Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактОдиночные стабилитроны(43788)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Количество контактов | Код Pbfree | Импеданс | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Код HTS | Толерантность | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Полярность | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Количество контактов | Конфигурация элемента | Рассеяние активности | Количество элементов | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Максимальный обратный ток утечки | Стабильное напряжение | Соединение корпуса | Тестовый ток | Напряжение проба | Мощность - Макс. | Материал диодного элемента | Пиковая мощность оборотов без повторений Dis-Max | Напряжение проба-мин. | Защита от ЭСР | Опорное напряжение | Напряжение Тол-Макс | Тип диода | Допуск по напряжению | Импеданс-Макс. | Ток – обратная утечка @ Vr | Напряжение – вперед (Vf) (Макс) @ If | Напряжение - Стабилитрон (Ном) (Вз) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| BZG03C51TR | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -65°К~150°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-bzg03c22tr-datasheets-9423.pdf | ДО-214АС, СМА | 4,5 мм | 2,2 мм | 2,8 мм | 2 | 20 недель | 2 | 60Ом | EAR99 | Нет | 8541.10.00.50 | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | 1,25 Вт | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | 2 | Одинокий | 3 Вт | 1 мкА | 51В | 10 мА | 54В | КРЕМНИЙ | стабилитрон | 6% | 60Ом | 1 мкА при 39 В | 1,2 В при 500 мА | ||||||||||||||||||||||
| BZW03D36-ТР | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°К~175°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЛАВИНА | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-bzw03c16tap-datasheets-9546.pdf | СОД-64, Осевой | 2 | 10 недель | да | 11Ом | EAR99 | Серебро, Олово | 8541.10.00.50 | ±10% | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | 1,85 Вт | ПРОВОЛОКА | 2 | Одинокий | 6 Вт | 1 | О-LALF-W2 | 30 мкА | 36В | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | 30 мА | КРЕМНИЙ | 1000 Вт | 51,7 В | Нет | ДИОД ПОДАВЛЕНИЯ ТРАНС-НАПРЯЖЕНИЯ | 10% | 11Ом | 2 мкА при 25,8 В | 1,2 В при 1 А | ||||||||||||||||||||||
| BZG03C20TR | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -65°К~150°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-bzg03c22tr-datasheets-9423.pdf | ДО-214АС, СМА | 4,5 мм | 2,2 мм | 2,8 мм | 2 | 20 недель | 2 | 15Ом | EAR99 | Олово | 8541.10.00.50 | е3 | 1,25 Вт | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | 2 | Одинокий | 3 Вт | 1 мкА | 20 В | 25 мА | 21,2 В | КРЕМНИЙ | Нет | стабилитрон | 6% | 15Ом | 1 мкА при 15 В | 1,2 В при 500 мА | ||||||||||||||||||||||
| BZG03C36TR | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -65°К~150°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-bzg03c22tr-datasheets-9423.pdf | ДО-214АС, СМА | 4,5 мм | 2,2 мм | 2,8 мм | 2 | 20 недель | 2 | 40Ом | EAR99 | Олово | 8541.10.00.50 | е3 | 1,25 Вт | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | 2 | Одинокий | 3 Вт | 1 мкА | 36В | 10 мА | 38В | КРЕМНИЙ | Нет | стабилитрон | 6% | 40Ом | 1 мкА при 27 В | 1,2 В при 500 мА | ||||||||||||||||||||||
| BZW03D39-ТР | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°К~175°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЛАВИНА | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-bzw03c16tap-datasheets-9546.pdf | СОД-64, Осевой | 2 | 10 недель | да | 14Ом | EAR99 | Серебро, Олово | 8541.10.00.50 | ±10% | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | 1,85 Вт | ПРОВОЛОКА | 2 | Одинокий | 6 Вт | 1 | О-LALF-W2 | 30 мкА | 39В | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | 30 мА | КРЕМНИЙ | 1000 Вт | 56В | Нет | ДИОД ПОДАВЛЕНИЯ ТРАНС-НАПРЯЖЕНИЯ | 10% | 14Ом | 2 мкА при 28 В | 1,2 В при 1 А | ||||||||||||||||||||||
| BZW03D130-ТР | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°К~175°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 175°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-bzw03c16tap-datasheets-9546.pdf | СОД-64, Осевой | 190Ом | Серебро, Олово | ±10% | 1,85 Вт | Одинокий | 6 Вт | СОД-64 | 10 мкА | 130 В | 10 мА | 1,85 Вт | Нет | 10% | 190 Ом | 2 мкА при 100 В | 1,2 В при 1 А | 130 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| BZG03C75TR | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -65°К~150°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-bzg03c22tr-datasheets-9423.pdf | ДО-214АС, СМА | 4,5 мм | 2,2 мм | 2,8 мм | 2 | 2 | 100Ом | EAR99 | Олово | 8541.10.00.50 | е3 | 1,25 Вт | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | 2 | Одинокий | 3 Вт | 1 мкА | 75В | 10 мА | 79В | КРЕМНИЙ | Нет | стабилитрон | 6% | 100Ом | 1 мкА при 56 В | 1,2 В при 500 мА | ||||||||||||||||||||||||
| BZW03D15-ТР | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°К~175°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЛАВИНА | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-bzw03c16tap-datasheets-9546.pdf | СОД-64, Осевой | 2 | 10 недель | да | 2,5 Ом | EAR99 | Серебро, Олово | 8541.10.00.50 | ±10% | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | 1,85 Вт | ПРОВОЛОКА | 2 | Одинокий | 6 Вт | 1 | О-LALF-W2 | 75 мкА | 15 В | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | 75 мА | КРЕМНИЙ | 1000 Вт | 21,8 В | Нет | ДИОД ПОДАВЛЕНИЯ ТРАНС-НАПРЯЖЕНИЯ | 10% | 2,5 Ом | 2 мкА при 11 В | 1,2 В при 1 А | ||||||||||||||||||||||
| BZW03C16-ТР | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°К~175°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЛАВИНА | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-bzw03c16tap-datasheets-9546.pdf | СОД-64, Осевой | 2 | 10 недель | 2 | да | 1,3 Ом | EAR99 | Нет | 8541.10.00.50 | ±5% | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | 1,85 Вт | ПРОВОЛОКА | 2 | Одинокий | 6 Вт | 1 | 2мкА | 16 В | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | 75 мА | КРЕМНИЙ | 1000 Вт | ДИОД ПОДАВЛЕНИЯ ТРАНС-НАПРЯЖЕНИЯ | 6% | 1,3 Ом | 2 мкА при 12 В | 1,2 В при 1 А | ||||||||||||||||||||||||
| BZW03D16-ТР | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°К~175°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЛАВИНА | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-bzw03c16tap-datasheets-9546.pdf | СОД-64, Осевой | 2 | 10 недель | да | 2,5 Ом | EAR99 | Нет | 8541.10.00.50 | ±10% | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | 1,85 Вт | ПРОВОЛОКА | 2 | Одинокий | 6 Вт | 1 | О-LALF-W2 | 75 мкА | 16 В | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | КРЕМНИЙ | 1000 Вт | 23,4 В | ДИОД ПОДАВЛЕНИЯ ТРАНС-НАПРЯЖЕНИЯ | 10% | 2,5 Ом | 2 мкА при 11,6 В | 1,2 В при 1 А | ||||||||||||||||||||||||
| BZW03D220-TR | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°К~175°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЛАВИНА | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-bzw03c16tap-datasheets-9546.pdf | СОД-64, Осевой | 2 | 10 недель | да | 700Ом | EAR99 | Серебро, Олово | 8541.10.00.50 | ±10% | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | 1,85 Вт | ПРОВОЛОКА | 2 | Одинокий | 6 Вт | 1 | О-LALF-W2 | 5 мкА | 220В | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | 5мА | КРЕМНИЙ | 1000 Вт | 314В | Нет | ДИОД ПОДАВЛЕНИЯ ТРАНС-НАПРЯЖЕНИЯ | 10% | 700Ом | 2 мкА при 158 В | 1,2 В при 1 А | ||||||||||||||||||||||
| BZW03C6V8-TR | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°К~175°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 175°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-bzw03c16tap-datasheets-9546.pdf | СОД-64, Осевой | 10 недель | 2 | 1,5 Ом | Серебро, Олово | ±5% | 1,85 Вт | Одинокий | СОД-64 | 2мА | 6,8 В | 175 мА | 1,85 Вт | Нет | 1,5 Ом | 2 при мА 5,1 В | 1,2 В при 1 А | 6,8 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| BZW03D18-ТР | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°К~175°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЛАВИНА | Соответствует ROHS3 | 2017 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-bzw03c16tap-datasheets-9546.pdf | СОД-64, Осевой | 2 | 10 недель | да | 2,5 Ом | EAR99 | Серебро, Олово | 8541.10.00.50 | ±10% | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | 1,85 Вт | ПРОВОЛОКА | 2 | Одинокий | 6 Вт | 1 | О-LALF-W2 | 65 мкА | 18В | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | 65 мА | КРЕМНИЙ | 1000 Вт | 26,3 В | Нет | ДИОД ПОДАВЛЕНИЯ ТРАНС-НАПРЯЖЕНИЯ | 10% | 2,5 Ом | 2 мкА при 12,6 В | 1,2 В при 1 А | ||||||||||||||||||||||
| BZG05C100TR | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -65°К~150°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-bzg05c9v1he3tr-datasheets-1674.pdf | ДО-214АС, СМА | 2 | 2 | 3кОм | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Нет | 8541.10.00.50 | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | 1,25 Вт | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | 2 | Одинокий | 1,25 Вт | 1 | 500нА | 100 В | 2,7 мА | КРЕМНИЙ | 100 В | 5% | стабилитрон | 5% | 3кОм | 500 нА при 75 В | 1,2 В при 200 мА | |||||||||||||||||||||
| BZW03D120-TR | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°К~175°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЛАВИНА | Соответствует ROHS3 | 2017 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-bzw03c16tap-datasheets-9546.pdf | СОД-64, Осевой | 2 | 10 недель | да | 170Ом | EAR99 | Серебро, Олово | 8541.10.00.50 | ±10% | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | 1,85 Вт | ПРОВОЛОКА | 2 | Одинокий | 6 Вт | 1 | О-LALF-W2 | 10 мкА | 120 В | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | 10 мА | КРЕМНИЙ | 1000 Вт | 172В | Нет | ДИОД ПОДАВЛЕНИЯ ТРАНС-НАПРЯЖЕНИЯ | 10% | 170Ом | 2 мкА при 91 В | 1,2 В при 1 А | ||||||||||||||||||||||
| BZW03C270-ТР | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°К~175°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЛАВИНА | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-bzw03c16tap-datasheets-9546.pdf | СОД-64, Осевой | 2 | 10 недель | да | 1,2 кОм | EAR99 | Нет | 8541.10.00.50 | ±5% | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | 1,85 Вт | ПРОВОЛОКА | 2 | Одинокий | 6 Вт | 1 | О-LALF-W2 | 2мкА | 270В | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | КРЕМНИЙ | 1000 Вт | 380В | ДИОД ПОДАВЛЕНИЯ ТРАНС-НАПРЯЖЕНИЯ | 5% | 1,2 кОм | 2 мкА при 200 В | 1,2 В при 1 А | ||||||||||||||||||||||||
| BZW03D24-TR | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°К~175°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЛАВИНА | Соответствует ROHS3 | 2017 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-bzw03c16tap-datasheets-9546.pdf | СОД-64, Осевой | 2 | 10 недель | да | 3,5 Ом | EAR99 | Нет | 8541.10.00.50 | ±10% | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | 1,85 Вт | ПРОВОЛОКА | 2 | Одинокий | 6 Вт | 1 | О-LALF-W2 | 50 мкА | 24В | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | КРЕМНИЙ | 1000 Вт | 34,6 В | ДИОД ПОДАВЛЕНИЯ ТРАНС-НАПРЯЖЕНИЯ | 10% | 3,5 Ом | 2 мкА при 17,2 В | 1,2 В при 1 А | ||||||||||||||||||||||||
| BZW03D75-ТР | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°К~175°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЛАВИНА | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-bzw03c16tap-datasheets-9546.pdf | СОД-64, Осевой | 2 | 10 недель | да | 45Ом | EAR99 | Серебро, Олово | 8541.10.00.50 | ±10% | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | 1,85 Вт | ПРОВОЛОКА | 2 | Одинокий | 6 Вт | 1 | О-LALF-W2 | 20 мкА | 75В | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | 20 мА | КРЕМНИЙ | 1000 Вт | 107В | Нет | ДИОД ПОДАВЛЕНИЯ ТРАНС-НАПРЯЖЕНИЯ | 10% | 45Ом | 2 мкА при 54 В | 1,2 В при 1 А | ||||||||||||||||||||||
| BZW03D11-TR | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°К~175°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЛАВИНА | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-bzw03c16tap-datasheets-9546.pdf | СОД-64, Осевой | 2 | да | 2,5 Ом | EAR99 | Серебро, Олово | 8541.10.00.50 | ±10% | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | 1,85 Вт | ПРОВОЛОКА | 2 | Одинокий | 6 Вт | 1 | О-LALF-W2 | 125 мкА | 11В | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | 125 мА | КРЕМНИЙ | 1000 Вт | 16,2 В | Нет | ДИОД ПОДАВЛЕНИЯ ТРАНС-НАПРЯЖЕНИЯ | 10% | 2,5 Ом | 15 мкА при 8,2 В | 1,2 В при 1 А | |||||||||||||||||||||||
| BZW03C51-ТР | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°К~175°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЛАВИНА | Соответствует ROHS3 | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-bzw03c16tap-datasheets-9546.pdf | СОД-64, Осевой | 2 | 10 недель | 2 | да | 27Ом | EAR99 | Нет | 8541.10.00.50 | ±5% | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | 1,85 Вт | ПРОВОЛОКА | 2 | Одинокий | 6 Вт | 1 | 2мкА | 51В | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | 25 мА | КРЕМНИЙ | 1000 Вт | 70,8 В | ДИОД ПОДАВЛЕНИЯ ТРАНС-НАПРЯЖЕНИЯ | 6% | 27Ом | 2 мкА при 39 В | 1,2 В при 1 А | |||||||||||||||||||||||
| BZW03C68-ТР | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°К~175°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЛАВИНА | Соответствует ROHS3 | 2017 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-bzw03c16tap-datasheets-9546.pdf | СОД-64, Осевой | 2 | 10 недель | 2 | да | 44Ом | EAR99 | Серебро, Олово | 8541.10.00.50 | ±5% | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | 1,85 Вт | ПРОВОЛОКА | 2 | Одинокий | 6 Вт | 1 | 2мкА | 68В | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | 20 мА | КРЕМНИЙ | 1000 Вт | 94,4 В | Нет | ДИОД ПОДАВЛЕНИЯ ТРАНС-НАПРЯЖЕНИЯ | 6% | 45Ом | 2 мкА при 51 В | 1,2 В при 1 А | ||||||||||||||||||||||
| BZW03D22-TR | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°К~175°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЛАВИНА | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-bzw03c16tap-datasheets-9546.pdf | СОД-64, Осевой | 2 | 10 недель | да | 3,5 Ом | EAR99 | Серебро, Олово | 8541.10.00.50 | ±10% | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | 1,85 Вт | ПРОВОЛОКА | 2 | Одинокий | 6 Вт | 1 | О-LALF-W2 | 50 мкА | 22В | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | 50 мА | КРЕМНИЙ | 1000 Вт | 32В | Нет | ДИОД ПОДАВЛЕНИЯ ТРАНС-НАПРЯЖЕНИЯ | 8% | 3,5 Ом | 2 мкА при 15,8 В | 1,2 В при 1 А | ||||||||||||||||||||||
| BZW03D30-TR | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°К~175°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЛАВИНА | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-bzw03c16tap-datasheets-9546.pdf | СОД-64, Осевой | 2 | 10 недель | да | 8Ом | EAR99 | Серебро, Олово | 8541.10.00.50 | ±10% | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | 1,85 Вт | ПРОВОЛОКА | 2 | Одинокий | 6 Вт | 1 | О-LALF-W2 | 40 мкА | 30В | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | 40 мА | КРЕМНИЙ | 1000 Вт | 43,2 В | Нет | ДИОД ПОДАВЛЕНИЯ ТРАНС-НАПРЯЖЕНИЯ | 10% | 8Ом | 2 мкА при 21,5 В | 1,2 В при 1 А | ||||||||||||||||||||||
| BZW03C91-ТР | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°К~175°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЛАВИНА | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-bzw03c16tap-datasheets-9546.pdf | СОД-64, Осевой | 2 | 10 недель | да | 75Ом | EAR99 | Серебро, Олово | 8541.10.00.50 | ±5% | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | 1,85 Вт | ПРОВОЛОКА | 2 | Одинокий | 6 Вт | 1 | О-LALF-W2 | 2мкА | 91В | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | 15 мА | КРЕМНИЙ | 1000 Вт | 126В | Нет | ДИОД ПОДАВЛЕНИЯ ТРАНС-НАПРЯЖЕНИЯ | 6% | 75Ом | 2 мкА при 68 В | 1,2 В при 1 А | ||||||||||||||||||||||
| BZW03C56-ТР | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°К~175°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 175°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-bzw03c16tap-datasheets-9546.pdf | СОД-64, Осевой | 10 недель | 35Ом | Нет | ±5% | 1,85 Вт | Одинокий | 6 Вт | СОД-64 | 2мкА | 56В | 1,85 Вт | 5% | 35 Ом | 2 мкА при 43 В | 1,2 В при 1 А | 56В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BZW03D12-TR | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°К~175°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЛАВИНА | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-bzw03c16tap-datasheets-9546.pdf | СОД-64, Осевой | 2 | 10 недель | да | 2,5 Ом | EAR99 | Серебро, Олово | 8541.10.00.50 | ±10% | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | 1,85 Вт | ПРОВОЛОКА | 2 | Одинокий | 6 Вт | 1 | О-LALF-W2 | 100 мкА | 12 В | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | 100 мА | КРЕМНИЙ | 1000 Вт | 17,5 В | Нет | ДИОД ПОДАВЛЕНИЯ ТРАНС-НАПРЯЖЕНИЯ | 10% | 2,5 Ом | 10 мкА при 9,1 В | 1,2 В при 1 А | ||||||||||||||||||||||
| BZW03D33-ТР | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°К~175°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЛАВИНА | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-bzw03c16tap-datasheets-9546.pdf | СОД-64, Осевой | 2 | 10 недель | да | 10Ом | EAR99 | Серебро, Олово | 8541.10.00.50 | ±10% | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | 1,85 Вт | ПРОВОЛОКА | 2 | Одинокий | 6 Вт | 1 | О-LALF-W2 | 40 мкА | 33В | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | 40 мА | КРЕМНИЙ | 1000 Вт | 47В | Нет | ДИОД ПОДАВЛЕНИЯ ТРАНС-НАПРЯЖЕНИЯ | 10% | 10Ом | 2 мкА при 23,5 В | 1,2 В при 1 А | ||||||||||||||||||||||
| BZW03C82-ТР | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°К~175°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЛАВИНА | Соответствует ROHS3 | 2017 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-bzw03c16tap-datasheets-9546.pdf | СОД-64, Осевой | 2 | 10 недель | 2 | да | 65Ом | EAR99 | Серебро, Олово | 8541.10.00.50 | ±5% | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | 1,85 Вт | ПРОВОЛОКА | 2 | Одинокий | 6 Вт | 1 | 2мкА | 82В | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | 15 мА | КРЕМНИЙ | 1000 Вт | 114В | Нет | ДИОД ПОДАВЛЕНИЯ ТРАНС-НАПРЯЖЕНИЯ | 6% | 65Ом | 2 мкА при 62 В | 1,2 В при 1 А | ||||||||||||||||||||||
| BZW03D110-ТР | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°К~175°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЛАВИНА | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-bzw03c16tap-datasheets-9546.pdf | СОД-64, Осевой | 2 | 10 недель | да | 125 Ом | EAR99 | Серебро, Олово | 8541.10.00.50 | ±10% | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | 1,85 Вт | ПРОВОЛОКА | 2 | Одинокий | 6 Вт | 1 | О-LALF-W2 | 12 мкА | 110 В | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | 12 мА | КРЕМНИЙ | 1000 Вт | 157В | Нет | ДИОД ПОДАВЛЕНИЯ ТРАНС-НАПРЯЖЕНИЯ | 10% | 125 Ом | 2 мкА при 82 В | 1,2 В при 1 А | ||||||||||||||||||||||
| BZW03C62-ТР | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°К~175°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЛАВИНА | Соответствует ROHS3 | 2017 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-bzw03c16tap-datasheets-9546.pdf | СОД-64, Осевой | 2 | 10 недель | да | 42Ом | EAR99 | Нет | 8541.10.00.50 | ±5% | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | 1,85 Вт | ПРОВОЛОКА | 2 | Одинокий | 6 Вт | 1 | О-LALF-W2 | 2мкА | 62В | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | КРЕМНИЙ | 1000 Вт | 86,5 В | ДИОД ПОДАВЛЕНИЯ ТРАНС-НАПРЯЖЕНИЯ | 6% | 42Ом | 2 мкА при 47 В | 1,2 В при 1 А |
