро, Олово | Нет | ±5% | 1,85 Вт | Одинокий | 6 Вт | СОД-64 | 40 мкА | 9,1 В | 150 мА | 1,85 Вт | Нет | 6% | 2Ом | 40 мкА при 6,8 В | 1,2 В при 1 А | 9,1 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BZW03C8V2-TAP | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°К~175°К | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | 175°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-bzw03c16tap-datasheets-9546.pdf | СОД-64, Осевой | 1,5 Ом | Серебро, Олово | ±5% | 1,85 Вт | Одинокий | 6 Вт | СОД-64 | 1,2 мА | 8,2 В | 150 мА | 1,85 Вт | Нет | 6% | 1,5 Ом | 1,2 мА при 6,2 В | 1,2 В при 1 А | 8,2 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BZW03D12-TAP | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°К~175°К | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | 175°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-bzw03c16tap-datasheets-9546.pdf | СОД-64, Осевой | 10 недель | 2,5 Ом | Серебро, Олово | Нет | ±10% | 1,85 Вт | Одинокий | 6 Вт | СОД-64 | 100 мкА | 12 В | 100 мА | 1,85 Вт | Нет | 10% | 2,5 Ом | 10 мкА при 9,1 В | 1,2 В при 1 А | 12 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BZW03C36-TAP | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°К~175°К | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | 175°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-bzw03c16tap-datasheets-9546.pdf | СОД-64, Осевой | 10 недель | 2 | 11Ом | Серебро, Олово | Нет | ±5% | 1,85 Вт | Одинокий | 6 Вт | СОД-64 | 2мкА | 36В | 30 мА | 1,85 Вт | Нет | 6% | 11 Ом | 2 мкА при 27 В | 1,2 В при 1 А | 36В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BZW03C30-TAP | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°К~175°К | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | 175°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-bzw03c16tap-datasheets-9546.pdf | СОД-64, Осевой | 10 недель | 2 | 8Ом | Серебро, Олово | Нет | ±5% | 1,85 Вт | Одинокий | 6 Вт | СОД-64 | 2мкА | 30В | 40 мА | 1,85 Вт | Нет | 5% | 8 Ом | 2 мкА при 22 В | 1,2 В при 1 А | 30В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BZW03D110-TAP | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°К~175°К | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | 175°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-bzw03c16tap-datasheets-9546.pdf | СОД-64, Осевой | 10 недель | 125 Ом | ±10% | 1,85 Вт | Одинокий | 6 Вт | СОД-64 | 12 мкА | 110 В | 1,85 Вт | 10% | 125 Ом | 2 мкА при 82 В | 1,2 В при 1 А | 110 В |
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.