Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактОдиночные стабилитроны(43788)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Прекращение действия | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Текущий рейтинг | Диаметр | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Материал | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | Импеданс | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Код HTS | мощность | Толерантность | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Полярность | Справочный стандарт | Без галогенов | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Базовый номер детали | Количество контактов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Максимальный переход температуры (Tj) | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Прямое напряжение | Максимальный обратный ток утечки | Стабильное напряжение | Рабочее напряжение | Конфигурация | Тестовый ток | Напряжение проба | Мощность - Макс. | Материал диодного элемента | Рассеиваемая мощность-Макс. | Максимальное напряжение проба | Защита от ЭСР | Пиковый обратный ток | Обратное напряжение | Опорное напряжение | Напряжение Тол-Макс | Рабочий тестовый ток | Тип диода | Допуск по напряжению | Ток Зенера | Динамический импеданс-Макс. | Импеданс-Макс | Ток – обратная утечка @ Vr | Напряжение – вперед (Vf) (Макс) @ If | Напряжение - Стабилитрон (Ном) (Вз) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| ММ3З2В4Т1Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°К~150°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | СМД/СМТ | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | 2007 год | /files/onsemiconductor-szmm3z5v1t1g-datasheets-4854.pdf | 2,4 В | СК-76, СОД-323 | 1,8 мм | 1 мм | 1,35 мм | Без свинца | Пластик | 2 | 8 недель | Нет СВХК | 2 | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | 100Ом | EAR99 | УЛ ПРИЗНАЛ | Нет | 8541.10.00.50 | 200мВт | ±8% | е3 | Олово (Вс) | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | ДА | 200мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | ММ3Z2V4 | 2 | Одинокий | 40 | 200мВт | 1 | Диоды опорного напряжения | 50 мкА | 2,4 В | 5мА | 2,6 В | 300мВт | 2,6 В | 2,4 В | 8,33% | стабилитрон | 8% | 10 мА | 100Ом | 50 мкА при 1 В | 900 мВ при 10 мА | |||||||||||||||||||||||||||||
| ММСЗ5221БТ1Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°К~150°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/onsemiconductor-mmsz5223bt1g-datasheets-9007.pdf&product=onsemiconductor-mmsz5221bt1g-5114968 | 2,4 В | СОД-123 | 2,8194 мм | 1,3462 мм | 1,8034 мм | Без свинца | Пластик | 2 | 8 недель | Нет СВХК | 2 | АКТИВНО (последнее обновление: 1 день назад) | да | 30Ом | EAR99 | Олово | Нет | 8541.10.00.50 | 500мВт | ±5% | е3 | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | ДА | 500мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | ММСЗ5221Б | 2 | Одинокий | 40 | 500мВт | 1 | Диоды опорного напряжения | 900 мВ | 100 мкА | 2,4 В | 2,4 В | 20 мА | 2,52 В | Да | 100 мкА | 2,4 В | 5% | стабилитрон | 5% | 10 мА | 30Ом | 100 мкА при 1 В | 900 мВ при 10 мА | |||||||||||||||||||||||||||||
| ДДЗ9688-7 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -65°К~150°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | 2017 год | /files/diodesincorporated-ddz97027-datasheets-4909.pdf | СОД-123 | 3,85 мм | 1,35 мм | 1,7 мм | Без свинца | 2 | 24 недели | 10,007382мг | 2 | да | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Олово | 8541.10.00.50 | 500мВт | ±5% | е3 | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | 500мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | ДДЗ9688 | 2 | Одинокий | 40 | 500мВт | 1 | Диоды опорного напряжения | 900 мВ | 5 мкА | 4,7 В | 4,7 В | 50 мкА | КРЕМНИЙ | Нет | 5 мкА | 4,7 В | 4,99% | стабилитрон | 5% | 5 мкА | 5 мкА при 3 В | 900 мВ при 10 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BZX84C30LT1G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°С~150°С ТДж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/onsemiconductor-szbzx84b5v1lt1g-datasheets-2193.pdf | 30 В | 10А | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 3,04 мм | 1,01 мм | 1,4 мм | Без свинца | Пластик | 3 | 5 недель | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | 80Ом | EAR99 | УЛ ПРИЗНАЛ | Нет | 8541.10.00.50 | 225 МВт | ±7% | е3 | Олово (Вс) | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | Без галогенов | ДА | 225 МВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | BZX84C30 | 3 | Одинокий | 40 | 300мВт | 1 | Диоды опорного напряжения | 900 мВ | 50нА | 30 В | 30 В | 2мА | 50нА | 30 В | 6,6% | стабилитрон | 7% | 10 мА | 80Ом | 50 нА при 21 В | 900 мВ при 10 мА | ||||||||||||||||||||||||||||
| 1N5256B-TR | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°К~175°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-1n5264btr-datasheets-0960.pdf | ДО-204АХ, ДО-35, осевой | Без свинца | 10 недель | 2 | да | 49Ом | Серебро, Олово | ±5% | 500мВт | 1N5256 | 2 | Одинокий | 500мВт | 1,1 В | 100 нА | 30 В | 30 В | 4,2 мА | Нет | 100 нА | 5% | 49Ом | 100 нА при 23 В | 1,1 В при 200 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ММБЗ5240БЛТ1Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°К~150°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | СМД/СМТ | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | /files/onsemiconductor-mmbz5238blt1g-datasheets-0784.pdf | 10 В | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 3,0226 мм | 1,1176 мм | 1397 мм | Без свинца | Пластик | 3 | 4 недели | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | 17Ом | EAR99 | Олово | Нет | 8541.10.00.50 | 225 МВт | ±5% | е3 | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | ДА | 225 МВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | ММБЗ5240Б | 3 | Одинокий | 40 | 300мВт | 1 | Диоды опорного напряжения | 900 мВ | 3 мкА | 10 В | 10 В | 20 мА | 10,5 В | Да | 3 мкА | 10 В | 5% | стабилитрон | 5% | 10 мА | 17Ом | 3 мкА при 8 В | 900 мВ при 10 мА | ||||||||||||||||||||||||||||
| BZX84C12-E3-08 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | -55°К~150°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-bzx84c12e308-datasheets-5204.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 3 | 15 недель | да | EAR99 | 8541.10.00.50 | ±5% | е3 | Матовый олово (Sn) | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3 | 10 | 1 | Диоды опорного напряжения | Р-ПДСО-Г3 | ОДИНОКИЙ | 300мВт | КРЕМНИЙ | 0,3 Вт | 12 В | 5% | 5мА | стабилитрон | 25 Ом | 25 Ом | 100 нА при 8 В | 12 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1N5259B-TR | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°К~175°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-1n5264btr-datasheets-0960.pdf | 1,7 мм | ДО-204АХ, ДО-35, осевой | 3,9 мм | 2 | 10 недель | 2 | да | 80Ом | EAR99 | Серебро, Олово | 8541.10.00.50 | ±5% | е2 | ОЛОВО СЕРЕБРО | 500мВт | ПРОВОЛОКА | 260 | Одинокий | 500мВт | 100 нА | 39В | 3,2 мА | Нет | стабилитрон | 5% | 200 мА | 80Ом | 100 нА при 30 В | 1,1 В при 200 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ММ5З9В1Т1Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°К~150°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | /files/onsemiconductor-mm5z12vt1g-datasheets-1746.pdf | 9,1 В | СК-79, СОД-523 | 1,3 мм | 700 мкм | 900 мкм | Без свинца | Пластик | 2 | 2 недели | 2 | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | 15Ом | EAR99 | Олово | Нет | 8541.10.00.50 | 100мВт | ±6% | е3 | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | ДА | 200мВт | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | 260 | ММ5З9В1 | 2 | Одинокий | 40 | 200мВт | 1 | Диоды опорного напряжения | 200нА | 9,1 В | 5мА | 500мВт | Да | 9,1 В | 6,08% | стабилитрон | 6% | 10 мА | 15Ом | 200 нА при 7 В | 900 мВ при 10 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| ММСЗ4687Т1Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°К~150°К | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | /files/onsemiconductor-mmsz4700t1g-datasheets-0650.pdf | 4,3 В | СОД-123 | 2,84 мм | 1,25 мм | 1,8 мм | Без свинца | Пластик | 8 недель | Нет СВХК | 2 | АКТИВНО (Последнее обновление: 4 дня назад) | Олово | Нет | 500мВт | ±5% | 500мВт | ММСЗ4687 | Одинокий | 500мВт | СОД-123 | 900 мВ | 4мкА | 4,3 В | 4,3 В | 50 мкА | 4,52 В | 500мВт | Да | 50 мкА | 5% | 50 мкА | 4 мкА при 2 В | 900 мВ при 10 мА | 4,3 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ММБЗ5229БЛТ1Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°К~150°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | /files/onsemiconductor-mmbz5238blt1g-datasheets-0784.pdf | 4,3 В | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | Без свинца | Пластик | 3 | 5 недель | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | 22Ом | EAR99 | Нет | 8541.10.00.50 | 225 МВт | ±5% | е3 | Олово (Вс) | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | АЭК-Q101 | ДА | 225 МВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | ММБЗ5229Б | 3 | Одинокий | 300мВт | 1 | Диоды опорного напряжения | 900 мВ | 5 мкА | 4,3 В | 4,3 В | 20 мА | 5 мкА | 4,3 В | 5,12% | стабилитрон | 5% | 10 мА | 22Ом | 5 мкА при 1 В | 900 мВ при 10 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BZX84C6V2-E3-08 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°К~150°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-bzx84c12e308-datasheets-5204.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 3 | 15 недель | 3 | да | EAR99 | 8541.10.00.50 | ±5% | е3 | Матовый олово (Sn) | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | BZX84C6V2 | 3 | 10 | 1 | Диоды опорного напряжения | ОДИНОКИЙ | 300мВт | КРЕМНИЙ | 6,2 В | 5% | 5мА | стабилитрон | 10Ом | 10Ом | 3 мкА при 4 В | 6,2 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1N5266B-TR | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°К~175°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-1n5264btr-datasheets-0960.pdf | 1,7 мм | ДО-204АХ, ДО-35, осевой | 3,9 мм | 2 | 10 недель | Неизвестный | 2 | да | 230Ом | EAR99 | Нет | 8541.10.00.50 | ±5% | е2 | ОЛОВО СЕРЕБРО | 500мВт | ПРОВОЛОКА | 260 | Одинокий | 500мВт | 100 нА | 68В | 1,8 мА | 68В | стабилитрон | 5% | 230Ом | 100 нА при 52 В | 1,1 В при 200 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1N5260B-TR | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 175°С | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-1n5264btr-datasheets-0960.pdf | ДО-204АХ, ДО-35, осевой | Без свинца | 10 недель | да | 93Ом | Нет | ±5% | 500мВт | 1N5260 | 2 | Одинокий | 500мВт | 1,1 В | 100 нА | 43В | 43В | 100 нА | 5% | 93Ом | 100 нА при 33 В | 1,1 В при 200 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1N5231B-TAP | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 175°С | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-1n5264btr-datasheets-0960.pdf | ДО-204АХ, ДО-35, осевой | 10 недель | 2 | да | 17Ом | Нет | ±5% | 500мВт | 2 | Одинокий | 500мВт | 5 мкА | 5,1 В | 20 мА | 5% | 17Ом | 5 мкА при 2 В | 1,1 В при 200 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ММБЗ5225БЛТ1Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°К~150°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | /files/onsemiconductor-mmbz5238blt1g-datasheets-0784.pdf | 3В | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 3,04 мм | 1,01 мм | 1,4 мм | Без свинца | Пластик | 3 | 5 недель | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) | да | 29Ом | EAR99 | Олово | Нет | 8541.10.00.50 | 225 МВт | ±5% | е3 | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | ДА | 225 МВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | ММБЗ5225Б | 3 | Одинокий | 40 | 300мВт | 1 | Диоды опорного напряжения | 900 мВ | 50 мкА | 3В | 3В | 20 мА | Да | 50 мкА | 3В | 5% | стабилитрон | 5% | 10 мА | 29Ом | 50 мкА при 1 В | 900 мВ при 10 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||
| 1N5256B-TAP | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°К~175°К | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-1n5264btr-datasheets-0960.pdf | ДО-204АХ, ДО-35, осевой | 10 недель | Неизвестный | 2 | да | 49Ом | Нет | ±5% | 500мВт | 2 | Одинокий | 500мВт | 100 нА | 30 В | 4,2 мА | 30 В | 5% | 49Ом | 100 нА при 23 В | 1,1 В при 200 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ММ3З18ВТ1Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°К~150°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | 2007 год | /files/onsemiconductor-szmm3z5v1t1g-datasheets-4854.pdf | 18В | СК-76, СОД-323 | 1,8 мм | 1 мм | 1,35 мм | Без свинца | Пластик | 2 | 8 недель | Нет СВХК | 2 | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | 45Ом | EAR99 | УЛ ПРИЗНАЛ | Олово | Нет | 8541.10.00.50 | 200мВт | ±6% | е3 | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | ДА | 200мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | ММ3Z18 | 2 | Одинокий | 40 | 200мВт | 1 | Диоды опорного напряжения | 900 мВ | 50нА | 18В | 18В | 5мА | 300мВт | Да | 50нА | 18В | 6,41% | стабилитрон | 6% | 10 мА | 45Ом | 50 нА при 12,6 В | 900 мВ при 10 мА | ||||||||||||||||||||||||||||
| MMBZ5247BLT1G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°К~150°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | /files/onsemiconductor-mmbz5238blt1g-datasheets-0784.pdf | 17В | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | Без свинца | Пластик | 3 | 5 недель | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 14 часов назад) | да | 19Ом | EAR99 | Олово | Нет | 8541.10.00.50 | 225 МВт | ±5% | е3 | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | ДА | 225 МВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | ММБЗ5247Б | 3 | Одинокий | 40 | 300мВт | 1 | Диоды опорного напряжения | 900 мВ | 100 нА | 17В | 17В | 7,4 мА | Да | 100 нА | 17В | 5% | стабилитрон | 5% | 10 мА | 19Ом | 100 нА при 13 В | 900 мВ при 10 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1N5258B-TR | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 175°С | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-1n5264btr-datasheets-0960.pdf | 1,7 мм | ДО-204АХ, ДО-35, осевой | 3,9 мм | Без свинца | 2 | 10 недель | 2 | да | 70Ом | EAR99 | Нет | 8541.10.00.50 | ±5% | е2 | ОЛОВО СЕРЕБРО | 500мВт | ПРОВОЛОКА | 260 | 1N5258 | 2 | Одинокий | 500мВт | 1,1 В | 100 нА | 36В | 36В | 3,4 мА | 100 нА | стабилитрон | 5% | 70Ом | 100 нА при 27 В | 1,1 В при 200 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1N5245B-TAP | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 175°С | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-1n5264btr-datasheets-0960.pdf | ДО-204АХ, ДО-35, осевой | 2 | 10 недель | 2 | да | 16Ом | EAR99 | Серебро, Олово | 8541.10.00.50 | ±5% | е2 | ОЛОВО СЕРЕБРО | 500мВт | ПРОВОЛОКА | 260 | Одинокий | 500мВт | 100 нА | 15 В | 8,5 мА | Нет | стабилитрон | 5% | 16Ом | 100 нА при 11 В | 1,1 В при 200 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ММ3З33ВСТ1Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°С~150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/onsemiconductor-szmm3z18vst1g-datasheets-6527.pdf | СК-76, СОД-323 | Без свинца | 2 | 8 недель | 2 | АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) | да | 80Ом | EAR99 | Нет | 8541.10.00.50 | ±2% | е3 | Олово (Вс) | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | ДА | 200мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | ММ3Z33 | 2 | Одинокий | 200мВт | 1 | Диоды опорного напряжения | 50нА | 32,97 В | 5мА | 300мВт | КРЕМНИЙ | 33В | стабилитрон | 2% | 80Ом | 50 нА при 23,2 В | 900 мВ при 10 мА | 33В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1N5240B-TR | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-1n5264btr-datasheets-0960.pdf | ДО-204АХ, ДО-35, осевой | 2 | 10 недель | 2 | да | EAR99 | неизвестный | 8541.10.00.50 | ±5% | е2 | ОЛОВО СЕРЕБРО | НЕТ | ПРОВОЛОКА | 260 | 1N5240 | НЕ УКАЗАН | 500мВт | Не квалифицированный | 10 В | 500мВт | стабилитрон | 17Ом | 3 мкА при 8 В | 1,1 В при 200 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1N5246B-TR | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 175°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-1n5264btr-datasheets-0960.pdf | 1,7 мм | ДО-204АХ, ДО-35, осевой | 3,8862 мм | Без свинца | 10 недель | Неизвестный | 2 | да | 17Ом | Нет | ±5% | 500мВт | 1N5246 | 2 | Одинокий | 500мВт | 1,1 В | 100 нА | 16 В | 16 В | 7,8 мА | 100 нА | 5% | 200 мА | 17Ом | 100 нА при 12 В | 1,1 В при 200 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1N5237B-ТР | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 175°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-1n5264btr-datasheets-0960.pdf | 1,7 мм | ДО-204АХ, ДО-35, осевой | 3,8862 мм | 2 | 10 недель | 2 | да | 8Ом | EAR99 | Серебро, Олово | 8541.10.00.50 | ±5% | е2 | ОЛОВО СЕРЕБРО | 500мВт | ПРОВОЛОКА | 260 | 1N5237 | Одинокий | 500мВт | 3 мкА | 8,2 В | 20 мА | 8,2 В | Нет | стабилитрон | 8Ом | 3 мкА при 6,5 В | 1,1 В при 200 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1N5253B-TR | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°К~175°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-1n5264btr-datasheets-0960.pdf | 25 В | 1,7 мм | ДО-204АХ, ДО-35, осевой | 3,9 мм | Без свинца | 10 недель | 2 | да | 35Ом | Серебро, Олово | 500мВт | ±5% | 500мВт | 1N5253 | 2 | Одинокий | 500мВт | 1,1 В | 100 нА | 25 В | 25 В | 5мА | Нет | 100 нА | 5% | 35Ом | 100 нА при 19 В | 1,1 В при 200 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ММБЗ5245БЛТ1Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°К~150°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | /files/onsemiconductor-mmbz5238blt1g-datasheets-0784.pdf | 15 В | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 3,0226 мм | 1,11 мм | 1397 мм | Без свинца | Пластик | 3 | 5 недель | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 4 часа назад) | да | 16Ом | EAR99 | Олово | Нет | 8541.10.00.50 | 225 МВт | ±5% | е3 | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | ДА | 225 МВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | ММБЗ5245Б | 3 | Одинокий | 40 | 225 МВт | 1 | Диоды опорного напряжения | 150°С | 900 мВ | 100 нА | 15 В | 15 В | 8,5 мА | 15,75 В | Да | 100 нА | 11В | 15 В | 5% | стабилитрон | 5% | 10 мА | 16Ом | 100 нА при 11 В | 900 мВ при 10 мА | |||||||||||||||||||||||||||
| ММ3З4В3СТ1Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°С~150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/onsemiconductor-szmm3z18vst1g-datasheets-6527.pdf | 4,3 В | СК-76, СОД-323 | 1,8 мм | 1 мм | 1,35 мм | Без свинца | Пластик | 2 | 8 недель | 2 | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | 90Ом | EAR99 | Нет | 8541.10.00.50 | 200мВт | ±3% | е3 | Олово (Вс) | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | Без галогенов | ДА | 200мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | ММ3Z4V3 | 2 | Одинокий | 40 | 200мВт | 1 | Диоды опорного напряжения | 3 мкА | 4,3 В | 5мА | 300мВт | 4,3 В | стабилитрон | 3% | 10 мА | 90Ом | 3 мкА при 1 В | 900 мВ при 10 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ММ3З3В9СТ1Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°С~150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | /files/onsemiconductor-szmm3z18vst1g-datasheets-6527.pdf | 3,9 В | СК-76, СОД-323 | 1,8 мм | 1 мм | 1,35 мм | Без свинца | Пластик | 2 | 8 недель | 2 | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | 90Ом | EAR99 | Олово | Нет | 8541.10.00.50 | 200мВт | ±2% | е3 | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | ДА | 200мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | ММ3Z3V9 | 2 | Одинокий | 40 | 200мВт | 1 | Диоды опорного напряжения | 3 мкА | 4025 В | 5мА | 300мВт | Да | 3,9 В | 3,35% | стабилитрон | 3% | 90Ом | 3 мкА при 1 В | 900 мВ при 10 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BZX84C20LT1G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°С~150°С ТДж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | СМД/СМТ | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | /files/onsemiconductor-szbzx84b5v1lt1g-datasheets-2193.pdf | 20 В | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 3,0226 мм | 1,1176 мм | 1397 мм | Без свинца | Пластик | 3 | 5 недель | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) | да | 55Ом | EAR99 | УЛ ПРИЗНАЛ | Олово | Нет | 8541.10.00.50 | 225 МВт | ±6% | е3 | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | Без галогенов | ДА | 225 МВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | BZX84C20 | 3 | Одинокий | 40 | 300мВт | 1 | Диоды опорного напряжения | 900 мВ | 50нА | 20 В | 20 В | 5мА | 21,2 В | Да | 50нА | 20 В | 6% | стабилитрон | 6% | 10 мА | 55Ом | 50 нА при 14 В | 900 мВ при 10 мА |
