Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактОдиночные стабилитроны(43788)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Прекращение действия | Технология | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Текущий рейтинг | Диаметр | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Материал | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | Импеданс | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Код HTS | мощность | Толерантность | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Полярность | Без галогенов | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Базовый номер детали | Количество контактов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Максимальный переход температуры (Tj) | Код JESD-30 | Прямой ток | Прямое напряжение | Максимальный обратный ток утечки | Стабильное напряжение | Рабочее напряжение | Конфигурация | Соединение корпуса | Тестовый ток | Напряжение проба | Мощность - Макс. | Материал диодного элемента | Рассеиваемая мощность-Макс. | Защита от ЭСР | Пиковый обратный ток | Обратное напряжение | Опорное напряжение | Напряжение Тол-Макс | Рабочий тестовый ток | Тип диода | Допуск по напряжению | Ток Зенера | Динамический импеданс-Макс. | Импеданс-Макс | Ток – обратная утечка @ Vr | Напряжение – вперед (Vf) (Макс) @ If | Напряжение - Стабилитрон (Ном) (Вз) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| ММБЗ5231БЛТ1Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°К~150°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | /files/onsemiconductor-mmbz5238blt1g-datasheets-0784.pdf | 5,1 В | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 3,0226 мм | 1,1176 мм | 1397 мм | Без свинца | Пластик | 3 | 4 недели | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | 17Ом | EAR99 | Олово | Нет | 8541.10.00.50 | 225 МВт | ±5% | е3 | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | ДА | 225 МВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | ММБЗ5231Б | 3 | Одинокий | 40 | 300мВт | 1 | Диоды опорного напряжения | 900 мВ | 5 мкА | 5,1 В | 5,1 В | 20 мА | 5,36 В | Да | 5 мкА | 5,1 В | стабилитрон | 5% | 10 мА | 17Ом | 5 мкА при 2 В | 900 мВ при 10 мА | |||||||||||||||||||||||||||
| BZX84C24LT1G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°С~150°С ТДж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | /files/onsemiconductor-szbzx84b5v1lt1g-datasheets-2193.pdf | 24В | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 3,0226 мм | 1,1176 мм | 1397 мм | Без свинца | Пластик | 3 | 5 недель | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (Последнее обновление: 5 дней назад) | да | 70Ом | EAR99 | УЛ ПРИЗНАЛ | Нет | 8541.10.00.50 | 225 МВт | ±6% | е3 | Олово (Вс) | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | Без галогенов | ДА | 225 МВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | BZX84C24 | 3 | Одинокий | 40 | 300мВт | 1 | Диоды опорного напряжения | 900 мВ | 50нА | 24В | 24В | 5мА | 50нА | 24В | 5,79% | стабилитрон | 6% | 10 мА | 70Ом | 50 нА при 16,8 В | 900 мВ при 10 мА | ||||||||||||||||||||||||||
| BZX84C16LT1G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°С~150°С ТДж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | /files/onsemiconductor-szbzx84b5v1lt1g-datasheets-2193.pdf | 16 В | 10А | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 2,9 мм | 940 мкм | 1,3 мм | Без свинца | Пластик | 3 | 4 недели | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (Последнее обновление: 5 дней назад) | да | 40Ом | EAR99 | УЛ ПРИЗНАЛ | Олово | Нет | 8541.10.00.50 | 225 МВт | ±6% | е3 | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | Без галогенов | ДА | 225 МВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | BZX84C16 | 3 | Одинокий | 40 | 300мВт | 1 | Диоды опорного напряжения | 900 мВ | 50нА | 16 В | 16 В | 5мА | Да | 50нА | 16 В | 5,56% | стабилитрон | 6% | 10 мА | 40Ом | 50 нА при 11,2 В | 900 мВ при 10 мА | ||||||||||||||||||||||||
| BZX84C2V4LT1G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°С~150°С ТДж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | /files/onsemiconductor-szbzx84b5v1lt1g-datasheets-2193.pdf | 2,4 В | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 2,9 мм | 940 мкм | 1,3 мм | Без свинца | Пластик | 3 | 4 недели | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 6 дней назад) | да | 100Ом | EAR99 | УЛ ПРИЗНАЛ | Олово | Нет | 8541.10.00.50 | 225 МВт | ±8% | е3 | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | Без галогенов | ДА | 225 МВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | BZX84C2V4 | 3 | Одинокий | 40 | 300мВт | 1 | Диоды опорного напряжения | 900 мВ | 50 мкА | 2,4 В | 2,4 В | 5мА | 2,6 В | 250 мВт | Да | 50 мкА | 2,4 В | стабилитрон | 8% | 10 мА | 100Ом | 50 мкА при 1 В | 900 мВ при 10 мА | ||||||||||||||||||||||||
| ММБЗ5223БЛТ1Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°К~150°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/onsemiconductor-mmbz5238blt1g-datasheets-0784.pdf | 2,7 В | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 3,04 мм | 1,01 мм | 1,4 мм | Без свинца | Пластик | 3 | 5 недель | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) | да | 30Ом | EAR99 | Нет | 8541.10.00.50 | 225 МВт | ±5% | е3 | Олово (Вс) | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | ДА | 300мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | ММБЗ5223Б | 3 | Одинокий | 40 | 300мВт | 1 | Диоды опорного напряжения | 900 мВ | 75 мкА | 2,7 В | 2,7 В | 20 мА | 75 мкА | 2,7 В | 5,19% | стабилитрон | 5% | 10 мА | 30Ом | 75 мкА при 1 В | 900 мВ при 10 мА | |||||||||||||||||||||||||||||
| ММБЗ5237БЛТ1Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -65°К~150°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | СМД/СМТ | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | /files/onsemiconductor-mmbz5238blt1g-datasheets-0784.pdf | 8,2 В | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 3,04 мм | 1,01 мм | 1,4 мм | Без свинца | Пластик | 3 | 4 недели | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 1 день назад) | да | 8Ом | EAR99 | Олово | Нет | 8541.10.00.50 | 225 МВт | ±5% | е3 | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | 225 МВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | ММБЗ5237Б | 3 | Одинокий | 40 | 300мВт | 1 | Диоды опорного напряжения | 900 мВ | 3 мкА | 8,2 В | 8,2 В | 20 мА | 8,61 В | Да | 3 мкА | 8,2 В | 5% | стабилитрон | 5% | 10 мА | 8Ом | 3 мкА при 6,5 В | 900 мВ при 10 мА | |||||||||||||||||||||||||
| BZX84C5V6LT1G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°С~150°С ТДж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | /files/onsemiconductor-szbzx84b5v1lt1g-datasheets-2193.pdf | 5,6 В | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 2,9 мм | 940 мкм | 1,3 мм | Без свинца | Пластик | 3 | 4 недели | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 12 часов назад) | да | 40Ом | EAR99 | УЛ ПРИЗНАЛ | Олово | Нет | 8541.10.00.50 | 225 МВт | ±7% | е3 | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | ДА | 225 МВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | BZX84C5V6 | 3 | Одинокий | 40 | 300мВт | 1 | Диоды опорного напряжения | 900 мВ | 1 мкА | 5,6 В | 5,6 В | 5мА | 6В | Да | 1 мкА | 5,6 В | 7,14% | стабилитрон | 7% | 10 мА | 40Ом | 1 мкА при 2 В | 900 мВ при 10 мА | |||||||||||||||||||||||||
| BZX84C13LT1G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°С~150°С ТДж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | /files/onsemiconductor-szbzx84b5v1lt1g-datasheets-2193.pdf | 13В | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 3,04 мм | 1,01 мм | 1,4 мм | Без свинца | Пластик | 3 | 5 недель | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 6 дней назад) | да | 30Ом | EAR99 | УЛ ПРИЗНАЛ | Олово | Нет | 8541.10.00.50 | 225 МВт | ±6% | е3 | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | Без галогенов | ДА | 225 МВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | BZX84C13 | 3 | Одинокий | 40 | 300мВт | 1 | Диоды опорного напряжения | 900 мВ | 100нА | 13В | 13В | 5мА | Да | 100нА | 13В | 6,42% | стабилитрон | 6% | 10 мА | 30Ом | 100 нА при 8 В | 900 мВ при 10 мА | |||||||||||||||||||||||||
| ММ3З9В1СТ1Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°С~150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/onsemiconductor-szmm3z18vst1g-datasheets-6527.pdf | 9,1 В | СК-76, СОД-323 | 1,8 мм | 1 мм | 1,35 мм | Без свинца | Пластик | 2 | 8 недель | 2 | АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) | да | 15Ом | EAR99 | Нет | 8541.10.00.50 | 200мВт | ±2% | е3 | Олово (Вс) | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | ДА | 200мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | ММ3Z9V1 | 2 | Одинокий | 40 | 200мВт | 1 | Диоды опорного напряжения | 500нА | 9,1 В | 5мА | 300мВт | 9,1 В | стабилитрон | 2% | 10 мА | 15Ом | 500 нА при 6 В | 900 мВ при 10 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| SMBJ5357B-TP | Микрокоммерческие компоненты (MCC) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°К~150°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/microcommercialco-smbj5343btp-datasheets-9456.pdf | ДО-214АА, СМБ | 2 | 12 недель | да | EAR99 | не_совместимо | 8541.10.00.50 | ±5% | е3 | Матовый олово (Sn) | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | ДА | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | SMBJ5357 | 2 | 10 | 1 | Диоды опорного напряжения | Не квалифицированный | Р-ПДСО-С2 | ОДИНОКИЙ | 5 Вт | КРЕМНИЙ | 5 Вт | 20 В | 5% | 65 мА | стабилитрон | 3Ом | 3Ом | 500 нА при 15,2 В | 1,2 В при 1 А | 20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BZX84C10LT1G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°С~150°С ТДж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | /files/onsemiconductor-szbzx84b5v1lt1g-datasheets-2193.pdf | 10 В | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 3,0226 мм | 1,1176 мм | 1397 мм | Без свинца | Пластик | 3 | 4 недели | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | 20Ом | EAR99 | УЛ ПРИЗНАЛ | Олово | Нет | 8541.10.00.50 | 225 МВт | ±6% | е3 | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | Без галогенов | ДА | 225 МВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | BZX84C10 | 3 | Одинокий | 40 | 300мВт | 1 | Диоды опорного напряжения | 900 мВ | 200нА | 10 В | 10 В | 5мА | 10,6 В | Да | 200нА | 10 В | 6% | стабилитрон | 6% | 10 мА | 20Ом | 200 нА при 7 В | 900 мВ при 10 мА | ||||||||||||||||||||||||
| BZX84C7V5LT1G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°С~150°С ТДж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | /files/onsemiconductor-szbzx84b5v1lt1g-datasheets-2193.pdf | 7,5 В | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 2,9 мм | 940 мкм | 1,3 мм | Без свинца | Пластик | 3 | 4 недели | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 1 день назад) | да | 15Ом | EAR99 | УЛ ПРИЗНАЛ | Нет | 8541.10.00.50 | 225 МВт | ±5% | е3 | Олово (Вс) | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | ДА | 225 МВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | BZX84C7V5 | 3 | Одинокий | 40 | 300мВт | 1 | Диоды опорного напряжения | 900 мВ | 1 мкА | 7,5 В | 7,5 В | 5мА | 7,9 В | 1 мкА | 7,5 В | 6,04% | стабилитрон | 6% | 10 мА | 15Ом | 1 мкА при 5 В | 900 мВ при 10 мА | ||||||||||||||||||||||||||
| BZX84C18LT1G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°С~150°С ТДж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | /files/onsemiconductor-szbzx84b5v1lt1g-datasheets-2193.pdf | 18В | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 2,9 мм | 940 мкм | 1,3 мм | Без свинца | Пластик | 3 | 4 недели | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 1 день назад) | да | 45Ом | EAR99 | УЛ ПРИЗНАЛ | Олово | Нет | 8541.10.00.50 | 225 МВт | ±6% | е3 | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | Без галогенов | ДА | 225 МВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | BZX84C18 | 3 | Одинокий | 40 | 300мВт | 1 | Диоды опорного напряжения | 900 мВ | 50нА | 18В | 18В | 5мА | 19,1 В | Да | 50нА | 18В | 6,41% | стабилитрон | 6% | 10 мА | 45Ом | 50 нА при 12,6 В | 900 мВ при 10 мА | ||||||||||||||||||||||||
| ММ3З6В2СТ1Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°С~150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/onsemiconductor-szmm3z18vst1g-datasheets-6527.pdf | 6,2 В | СК-76, СОД-323 | 1,8 мм | 1 мм | 1,35 мм | Без свинца | Пластик | 2 | 8 недель | Нет СВХК | 2 | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | 10Ом | EAR99 | Олово | Нет | 8541.10.00.50 | 200мВт | ±2% | е3 | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | ДА | 200мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | ММ3З6В2 | 2 | Одинокий | 40 | 200мВт | 1 | Диоды опорного напряжения | 900 мВ | 3 мкА | 6,2 В | 6,2 В | 5мА | 300мВт | Да | 3 мкА | 6,2 В | стабилитрон | 2% | 10 мА | 10Ом | 3 мкА при 4 В | 900 мВ при 10 мА | |||||||||||||||||||||||||||
| BZX84C5V1LT1G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°С~150°С ТДж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | /files/onsemiconductor-szbzx84b5v1lt1g-datasheets-2193.pdf | 5,1 В | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 3,0226 мм | 1,11 мм | 1397 мм | Без свинца | Пластик | 3 | 4 недели | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (Последнее обновление: 4 дня назад) | да | 60Ом | EAR99 | УЛ ПРИЗНАЛ | Олово | Нет | 8541.10.00.50 | 225 МВт | ±6% | е3 | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | Без галогенов | ДА | 225 МВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | BZX84C5V1 | 3 | Одинокий | 40 | 300мВт | 1 | Диоды опорного напряжения | 150°С | 10 мА | 900 мВ | 2мкА | 5,1 В | 5,1 В | 5мА | 5,4 В | Да | 2мкА | 2В | 5,1 В | 5,88% | стабилитрон | 6% | 10 мА | 60Ом | 2 мкА при 2 В | 900 мВ при 10 мА | |||||||||||||||||||||
| BZX84C6V2LT1G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -65°С~150°С ТДж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | СМД/СМТ | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | /files/onsemiconductor-szbzx84b5v1lt1g-datasheets-2193.pdf | 6,2 В | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 2,9 мм | 940 мкм | 1,3 мм | Без свинца | Пластик | 3 | 4 недели | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 6 дней назад) | да | 10Ом | EAR99 | УЛ ПРИЗНАЛ | Олово | Нет | 8541.10.00.50 | 225 МВт | ±6% | е3 | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | 225 МВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | BZX84C6V2 | 3 | Одинокий | 40 | 300мВт | 1 | Диоды опорного напряжения | 900 мВ | 3 мкА | 6,2 В | 6,2 В | 5мА | 6,6 В | Да | 3 мкА | 6,2 В | 6,45% | стабилитрон | 6% | 10 мА | 10Ом | 3 мкА при 4 В | 900 мВ при 10 мА | ||||||||||||||||||||||||
| ММ3З15ВСТ1Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°С~150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/onsemiconductor-szmm3z18vst1g-datasheets-6527.pdf | СК-76, СОД-323 | 1,8 мм | 1 мм | 1,35 мм | Без свинца | 2 | 8 недель | Нет СВХК | 2 | АКТИВНО (Последнее обновление: 4 дня назад) | да | 40Ом | EAR99 | Олово | Нет | 8541.10.00.50 | ±2% | е3 | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | ДА | 200мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | ММ3Z15 | 2 | Одинокий | 40 | 200мВт | 1 | Диоды опорного напряжения | 900 мВ | 100нА | 14,66 В | 14,98 В | 5мА | 300мВт | КРЕМНИЙ | Да | 100нА | 15 В | стабилитрон | 2% | 40Ом | 100 нА при 11 В | 900 мВ при 10 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||
| ММБЗ5232БЛТ1Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°К~150°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | /files/onsemiconductor-mmbz5238blt1g-datasheets-0784.pdf | 5,6 В | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 3,0226 мм | 1,1176 мм | 1397 мм | Без свинца | Пластик | 3 | 4 недели | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (Последнее обновление: 5 дней назад) | да | 11Ом | EAR99 | Олово | Нет | 8541.10.00.50 | 225 МВт | ±5% | е3 | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | ДА | 300мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | ММБЗ5232Б | 3 | Одинокий | 40 | 300мВт | 1 | Диоды опорного напряжения | 900 мВ | 5 мкА | 5,6 В | 5,6 В | 20 мА | 5,88 В | Да | 5 мкА | 5,6 В | 5% | стабилитрон | 5% | 10 мА | 11Ом | 5 мкА при 3 В | 900 мВ при 10 мА | ||||||||||||||||||||||||||
| PDZ12BGWJ | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, PDZ-GW | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/nexperiausainc-pdz51bgwj-datasheets-3799.pdf | СОД-123 | 4 недели | ±2,08% | 365 МВт | стабилитрон | 10Ом | 100 нА при 9 В | 1,1 В при 100 мА | 12 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1Н5239БТР | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°К~200°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/onsemiconductor-1n5230b-datasheets-9363.pdf&product=onsemiconductor-1n5239btr-5114709 | 9,1 В | 1,91 мм | ДО-204АХ, ДО-35, осевой | 4,56 мм | 1,91 мм | 1,91 мм | Без свинца | 2 | 18 недель | 80г | Нет СВХК | 2 | АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) | да | 10Ом | EAR99 | Олово | 8541.10.00.50 | 500мВт | ±5% | е3 | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | 500мВт | ПРОВОЛОКА | 1N5239 | Одинокий | 500мВт | 1 | Диоды опорного напряжения | 1,2 В | 3 мкА | 9,1 В | 9,1 В | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | 20 мА | КРЕМНИЙ | Нет | 3 мкА | 9,1 В | 5% | стабилитрон | 5% | 20 мА | 10Ом | 3 мкА при 7 В | 1,2 В при 200 мА | |||||||||||||||||||||||||||||
| BZX84C15LT3G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°С~150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | /files/onsemiconductor-szbzx84b5v1lt1g-datasheets-2193.pdf | 15 В | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 3,0226 мм | 1,1176 мм | 1397 мм | Без свинца | 3 | 5 недель | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | 30Ом | EAR99 | УЛ ПРИЗНАЛ | Нет | 8541.10.00.50 | 225 МВт | ±6% | е3 | Олово (Вс) | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | Без галогенов | ДА | 300мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | BZX84C15 | 3 | Одинокий | 40 | 300мВт | 1 | Диоды опорного напряжения | 900 мВ | 50нА | 15 В | 15 В | 5мА | КРЕМНИЙ | 50нА | 15 В | 4,98% | стабилитрон | 6% | 10 мА | 30Ом | 50 нА при 10,5 В | 900 мВ при 10 мА | |||||||||||||||||||||||||||
| 1Н5233БТР | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°К~200°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/onsemiconductor-1n5230b-datasheets-9363.pdf&product=onsemiconductor-1n5233btr-5114715 | 6В | 1,91 мм | ДО-204АХ, ДО-35, осевой | 4,56 мм | Без свинца | 2 | 18 недель | 80г | Нет СВХК | 2 | АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) | да | 7Ом | EAR99 | Олово | 8541.10.00.50 | 500мВт | ±5% | е3 | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | 500мВт | ПРОВОЛОКА | 1N5233 | Одинокий | 500мВт | 1 | Диоды опорного напряжения | 1,2 В | 5 мкА | 6В | 6В | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | 20 мА | КРЕМНИЙ | Нет | 5 мкА | 6В | 5% | стабилитрон | 5% | 20 мА | 7Ом | 5 мкА при 3,5 В | 1,2 В при 200 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||
| BZX84C12LT1G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°С~150°С ТДж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | 2007 год | /files/onsemiconductor-szbzx84b5v1lt1g-datasheets-2193.pdf&product=onsemiconductor-bzx84c12lt1g-5114716 | 12 В | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 2,9 мм | 940 мкм | 1,3 мм | Без свинца | Пластик | 3 | 4 недели | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) | да | 25 Ом | EAR99 | УЛ ПРИЗНАЛ | Олово | Нет | 8541.10.00.50 | 225 МВт | ±5% | е3 | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | Без галогенов | ДА | 225 МВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | BZX84C12 | 3 | Одинокий | 40 | 300мВт | 1 | Диоды опорного напряжения | 900 мВ | 100нА | 12 В | 12 В | 5мА | 12,7 В | 250 мВт | Да | 100нА | 12 В | стабилитрон | 5% | 10 мА | 25 Ом | 100 нА при 8 В | 900 мВ при 10 мА | ||||||||||||||||||||||||
| ММ3З4В7СТ1Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°С~150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/onsemiconductor-szmm3z18vst1g-datasheets-6527.pdf | 4,7 В | СК-76, СОД-323 | 1,8 мм | 1 мм | 1,35 мм | Без свинца | Пластик | 2 | 8 недель | Нет СВХК | 2 | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | 80Ом | EAR99 | Олово | Нет | 8541.10.00.50 | 200мВт | ±2% | е3 | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | ДА | 200мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | ММ3Z4V7 | 2 | Одинокий | 40 | 200мВт | 1 | Диоды опорного напряжения | 900 мВ | 3 мкА | 4,7 В | 4,7 В | 5мА | 300мВт | Да | 3 мкА | 4,7 В | стабилитрон | 2% | 80Ом | 3 мкА при 2 В | 900 мВ при 10 мА | ||||||||||||||||||||||||||||
| BZX84C27LT1G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°С~150°С ТДж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/onsemiconductor-szbzx84b5v1lt1g-datasheets-2193.pdf | 27В | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 2,9 мм | 940 мкм | 1,3 мм | Без свинца | Пластик | 3 | 4 недели | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (Последнее обновление: 5 дней назад) | да | 80Ом | EAR99 | УЛ ПРИЗНАЛ | Нет | 8541.10.00.50 | 225 МВт | ±7% | е3 | Олово (Вс) | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | Без галогенов | ДА | 225 МВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | BZX84C27 | 3 | Одинокий | 40 | 300мВт | 1 | Диоды опорного напряжения | 900 мВ | 50нА | 27В | 27В | 2мА | 50нА | 27В | стабилитрон | 7% | 10 мА | 80Ом | 50 нА при 18,9 В | 900 мВ при 10 мА | |||||||||||||||||||||||||||
| ММ3З5В1СТ1Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°С~150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | /files/onsemiconductor-szmm3z18vst1g-datasheets-6527.pdf | 5,1 В | СК-76, СОД-323 | 1,8 мм | 1 мм | 1,35 мм | Без свинца | Пластик | 2 | 8 недель | Нет СВХК | 2 | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | 60Ом | EAR99 | Олово | Нет | 8541.10.00.50 | 200мВт | ±2% | е3 | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | ДА | 200мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | ММ3З5В1 | 2 | Одинокий | 40 | 200мВт | 1 | Диоды опорного напряжения | 900 мВ | 2мкА | 5,09 В | 5,1 В | 5мА | 300мВт | Да | 2мкА | 5,1 В | стабилитрон | 2% | 10 мА | 60Ом | 2 мкА при 2 В | 900 мВ при 10 мА | |||||||||||||||||||||||||||
| BZX84C9V1LT1G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°С~150°С ТДж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | 2001 г. | /files/onsemiconductor-szbzx84b5v1lt1g-datasheets-2193.pdf | 9,1 В | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 2,9 мм | 940 мкм | 1,3 мм | Без свинца | Пластик | 3 | 4 недели | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 1 день назад) | да | 15Ом | EAR99 | УЛ ПРИЗНАЛ | Олово | Нет | 8541.10.00.50 | 225 МВт | ±5% | е3 | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | ДА | 225 МВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | BZX84C9V1 | 3 | Одинокий | 40 | 300мВт | 1 | Диоды опорного напряжения | 900 мВ | 500нА | 9,1 В | 9,1 В | 5мА | Да | 500нА | 9,1 В | 6,08% | стабилитрон | 6% | 10 мА | 15Ом | 500 нА при 6 В | 900 мВ при 10 мА | ||||||||||||||||||||||||||
| BZX84C2V7LT1G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°С~150°С ТДж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | /files/onsemiconductor-szbzx84b5v1lt1g-datasheets-2193.pdf | 2,7 В | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 2,9 мм | 940 мкм | 1,3 мм | Без свинца | Пластик | 3 | 5 недель | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 18 часов назад) | да | 100Ом | EAR99 | УЛ ПРИЗНАЛ | Олово | Нет | 8541.10.00.50 | 225 МВт | ±7% | е3 | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | Без галогенов | ДА | 225 МВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | BZX84C2V7 | 3 | Одинокий | 40 | 300мВт | 1 | Диоды опорного напряжения | 900 мВ | 20 мкА | 2,7 В | 2,7 В | 5мА | 2,9 В | Да | 20 мкА | 2,7 В | 7,41% | стабилитрон | 7% | 10 мА | 100Ом | 20 мкА при 1 В | 900 мВ при 10 мА | ||||||||||||||||||||||||
| 1Н5236БТР | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°К~200°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/onsemiconductor-1n5230b-datasheets-9363.pdf&product=onsemiconductor-1n5236btr-5114696 | 7,5 В | 1,91 мм | ДО-204АХ, ДО-35, осевой | 4,56 мм | 6,35 мм | 6,35 мм | Без свинца | 2 | 18 недель | 80г | Нет СВХК | 2 | АКТИВНО (последнее обновление: 17 часов назад) | да | 6Ом | EAR99 | Олово | 8541.10.00.50 | 500мВт | ±5% | е3 | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | 500мВт | ПРОВОЛОКА | 1N5236 | Одинокий | 500мВт | 1 | Диоды опорного напряжения | 1,2 В | 3 мкА | 7,5 В | 7,5 В | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | 20 мА | КРЕМНИЙ | Нет | 3 мкА | 7,5 В | 5% | стабилитрон | 5% | 20 мА | 6Ом | 3 мкА при 6 В | 1,2 В при 200 мА | |||||||||||||||||||||||||||||
| 1Н5242БТР | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°К~200°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | /files/onsemiconductor-1n5230b-datasheets-9363.pdf&product=onsemiconductor-1n5242btr-5114699 | 12 В | 1,91 мм | ДО-204АХ, ДО-35, осевой | 4,56 мм | 6,35 мм | 6,35 мм | Без свинца | 2 | 18 недель | 80г | Нет СВХК | 2 | АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) | да | 30Ом | EAR99 | Олово | 8541.10.00.50 | 500мВт | ±5% | е3 | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | 500мВт | ПРОВОЛОКА | 1N5242 | Одинокий | 500мВт | 1 | Диоды опорного напряжения | 1,2 В | 100нА | 12 В | 12 В | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | 20 мА | КРЕМНИЙ | Нет | 1 мкА | 12 В | 5% | стабилитрон | 5% | 20 мА | 30Ом | 1 мкА при 9,1 В | 1,2 В при 200 мА |
