Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактОдиночные стабилитроны(43788)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Прекращение действия | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Количество контактов | Код Pbfree | Импеданс | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Код HTS | Толерантность | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Полярность | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Количество контактов | Конфигурация элемента | Рассеяние активности | Количество элементов | Статус квалификации | Максимальный переход температуры (Tj) | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Прямой ток | Прямое напряжение | Максимальный обратный ток утечки | Стабильное напряжение | Соединение корпуса | Тестовый ток | Мощность - Макс. | Материал диодного элемента | Пиковая мощность оборотов без повторений Dis-Max | Напряжение проба-мин. | Защита от ЭСР | Обратное напряжение | Опорное напряжение | Напряжение Тол-Макс | Рабочий тестовый ток | Тип диода | Допуск по напряжению | Ток Зенера | Импеданс-Макс. | Ток – обратная утечка @ Vr | Напряжение – вперед (Vf) (Макс) @ If | Напряжение - Стабилитрон (Ном) (Вз) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| BZG05C51TR3 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | $3,76 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -65°К~150°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-bzg05c9v1he3tr-datasheets-1674.pdf | ДО-214АС, СМА | 2 | 2 | 1,5 кОм | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Нет | 8541.10.00.50 | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | 1,25 Вт | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | 2 | Одинокий | 1,25 Вт | 1 | 500нА | 51В | 4мА | КРЕМНИЙ | 51В | 5,88% | стабилитрон | 6% | 1,5 кОм | 500 нА при 39 В | 1,2 В при 200 мА | |||||||||||||||||||||||||||||
| BZG05C7V5TR3 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-bzg05c9v1he3tr-datasheets-1674.pdf | ДО-214АС, СМА | 2 | Неизвестный | 2 | 3Ом | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Нет | 8541.10.00.50 | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | 1,25 Вт | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | 2 | Одинокий | 1,25 Вт | 1 | 1 мкА | 7,5 В | 35 мА | КРЕМНИЙ | 7,5 В | 6,04% | стабилитрон | 6% | 3Ом | 1 мкА при 4,5 В | 1,2 В при 200 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||
| BZG05C8V2TR3 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | 1,12 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -65°К~150°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-bzg05c9v1he3tr-datasheets-1674.pdf | ДО-214АС, СМА | 2 | Неизвестный | 2 | 200Ом | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Нет | 8541.10.00.50 | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | 1,25 Вт | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | 2 | Одинокий | 1,25 Вт | 1 | 1 мкА | 8,2 В | 25 мА | КРЕМНИЙ | 8,2 В | 6,1% | стабилитрон | 6% | 200Ом | 1 мкА при 6,2 В | 1,2 В при 200 мА | ||||||||||||||||||||||||||||
| BZG05C6V8TR3 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-bzg05c9v1he3tr-datasheets-1674.pdf | ДО-214АС, СМА | 2 | Неизвестный | 2 | 3,5 Ом | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Нет | 8541.10.00.50 | 5% | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | 1,25 Вт | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | 2 | Одинокий | 1,25 Вт | 1 | 1,2 В | 1 мкА | 6,8 В | 35 мА | КРЕМНИЙ | 6,8 В | 5,88% | стабилитрон | 6% | 3,5 Ом | 1 мкА при 4 В | 1,2 В при 200 мА | ||||||||||||||||||||||||||||
| BZG05C91TR3 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -65°К~150°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-bzg05c9v1he3tr-datasheets-1674.pdf | ДО-214АС, СМА | 2 | 3кОм | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Нет | 8541.10.00.50 | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | 1,25 Вт | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | 2 | Одинокий | 1,25 Вт | 1 | Р-ПДСО-С2 | 500нА | 91В | КРЕМНИЙ | 91В | 6,08% | 2,7 мА | стабилитрон | 6% | 3кОм | 500 нА при 68 В | 1,2 В при 200 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||
| BZW03C130-ТР | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°К~175°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЛАВИНА | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-bzw03c16tap-datasheets-9546.pdf | СОД-64, Осевой | 2 | 10 недель | да | 190Ом | EAR99 | неизвестный | 8541.10.00.50 | ±5% | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | 1,85 Вт | ПРОВОЛОКА | 2 | Одинокий | 6 Вт | 1 | Не квалифицированный | О-LALF-W2 | 2мкА | 130 В | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | КРЕМНИЙ | 1000 Вт | 185В | ДИОД ПОДАВЛЕНИЯ ТРАНС-НАПРЯЖЕНИЯ | 6% | 190Ом | 2 мкА при 100 В | 1,2 В при 1 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| BZG05C4V3TR3 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-bzg05c9v1he3tr-datasheets-1674.pdf | ДО-214АС, СМА | 4,5 мм | 2,3 мм | 2,8 мм | 2 | Неизвестный | 2 | 13Ом | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Нет | 8541.10.00.50 | 5% | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | 1,25 Вт | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | 2 | Одинокий | 1,25 Вт | 1 | 1,2 В | 3 мкА | 4,3 В | 50 мА | КРЕМНИЙ | 4,3 В | 6,98% | стабилитрон | 5% | 13Ом | 3 мкА при 1 В | 1,2 В при 200 мА | |||||||||||||||||||||||||
| BZW03C24-TR | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°К~175°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЛАВИНА | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-bzw03c16tap-datasheets-9546.pdf | СОД-64, Осевой | 2 | 10 недель | 2 | да | 3,5 Ом | EAR99 | Серебро, Олово | 8541.10.00.50 | ±5% | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | 1,85 Вт | ПРОВОЛОКА | 2 | Одинокий | 6 Вт | 1 | 2мкА | 24В | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | 50 мА | КРЕМНИЙ | 1000 Вт | 33,8 В | Нет | ДИОД ПОДАВЛЕНИЯ ТРАНС-НАПРЯЖЕНИЯ | 6% | 3,5 Ом | 2 мкА при 18 В | 1,2 В при 1 А | |||||||||||||||||||||||||||||||
| BZW03C11-ТР | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°К~175°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЛАВИНА | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-bzw03c16tap-datasheets-9546.pdf | СОД-64, Осевой | 2 | 10 недель | да | 2,5 Ом | EAR99 | Серебро, Олово | 8541.10.00.50 | ±5% | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | 1,85 Вт | ПРОВОЛОКА | 2 | Одинокий | 6 Вт | 1 | О-LALF-W2 | 15 мкА | 11В | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | 125 мА | КРЕМНИЙ | 1000 Вт | 15,7 В | Нет | ДИОД ПОДАВЛЕНИЯ ТРАНС-НАПРЯЖЕНИЯ | 5% | 2,5 Ом | 15 мкА при 8,2 В | 1,2 В при 1 А | |||||||||||||||||||||||||||||||
| BZW03C15-ТР | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°К~175°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЛАВИНА | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-bzw03c16tap-datasheets-9546.pdf | СОД-64, Осевой | 2 | 10 недель | 2 | да | 2,5 Ом | EAR99 | Серебро, Олово | 8541.10.00.50 | ±5% | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | 1,85 Вт | ПРОВОЛОКА | 2 | Одинокий | 6 Вт | 1 | 2мкА | 15 В | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | 75 мА | КРЕМНИЙ | 1000 Вт | Нет | ДИОД ПОДАВЛЕНИЯ ТРАНС-НАПРЯЖЕНИЯ | 6% | 2,5 Ом | 2 мкА при 11 В | 1,2 В при 1 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| BZG05C24TR3 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | $6,05 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -65°К~150°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-bzg05c9v1he3tr-datasheets-1674.pdf | ДО-214АС, СМА | 2 | 2 | 600Ом | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Нет | 8541.10.00.50 | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | 1,25 Вт | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | 2 | Одинокий | 1,25 Вт | 1 | 500нА | 24В | 10 мА | КРЕМНИЙ | 24В | 5,79% | стабилитрон | 6% | 600Ом | 500 нА при 18 В | 1,2 В при 200 мА | |||||||||||||||||||||||||||||
| BZW03C12-ТР | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°К~175°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЛАВИНА | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-bzw03c16tap-datasheets-9546.pdf | СОД-64, Осевой | 2 | 10 недель | 2 | да | 2,5 Ом | EAR99 | Серебро, Олово | 8541.10.00.50 | ±5% | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | 1,85 Вт | ПРОВОЛОКА | 2 | Одинокий | 6 Вт | 1 | 10 мкА | 12 В | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | 100 мА | КРЕМНИЙ | 1000 Вт | 17В | Нет | ДИОД ПОДАВЛЕНИЯ ТРАНС-НАПРЯЖЕНИЯ | 5% | 2,5 Ом | 10 мкА при 9,1 В | 1,2 В при 1 А | |||||||||||||||||||||||||||||||
| BZW03C100-ТР | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°К~175°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЛАВИНА | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-bzw03c16tap-datasheets-9546.pdf | СОД-64, Осевой | 2 | 10 недель | да | 90Ом | EAR99 | Серебро, Олово | 8541.10.00.50 | ±5% | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | 1,85 Вт | ПРОВОЛОКА | 2 | Одинокий | 6 Вт | 1 | О-LALF-W2 | 2мкА | 100 В | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | 12 мА | КРЕМНИЙ | 1000 Вт | 139В | Нет | ДИОД ПОДАВЛЕНИЯ ТРАНС-НАПРЯЖЕНИЯ | 6% | 90Ом | 2 мкА при 75 В | 1,2 В при 1 А | |||||||||||||||||||||||||||||||
| BZW03C120-TR | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°К~175°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЛАВИНА | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-bzw03c16tap-datasheets-9546.pdf | СОД-64, Осевой | 2 | 10 недель | да | 170Ом | EAR99 | Серебро, Олово | 8541.10.00.50 | ±5% | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | 1,85 Вт | ПРОВОЛОКА | 2 | Одинокий | 6 Вт | 1 | О-LALF-W2 | 2мкА | 120 В | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | 10 мА | КРЕМНИЙ | 1000 Вт | 167В | Нет | ДИОД ПОДАВЛЕНИЯ ТРАНС-НАПРЯЖЕНИЯ | 5% | 170Ом | 2 мкА при 91 В | 1,2 В при 1 А | |||||||||||||||||||||||||||||||
| BZG05C43TR3 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -65°К~150°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-bzg05c9v1he3tr-datasheets-1674.pdf | ДО-214АС, СМА | 2 | 1 кОм | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Нет | 8541.10.00.50 | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | 1,25 Вт | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | 2 | Одинокий | 1,25 Вт | 1 | Р-ПДСО-С2 | 500нА | 43В | КРЕМНИЙ | 43В | 6,98% | 6мА | стабилитрон | 5% | 1 кОм | 500 нА при 33 В | 1,2 В при 200 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||
| BZG05C15TR3 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -65°К~150°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-bzg05c9v1he3tr-datasheets-1674.pdf | ДО-214АС, СМА | 2 | 2 | 500Ом | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Нет | 8541.10.00.50 | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | 1,25 Вт | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | 2 | Одинокий | 1,25 Вт | 1 | 500нА | 15 В | 15 мА | КРЕМНИЙ | 15 В | стабилитрон | 6% | 200 мА | 500Ом | 500 нА при 11 В | 1,2 В при 200 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||
| BZG05C10TR3 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | $4,39 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductor-bzg05c10tr3-datasheets-5029.pdf | ДО-214АС, СМА | 2 | 2 | 200Ом | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Нет | 8541.10.00.50 | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | 1,25 Вт | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | 2 | Одинокий | 1,25 Вт | 1 | 500нА | 10 В | КРЕМНИЙ | 10 В | 6% | стабилитрон | 6% | 200Ом | 500 нА при 7 В | 1,2 В при 200 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||
| BZG05C12TR3 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | $8,62 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -65°К~150°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-bzg05c9v1he3tr-datasheets-1674.pdf | ДО-214АС, СМА | 2 | 2 | 350Ом | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Нет | 8541.10.00.50 | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | 1,25 Вт | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | 2 | Одинокий | 1,25 Вт | 1 | 500нА | 12 В | 20 мА | КРЕМНИЙ | 12 В | 5,39% | стабилитрон | 5% | 350Ом | 500 нА при 9,1 В | 1,2 В при 200 мА | |||||||||||||||||||||||||||||
| BZG05C18TR3 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | $4,11 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -65°К~150°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | 2014 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-bzg05c9v1he3tr-datasheets-1674.pdf | ДО-214АС, СМА | 4,5 мм | 2,3 мм | 2,8 мм | 2 | 2 | 20Ом | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Нет | 8541.10.00.50 | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | 1,25 Вт | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | 2 | Одинокий | 1,25 Вт | 1 | 500нА | 18В | 15 мА | КРЕМНИЙ | 18В | 6,41% | стабилитрон | 6% | 500Ом | 500 нА при 13 В | 1,2 В при 200 мА | ||||||||||||||||||||||||||
| BZG03C240TR3 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -65°К~150°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-bzg03c22tr-datasheets-9423.pdf | ДО-214АС, СМА | 4,5 мм | 2,3 мм | 2,8 мм | 2 | 2 | 850Ом | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Олово | 8541.10.00.50 | е3 | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | 1,25 Вт | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | 2 | Одинокий | 3 Вт | 1 | 150°С | 500 мА | 1 мкА | 240В | 2мА | КРЕМНИЙ | Нет | 180 В | 240В | 5,79% | стабилитрон | 6% | 850Ом | 1 мкА при 180 В | 1,2 В при 500 мА | ||||||||||||||||||||||||
| BZG05C3V3TR3 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -65°К~150°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-bzg05c9v1he3tr-datasheets-1674.pdf | ДО-214АС, СМА | 4,5 мм | 2,3 мм | 2,8 мм | 2 | Неизвестный | 2 | 20Ом | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Нет | 8541.10.00.50 | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | 1,25 Вт | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | 2 | Одинокий | 1,25 Вт | 1 | 40 мкА | 3,3 В | 80 мА | КРЕМНИЙ | 3,3 В | 6,06% | стабилитрон | 6% | 400Ом | 40 мкА при 1 В | 1,2 В при 200 мА | ||||||||||||||||||||||||||
| BZG05C30TR3 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | $5,07 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-bzg05c9v1he3tr-datasheets-1674.pdf | ДО-214АС, СМА | 2 | 30Ом | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Нет | 8541.10.00.50 | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | 1,25 Вт | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | 2 | Одинокий | 1 | Р-ПДСО-С2 | 500нА | 30В | КРЕМНИЙ | 30В | 6,67% | 8мА | стабилитрон | 5% | 30Ом | 500 нА при 2 В | 1,2 В при 200 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||
| BZG05C3V6TR3 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-bzg05c9v1he3tr-datasheets-1674.pdf | ДО-214АС, СМА | 2 | Неизвестный | 2 | 20Ом | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Нет | 8541.10.00.50 | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | 1,25 Вт | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | 2 | Одинокий | 1,25 Вт | 1 | 20 мкА | 3,6 В | 60 мА | КРЕМНИЙ | 3,6 В | 5,56% | стабилитрон | 6% | 20Ом | 20 мкА при 1 В | 1,2 В при 200 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||
| BZG05C36TR3 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -65°К~150°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-bzg05c9v1he3tr-datasheets-1674.pdf | ДО-214АС, СМА | 2 | 2 | 1 кОм | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Нет | 8541.10.00.50 | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | 1,25 Вт | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 2 | Одинокий | 1,25 Вт | 1 | 500нА | 36В | КРЕМНИЙ | 36В | 5,56% | 8мА | стабилитрон | 6% | 1 кОм | 500 нА при 27 В | 1,2 В при 200 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| BZG05C16TR3 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | $4,71 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -65°К~150°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | 1999 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-bzg05c9v1he3tr-datasheets-1674.pdf | ДО-214АС, СМА | 2 | 500Ом | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Нет | 8541.10.00.50 | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | 1,25 Вт | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | 2 | Одинокий | 1,25 Вт | 1 | Р-ПДСО-С2 | 500нА | 16 В | КРЕМНИЙ | 16 В | 5,56% | 15 мА | стабилитрон | 6% | 500Ом | 500 нА при 12 В | 1,2 В при 200 мА | |||||||||||||||||||||||||||||
| BZG05C5V1TR3 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | СМД/СМТ | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-bzg05c9v1he3tr-datasheets-1674.pdf | ДО-214АС, СМА | 4,5 мм | 2,3 мм | 2,8 мм | 2 | Неизвестный | 2 | 10Ом | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Нет | 8541.10.00.50 | 5% | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | 1,25 Вт | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | 2 | Одинокий | 1,25 Вт | 1 | 1,2 В | 1 мкА | 5,1 В | 45 мА | КРЕМНИЙ | 5,1 В | 5,88% | стабилитрон | 6% | 10Ом | 1 мкА при 1,5 В | 1,2 В при 200 мА | ||||||||||||||||||||||||
| BZG03C43TR3 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -65°К~150°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-bzg03c22tr-datasheets-9423.pdf | ДО-214АС, СМА | 2 | 20 недель | 2 | 45Ом | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Олово | 8541.10.00.50 | е3 | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | 1,25 Вт | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | 2 | Одинокий | 3 Вт | 1 | 1 мкА | 43В | 10 мА | КРЕМНИЙ | Нет | 43В | 6,98% | стабилитрон | 5% | 45Ом | 1 мкА при 33 В | 1,2 В при 500 мА | |||||||||||||||||||||||||||||
| BZW03D68-TAP | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°К~175°К | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | 175°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-bzw03c16tap-datasheets-9546.pdf | СОД-64, Осевой | 10 недель | 44Ом | Серебро, Олово | ±10% | 1,85 Вт | Одинокий | 6 Вт | СОД-64 | 20 мкА | 68В | 20 мА | 1,85 Вт | Нет | 10% | 44 Ом | 2 мкА при 49 В | 1,2 В при 1 А | 68В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BZG05C3V9TR3 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -65°К~150°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-bzg05c9v1he3tr-datasheets-1674.pdf | ДО-214АС, СМА | 2 | Неизвестный | 2 | 500Ом | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Нет | 8541.10.00.50 | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | 1,25 Вт | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | 2 | Одинокий | 1,25 Вт | 1 | 10 мкА | 3,9 В | 60 мА | КРЕМНИЙ | 3,9 В | 5,13% | стабилитрон | 5% | 500Ом | 10 мкА при 1 В | 1,2 В при 200 мА | 9,3 В | ||||||||||||||||||||||||||||
| BZG05C4V7TR3 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -65°К~150°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-bzg05c9v1he3tr-datasheets-1674.pdf | ДО-214АС, СМА | 2 | Неизвестный | 2 | 600Ом | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Нет | 8541.10.00.50 | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | 1,25 Вт | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | 2 | Одинокий | 1,25 Вт | 1 | 3 мкА | 4,7 В | 45 мА | КРЕМНИЙ | 4,7 В | 6,38% | стабилитрон | 6% | 600Ом | 3 мкА при 1 В | 1,2 В при 200 мА |
