Одиночные стабилитроны - Поиск электронных компонентов - Лучший агент по производству электронных компонентов - ICGNT
Сравнить Изображение Имя Производитель Цена (долл. США) Количество Вес (кг) Размер (ДхШхВ) Статус детали Ряд Установить Тип монтажа Рабочая температура Упаковка Уровень чувствительности к влаге (MSL) Максимальная рабочая температура Минимальная рабочая температура Технология Статус RoHS Опубликовано Техническая спецификация Пакет/ключи Длина Высота Ширина Без свинца Количество окончаний Срок выполнения заказа на заводе ДОСТИГНУТЬ СВХК Количество контактов Код Pbfree Импеданс ECCN-код Дополнительная функция Контактное покрытие Радиационная закалка Текущий Код HTS Толерантность Код JESD-609 Терминальные отделки Полярность Напряжение Поверхностный монтаж Максимальная рассеиваемая мощность Положение терминала Терминальная форма Пиковая температура оплавления (Цел) Количество контактов Конфигурация элемента Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) Рассеяние активности Количество элементов Статус квалификации Код JESD-30 Поставщик пакета оборудования Прямое напряжение Максимальный обратный ток утечки Стабильное напряжение Рабочее напряжение Конфигурация Тестовый ток Мощность - Макс. Материал диодного элемента Рассеиваемая мощность-Макс. Защита от ЭСР Опорное напряжение Напряжение Тол-Макс Тип диода Допуск по напряжению Импеданс-Макс. Ток – обратная утечка @ Vr Напряжение – вперед (Vf) (Макс) @ If Напряжение - Стабилитрон (Ном) (Вз)
BZW03D240-TAP BZW03D240-TAP Подразделение полупроводниковых диодов Vishay
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие Сквозное отверстие -65°К~175°К Лента и коробка (ТБ) 1 (без блокировки) 175°С -65°С Соответствует ROHS3 2016 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-bzw03c16tap-datasheets-9546.pdf СОД-64, Осевой 10 недель 900Ом Серебро, Олово ±10% 1,85 Вт Одинокий 6 Вт СОД-64 5 мкА 240В 5мА 1,85 Вт Нет 10% 900Ом 2 мкА при 172 В 1,2 В при 1 А 240В
BZW03D20-TAP BZW03D20-TAP Подразделение полупроводниковых диодов Vishay
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие Сквозное отверстие -65°К~175°К Лента и коробка (ТБ) 1 (без блокировки) 175°С -65°С Соответствует ROHS3 2012 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-bzw03c16tap-datasheets-9546.pdf СОД-64, Осевой 10 недель 3Ом Серебро, Олово ±10% 1,85 Вт Одинокий 6 Вт СОД-64 65 мкА 20 В 65 мА 1,85 Вт Нет 10% 3Ом 2 мкА при 14,4 В 1,2 В при 1 А 20 В
BZW03D9V1-TAP BZW03D9V1-TAP Подразделение полупроводниковых диодов Vishay
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие Сквозное отверстие -65°К~175°К Лента и коробка (ТБ) 1 (без блокировки) 175°С -65°С Соответствует ROHS3 2016 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-bzw03c16tap-datasheets-9546.pdf СОД-64, Осевой 10 недель 2Ом Серебро, Олово ±10% 1,85 Вт Одинокий 6 Вт СОД-64 150 мкА 9,1 В 150 мА 1,85 Вт Нет 10% 2Ом 40 мкА при 6,5 В 1,2 В при 1 А 9,1 В
BZG03C13TR3 BZG03C13TR3 Подразделение полупроводниковых диодов Vishay
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж 150°С Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) ЗЕНЕР Соответствует ROHS3 2013 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-bzg03c22tr-datasheets-9423.pdf ДО-214АС, СМА 2 20 недель 5Ом EAR99 Олово 8541.10.00.50 ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ 13В 1,25 Вт ДВОЙНОЙ С ИЗГИБ 2 Одинокий 3 Вт 1 Р-ПДСО-С2 2мкА 13В 50 мА КРЕМНИЙ Нет 13В стабилитрон 6% 5Ом 2 мкА при 10 В 1,2 В при 500 мА
BZW03D270-TAP BZW03D270-TAP Подразделение полупроводниковых диодов Vishay
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие Сквозное отверстие -65°К~175°К Лента и коробка (ТБ) 1 (без блокировки) 175°С -65°С Соответствует ROHS3 2016 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-bzw03c16tap-datasheets-9546.pdf СОД-64, Осевой 10 недель 1,2 кОм Серебро, Олово ±10% 1,85 Вт Одинокий 6 Вт СОД-64 5 мкА 270В 5мА 1,85 Вт Нет 10% 1,2 кОм 2 мкА при 194 В 1,2 В при 1 А 270В
BZW03D39-TAP BZW03D39-TAP Подразделение полупроводниковых диодов Vishay
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие Сквозное отверстие -65°К~175°К Лента и коробка (ТБ) 1 (без блокировки) 175°С -65°С Соответствует ROHS3 2012 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-bzw03c16tap-datasheets-9546.pdf СОД-64, Осевой 10 недель 14Ом Серебро, Олово Нет ±10% 1,85 Вт Одинокий 6 Вт СОД-64 30 мкА 39В 30 мА 1,85 Вт Нет 10% 14 Ом 2 мкА при 28 В 1,2 В при 1 А 39В
BZG03C100TR3 BZG03C100TR3 Подразделение полупроводниковых диодов Vishay
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Автомобильная промышленность, AEC-Q101 Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -65°К~150°К Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) ЗЕНЕР Соответствует ROHS3 2004 г. /files/vishaysemiconductordiodesdivision-bzg03c22tr-datasheets-9423.pdf ДО-214АС, СМА 2 20 недель Неизвестный 2 200Ом EAR99 ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ Олово 8541.10.00.50 е3 ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ 3 Вт ДВОЙНОЙ С ИЗГИБ 260 2 Одинокий 3 Вт 1 1 мкА 100 В 5мА 1,25 Вт КРЕМНИЙ Нет 100 В 3,09% стабилитрон 6% 200Ом 1 мкА при 75 В 1,2 В при 500 мА
BZW03D22-TAP BZW03D22-TAP Подразделение полупроводниковых диодов Vishay
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие Сквозное отверстие -65°К~175°К Лента и коробка (ТБ) 1 (без блокировки) 175°С -65°С Соответствует ROHS3 2012 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-bzw03c16tap-datasheets-9546.pdf СОД-64, Осевой 10 недель 3,5 Ом Серебро, Олово ±10% 1,85 Вт Одинокий 6 Вт СОД-64 50 мкА 22В 50 мА 1,85 Вт Нет 8% 3,5 Ом 2 мкА при 15,8 В 1,2 В при 1 А 22В
BZG03C20TR3 BZG03C20TR3 Подразделение полупроводниковых диодов Vishay
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Автомобильная промышленность, AEC-Q101 Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -65°К~150°К Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) ЗЕНЕР Соответствует ROHS3 2004 г. /files/vishaysemiconductordiodesdivision-bzg03c22tr-datasheets-9423.pdf ДО-214АС, СМА 2 Неизвестный 2 15Ом EAR99 ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ Олово 8541.10.00.50 е3 ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ 3 Вт ДВОЙНОЙ С ИЗГИБ 260 2 Одинокий 3 Вт 1 1 мкА 20 В 25 мА 1,25 Вт КРЕМНИЙ Нет 20 В 6% стабилитрон 6% 15Ом 1 мкА при 15 В 1,2 В при 500 мА
BZW03D75-TAP BZW03D75-TAP Подразделение полупроводниковых диодов Vishay
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие Сквозное отверстие -65°К~175°К Лента и коробка (ТБ) 1 (без блокировки) 175°С -65°С Соответствует ROHS3 2012 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-bzw03c16tap-datasheets-9546.pdf СОД-64, Осевой 10 недель 45Ом Серебро, Олово ±10% 1,85 Вт Одинокий 6 Вт СОД-64 20 мкА 75В 20 мА 1,85 Вт Нет 10% 45 Ом 2 мкА при 54 В 1,2 В при 1 А 75В
BZG03C270TR3 BZG03C270TR3 Подразделение полупроводниковых диодов Vishay
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Автомобильная промышленность, AEC-Q101 Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -65°К~150°К Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) ЗЕНЕР Соответствует ROHS3 2004 г. /files/vishaysemiconductordiodesdivision-bzg03c22tr-datasheets-9423.pdf ДО-214АС, СМА 4,5 мм 2,3 мм 2,8 мм Без свинца 2 20 недель Неизвестный 2 1 кОм EAR99 ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ Олово 8541.10.00.50 5% е3 ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ 3 Вт ДВОЙНОЙ С ИЗГИБ 260 2 Одинокий 3 Вт 1 1,2 В 1 мкА 270В 270В 2мА 1,25 Вт КРЕМНИЙ Нет 270В 7,04% стабилитрон 5% 1 кОм 1 мкА при 200 В 1,2 В при 500 мА
BZW03D130-TAP BZW03D130-TAP Подразделение полупроводниковых диодов Vishay
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие Сквозное отверстие -65°К~175°К Лента и коробка (ТБ) 1 (без блокировки) 175°С -65°С Соответствует ROHS3 2012 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-bzw03c16tap-datasheets-9546.pdf СОД-64, Осевой 10 недель 190Ом Серебро, Олово ±10% 1,85 Вт Одинокий 6 Вт СОД-64 10 мкА 130 В 10 мА 1,85 Вт Нет 10% 190 Ом 2 мкА при 100 В 1,2 В при 1 А 130 В
BZG03C11TR3 BZG03C11TR3 Подразделение полупроводниковых диодов Vishay
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Автомобильная промышленность, AEC-Q101 Поверхностный монтаж -65°К~150°К Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) ЗЕНЕР Соответствует ROHS3 2016 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-bzg03c22tr-datasheets-9423.pdf ДО-214АС, СМА 2 20 недель EAR99 ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ 8541.10.00.50 е3 МАТОВАЯ ТУНКА ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ ДА ДВОЙНОЙ С ИЗГИБ 260 2 НЕ УКАЗАН 1 Не квалифицированный Р-ПДСО-С2 ОДИНОКИЙ 1,25 Вт КРЕМНИЙ 1,25 Вт 11В 5,45% стабилитрон 7Ом 4 мкА при 8,2 В 1,2 В при 500 мА 11В
BZW03D62-TAP BZW03D62-TAP Подразделение полупроводниковых диодов Vishay
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие Сквозное отверстие -65°К~175°К Лента и коробка (ТБ) 1 (без блокировки) 175°С -65°С Соответствует ROHS3 2016 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-bzw03c16tap-datasheets-9546.pdf СОД-64, Осевой 10 недель 42Ом Серебро, Олово ±10% 1,85 Вт Одинокий 6 Вт СОД-64 20 мкА 62В 20 мА 1,85 Вт Нет 10% 42 Ом 2 мкА при 44,5 В 1,2 В при 1 А 62В
BZW03D8V2-TAP BZW03D8V2-TAP Подразделение полупроводниковых диодов Vishay
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие Сквозное отверстие -65°К~175°К Лента и коробка (ТБ) 1 (без блокировки) 175°С -65°С Соответствует ROHS3 2016 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-bzw03c16tap-datasheets-9546.pdf СОД-64, Осевой 10 недель 1,5 Ом ±10% 1,85 Вт Одинокий 6 Вт СОД-64 150 мкА 8,2 В 1,85 Вт 10% 1,5 Ом 1,2 мА при 5,8 В 1,2 В при 1 А 8,2 В
BZW03D6V8-TAP BZW03D6V8-TAP Подразделение полупроводниковых диодов Vishay
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие Сквозное отверстие -65°К~175°К Лента и коробка (ТБ) 1 (без блокировки) ЛАВИНА Соответствует ROHS3 2012 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-bzw03c16tap-datasheets-9546.pdf СОД-64, Осевой 2 10 недель да 1,5 Ом EAR99 Серебро, Олово 8541.10.00.50 ±10% ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ 1,85 Вт ПРОВОЛОКА Одинокий 6 Вт 1 О-LALF-W2 175 мкА 6,8 В 175 мА КРЕМНИЙ Нет ДИОД ПОДАВЛЕНИЯ ТРАНС-НАПРЯЖЕНИЯ 10% 1,5 Ом 2 при мА 4,8 В 1,2 В при 1 А
BZG03C120TR3 BZG03C120TR3 Подразделение полупроводниковых диодов Vishay
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Автомобильная промышленность, AEC-Q101 Поверхностный монтаж -65°К~150°К Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) ЗЕНЕР Соответствует ROHS3 2004 г. https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-bzg03c22tr-datasheets-9423.pdf ДО-214АС, СМА 2 20 недель EAR99 ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ 8541.10.00.50 е3 МАТОВАЯ ТУНКА ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ ДА ДВОЙНОЙ С ИЗГИБ 260 2 НЕ УКАЗАН 1 Не квалифицированный Р-ПДСО-С2 ОДИНОКИЙ 1,25 Вт КРЕМНИЙ 1,25 Вт 120 В 5,39% стабилитрон 250Ом 1 мкА при 91 В 1,2 В при 500 мА 120 В
BZW03D47-TAP BZW03D47-TAP Подразделение полупроводниковых диодов Vishay
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие Сквозное отверстие -65°К~175°К Лента и коробка (ТБ) 1 (без блокировки) 175°С -65°С Соответствует ROHS3 2016 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-bzw03c16tap-datasheets-9546.pdf СОД-64, Осевой 10 недель 25Ом Серебро, Олово ±10% 1,85 Вт Одинокий 6 Вт СОД-64 25 мкА 47В 25 мА 1,85 Вт Нет 10% 25 Ом 2 мкА при 33,5 В 1,2 В при 1 А 47В
BZW03D30-TAP BZW03D30-TAP Подразделение полупроводниковых диодов Vishay
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие Сквозное отверстие -65°К~175°К Лента и коробка (ТБ) 1 (без блокировки) 175°С -65°С Соответствует ROHS3 2016 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-bzw03c16tap-datasheets-9546.pdf СОД-64, Осевой 10 недель 8Ом Серебро, Олово ±10% 1,85 Вт Одинокий 6 Вт СОД-64 40 мкА 30В 40 мА 1,85 Вт Нет 10% 8 Ом 2 мкА при 21,5 В 1,2 В при 1 А 30В
BZW03D56-TAP BZW03D56-TAP Подразделение полупроводниковых диодов Vishay
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие Сквозное отверстие -65°К~175°К Лента и коробка (ТБ) 1 (без блокировки) 175°С -65°С Соответствует ROHS3 2016 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-bzw03c16tap-datasheets-9546.pdf СОД-64, Осевой 10 недель 35Ом Серебро, Олово ±10% 1,85 Вт Одинокий 6 Вт СОД-64 20 мкА 56В 20 мА 1,85 Вт Нет 10% 35 Ом 2 мкА при 40 В 1,2 В при 1 А 56В
BZW03D24-TAP BZW03D24-TAP Подразделение полупроводниковых диодов Vishay
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие Сквозное отверстие -65°К~175°К Лента и коробка (ТБ) 1 (без блокировки) 175°С -65°С Соответствует ROHS3 2016 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-bzw03c16tap-datasheets-9546.pdf СОД-64, Осевой 10 недель 3,5 Ом Серебро, Олово ±10% 1,85 Вт Одинокий 6 Вт СОД-64 50 мкА 24В 50 мА 1,85 Вт Нет 10% 3,5 Ом 2 мкА при 17,2 В 1,2 В при 1 А 24В
BZW03D27-TAP BZW03D27-TAP Подразделение полупроводниковых диодов Vishay
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие Сквозное отверстие -65°К~175°К Лента и коробка (ТБ) 1 (без блокировки) 175°С -65°С Соответствует ROHS3 2012 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-bzw03c16tap-datasheets-9546.pdf СОД-64, Осевой 10 недель 5Ом Серебро, Олово ±10% 1,85 Вт Одинокий 6 Вт СОД-64 50 мкА 27В 50 мА 1,85 Вт Нет 10% 5 Ом 2 мкА при 19,4 В 1,2 В при 1 А 27В
BZW03C270-TAP BZW03C270-TAP Подразделение полупроводниковых диодов Vishay
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие Сквозное отверстие -65°К~175°К Лента и коробка (ТБ) 1 (без блокировки) 175°С -65°С Соответствует ROHS3 2012 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-bzw03c16tap-datasheets-9546.pdf СОД-64, Осевой 10 недель 2 1,2 кОм Серебро, Олово ±5% 1,85 Вт Одинокий 6 Вт СОД-64 2мкА 270В 5мА 1,85 Вт Нет 5% 1,2 кОм 2 мкА при 200 В 1,2 В при 1 А 270В
BZW03D200-TAP BZW03D200-TAP Подразделение полупроводниковых диодов Vishay
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие Сквозное отверстие -65°К~175°К Лента и коробка (ТБ) 1 (без блокировки) 175°С -65°С Соответствует ROHS3 2012 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-bzw03c16tap-datasheets-9546.pdf СОД-64, Осевой 10 недель 500Ом Нет ±10% 1,85 Вт Одинокий 6 Вт СОД-64 5 мкА 200В 1,85 Вт 10% 500 Ом 2 мкА при 144 В 1,2 В при 1 А 200В
BZW03C9V1-TAP BZW03C9V1-TAP Подразделение полупроводниковых диодов Vishay
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие Сквозное отверстие -65°К~175°К Лента и коробка (ТБ) 1 (без блокировки) 175°С -65°С Соответствует ROHS3 2012 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-bzw03c16tap-datasheets-9546.pdf СОД-64, Осевой 10 недель 2 2Ом Серебро, Олово Нет ±5% 1,85 Вт Одинокий 6 Вт СОД-64 40 мкА 9,1 В 150 мА 1,85 Вт Нет 6% 2Ом 40 мкА при 6,8 В 1,2 В при 1 А 9,1 В
BZW03C8V2-TAP BZW03C8V2-TAP Подразделение полупроводниковых диодов Vishay
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие Сквозное отверстие -65°К~175°К Лента и коробка (ТБ) 1 (без блокировки) 175°С -65°С Соответствует ROHS3 2012 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-bzw03c16tap-datasheets-9546.pdf СОД-64, Осевой 1,5 Ом Серебро, Олово ±5% 1,85 Вт Одинокий 6 Вт СОД-64 1,2 мА 8,2 В 150 мА 1,85 Вт Нет 6% 1,5 Ом 1,2 мА при 6,2 В 1,2 В при 1 А 8,2 В
BZW03D12-TAP BZW03D12-TAP Подразделение полупроводниковых диодов Vishay
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие Сквозное отверстие -65°К~175°К Лента и коробка (ТБ) 1 (без блокировки) 175°С -65°С Соответствует ROHS3 2012 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-bzw03c16tap-datasheets-9546.pdf СОД-64, Осевой 10 недель 2,5 Ом Серебро, Олово Нет ±10% 1,85 Вт Одинокий 6 Вт СОД-64 100 мкА 12 В 100 мА 1,85 Вт Нет 10% 2,5 Ом 10 мкА при 9,1 В 1,2 В при 1 А 12 В
BZW03C36-TAP BZW03C36-TAP Подразделение полупроводниковых диодов Vishay
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие Сквозное отверстие -65°К~175°К Лента и коробка (ТБ) 1 (без блокировки) 175°С -65°С Соответствует ROHS3 2012 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-bzw03c16tap-datasheets-9546.pdf СОД-64, Осевой 10 недель 2 11Ом Серебро, Олово Нет ±5% 1,85 Вт Одинокий 6 Вт СОД-64 2мкА 36В 30 мА 1,85 Вт Нет 6% 11 Ом 2 мкА при 27 В 1,2 В при 1 А 36В
BZW03C30-TAP BZW03C30-TAP Подразделение полупроводниковых диодов Vishay
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие Сквозное отверстие -65°К~175°К Лента и коробка (ТБ) 1 (без блокировки) 175°С -65°С Соответствует ROHS3 2016 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-bzw03c16tap-datasheets-9546.pdf СОД-64, Осевой 10 недель 2 8Ом Серебро, Олово Нет ±5% 1,85 Вт Одинокий 6 Вт СОД-64 2мкА 30В 40 мА 1,85 Вт Нет 5% 8 Ом 2 мкА при 22 В 1,2 В при 1 А 30В
BZW03D110-TAP BZW03D110-TAP Подразделение полупроводниковых диодов Vishay
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие Сквозное отверстие -65°К~175°К Лента и коробка (ТБ) 1 (без блокировки) 175°С -65°С Соответствует ROHS3 2016 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-bzw03c16tap-datasheets-9546.pdf СОД-64, Осевой 10 недель 125 Ом ±10% 1,85 Вт Одинокий 6 Вт СОД-64 12 мкА 110 В 1,85 Вт 10% 125 Ом 2 мкА при 82 В 1,2 В при 1 А 110 В

В наличии

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.