Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактОдиночные стабилитроны(43788)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Количество контактов | Код Pbfree | Импеданс | ECCN-код | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Код HTS | Толерантность | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Полярность | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Количество контактов | Конфигурация элемента | Рассеяние активности | Количество элементов | Статус квалификации | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Максимальный обратный ток утечки | Стабильное напряжение | Конфигурация | Соединение корпуса | Тестовый ток | Мощность - Макс. | Материал диодного элемента | Защита от ЭСР | Код JEDEC-95 | Опорное напряжение | Напряжение Тол-Макс | Рабочий тестовый ток | Тип диода | Допуск по напряжению | Импеданс-Макс. | Ток – обратная утечка @ Vr | Напряжение – вперед (Vf) (Макс) @ If | Напряжение - Стабилитрон (Ном) (Вз) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| BZW03D56-TAP | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°К~175°К | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | 175°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-bzw03c16tap-datasheets-9546.pdf | СОД-64, Осевой | 10 недель | 35Ом | Серебро, Олово | ±10% | 1,85 Вт | Одинокий | 6 Вт | СОД-64 | 20 мкА | 56В | 20 мА | 1,85 Вт | Нет | 10% | 35 Ом | 2 мкА при 40 В | 1,2 В при 1 А | 56В | |||||||||||||||||||||||||||||
| BZW03D24-TAP | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°К~175°К | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | 175°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-bzw03c16tap-datasheets-9546.pdf | СОД-64, Осевой | 10 недель | 3,5 Ом | Серебро, Олово | ±10% | 1,85 Вт | Одинокий | 6 Вт | СОД-64 | 50 мкА | 24В | 50 мА | 1,85 Вт | Нет | 10% | 3,5 Ом | 2 мкА при 17,2 В | 1,2 В при 1 А | 24В | |||||||||||||||||||||||||||||
| BZW03D27-TAP | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°К~175°К | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | 175°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-bzw03c16tap-datasheets-9546.pdf | СОД-64, Осевой | 10 недель | 5Ом | Серебро, Олово | ±10% | 1,85 Вт | Одинокий | 6 Вт | СОД-64 | 50 мкА | 27В | 50 мА | 1,85 Вт | Нет | 10% | 5 Ом | 2 мкА при 19,4 В | 1,2 В при 1 А | 27В | |||||||||||||||||||||||||||||
| BZW03C270-TAP | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°К~175°К | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | 175°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-bzw03c16tap-datasheets-9546.pdf | СОД-64, Осевой | 10 недель | 2 | 1,2 кОм | Серебро, Олово | ±5% | 1,85 Вт | Одинокий | 6 Вт | СОД-64 | 2мкА | 270В | 5мА | 1,85 Вт | Нет | 5% | 1,2 кОм | 2 мкА при 200 В | 1,2 В при 1 А | 270В | ||||||||||||||||||||||||||||
| BZW03D200-TAP | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°К~175°К | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | 175°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-bzw03c16tap-datasheets-9546.pdf | СОД-64, Осевой | 10 недель | 500Ом | Нет | ±10% | 1,85 Вт | Одинокий | 6 Вт | СОД-64 | 5 мкА | 200В | 1,85 Вт | 10% | 500 Ом | 2 мкА при 144 В | 1,2 В при 1 А | 200В | |||||||||||||||||||||||||||||||
| BZW03C9V1-TAP | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°К~175°К | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | 175°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-bzw03c16tap-datasheets-9546.pdf | СОД-64, Осевой | 10 недель | 2 | 2Ом | Серебро, Олово | Нет | ±5% | 1,85 Вт | Одинокий | 6 Вт | СОД-64 | 40 мкА | 9,1 В | 150 мА | 1,85 Вт | Нет | 6% | 2Ом | 40 мкА при 6,8 В | 1,2 В при 1 А | 9,1 В | |||||||||||||||||||||||||||
| BZW03C8V2-TAP | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°К~175°К | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | 175°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-bzw03c16tap-datasheets-9546.pdf | СОД-64, Осевой | 1,5 Ом | Серебро, Олово | ±5% | 1,85 Вт | Одинокий | 6 Вт | СОД-64 | 1,2 мА | 8,2 В | 150 мА | 1,85 Вт | Нет | 6% | 1,5 Ом | 1,2 мА при 6,2 В | 1,2 В при 1 А | 8,2 В | ||||||||||||||||||||||||||||||
| BZW03D100-TAP | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°К~175°К | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | 175°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | 2014 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-bzw03c16tap-datasheets-9546.pdf | СОД-64, Осевой | 10 недель | 90Ом | ±10% | 1,85 Вт | Одинокий | 6 Вт | СОД-64 | 12 мкА | 100 В | 1,85 Вт | 10% | 90 Ом | 2 мкА при 75 В | 1,2 В при 1 А | 100 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| BZW03D120-TAP | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°К~175°К | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | 175°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-bzw03c16tap-datasheets-9546.pdf | СОД-64, Осевой | 10 недель | 170Ом | Серебро, Олово | ±10% | 1,85 Вт | Одинокий | 6 Вт | СОД-64 | 10 мкА | 120 В | 10 мА | 1,85 Вт | Нет | 10% | 170 Ом | 2 мкА при 91 В | 1,2 В при 1 А | 120 В | |||||||||||||||||||||||||||||
| BZW03D18-TAP | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°К~175°К | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | 175°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-bzw03c16tap-datasheets-9546.pdf | СОД-64, Осевой | 2,5 Ом | Нет | ±10% | 1,85 Вт | Одинокий | 6 Вт | СОД-64 | 65 мкА | 18В | 1,85 Вт | 10% | 2,5 Ом | 2 мкА при 12,6 В | 1,2 В при 1 А | 18В | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| BZW03D13-TAP | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°К~175°К | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | 175°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-bzw03c16tap-datasheets-9546.pdf | СОД-64, Осевой | 10 недель | 2,5 Ом | Серебро, Олово | ±10% | 1,85 Вт | Одинокий | 6 Вт | СОД-64 | 100 мкА | 13В | 100 мА | 1,85 Вт | Нет | 10% | 2,5 Ом | 4 мкА при 10 В | 1,2 В при 1 А | 13В | |||||||||||||||||||||||||||||
| BZW03C68-ТАП | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°К~175°К | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | 175°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-bzw03c16tap-datasheets-9546.pdf | СОД-64, Осевой | 10 недель | 2 | 44Ом | Серебро, Олово | ±5% | 1,85 Вт | Одинокий | 6 Вт | СОД-64 | 2мкА | 68В | 20 мА | 1,85 Вт | Нет | 6% | 45 Ом | 2 мкА при 51 В | 1,2 В при 1 А | 68В | ||||||||||||||||||||||||||||
| TZM5251C-GS08 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 175°С | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-tzm5242bgs08-datasheets-0021.pdf | ДО-213АС, МИНИ-МЭЛФ, СОД-80 | 2 | 8 недель | 29Ом | EAR99 | неизвестный | 8541.10.00.50 | ±2% | е0 | Оловянный свинец | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | 500мВт | КОНЕЦ | ЗАВЕРШИТЬ ВОКРУГ | 2 | 1 | Не квалифицированный | О-LELF-R2 | 5,6 В | ОДИНОКИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | КРЕМНИЙ | ДО-213АА | 22В | 2% | 5,6 мА | стабилитрон | 29Ом | 100 нА при 17 В | 1,1 В @ 200 мА | 22В | |||||||||||||||||
| BZW03D150-TAP | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°К~175°К | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | 175°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-bzw03c16tap-datasheets-9546.pdf | СОД-64, Осевой | 10 недель | 330Ом | Серебро, Олово | ±10% | 1,85 Вт | Одинокий | 6 Вт | СОД-64 | 8мкА | 150 В | 8мА | 1,85 Вт | Нет | 10% | 330 Ом | 2 мкА при 110 В | 1,2 В при 1 А | 150 В | |||||||||||||||||||||||||||||
| TZM5241C-GS08 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 175°С | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-tzm5242bgs08-datasheets-0021.pdf | ДО-213АС, МИНИ-МЭЛФ, СОД-80 | 2 | 8 недель | 22Ом | EAR99 | неизвестный | 8541.10.00.50 | ±2% | е0 | Оловянный свинец | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | 500мВт | КОНЕЦ | ЗАВЕРШИТЬ ВОКРУГ | 2 | 1 | Не квалифицированный | О-LELF-R2 | 11В | ОДИНОКИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | КРЕМНИЙ | ДО-213АА | 11В | 2% | 20 мА | стабилитрон | 22Ом | 2 мкА при 8,4 В | 1,1 В @ 200 мА | 11В | |||||||||||||||||
| BZW03C43-TAP | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°К~175°К | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | 175°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-bzw03c16tap-datasheets-9546.pdf | СОД-64, Осевой | 10 недель | 2 | 20Ом | Серебро, Олово | ±5% | 1,85 Вт | Одинокий | 6 Вт | СОД-64 | 2мкА | 43В | 30 мА | 1,85 Вт | Нет | 5% | 20 Ом | 2 мкА при 33 В | 1,2 В при 1 А | 43В | ||||||||||||||||||||||||||||
| TZM5250C-GS18 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 175°С | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-tzm5242bgs08-datasheets-0021.pdf | ДО-213АС, МИНИ-МЭЛФ, СОД-80 | 2 | 8 недель | 25Ом | EAR99 | неизвестный | 8541.10.00.50 | ±2% | е0 | Оловянный свинец | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | 500мВт | КОНЕЦ | ЗАВЕРШИТЬ ВОКРУГ | 2 | 1 | Не квалифицированный | О-LELF-R2 | 6,2 В | ОДИНОКИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | КРЕМНИЙ | ДО-213АА | 20 В | 2% | 6,2 мА | стабилитрон | 25Ом | 100 нА при 15 В | 1,1 В @ 200 мА | 20 В | |||||||||||||||||
| TZM5244C-GS18 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 175°С | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-tzm5242bgs08-datasheets-0021.pdf | ДО-213АС, МИНИ-МЭЛФ, СОД-80 | 2 | 8 недель | 15Ом | EAR99 | неизвестный | 8541.10.00.50 | ±2% | е0 | Оловянный свинец | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | 500мВт | КОНЕЦ | ЗАВЕРШИТЬ ВОКРУГ | 2 | 1 | Не квалифицированный | О-LELF-R2 | 14 В | ОДИНОКИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | КРЕМНИЙ | ДО-213АА | 14 В | 2% | 9мА | стабилитрон | 15Ом | 100 нА при 10 В | 1,1 В @ 200 мА | 14 В | |||||||||||||||||
| TZM5249C-GS18 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 175°С | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-tzm5242bgs08-datasheets-0021.pdf | ДО-213АС, МИНИ-МЭЛФ, СОД-80 | 2 | 8 недель | 23Ом | EAR99 | неизвестный | 8541.10.00.50 | ±2% | е0 | Оловянный свинец | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | 500мВт | КОНЕЦ | ЗАВЕРШИТЬ ВОКРУГ | 2 | 1 | Не квалифицированный | О-LELF-R2 | 19В | ОДИНОКИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | КРЕМНИЙ | ДО-213АА | 19В | 2% | 6,6 мА | стабилитрон | 23Ом | 100 нА при 14 В | 1,1 В @ 200 мА | 19В | |||||||||||||||||
| BZW03C47-TAP | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°К~175°К | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | 175°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-bzw03c16tap-datasheets-9546.pdf | СОД-64, Осевой | 10 недель | 2 | 25Ом | Нет | ±5% | 1,85 Вт | Одинокий | 6 Вт | СОД-64 | 2мкА | 47В | 25 мА | 1,85 Вт | 6% | 25 Ом | 2 мкА при 36 В | 1,2 В при 1 А | 47В | |||||||||||||||||||||||||||||
| BZW03C91-TAP | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°К~175°К | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | 175°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-bzw03c16tap-datasheets-9546.pdf | СОД-64, Осевой | 10 недель | 2 | 75Ом | Серебро, Олово | ±5% | 1,85 Вт | Одинокий | 6 Вт | СОД-64 | 2мкА | 91В | 15 мА | 1,85 Вт | Нет | 6% | 75 Ом | 2 мкА при 68 В | 1,2 В при 1 А | 91В | ||||||||||||||||||||||||||||
| BZW03D10-TAP | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°К~175°К | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | 175°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-bzw03c16tap-datasheets-9546.pdf | СОД-64, Осевой | 2Ом | Серебро, Олово | ±10% | 1,85 Вт | Одинокий | 6 Вт | СОД-64 | 125 мкА | 10 В | 125 мА | 1,85 Вт | Нет | 10% | 2Ом | 20 мкА при 7,5 В | 1,2 В при 1 А | 10 В | ||||||||||||||||||||||||||||||
| BZW03C6V8-TAP | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°К~175°К | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | ЛАВИНА | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-bzw03c16tap-datasheets-9546.pdf | СОД-64, Осевой | 2 | 10 недель | да | 1,5 Ом | EAR99 | Серебро, Олово | 8541.10.00.50 | ±5% | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | 1,85 Вт | ПРОВОЛОКА | Одинокий | 6 Вт | 1 | О-LALF-W2 | 2мА | 6,8 В | 175 мА | КРЕМНИЙ | Нет | ДИОД ПОДАВЛЕНИЯ ТРАНС-НАПРЯЖЕНИЯ | 6% | 1,5 Ом | 2 при мА 5,1 В | 1,2 В при 1 А | |||||||||||||||||||||||
| BZW03C82-TAP | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°К~175°К | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | 175°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-bzw03c16tap-datasheets-9546.pdf | СОД-64, Осевой | 10 недель | 2 | 65Ом | Серебро, Олово | ±5% | 1,85 Вт | Одинокий | 6 Вт | СОД-64 | 2мкА | 82В | 15 мА | 1,85 Вт | Нет | 6% | 65 Ом | 2 мкА при 62 В | 1,2 В при 1 А | 82В | ||||||||||||||||||||||||||||
| BZW03C33-TAP | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°К~175°К | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | 175°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-bzw03c16tap-datasheets-9546.pdf | СОД-64, Осевой | 10 недель | 2 | 10Ом | Серебро, Олово | ±5% | 1,85 Вт | Одинокий | 6 Вт | СОД-64 | 2мкА | 33В | 40 мА | 1,85 Вт | Нет | 6% | 10 Ом | 2 мкА при 24 В | 1,2 В при 1 А | 33В | ||||||||||||||||||||||||||||
| TZM5240C-GS18 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 175°С | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-tzm5242bgs08-datasheets-0021.pdf | ДО-213АС, МИНИ-МЭЛФ, СОД-80 | 2 | 8 недель | 17Ом | EAR99 | неизвестный | 8541.10.00.50 | ±2% | е0 | Оловянный свинец | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | 500мВт | КОНЕЦ | ЗАВЕРШИТЬ ВОКРУГ | 2 | 1 | Не квалифицированный | О-LELF-R2 | 10 В | ОДИНОКИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | КРЕМНИЙ | ДО-213АА | 10 В | 2% | 20 мА | стабилитрон | 17Ом | 3 мкА при 8 В | 1,1 В @ 200 мА | 10 В | |||||||||||||||||
| TZM5233C-GS08 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 175°С | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-tzm5242bgs08-datasheets-0021.pdf | ДО-213АС, МИНИ-МЭЛФ, СОД-80 | 2 | 8 недель | 7Ом | EAR99 | неизвестный | 8541.10.00.50 | ±2% | е0 | Оловянный свинец | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | 500мВт | КОНЕЦ | ЗАВЕРШИТЬ ВОКРУГ | 2 | 1 | Не квалифицированный | О-LELF-R2 | 6В | ОДИНОКИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | КРЕМНИЙ | ДО-213АА | 6В | 2% | 20 мА | стабилитрон | 7Ом | 5 мкА при 3,5 В | 1,1 В @ 200 мА | 6В | |||||||||||||||||
| TZM5249C-GS08 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 175°С | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-tzm5242bgs08-datasheets-0021.pdf | ДО-213АС, МИНИ-МЭЛФ, СОД-80 | 2 | 8 недель | 23Ом | EAR99 | неизвестный | 8541.10.00.50 | ±2% | е0 | Оловянный свинец | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | 500мВт | КОНЕЦ | ЗАВЕРШИТЬ ВОКРУГ | 2 | 1 | Не квалифицированный | О-LELF-R2 | 19В | ОДИНОКИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | КРЕМНИЙ | ДО-213АА | 19В | 2% | 6,6 мА | стабилитрон | 23Ом | 100 нА при 14 В | 1,1 В @ 200 мА | 19В | |||||||||||||||||
| TZM5247C-GS18 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 175°С | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-tzm5242bgs08-datasheets-0021.pdf | ДО-213АС, МИНИ-МЭЛФ, СОД-80 | 2 | 8 недель | 19Ом | EAR99 | неизвестный | 8541.10.00.50 | ±2% | е0 | Оловянный свинец | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | 500мВт | КОНЕЦ | ЗАВЕРШИТЬ ВОКРУГ | 2 | 1 | Не квалифицированный | О-LELF-R2 | 17В | ОДИНОКИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | КРЕМНИЙ | ДО-213АА | 17В | 2% | 7,4 мА | стабилитрон | 19Ом | 100 нА при 13 В | 1,1 В @ 200 мА | 17В | |||||||||||||||||
| TZM5246C-GS18 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 175°С | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-tzm5242bgs08-datasheets-0021.pdf | ДО-213АС, МИНИ-МЭЛФ, СОД-80 | 2 | 8 недель | 17Ом | EAR99 | неизвестный | 8541.10.00.50 | ±2% | е0 | Оловянный свинец | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | 500мВт | КОНЕЦ | ЗАВЕРШИТЬ ВОКРУГ | 2 | 1 | Не квалифицированный | О-LELF-R2 | 16 В | ОДИНОКИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | КРЕМНИЙ | ДО-213АА | 16 В | 2% | 7,8 мА | стабилитрон | 17Ом | 100 нА при 12 В | 1,1 В @ 200 мА | 16 В |
