Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 155 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 185 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 186 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 147 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 150 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 185 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 186 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 147 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31
Zener Single Diodes - Электронные компоненты Sourcing - Лучший электронный компонентный агент - ICGNT
Срэйват Ибрагейн Сознание Проиджодель ЦEnы (DOLLARR) Колист Вер (К.) Raзmer (lxwxh) Статус В припании Управый МОНТАНАНГИП Rraboч -yemperatura Упако Вернояж Весели МАКСИМАЛЕН Мин Тела Статус Ройс Опуликовано Техниль На Деликат PakeT / KORPUES Делина Вес Шyrina СОУДНО ПРИОН MATERIAL Колист Верна МАССА DOSTIчH SVHC Колист Статус жIзnennogogo цikla PBFREE CODE Ипер КОД ECCN Доленитейн Ая Конец Rradiaцyonnoe wyproчneneenee DOSTISHOCHODA SOOTWOTSTVIN HTS -KOD Rerйtingepeatania Терпимость КОД JESD-609 ТЕРМИНАЛЕН Полаяня Спр БЕЗОПАСНЫЙ Пефер МАКСИМАЛЕВАЯ Терминала Терминаланая Пико -Аймперратара Я Поседл Коунфигуразия Wremaping@pikovoйtemperaturu (я) R. Колист Подкейгория Кваликакахионн Статус КОД JESD-30 ПАКЕТИВАЕТСЯ Vpreged VpreDnoE МАКС Зенер на Rrabose anprayoneee Коунфигура Тест Пело Синла - МАКС Диднн Power Dissipation-Max Зaщita OSD ПИКЕКАНЕТНА Sprawoчnoe hanpryaeneee На naprayeseee tol-max Рубоидж Тёст Дип ТОЛЕРАНТНЯСК Зenertoc Динамискильский Ипер Ток - Обратна тебе На На
BZX84C15-E3-08 BZX84C15-E3-08 Otdelpoprovowodnykowых -diodowwвaй
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер Пефер -55 ° C ~ 150 ° С. Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) Zener Rohs3 2014 /files/vishaysemiconductordiodesdivision-bzx84c12e308-datasheets-5204.pdf Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 СОУДНО ПРИОН 3 15 8.788352mg 3 в дар 30 От Ear99 Оло Не 8541.10.00.50 ± 6% E3 ОДНОАНАПРАВЛЕННА 300 м Дон Крхлоп 260 BZX84C15 3 Одинокий 10 300 м 1 Спр 50NA 15 15 5 май Кремни 50NA 15 5% Zenereode 5% 30 От 50na @ 10,5
BZX84C22LT1G BZX84C22LT1G На то, чтобы
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер -65 ° C ~ 150 ° C TJ Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) Zener Rohs3 2007 /files/onsemoronductor-szbzx84b5v1lt1g-datasheets-2193.pdf 22 Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 3,04 мм 1,01 мм 1,4 мм СОУДНО ПРИОН 3 5 nedely НЕТ SVHC 3 Актифен (Постэдни в Обновен: 3 дня назад) в дар 55ohm Ear99 Уль Прринанана Оло Не 8541.10.00.50 225 м ± 6% E3 ОДНОАНАПРАВЛЕННА БЕЗОПАСНЫЙ В дар 225 м Дон Крхлоп 260 BZX84C22 3 Одинокий 40 300 м 1 Спр 10 май 900 м 50NA 22 22 5 май Кремни В дар 50NA 22 5,67% Zenereode 6% 10 май 55ohm 50NA @ 15.4V 900 мВ @ 10ma
MMBZ5250BLT1G MMBZ5250BLT1G На то, чтобы
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер -65 ° С ~ 150 ° С. Веса 1 (neograniчennnый) Zener Rohs3 2005 /files/onsemyonductor-mmbz5238blt1g-datasheets-0784.pdf 20 Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 3,04 мм 1,01 мм 1,4 мм СОУДНО ПРИОН Пластик 3 5 nedely НЕТ SVHC 3 Активна (Постенни в Обновен: 21 год назад) в дар 25 ч Ear99 Оло Не 8541.10.00.50 225 м ± 5% E3 ОДНОАНАПРАВЛЕННА В дар 225 м Дон Крхлоп 260 MMBZ5250B 3 Одинокий 40 300 м 1 Спр 900 м 100NA 20 20 6,2 мая 21В В дар 100NA 20 5% Zenereode 5% 10 май 25 ч 100NA @ 15V 900 мВ @ 10ma
MM3Z39VT1G MM3Z39VT1G На то, чтобы
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер -65 ° С ~ 150 ° С. Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) Zener Rohs3 2007 /files/ONSEMYONDURTOR-SZMM3Z5V1T1G-DATASHEETS-4854.pdf 39 SC-76, SOD-323 1,8 ММ 1 ММ 1,35 мм СОУДНО ПРИОН 2 8 2 Актифен (Постэдни в Обновен: 3 дня назад) в дар 130om Ear99 Уль Прринанана Оло Не 8541.10.00.50 200 м ± 5% E3 ОДНОАНАПРАВЛЕННА В дар 300 м Дон Крхлоп 260 MM3Z39 2 Одинокий 40 200 м 1 Спр 900 м 50NA 39 39 2MA Кремни В дар 50NA 39 5,13% Zenereode 5% 10 май 130om 50na @ 27,3 a. 900 мВ @ 10ma
MM3Z18VT1G MM3Z18VT1G На то, чтобы
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер -65 ° С ~ 150 ° С. Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) Zener Rohs3 2007 /files/ONSEMYONDURTOR-SZMM3Z5V1T1G-DATASHEETS-4854.pdf 18В SC-76, SOD-323 1,8 ММ 1 ММ 1,35 мм СОУДНО ПРИОН Пластик 2 8 НЕТ SVHC 2 Активна (Постенни в Обновен: 2 дня назад) в дар 45ohm Ear99 Уль Прринанана Оло Не 8541.10.00.50 200 м ± 6% E3 ОДНОАНАПРАВЛЕННА В дар 200 м Дон Крхлоп 260 MM3Z18 2 Одинокий 40 200 м 1 Спр 900 м 50NA 18В 18В 5 май 300 м В дар 50NA 18В 6,41% Zenereode 6% 10 май 45ohm 50na @ 12,6 n. 900 мВ @ 10ma
MMBZ5247BLT1G MMBZ5247BLT1G На то, чтобы
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер -65 ° С ~ 150 ° С. Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) Zener Rohs3 2005 /files/onsemyonductor-mmbz5238blt1g-datasheets-0784.pdf 17 Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 СОУДНО ПРИОН Пластик 3 5 nedely 3 Активна (posteDnyй obnownen: 14 -й в дар 19 om Ear99 Оло Не 8541.10.00.50 225 м ± 5% E3 ОДНОАНАПРАВЛЕННА В дар 225 м Дон Крхлоп 260 MMBZ5247B 3 Одинокий 40 300 м 1 Спр 900 м 100NA 17 17 7,4 мая В дар 100NA 17 5% Zenereode 5% 10 май 19 om 100NA @ 13V 900 мВ @ 10ma
1N5258B-TR 1n5258b-tr Otdelpoprovowodnykowых -diodowwвaй
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Чereз dыru Чereз dыru 175 ° С Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) Rohs3 2008 /files/vishaysemiconductordiodesdivision-1n526444btr-datasheets-0960.pdf 1,7 ММ DO-204AH, DO-35, OSEVOй 3,9 мм СОУДНО ПРИОН 2 10 nedely 2 в дар 70 м Ear99 Не 8541.10.00.50 ± 5% E2 Жestaynoe cerebro 500 м Проволока 260 1n5258 2 Одинокий 500 м 1,1 В. 100NA 36 36 3,4 мая 100NA Zenereode 5% 70 м 100na @ 27 В. 1,1 - @ 200 Ма
1N5245B-TAP 1n5245b-tap Otdelpoprovowodnykowых -diodowwвaй
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Автомобиль, AEC-Q101 Чereз dыru Чereз dыru 175 ° С Lenta и коробка (TB) 1 (neograniчennnый) Rohs3 2014 /files/vishaysemiconductordiodesdivision-1n526444btr-datasheets-0960.pdf DO-204AH, DO-35, OSEVOй 2 10 nedely 2 в дар 16 ч Ear99 СЕБЕРЕ, ОЛОВА 8541.10.00.50 ± 5% E2 Жestaynoe cerebro 500 м Проволока 260 Одинокий 500 м 100NA 15 8,5 мая Не Zenereode 5% 16 ч 100NA @ 11V 1,1 - @ 200 Ма
1N5256B-TR 1n5256b-tr Otdelpoprovowodnykowых -diodowwвaй
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Чereз dыru Чereз dыru -65 ° C ~ 175 ° C. Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) Rohs3 2015 /files/vishaysemiconductordiodesdivision-1n526444btr-datasheets-0960.pdf DO-204AH, DO-35, OSEVOй СОУДНО ПРИОН 10 nedely 2 в дар 49om СЕБЕРЕ, ОЛОВА ± 5% 500 м 1n5256 2 Одинокий 500 м 1,1 В. 100NA 30 30 4,2 мая Не 100NA 5% 49om 100na @ 23v 1,1 - @ 200 Ма
MMBZ5240BLT1G MMBZ5240BLT1G На то, чтобы
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер -65 ° С ~ 150 ° С. Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) SMD/SMT Zener Rohs3 2004 /files/onsemyonductor-mmbz5238blt1g-datasheets-0784.pdf 10 В Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 30226 ММ 1.1176 ММ 1397 мм СОУДНО ПРИОН Пластик 3 4 neDe НЕТ SVHC 3 Активна (Постенни в Обновен: 2 дня назад) в дар 17ohm Ear99 Оло Не 8541.10.00.50 225 м ± 5% E3 ОДНОАНАПРАВЛЕННА В дар 225 м Дон Крхлоп 260 MMBZ5240B 3 Одинокий 40 300 м 1 Спр 900 м 3 мка 10 В 10 В 20 май 10,5 В. В дар 3 мка 10 В 5% Zenereode 5% 10 май 17ohm 3 мка @ 8V 900 мВ @ 10ma
BZX84C12-E3-08 BZX84C12-E3-08 Otdelpoprovowodnykowых -diodowwвaй
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Автомобиль, AEC-Q101 Пефер -55 ° C ~ 150 ° С. Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) Zener Rohs3 2014 /files/vishaysemiconductordiodesdivision-bzx84c12e308-datasheets-5204.pdf Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 3 15 в дар Ear99 8541.10.00.50 ± 5% E3 MATOWAN ONOUVA (SN) ОДНОАНАПРАВЛЕННА В дар Дон Крхлоп 260 3 10 1 Спр R-PDSO-G3 Одинокий 300 м Кремни 0,3 12 5% 5 май Zenereode 25 ч 25 ч 100NA @ 8V 12
1N5259B-TR 1n5259b-tr Otdelpoprovowodnykowых -diodowwвaй
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Автомобиль, AEC-Q101 Чereз dыru Чereз dыru -65 ° C ~ 175 ° C. Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) Rohs3 2016 /files/vishaysemiconductordiodesdivision-1n526444btr-datasheets-0960.pdf 1,7 ММ DO-204AH, DO-35, OSEVOй 3,9 мм 2 10 nedely 2 в дар 80 ч Ear99 СЕБЕРЕ, ОЛОВА 8541.10.00.50 ± 5% E2 Жestaynoe cerebro 500 м Проволока 260 Одинокий 500 м 100NA 39 3,2 мая Не Zenereode 5% 200 май 80 ч 100na @ 30 a. 1,1 - @ 200 Ма
MM5Z9V1T1G MM5Z9V1T1G На то, чтобы
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер -65 ° С ~ 150 ° С. Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) Zener Rohs3 2005 /files/onsemyonductor-mm5z12vt1g-datasheets-1746.pdf 9.1V SC-79, SOD-523 1,3 мм 700 мкм 900 мкм СОУДНО ПРИОН Пластик 2 2 nede 2 Активна (Постенни в Обновен: 2 дня назад) в дар 15ohm Ear99 Оло Не 8541.10.00.50 100 м ± 6% E3 ОДНОАНАПРАВЛЕННА В дар 200 м Дон Плоски 260 MM5Z9V1 2 Одинокий 40 200 м 1 Спр 200NA 9.1V 5 май 500 м В дар 9.1V 6,08% Zenereode 6% 10 май 15ohm 200NA @ 7V 900 мВ @ 10ma
MMSZ4687T1G MMSZ4687T1G На то, чтобы
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер -55 ° C ~ 150 ° С. Веса 1 (neograniчennnый) 150 ° С -55 ° С Rohs3 2005 /files/onsemyonductor-mmsz4700t1g-datasheets-0650.pdf 4,3 В. SOD-123 2,84 мм 1,25 мм 1,8 ММ СОУДНО ПРИОН Пластик 8 НЕТ SVHC 2 Активн (Постенни в Обновен: 4 дня назад) Оло Не 500 м ± 5% 500 м MMSZ4687 Одинокий 500 м SOD-123 900 м 4 мка 4,3 В. 4,3 В. 50 мк 4,52 В. 500 м В дар 50 мк 5% 50 мк 4 мка @ 2v 900 мВ @ 10ma 4,3 В.
MMBZ5229BLT1G MMBZ5229BLT1G На то, чтобы
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер -65 ° С ~ 150 ° С. Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) Zener Rohs3 2005 /files/onsemyonductor-mmbz5238blt1g-datasheets-0784.pdf 4,3 В. Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 СОУДНО ПРИОН Пластик 3 5 nedely НЕТ SVHC 3 Активна (Постенни в Обновен: 2 дня назад) в дар 22 Ear99 Не 8541.10.00.50 225 м ± 5% E3 Олово (sn) ОДНОАНАПРАВЛЕННА AEC-Q101 В дар 225 м Дон Крхлоп MMBZ5229B 3 Одинокий 300 м 1 Спр 900 м 5 Мка 4,3 В. 4,3 В. 20 май 5 Мка 4,3 В. 5,12% Zenereode 5% 10 май 22 5 мка @ 1V 900 мВ @ 10ma
BZX84C6V2-E3-08 BZX84C6V2-E3-08 Otdelpoprovowodnykowых -diodowwвaй
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер -55 ° C ~ 150 ° С. Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) Zener Rohs3 2013 /files/vishaysemiconductordiodesdivision-bzx84c12e308-datasheets-5204.pdf Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 3 15 3 в дар Ear99 8541.10.00.50 ± 5% E3 MATOWAN ONOUVA (SN) ОДНОАНАПРАВЛЕННА В дар Дон Крхлоп 260 Bzx84c6v2 3 10 1 Спр Одинокий 300 м Кремни 6,2 В. 5% 5 май Zenereode 10ohm 10ohm 3 мка @ 4V 6,2 В.
1N5266B-TR 1n5266b-tr Otdelpoprovowodnykowых -diodowwвaй
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Автомобиль, AEC-Q101 Чereз dыru Чereз dыru -65 ° C ~ 175 ° C. Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) Rohs3 2008 /files/vishaysemiconductordiodesdivision-1n526444btr-datasheets-0960.pdf 1,7 ММ DO-204AH, DO-35, OSEVOй 3,9 мм 2 10 nedely НЕИ 2 в дар 230 От Ear99 Не 8541.10.00.50 ± 5% E2 Жestaynoe cerebro 500 м Проволока 260 Одинокий 500 м 100NA 68 В 1,8 мая 68 В Zenereode 5% 230 От 100NA @ 52V 1,1 - @ 200 Ма
1N5260B-TR 1n5260b-tr Otdelpoprovowodnykowых -diodowwвaй
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Чereз dыru Чereз dыru 175 ° С Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) Rohs3 2014 /files/vishaysemiconductordiodesdivision-1n526444btr-datasheets-0960.pdf DO-204AH, DO-35, OSEVOй СОУДНО ПРИОН 10 nedely в дар 93ohm Не ± 5% 500 м 1n5260 2 Одинокий 500 м 1,1 В. 100NA 43В 43В 100NA 5% 93ohm 100NA @ 33V 1,1 - @ 200 Ма
1N5231B-TAP 1n5231b-tap Otdelpoprovowodnykowых -diodowwвaй
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Автомобиль, AEC-Q101 Чereз dыru Чereз dыru 175 ° С Lenta и коробка (TB) 1 (neograniчennnый) Rohs3 2014 /files/vishaysemiconductordiodesdivision-1n526444btr-datasheets-0960.pdf DO-204AH, DO-35, OSEVOй 10 nedely 2 в дар 17ohm Не ± 5% 500 м 2 Одинокий 500 м 5 Мка 5,1 В. 20 май 5% 17ohm 5 мка @ 2v 1,1 - @ 200 Ма
MMBZ5225BLT1G MMBZ5225BLT1G На то, чтобы
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер -65 ° С ~ 150 ° С. Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) Zener Rohs3 2005 /files/onsemyonductor-mmbz5238blt1g-datasheets-0784.pdf Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 3,04 мм 1,01 мм 1,4 мм СОУДНО ПРИОН Пластик 3 5 nedely 3 Актифен (Постэдни в Обновен: 3 дня назад) в дар 29om Ear99 Оло Не 8541.10.00.50 225 м ± 5% E3 ОДНОАНАПРАВЛЕННА В дар 225 м Дон Крхлоп 260 MMBZ5225B 3 Одинокий 40 300 м 1 Спр 900 м 50 мк 20 май В дар 50 мк 5% Zenereode 5% 10 май 29om 50 мк @ 1V 900 мВ @ 10ma
1N5256B-TAP 1n5256b-tap Otdelpoprovowodnykowых -diodowwвaй
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Автомобиль, AEC-Q101 Чereз dыru Чereз dыru -65 ° C ~ 175 ° C. Lenta и коробка (TB) 1 (neograniчennnый) Rohs3 2009 /files/vishaysemiconductordiodesdivision-1n526444btr-datasheets-0960.pdf DO-204AH, DO-35, OSEVOй 10 nedely НЕИ 2 в дар 49om Не ± 5% 500 м 2 Одинокий 500 м 100NA 30 4,2 мая 30 5% 49om 100na @ 23v 1,1 - @ 200 Ма
MM3Z18VST1G MM3Z18VST1G На то, чтобы
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер -65 ° C ~ 150 ° C TJ Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) Zener Rohs3 2002 /files/onsemoronductor-szmm3z18vst1g-datasheets-6527.pdf 18В SC-76, SOD-323 1,8 ММ 1 ММ 1,35 мм СОУДНО ПРИОН Пластик 2 8 НЕТ SVHC 2 Активна (Постенни в Обновен: 2 дня назад) в дар 45ohm Ear99 Оло Не 8541.10.00.50 200 м ± 2% E3 ОДНОАНАПРАВЛЕННА В дар 200 м Дон Крхлоп 260 MM3Z18 2 Одинокий 40 200 м 1 Спр 900 м 50NA 18В 18В 5 май 300 м В дар 50NA 18В Zenereode 2% 10 май 45ohm 50na @ 12,6 n. 900 мВ @ 10ma
BZX84C4V3LT1G BZX84C4V3LT1G На то, чтобы
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер -65 ° C ~ 150 ° C TJ Веса 1 (neograniчennnый) Zener Rohs3 2005 /files/onsemoronductor-szbzx84b5v1lt1g-datasheets-2193.pdf 4,3 В. Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 30226 ММ 1.1176 ММ 1397 мм СОУДНО ПРИОН Пластик 3 4 neDe НЕТ SVHC 3 Актифен (Постэдни в Обновен: 3 дня назад) в дар 90 м Ear99 Уль Прринанана Оло Не 8541.10.00.50 225 м ± 7% E3 ОДНОАНАПРАВЛЕННА БЕЗОПАСНЫЙ В дар 225 м Дон Крхлоп 260 BZX84C4V3 3 Одинокий 40 300 м 1 Спр 900 м 3 мка 4,3 В. 4,3 В. 5 май 4,6 В. В дар 3 мка 4,3 В. 6,98% Zenereode 7% 10 май 90 м 3 мка @ 1V 900 мВ @ 10ma
MMBZ5243BLT1G MMBZ5243BLT1G На то, чтобы
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер -65 ° С ~ 150 ° С. Веса 1 (neograniчennnый) Zener Rohs3 2005 /files/onsemyonductor-mmbz5238blt1g-datasheets-0784.pdf 13 Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 3,04 мм 1,01 мм 1,4 мм СОУДНО ПРИОН Пластик 3 4 neDe НЕТ SVHC 3 Активна (Постенни в в дар 13ohm Ear99 Оло Не 8541.10.00.50 225 м ± 5% E3 ОДНОАНАПРАВЛЕННА В дар 225 м Дон Крхлоп 260 MMBZ5243B 3 Одинокий 40 300 м 1 Спр 900 м 500NA 13 13 9,5 мая В дар 500NA 13 5% Zenereode 5% 10 май 13ohm 500NA @ 9,9 В. 900 мВ @ 10ma
MM3Z16VST1G MM3Z16VST1G На то, чтобы
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер -65 ° C ~ 150 ° C TJ Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) Zener Rohs3 2003 /files/onsemoronductor-szmm3z18vst1g-datasheets-6527.pdf 16 SC-76, SOD-323 1,8 ММ 1 ММ 1,35 мм СОУДНО ПРИОН 2 8 НЕТ SVHC 2 Активна (Постенни в Обновен: 2 дня назад) в дар 40 ч Ear99 Оло Не 8541.10.00.50 200 м ± 2% E3 ОДНОАНАПРАВЛЕННА В дар 200 м Дон Крхлоп 260 MM3Z16 2 Одинокий 40 200 м 1 Спр 50NA 16.18v 5 май 300 м Кремни В дар 16 Zenereode 2% 10 май 40 ч 50NA @ 11.2V 900 мВ @ 10ma
MM3Z33VST1G MM3Z33VST1G На то, чтобы
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер -65 ° C ~ 150 ° C TJ Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) Zener Rohs3 2008 /files/onsemoronductor-szmm3z18vst1g-datasheets-6527.pdf SC-76, SOD-323 СОУДНО ПРИОН 2 8 2 Актифен (Постэдни в Обновен: 3 дня назад) в дар 80 ч Ear99 Не 8541.10.00.50 ± 2% E3 Олово (sn) ОДНОАНАПРАВЛЕННА В дар 200 м Дон Крхлоп MM3Z33 2 Одинокий 200 м 1 Спр 50NA 32,97 В. 5 май 300 м Кремни 33 В Zenereode 2% 80 ч 50NA @ 23.2V 900 мВ @ 10ma 33 В
1N5240B-TR 1n5240b-tr Otdelpoprovowodnykowых -diodowwвaй
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Чereз dыru Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) Rohs3 2008 /files/vishaysemiconductordiodesdivision-1n526444btr-datasheets-0960.pdf DO-204AH, DO-35, OSEVOй 2 10 nedely 2 в дар Ear99 НЕИ 8541.10.00.50 ± 5% E2 Жestaynoe cerebro Не Проволока 260 1n5240 Nukahan 500 м Н.Квалиирована 10 В 500 м Zenereode 17ohm 3 мка @ 8V 1,1 - @ 200 Ма
1N5246B-TR 1n5246b-tr Otdelpoprovowodnykowых -diodowwвaй
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Чereз dыru Чereз dыru Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) 175 ° С -65 ° С Rohs3 2008 /files/vishaysemiconductordiodesdivision-1n526444btr-datasheets-0960.pdf 1,7 ММ DO-204AH, DO-35, OSEVOй 38862 ММ СОУДНО ПРИОН 10 nedely НЕИ 2 в дар 17ohm Не ± 5% 500 м 1n5246 2 Одинокий 500 м 1,1 В. 100NA 16 16 7,8 мая 100NA 5% 200 май 17ohm 100na @ 12v 1,1 - @ 200 Ма
1N5237B-TR 1n5237b-tr Otdelpoprovowodnykowых -diodowwвaй
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Чereз dыru Чereз dыru Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) 175 ° С -65 ° С Rohs3 2008 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-1n526444btr-datasheets-0960.pdf 1,7 ММ DO-204AH, DO-35, OSEVOй 38862 ММ 2 10 nedely 2 в дар 8ohm Ear99 СЕБЕРЕ, ОЛОВА 8541.10.00.50 ± 5% E2 Жestaynoe cerebro 500 м Проволока 260 1n5237 Одинокий 500 м 3 мка 8,2 В. 20 май 8,2 В. Не Zenereode 8ohm 3 мка 4,5 1,1 - @ 200 Ма
1N5253B-TR 1n5253b-tr Otdelpoprovowodnykowых -diodowwвaй
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Чereз dыru Чereз dыru -65 ° C ~ 175 ° C. Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) Rohs3 2008 /files/vishaysemiconductordiodesdivision-1n526444btr-datasheets-0960.pdf 25 В 1,7 ММ DO-204AH, DO-35, OSEVOй 3,9 мм СОУДНО ПРИОН 10 nedely 2 в дар 35om СЕБЕРЕ, ОЛОВА 500 м ± 5% 500 м 1n5253 2 Одинокий 500 м 1,1 В. 100NA 25 В 25 В 5 май Не 100NA 5% 35om 100na @ 19v 1,1 - @ 200 Ма

В наличии

Пожалуйста, отправьте RFQ, мы ответим немедленно.