Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 155 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 185 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 186 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 147 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 150 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 185 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 186 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 147 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31
Zener Single Diodes - Электронные компоненты Sourcing - Лучший электронный компонентный агент - ICGNT
Срэйват Ибрагейн Сознание Проиджодель ЦEnы (DOLLARR) Колист Вер (К.) Raзmer (lxwxh) Статус В припании Управый МОНТАНАНГИП Rraboч -yemperatura Упако Вернояж Весели МАКСИМАЛЕН Мин Тела Статус Ройс Опуликовано Техниль На Деликат PakeT / KORPUES Делина Вес Шyrina СОУДНО ПРИОН MATERIAL Колист Верна МАССА DOSTIчH SVHC Колист Статус жIзnennogogo цikla PBFREE CODE Ипер КОД ECCN Доленитейн Ая Конец Rradiaцyonnoe wyproчneneenee ТЕКУИГИГ HTS -KOD Rerйtingepeatania Терпимость КОД JESD-609 ТЕРМИНАЛЕН Полаяня Спр Пефер МАКСИМАЛЕВАЯ Терминала Терминаланая Пико -Аймперратара Я Поседл Коунфигуразия Wremaping@pikovoйtemperaturu (я) R. Колист Подкейгория Кваликакахионн Статус МАКСИМАЛАНА ТЕМПЕРАТУРА Diapaзontemperaturы okruжeй stredы vыsokiй КОД JESD-30 ПАКЕТИВАЕТСЯ Вес Vpreged Верна МАКС Зенер на Rrabose anprayoneee Коунфигура Слюна Тест Синла - МАКС Диднн Power Dissipation-Max Зaщita OSD ПИКЕКАНЕТНА Ох Sprawoчnoe hanpryaeneee На naprayeseee tol-max Рубоидж Тёст Дип ТОЛЕРАНТНЯСК Зenertoc Динамискильский Ипер Ток - Обратна тебе На На
MMSZ5248B-E3-08 MMSZ5248B-E3-08 Otdelpoprovowodnykowых -diodowwвaй
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер Пефер -55 ° C ~ 150 ° С. Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) Zener Rohs3 2014 /files/vishaysemiconductordiodesdivision-mmsz5230ce308-datasheets-5233.pdf SOD-123 СОУДНО ПРИОН 2 12 10.290877mg НЕИ 2 в дар 21 Ear99 Не 8541.10.00.50 ± 5% E3 MATOWAN ONOUVA (SN) ОДНОАНАПРАВЛЕННА 500 м Дон Крхлоп 260 MMSZ5248B 2 Одинокий 10 1 Спр 100NA 18В Кремни 100NA 18В 5% 7ma Zenereode 5% 21 100na @ 14v
MMSZ5240B-E3-08 MMSZ5240B-E3-08 Otdelpoprovowodnykowых -diodowwвaй
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Автомобиль, AEC-Q101 Пефер Пефер -55 ° C ~ 150 ° С. Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) Zener Rohs3 2014 /files/vishaysemiconductordiodesdivision-mmsz5230ce308-datasheets-5233.pdf SOD-123 2 12 10.290877mg НЕИ 2 в дар 17ohm Ear99 Не 8541.10.00.50 ± 5% E3 MATOWAN ONOUVA (SN) ОДНОАНАПРАВЛЕННА 500 м Дон Крхлоп 260 2 Одинокий 10 1 Спр 3 мка 10 В Кремни 3 мка 10 В 5% Zenereode 5% 17ohm 3 мка @ 8V
1N4734A-T50A 1n4734a-t50a На то, чтобы
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Чereз dыru -65 ° C ~ 200 ° C. Lenta и коробка (TB) 1 (neograniчennnый) Zener Rohs3 2016 /files/onsemoronductor-1n4748a-datasheets-0094.pdf DO-204AL, DO-41, OSEVOй 2 2 nede в дар ± 5% E3 Олово (sn) ОДНОАНАПРАВЛЕННА Не Проволока Nukahan 1n4734 Nukahan 1 Спр Н.Квалиирована O-Palf-W2 Одинокий Иолирована 1 Вт Кремни 1 Вт 5,6 В. 5% 45 май Zenereode 5ohm 5ohm 10 мк @ 2v 5,6 В.
1N4740ATR 1N4740ATR На то, чтобы
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Чereз dыru Чereз dыru -65 ° C ~ 200 ° C. Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) Zener Rohs3 2009 /files/onsemoronductor-1n4748a-datasheets-0094.pdf 10 В 2,72 мм DO-204AL, DO-41, OSEVOй 5,2 мм 6,35 мм 6,35 мм СОУДНО ПРИОН Стекло 2 18 245 м НЕТ SVHC 2 Активна (Постенни в Обновен: 2 дня назад) в дар 7om Ear99 Оло 8541.10.00.50 1 Вт ± 5% E3 ОДНОАНАПРАВЛЕННА 1 Вт Проволока 1n4740 Одинокий 1 Вт 1 Спр 1A 10 мк 10 В 10 В Иолирована 25 май Не 10 мк 10 В 5% Zenereode 5% 25 май 7om 10 мк.
TZMB5V6-GS08 TZMB5V6-GS08 Otdelpoprovowodnykowых -diodowwвaй
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Автомобиль, AEC-Q101 Пефер Пефер -65 ° C ~ 175 ° C. Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) Zener Rohs3 2012 /files/vishaysemiconductordiodesdivision-tzmc12gs08-datasheets-0010.pdf 1,6 ММ DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 3,7 мм СОУДНО ПРИОН 2 11 nedely 2 40 ч Ear99 Не 25 а 8541.10.00.50 ± 2% E2 Жestaynoe cerebro ОДНОАНАПРАВЛЕННА 500 м Кони Охрнут 260 2 Одинокий 500 м 1 1,5 В. 100NA 5,6 В. 5,6 В. Иолирована 5 май Кремни 100 май 5,6 В. 2% Zenereode 2% 100NA 40 ч 100na @ 1v 1,5 - @ 200 Ма
BZX384-C6V2,115 BZX384-C6V2,115 Nexperia USA Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер -65 ° С ~ 150 ° С. Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) Zener Rohs3 2003 /files/nexperiausainc-bzx384b12115-datasheets-5033.pdf SC-76, SOD-323 2 4 neDe 2 Ear99 8541.10.00.50 ± 5% E3 Олово (sn) Npn В дар Дон Крхлоп 260 BZX384C6V2 2 40 1 Н.Квалиирована Одинокий 300 м Кремни 0,3 6,2 В. 5% 5 май Zenereode 10ohm 3 мка @ 4V 1,1 - @ 100mma 6,2 В.
BZX384C16-HE3-08 BZX384C16-HE3-08 Otdelpoprovowodnykowых -diodowwвaй
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер Пефер -55 ° C ~ 150 ° С. Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) Zener Rohs3 2016 /files/vishaysemiconductordiodesdivision-bzx384b10e318-datasheets-1836.pdf SC-76, SOD-323 2 12 4.309128mg 2 в дар 40 ч Ear99 8541.10.00.50 ± 5% E3 MATOWAN ONOUVA (SN) ОДНОАНАПРАВЛЕННА AEC-Q101 200 м Дон Крхлоп 260 2 Одинокий 10 200 м 1 Спр 50NA 16 Кремни 16 5% 5 май Zenereode 5% 40 ч 50NA @ 11.2V
1N4751ATR 1n4751atr На то, чтобы
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Чereз dыru Чereз dыru -65 ° C ~ 200 ° C. Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) Zener Rohs3 2009 /files/onsemoronductor-1n4748a-datasheets-0094.pdf 30 2,72 мм DO-204AL, DO-41, OSEVOй 5,2 мм СОУДНО ПРИОН Стекло 2 18 245 м НЕТ SVHC 2 Активна (Постенни в Обновен: 2 дня назад) в дар 40 ч Ear99 Оло 8541.10.00.50 1 Вт ± 5% E3 ОДНОАНАПРАВЛЕННА 1 Вт Проволока 1N4751 Одинокий 1 Вт 1 Спр 3A 5 Мка 30 30 Иолирована 8,5 мая Не 5 Мка 30 5% Zenereode 5% 8,5 мая 40 ч 5 Мка @ 22,8в.
TZMB10-GS08 TZMB10-GS08 Otdelpoprovowodnykowых -diodowwвaй
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Автомобиль, AEC-Q101 Пефер Пефер -65 ° C ~ 175 ° C. Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) Zener Rohs3 2005 /files/vishaysemiconductordiodesdivision-tzmc12gs08-datasheets-0010.pdf 1,6 ММ DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 3,7 мм СОУДНО ПРИОН 2 11 nedely НЕИ 2 15ohm Ear99 Не 8541.10.00.50 ± 2% E2 Жestaynoe cerebro ОДНОАНАПРАВЛЕННА 500 м Кони Охрнут 260 2 Одинокий 500 м 1 1,5 В. 100NA 10 В 10 В Иолирована 5 май Кремни 100 май 10 В 2% Zenereode 2% 100NA 15ohm 100na @ 7,5 1,5 - @ 200 Ма
MM5Z5V6ST1G MM5Z5V6ST1G На то, чтобы
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Автомобиль, AEC-Q101 Пефер -65 ° С ~ 150 ° С. Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) Zener Rohs3 2004 /files/onsemyonductor-mm5z6v2st1g-datasheets-5932.pdf 5,6 В. SC-79, SOD-523 1,3 мм 700 мкм 900 мкм СОУДНО ПРИОН Пластик 2 15 НЕТ SVHC 2 Актифен (Постэдни в Обновен: 3 дня назад) в дар 40 ч Ear99 Не 8541.10.00.50 100 м ± 2% E3 Олово (sn) ОДНОАНАПРАВЛЕННА В дар 500 м Дон Плоски 260 MM5Z5V6 2 Одинокий 40 200 м 1 Спр 900 м 1 Млокс 5,61 В. 5,6 В. 5 май 1 Млокс 5,6 В. Zenereode 2% 10 май 40 ч 1 ония @ 2v 900 мВ @ 10ma
MM5Z6V2ST1G MM5Z6V2ST1G На то, чтобы
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер -65 ° С ~ 150 ° С. Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) Zener Rohs3 2006 /files/onsemyonductor-mm5z6v2st1g-datasheets-5932.pdf 6,2 В. SC-79, SOD-523 1,3 мм 700 мкм 900 мкм СОУДНО ПРИОН Пластик 2 15 НЕТ SVHC 2 Активн (Постенни в Обновен: 4 дня назад) в дар 10ohm Ear99 Оло Не 8541.10.00.50 100 м ± 6% E3 ОДНОАНАПРАВЛЕННА В дар 200 м Дон Плоски 260 MM5Z6V2 2 Одинокий 40 200 м 1 Спр 900 м 3 мка 6.195v 6,2 В. 5 май 500 м В дар 3 мка 6,2 В. Zenereode 2% 10 май 10ohm 3 мка @ 4V 900 мВ @ 10ma
BZX384-C3V3,115 BZX384-C3V3,115 Nexperia USA Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер -65 ° С ~ 150 ° С. Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) Zener Rohs3 2003 /files/nexperiausainc-bzx384b12115-datasheets-5033.pdf SC-76, SOD-323 2 4 neDe 2 Ear99 8541.10.00.50 ± 5% E3 Олово (sn) Pnp В дар Дон Крхлоп 260 BZX384C3V3 2 40 1 Н.Квалиирована Одинокий 300 м Кремни 0,3 3,3 В. 5% 5 май Zenereode 95ohm 5 мка @ 1V 1,1 - @ 100mma 3,3 В.
BZT585B5V1TQ-7 BZT585B5V1TQ-7 Дидж
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Автомобиль, AEC-Q101 Пефер Пефер -65 ° С ~ 150 ° С. Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) 150 ° С -65 ° С Rohs3 2015 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/diodesincortated-bzt585b5v1tq7-datasheets-6029.pdf SC-79, SOD-523 19 nedely 60om ± 2% 350 м SOD-523 5,1 В. 350 м 60 ОМ 2 мка @ 2v 1,1 - @ 100mma 5,1 В.
MM3Z3V6T1G MM3Z3V6T1G На то, чтобы
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер -65 ° С ~ 150 ° С. Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) SMD/SMT Zener Rohs3 2007 /files/ONSEMYONDURTOR-SZMM3Z5V1T1G-DATASHEETS-4854.pdf 3,6 В. SC-76, SOD-323 1,8 ММ 1 ММ 1,35 мм СОУДНО ПРИОН 2 8 НЕТ SVHC 2 Активн (Постенни в Обновен: 4 дня назад) в дар 90 м Ear99 Уль Прринанана Не 8541.10.00.50 200 м ± 6% E3 Олово (sn) ОДНОАНАПРАВЛЕННА В дар 200 м Дон Крхлоп 260 MM3Z3V6 2 Одинокий 40 200 м 1 Спр 900 м 5 Мка 3,6 В. 3,6 В. 5 май 300 м Кремни 5 Мка 3,6 В. 5,56% Zenereode 6% 10 май 90 м 5 мка @ 1V 900 мВ @ 10ma
BZX85C10-T50R BZX85C10-T50R На то, чтобы
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Чereз dыru Чereз dыru -65 ° C ~ 200 ° C. Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) Zener Rohs3 /files/onsemoronductor-bzx85c12-datasheets-0347.pdf 10 В DO-204AL, DO-41, OSEVOй СОУДНО ПРИОН 2 18 245 м 2 Активна (Постенни в Обновен: 2 дня назад) в дар 7om Оло 1 Вт ± 5% E3 ОДНОАНАПРАВЛЕННА 1 Вт Проволока BZX85C10 Одинокий 1 Вт 1 Спр 500NA 10 В Иолирована 25 май Кремни Не 10 В 5% Zenereode 5% 25 май 7om 500NA @ 7V 1,2 - @ 200 Ма
1N4735A,113 1n4735a, 113 Nexperia USA Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Чereз dыru Чereз dыru -65 ° C ~ 200 ° C. Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) Zener Rohs3 2009 /files/nexperiausainc-1n4735a113-datasheets-6033.pdf DO-204AL, DO-41, OSEVOй 63,5 мм 6,35 мм 6,35 мм СОУДНО ПРИОН 2 6 4.535924G НЕТ SVHC 2 2 О Ear99 Не 8541.10.00.50 ± 5% E3 Олово (sn) ОДНОАНАПРАВЛЕННА 1 Вт Проволока 260 1N4735 2 Одинокий 30 1 Вт 1 1,2 В. 10 мк 6,2 В. 6,2 В. Иолирована 41MA Кремни 10 мк 6,2 В. 5% Zenereode 5% 146 май 2 О 10 мк @ 3v 1,2 - @ 200 Ма
1N4736ATR 1n4736atr На то, чтобы
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Чereз dыru Чereз dыru -65 ° C ~ 200 ° C. Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) Zener Rohs3 2009 /files/onsemoronductor-1n4748a-datasheets-0094.pdf 6,8 В. 2,72 мм DO-204AL, DO-41, OSEVOй 5,2 мм СОУДНО ПРИОН Стекло 2 18 245 м НЕТ SVHC 2 Активна (postedonniй obnownen: 12 -й в дар 3,5 ОМ Ear99 Не 8541.10.00.50 1 Вт ± 5% E3 Олово (sn) ОДНОАНАПРАВЛЕННА 1 Вт Проволока 1n4736 Одинокий 1 Вт 1 Спр 680 май 10 мк 6,8 В. 6,8 В. Иолирована 37 май 10 мк 6,8 В. 5% Zenereode 5% 37 май 3,5 ОМ 10 мка @ 4V
BZX384-C2V7,115 BZX384-C2V7,115 Nexperia USA Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер -65 ° С ~ 150 ° С. Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) Zener Rohs3 2003 /files/nexperiausainc-bzx384b12115-datasheets-5033.pdf SC-76, SOD-323 2 4 neDe 2 Ear99 8541.10.00.50 ± 5% E3 Олово (sn) Pnp В дар Дон Крхлоп 260 BZX384C2V7 2 40 1 Н.Квалиирована Одинокий 300 м Кремни 0,3 2,7 В. 5% 5 май Zenereode 100ohm 20 мка @ 1V 1,1 - @ 100mma 2,7 В.
BZX384-C16,115 BZX384-C16,115 Nexperia USA Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер -65 ° С ~ 150 ° С. Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) Zener Rohs3 2003 /files/nexperiausainc-bzx384b12115-datasheets-5033.pdf SC-76, SOD-323 1,1 мм 2 4 neDe 2 Ear99 8541.10.00.50 ± 5% E3 Олово (sn) ОДНОАНАПРАВЛЕННА В дар Дон Крхлоп 260 BZX384C16 2 40 300 м 1 Н.Квалиирована 150 ° С 150 ° С 250 май 50NA 16 Одинокий Кремни 11.2V 16 5% 5 май Zenereode 40 ч 50NA @ 11.2V 1,1 - @ 100mma
BZX384-C10,115 BZX384-C10,115 Nexperia USA Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер -65 ° С ~ 150 ° С. Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) Zener Rohs3 2003 /files/nexperiausainc-bzx384b12115-datasheets-5033.pdf SC-76, SOD-323 2 4 neDe 2 Ear99 8541.10.00.50 ± 5% E3 Олово (sn) Pnp В дар Дон Крхлоп 260 BZX384C10 2 40 1 Н.Квалиирована Одинокий 300 м Кремни 0,3 10 В 5% 5 май Zenereode 20:00 200NA @ 7V 1,1 - @ 100mma 10 В
BZT52B15LP-7B BZT52B15LP-7B Дидж
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер Пефер -65 ° С ~ 150 ° С. Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) Zener Rohs3 2014 /files/diodescorporated bzt52b15lp7b-datasheets-5477.pdf 0402 (1006 МЕТРИКА) 2 19 nedely НЕТ SVHC 2 15ohm Ear99 ЗOLOTO 8541.10.00.50 250 м ± 2% E4 ОДНОАНАПРАВЛЕННА 250 м Дон 260 BZT52B15 Одинокий 30 1 Спр 50NA 15 5 май Кремни Не 15 2% Zenereode 5% 15ohm 50na @ 10,5 900 мВ @ 10ma
BZX384C3V3-E3-08 BZX384C3V3-E3-08 Otdelpoprovowodnykowых -diodowwвaй
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Автомобиль, AEC-Q101 Пефер Пефер -55 ° C ~ 150 ° С. Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) Zener Rohs3 2016 /files/vishaysemiconductordiodesdivision-bzx384b10e318-datasheets-1836.pdf SC-76, SOD-323 1,15 мм 2 12 4.309128mg 2 в дар 95ohm Ear99 8541.10.00.50 ± 5% E3 MATOWAN ONOUVA (SN) ОДНОАНАПРАВЛЕННА 200 м Дон Крхлоп 260 2 Одинокий 10 200 м 1 Спр 150 ° С 5 май 5 Мка 3,3 В. 5 май Кремни В дар 3,3 В. 5% Zenereode 5% 95ohm 5 мка @ 1V
1N4742ATR 1n4742atr На то, чтобы
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Чereз dыru Чereз dыru -65 ° C ~ 200 ° C. Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) Zener Rohs3 2009 /files/onsemoronductor-1n4748a-datasheets-0094.pdf 12 2,72 мм DO-204AL, DO-41, OSEVOй 5,2 мм 2,72 мм 2,72 мм СОУДНО ПРИОН Стекло 2 18 245 м НЕТ SVHC 2 Активна (Постенни в Обновен: 2 дня назад) в дар 9ohm Ear99 Оло 8541.10.00.50 1 Вт ± 5% E3 ОДНОАНАПРАВЛЕННА 1 Вт Проволока 1n4742 Одинокий 1 Вт 1 Спр 1.2a 5 Мка 12 12 Иолирована 21ma Не 5 Мка 12 5% Zenereode 5% 21ma 9ohm 5 Мка @ 9,1 В.
1N4734ATR 1n4734atr На то, чтобы
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Чereз dыru Чereз dыru -65 ° C ~ 200 ° C. Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) Zener Rohs3 2016 /files/onsemoronductor-1n4748a-datasheets-0094.pdf 5,6 В. DO-204AL, DO-41, OSEVOй 5,21 мм 2,72 мм 2,72 мм СОУДНО ПРИОН Стекло 2 18 245 м НЕТ SVHC 2 Активна (Постенни в Обновен: 2 дня назад) в дар 5ohm Ear99 Оло 8541.10.00.50 1 Вт ± 5% E3 ОДНОАНАПРАВЛЕННА 1 Вт Проволока 1n4734 Одинокий 1 Вт 1 Спр 560 май 10 мк 5,6 В. 5,6 В. Иолирована 45 май Не 10 мк 5,6 В. 5% Zenereode 5% 45 май 5ohm 10 мк @ 2v
DDZ13B-7 DDZ13B-7 Дидж
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер Пефер -65 ° С ~ 150 ° С. Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) SMD/SMT Zener Rohs3 2008 /files/diodesincorporated-ddz6v2b7-datasheets-5439.pdf 13 SOD-123 3,85 мм 1,35 мм 1,7 ММ СОУДНО ПРИОН 2 19 nedely 10.007382mg 2 в дар 14om Ear99 Вес Оло 8541.10.00.50 500 м ± 3% E3 ОДНОАНАПРАВЛЕННА 500 м Дон Крхлоп 260 DDZ13 2 Одинокий 40 500 м 1 Спр 40 май 900 м 100NA 13 13 10 май Кремни Не 100NA 13 Zenereode 3% 100NA 14om 100na @ 10 a. 900 мВ @ 10ma
BZX384-C5V1,115 BZX384-C5V1,115 Nexperia USA Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер -65 ° С ~ 150 ° С. Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) Zener Rohs3 2003 /files/nexperiausainc-bzx384b12115-datasheets-5033.pdf SC-76, SOD-323 2 4 neDe 2 Ear99 8541.10.00.50 ± 5% E3 Олово (sn) ОДНОАНАПРАВЛЕННА В дар Дон Крхлоп 260 BZX384C5V1 2 40 1 Н.Квалиирована Одинокий 300 м Кремни 0,3 5,1 В. 5% 5 май Zenereode 60om 2 мка @ 2v 1,1 - @ 100mma 5,1 В.
1N4743ATR 1n4743atr На то, чтобы
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Чereз dыru Чereз dыru -65 ° C ~ 200 ° C. Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) Zener Rohs3 2009 /files/onsemoronductor-1n4748a-datasheets-0094.pdf 13 2,72 мм DO-204AL, DO-41, OSEVOй 5,2 мм 2,72 мм 2,72 мм СОУДНО ПРИОН Стекло 2 18 245 м НЕТ SVHC 2 Активна (Постенни в Обновен: 2 дня назад) в дар 10ohm Ear99 Не 8541.10.00.50 1 Вт ± 5% E3 Олово (sn) ОДНОАНАПРАВЛЕННА 1 Вт Проволока 1n4743 Одинокий 1 Вт 1 Спр 1.3a 5 Мка 13 13 Иолирована 19ma 5 Мка 13 5% Zenereode 5% 19ma 10ohm 5 Мка @ 9,9 В.
MMSZ5249BT1G MMSZ5249BT1G На то, чтобы
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер -55 ° C ~ 150 ° С. Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) Zener Rohs3 2006 /files/onsemyonductor-mmsz5223bt1g-datasheets-9007.pdf 19 SOD-123 2,84 мм 1,25 мм 1,8 ММ СОУДНО ПРИОН 2 8 2 Активна (Постенни в Обновен: 2 дня назад) в дар 23ohm Ear99 Не 8541.10.00.50 500 м ± 5% E3 Олово (sn) ОДНОАНАПРАВЛЕННА В дар 500 м Дон Крхлоп 260 MMSZ5249B 2 Одинокий 40 500 м 1 Спр 100NA 19 6,6 май Кремни 19 5% Zenereode 5% 10 май 23ohm 100na @ 14v 900 мВ @ 10ma
1N4749ATR 1n4749atr На то, чтобы
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Чereз dыru Чereз dыru -65 ° C ~ 200 ° C. Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) Zener Rohs3 2009 /files/onsemoronductor-1n4748a-datasheets-0094.pdf 24 2,72 мм DO-204AL, DO-41, OSEVOй 5,2 мм СОУДНО ПРИОН Стекло 2 18 245 м НЕТ SVHC 2 Активна (Постенни в Обновен: 2 дня назад) в дар 25 ч Ear99 Оло 8541.10.00.50 1 Вт ± 5% E3 ОДНОАНАПРАВЛЕННА 1 Вт Проволока 1n4749 Одинокий 1 Вт 1 Спр 2.4a 5 Мка 24 24 Иолирована 10,5 мая Не 5 Мка 24 5% Zenereode 5% 10,5 мая 25 ч 5 Мка @ 18,2 В.
1N4728ATR 1n4728atr На то, чтобы
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Чereз dыru Чereз dыru -65 ° C ~ 200 ° C. Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) Zener Rohs3 2009 /files/onsemoronductor-1n4748a-datasheets-0094.pdf 3,3 В. 2,72 мм DO-204AL, DO-41, OSEVOй 5,2 мм СОУДНО ПРИОН Стекло 2 18 245 м НЕТ SVHC 2 Активна (Постенни в Обновен: 2 дня назад) в дар 10ohm Ear99 Оло 8541.10.00.50 1 Вт ± 5% E3 ОДНОАНАПРАВЛЕННА 1 Вт Проволока 1n4728 Одинокий 1 Вт 1 Спр 330 май 1,2 В. 100 мк 3,3 В. 3,3 В. Иолирована 76 май Не 100 мк 3,3 В. 5% Zenereode 5% 76 май 10ohm 100 мк @ 1v

В наличии

Пожалуйста, отправьте RFQ, мы ответим немедленно.