Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 155 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 185 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 186 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 147 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 150 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 185 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 186 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 147 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31
Zener Single Diodes - Электронные компоненты Sourcing - Лучший электронный компонентный агент - ICGNT
Срэйват Ибрагейн Сознание Проиджодель ЦEnы (DOLLARR) Колист Вер (К.) Raзmer (lxwxh) Статус Управый МОНТАНАНГИП Rraboч -yemperatura Упако Вернояж Весели Тела Статус Ройс Опуликовано Техниль На Это Деликат PakeT / KORPUES Делина Вес Шyrina СОУДНО ПРИОН MATERIAL Колист Верна - МАССА DOSTIчH SVHC Колист Статус жIзnennogogo цikla PBFREE CODE Ипер КОД ECCN Доленитейн Ая Конец Rradiaцyonnoe wyproчneneenee DOSTISHOCHODA SOOTWOTSTVIN HTS -KOD Rerйtingepeatania Терпимость КОД JESD-609 ТЕРМИНАЛЕН Полаяня БЕЗОПАСНЫЙ Пефер МАКСИМАЛЕВАЯ Терминала Терминаланая Пико -Аймперратара Я Поседл Коунфигуразия Wremaping@pikovoйtemperaturu (я) R. Колист Подкейгория Кваликакахионн Статус МАКСИМАЛАНА ТЕМПЕРАТУРА КОД JESD-30 Vpreged Верна МАКС Зенер на Rrabose anprayoneee Коунфигура Слюна Тест Пело Синла - МАКС Диднн Power Dissipation-Max Зaщita OSD ПИКЕКАНЕТНА Ох Sprawoчnoe hanpryaeneee На naprayeseee tol-max Рубоидж Тёст Дип ТОЛЕРАНТНЯСК Зenertoc Динамискильский Ипер Ток - Обратна тебе На На
BZX84C24LT1G BZX84C24LT1G На то, чтобы
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер -65 ° C ~ 150 ° C TJ Веса 1 (neograniчennnый) Zener Rohs3 2005 /files/onsemoronductor-szbzx84b5v1lt1g-datasheets-2193.pdf 24 Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 30226 ММ 1.1176 ММ 1397 мм СОУДНО ПРИОН Пластик 3 5 nedely НЕТ SVHC 3 Активна (Постенни в Обновен: 5 дней назад) в дар 70 м Ear99 Уль Прринанана Не 8541.10.00.50 225 м ± 6% E3 Олово (sn) ОДНОАНАПРАВЛЕННА БЕЗОПАСНЫЙ В дар 225 м Дон Крхлоп 260 BZX84C24 3 Одинокий 40 300 м 1 Спр 900 м 50NA 24 24 5 май 50NA 24 5,79% Zenereode 6% 10 май 70 м 50na @ 16,8 900 мВ @ 10ma
BZX84C16LT1G BZX84C16LT1G На то, чтобы
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер -65 ° C ~ 150 ° C TJ Веса 1 (neograniчennnый) Zener Rohs3 2005 /files/onsemoronductor-szbzx84b5v1lt1g-datasheets-2193.pdf 16 10 часов Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 2,9 мм 940 мкм 1,3 мм СОУДНО ПРИОН Пластик 3 4 neDe НЕТ SVHC 3 Активна (Постенни в Обновен: 5 дней назад) в дар 40 ч Ear99 Уль Прринанана Оло Не 8541.10.00.50 225 м ± 6% E3 ОДНОАНАПРАВЛЕННА БЕЗОПАСНЫЙ В дар 225 м Дон Крхлоп 260 BZX84C16 3 Одинокий 40 300 м 1 Спр 900 м 50NA 16 16 5 май В дар 50NA 16 5,56% Zenereode 6% 10 май 40 ч 50NA @ 11.2V 900 мВ @ 10ma
BZX84C2V4LT1G BZX84C2V4LT1G На то, чтобы
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер -65 ° C ~ 150 ° C TJ Веса 1 (neograniчennnый) Zener Rohs3 2005 /files/onsemoronductor-szbzx84b5v1lt1g-datasheets-2193.pdf 2,4 В. Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 2,9 мм 940 мкм 1,3 мм СОУДНО ПРИОН Пластик 3 4 neDe НЕТ SVHC 3 Активна (Постенни в в дар 100ohm Ear99 Уль Прринанана Оло Не 8541.10.00.50 225 м ± 8% E3 ОДНОАНАПРАВЛЕННА БЕЗОПАСНЫЙ В дар 225 м Дон Крхлоп 260 BZX84C2V4 3 Одинокий 40 300 м 1 Спр 900 м 50 мк 2,4 В. 2,4 В. 5 май 2,6 В. 250 м В дар 50 мк 2,4 В. Zenereode 8% 10 май 100ohm 50 мк @ 1V 900 мВ @ 10ma
MMBZ5246BLT1G MMBZ5246BLT1G На то, чтобы
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер -65 ° С ~ 150 ° С. Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) Zener Rohs3 2005 /files/onsemyonductor-mmbz5238blt1g-datasheets-0784.pdf 16 Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 2,9 мм 940 мкм 1,3 мм СОУДНО ПРИОН Пластик 3 5 nedely НЕТ SVHC 3 Активна (postednyй obnownen: 10 -й в дар 17ohm Ear99 Оло Не 8541.10.00.50 225 м ± 5% E3 ОДНОАНАПРАВЛЕННА В дар 225 м Дон Крхлоп 260 MMBZ5246B 3 Одинокий 40 300 м 1 Спр 900 м 100NA 16 16 7,8 мая 16,8 В. В дар 100NA 16 5% Zenereode 5% 7,8 мая 17ohm 100na @ 12v 900 мВ @ 10ma
MMBZ5237BLT1G MMBZ5237BLT1G На то, чтобы
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер Пефер -65 ° С ~ 150 ° С. Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) SMD/SMT Zener Rohs3 2005 /files/onsemyonductor-mmbz5238blt1g-datasheets-0784.pdf 8,2 В. Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 3,04 мм 1,01 мм 1,4 мм СОУДНО ПРИОН Пластик 3 4 neDe НЕТ SVHC 3 Активна (Постенни в Обновен: 1 декабря в дар 8ohm Ear99 Оло Не 8541.10.00.50 225 м ± 5% E3 ОДНОАНАПРАВЛЕННА 225 м Дон Крхлоп 260 MMBZ5237B 3 Одинокий 40 300 м 1 Спр 900 м 3 мка 8,2 В. 8,2 В. 20 май 8,61 В. В дар 3 мка 8,2 В. 5% Zenereode 5% 10 май 8ohm 3 мка 4,5 900 мВ @ 10ma
BZX84C5V6LT1G Bzx84c5v6lt1g На то, чтобы
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер -65 ° C ~ 150 ° C TJ Веса 1 (neograniчennnый) Zener Rohs3 2005 /files/onsemoronductor-szbzx84b5v1lt1g-datasheets-2193.pdf 5,6 В. Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 2,9 мм 940 мкм 1,3 мм СОУДНО ПРИОН Пластик 3 4 neDe НЕТ SVHC 3 Активна (postedonniй obnownen: 12 -й в дар 40 ч Ear99 Уль Прринанана Оло Не 8541.10.00.50 225 м ± 7% E3 ОДНОАНАПРАВЛЕННА В дар 225 м Дон Крхлоп 260 BZX84C5V6 3 Одинокий 40 300 м 1 Спр 900 м 1 Млокс 5,6 В. 5,6 В. 5 май В дар 1 Млокс 5,6 В. 7,14% Zenereode 7% 10 май 40 ч 1 ония @ 2v 900 мВ @ 10ma
BZX84C13LT1G BZX84C13LT1G На то, чтобы
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер -65 ° C ~ 150 ° C TJ Веса 1 (neograniчennnый) Zener Rohs3 2005 /files/onsemoronductor-szbzx84b5v1lt1g-datasheets-2193.pdf 13 Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 3,04 мм 1,01 мм 1,4 мм СОУДНО ПРИОН Пластик 3 5 nedely НЕТ SVHC 3 Активна (Постенни в в дар 30 От Ear99 Уль Прринанана Оло Не 8541.10.00.50 225 м ± 6% E3 ОДНОАНАПРАВЛЕННА БЕЗОПАСНЫЙ В дар 225 м Дон Крхлоп 260 BZX84C13 3 Одинокий 40 300 м 1 Спр 900 м 100NA 13 13 5 май В дар 100NA 13 6,42% Zenereode 6% 10 май 30 От 100NA @ 8V 900 мВ @ 10ma
MM3Z9V1ST1G MM3Z9V1ST1G На то, чтобы
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер -65 ° C ~ 150 ° C TJ Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) Zener Rohs3 2008 /files/onsemoronductor-szmm3z18vst1g-datasheets-6527.pdf 9.1V SC-76, SOD-323 1,8 ММ 1 ММ 1,35 мм СОУДНО ПРИОН Пластик 2 8 2 Актифен (Постэдни в Обновен: 3 дня назад) в дар 15ohm Ear99 Не 8541.10.00.50 200 м ± 2% E3 Олово (sn) ОДНОАНАПРАВЛЕННА В дар 200 м Дон Крхлоп 260 MM3Z9V1 2 Одинокий 40 200 м 1 Спр 500NA 9.1V 5 май 300 м 9.1V Zenereode 2% 10 май 15ohm 500NA @ 6V 900 мВ @ 10ma
SMBJ5357B-TP SMBJ5357B-TP МИКРОКОМЕРЕСКИЕ КОМПОНЕННТ (MCC)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер -55 ° C ~ 150 ° С. Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) Zener Rohs3 2008 /files/microcommercialco-smbj5343btp-datasheets-9456.pdf DO-214AA, SMB 2 12 в дар Ear99 not_compliant 8541.10.00.50 ± 5% E3 MATOWAN ONOUVA (SN) ОДНОАНАПРАВЛЕННА В дар Дон C Bend 260 SMBJ5357 2 10 1 Спр Н.Квалиирована R-PDSO-C2 Одинокий 5 Вт Кремни 5 Вт 20 5% 65 май Zenereode 3 О 3 О 500NA @ 15.2V 1,2 - @ 1a 20
BZX84C10LT1G BZX84C10LT1G На то, чтобы
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер -65 ° C ~ 150 ° C TJ Веса 1 (neograniчennnый) Zener Rohs3 2005 /files/onsemoronductor-szbzx84b5v1lt1g-datasheets-2193.pdf 10 В Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 30226 ММ 1.1176 ММ 1397 мм СОУДНО ПРИОН Пластик 3 4 neDe НЕТ SVHC 3 Активна (Постенни в Обновен: 2 дня назад) в дар 20:00 Ear99 Уль Прринанана Оло Не 8541.10.00.50 225 м ± 6% E3 ОДНОАНАПРАВЛЕННА БЕЗОПАСНЫЙ В дар 225 м Дон Крхлоп 260 BZX84C10 3 Одинокий 40 300 м 1 Спр 900 м 200NA 10 В 10 В 5 май 10,6 В. В дар 200NA 10 В 6% Zenereode 6% 10 май 20:00 200NA @ 7V 900 мВ @ 10ma
BZX84C7V5LT1G Bzx84c7v5lt1g На то, чтобы
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер -65 ° C ~ 150 ° C TJ Веса 1 (neograniчennnый) Zener Rohs3 2005 /files/onsemoronductor-szbzx84b5v1lt1g-datasheets-2193.pdf 7,5 В. Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 2,9 мм 940 мкм 1,3 мм СОУДНО ПРИОН Пластик 3 4 neDe НЕТ SVHC 3 Активна (Постенни в Обновен: 1 декабря в дар 15ohm Ear99 Уль Прринанана Не 8541.10.00.50 225 м ± 5% E3 Олово (sn) ОДНОАНАПРАВЛЕННА В дар 225 м Дон Крхлоп 260 BZX84C7V5 3 Одинокий 40 300 м 1 Спр 900 м 1 Млокс 7,5 В. 7,5 В. 5 май 7,9 В. 1 Млокс 7,5 В. 6,04% Zenereode 6% 10 май 15ohm 1 ония @ 5V 900 мВ @ 10ma
BZX84C18LT1G BZX84C18LT1G На то, чтобы
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер -65 ° C ~ 150 ° C TJ Веса 1 (neograniчennnый) Zener Rohs3 2005 /files/onsemoronductor-szbzx84b5v1lt1g-datasheets-2193.pdf 18В Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 2,9 мм 940 мкм 1,3 мм СОУДНО ПРИОН Пластик 3 4 neDe НЕТ SVHC 3 Активна (Постенни в Обновен: 1 декабря в дар 45ohm Ear99 Уль Прринанана Оло Не 8541.10.00.50 225 м ± 6% E3 ОДНОАНАПРАВЛЕННА БЕЗОПАСНЫЙ В дар 225 м Дон Крхлоп 260 BZX84C18 3 Одинокий 40 300 м 1 Спр 900 м 50NA 18В 18В 5 май 19.1v В дар 50NA 18В 6,41% Zenereode 6% 10 май 45ohm 50na @ 12,6 n. 900 мВ @ 10ma
MM3Z6V2ST1G MM3Z6V2ST1G На то, чтобы
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер -65 ° C ~ 150 ° C TJ Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) Zener Rohs3 2008 /files/onsemoronductor-szmm3z18vst1g-datasheets-6527.pdf 6,2 В. SC-76, SOD-323 1,8 ММ 1 ММ 1,35 мм СОУДНО ПРИОН Пластик 2 8 НЕТ SVHC 2 Активна (Постенни в Обновен: 2 дня назад) в дар 10ohm Ear99 Оло Не 8541.10.00.50 200 м ± 2% E3 ОДНОАНАПРАВЛЕННА В дар 200 м Дон Крхлоп 260 MM3Z6V2 2 Одинокий 40 200 м 1 Спр 900 м 3 мка 6,2 В. 6,2 В. 5 май 300 м В дар 3 мка 6,2 В. Zenereode 2% 10 май 10ohm 3 мка @ 4V 900 мВ @ 10ma
BZX84C5V1LT1G Bzx84c5v1lt1g На то, чтобы
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер -65 ° C ~ 150 ° C TJ Веса 1 (neograniчennnый) Zener Rohs3 2005 /files/onsemoronductor-szbzx84b5v1lt1g-datasheets-2193.pdf 5,1 В. Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 30226 ММ 11,11 мм 1397 мм СОУДНО ПРИОН Пластик 3 4 neDe НЕТ SVHC 3 Активн (Постенни в Обновен: 4 дня назад) в дар 60om Ear99 Уль Прринанана Оло Не 8541.10.00.50 225 м ± 6% E3 ОДНОАНАПРАВЛЕННА БЕЗОПАСНЫЙ В дар 225 м Дон Крхлоп 260 BZX84C5V1 3 Одинокий 40 300 м 1 Спр 150 ° С 10 май 900 м 2 мкс 5,1 В. 5,1 В. 5 май 5,4 В. В дар 2 мкс 5,1 В. 5,88% Zenereode 6% 10 май 60om 2 мка @ 2v 900 мВ @ 10ma
BZX84C6V2LT1G Bzx84c6v2lt1g На то, чтобы
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер Пефер -65 ° C ~ 150 ° C TJ Веса 1 (neograniчennnый) SMD/SMT Zener Rohs3 2005 /files/onsemoronductor-szbzx84b5v1lt1g-datasheets-2193.pdf 6,2 В. Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 2,9 мм 940 мкм 1,3 мм СОУДНО ПРИОН Пластик 3 4 neDe НЕТ SVHC 3 Активна (Постенни в в дар 10ohm Ear99 Уль Прринанана Оло Не 8541.10.00.50 225 м ± 6% E3 ОДНОАНАПРАВЛЕННА 225 м Дон Крхлоп 260 Bzx84c6v2 3 Одинокий 40 300 м 1 Спр 900 м 3 мка 6,2 В. 6,2 В. 5 май 6,6 В. В дар 3 мка 6,2 В. 6,45% Zenereode 6% 10 май 10ohm 3 мка @ 4V 900 мВ @ 10ma
MM3Z15VST1G MM3Z15VST1G На то, чтобы
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер -65 ° C ~ 150 ° C TJ Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) Zener Rohs3 2008 /files/onsemoronductor-szmm3z18vst1g-datasheets-6527.pdf SC-76, SOD-323 1,8 ММ 1 ММ 1,35 мм СОУДНО ПРИОН 2 8 НЕТ SVHC 2 Активн (Постенни в Обновен: 4 дня назад) в дар 40 ч Ear99 Оло Не 8541.10.00.50 ± 2% E3 ОДНОАНАПРАВЛЕННА В дар 200 м Дон Крхлоп 260 MM3Z15 2 Одинокий 40 200 м 1 Спр 900 м 100NA 14.66v 14.98V 5 май 300 м Кремни В дар 100NA 15 Zenereode 2% 40 ч 100NA @ 11V 900 мВ @ 10ma
MMBZ5232BLT1G MMBZ5232BLT1G На то, чтобы
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер -65 ° С ~ 150 ° С. Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) Zener Rohs3 2005 /files/onsemyonductor-mmbz5238blt1g-datasheets-0784.pdf 5,6 В. Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 30226 ММ 1.1176 ММ 1397 мм СОУДНО ПРИОН Пластик 3 4 neDe НЕТ SVHC 3 Активна (Постенни в Обновен: 5 дней назад) в дар 11 ОМ Ear99 Оло Не 8541.10.00.50 225 м ± 5% E3 ОДНОАНАПРАВЛЕННА В дар 300 м Дон Крхлоп 260 MMBZ5232B 3 Одинокий 40 300 м 1 Спр 900 м 5 Мка 5,6 В. 5,6 В. 20 май 5,88 В. В дар 5 Мка 5,6 В. 5% Zenereode 5% 10 май 11 ОМ 5 мка @ 3V 900 мВ @ 10ma
MMBZ5223BLT1G MMBZ5223BLT1G На то, чтобы
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер -65 ° С ~ 150 ° С. Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) Zener Rohs3 2009 /files/onsemyonductor-mmbz5238blt1g-datasheets-0784.pdf 2,7 В. Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 3,04 мм 1,01 мм 1,4 мм СОУДНО ПРИОН Пластик 3 5 nedely 3 Актифен (Постэдни в Обновен: 3 дня назад) в дар 30 От Ear99 Не 8541.10.00.50 225 м ± 5% E3 Олово (sn) ОДНОАНАПРАВЛЕННА В дар 300 м Дон Крхлоп 260 MMBZ5223B 3 Одинокий 40 300 м 1 Спр 900 м 75 Мка 2,7 В. 2,7 В. 20 май 75 Мка 2,7 В. 5,19% Zenereode 5% 10 май 30 От 75 мка @ 1V 900 мВ @ 10ma
1N5239BTR 1n5239btr На то, чтобы
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Чereз dыru Чereз dыru -65 ° C ~ 200 ° C. Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) Zener Rohs3 2013 /files/onsemyonductor-1n5230b-datasheets-9363.pdf&product=onsemyonductor-1n5239btr-5114709 9.1V 1,91 мм DO-204AH, DO-35, OSEVOй 4,56 мм 1,91 мм 1,91 мм СОУДНО ПРИОН 2 18 80G НЕТ SVHC 2 Актифен (Постэдни в Обновен: 3 дня назад) в дар 10ohm Ear99 Оло 8541.10.00.50 500 м ± 5% E3 ОДНОАНАПРАВЛЕННА 500 м Проволока 1n5239 Одинокий 500 м 1 Спр 1,2 В. 3 мка 9.1V 9.1V Иолирована 20 май Кремни Не 3 мка 9.1V 5% Zenereode 5% 20 май 10ohm 3 мка @ 7V 1,2 - @ 200 Ма
BZX84C15LT3G BZX84C15LT3G На то, чтобы
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер -65 ° C ~ 150 ° C TJ Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) Zener Rohs3 2004 /files/onsemoronductor-szbzx84b5v1lt1g-datasheets-2193.pdf 15 Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 30226 ММ 1.1176 ММ 1397 мм СОУДНО ПРИОН 3 5 nedely 3 Активна (Постенни в Обновен: 2 дня назад) в дар 30 От Ear99 Уль Прринанана Не 8541.10.00.50 225 м ± 6% E3 Олово (sn) ОДНОАНАПРАВЛЕННА БЕЗОПАСНЫЙ В дар 300 м Дон Крхлоп 260 BZX84C15 3 Одинокий 40 300 м 1 Спр 900 м 50NA 15 15 5 май Кремни 50NA 15 4,98% Zenereode 6% 10 май 30 От 50na @ 10,5 900 мВ @ 10ma
1N5233BTR 1n5233btr На то, чтобы
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Чereз dыru Чereз dыru -65 ° C ~ 200 ° C. Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) Zener Rohs3 2016 /files/onsemyonductor-1n5230b-datasheets-9363.pdf&product=onsemyondustor-1n523333btr-5114715 1,91 мм DO-204AH, DO-35, OSEVOй 4,56 мм СОУДНО ПРИОН 2 18 80G НЕТ SVHC 2 Актифен (Постэдни в Обновен: 3 дня назад) в дар 7om Ear99 Оло 8541.10.00.50 500 м ± 5% E3 ОДНОАНАПРАВЛЕННА 500 м Проволока 1n5233 Одинокий 500 м 1 Спр 1,2 В. 5 Мка Иолирована 20 май Кремни Не 5 Мка 5% Zenereode 5% 20 май 7om 5 мка пр. 3,5 n. 1,2 - @ 200 Ма
BZX84C12LT1G BZX84C12LT1G На то, чтобы
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер -65 ° C ~ 150 ° C TJ Веса 1 (neograniчennnый) Zener Rohs3 2007 /files/onsemyonductor-szbzx84b5v1lt1g-datasheets-2193.pdf&product=onsemyonductor-bzx84c12lt1g-5114716 12 Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 2,9 мм 940 мкм 1,3 мм СОУДНО ПРИОН Пластик 3 4 neDe НЕТ SVHC 3 Актифен (Постэдни в Обновен: 3 дня назад) в дар 25 ч Ear99 Уль Прринанана Оло Не 8541.10.00.50 225 м ± 5% E3 ОДНОАНАПРАВЛЕННА БЕЗОПАСНЫЙ В дар 225 м Дон Крхлоп 260 BZX84C12 3 Одинокий 40 300 м 1 Спр 900 м 100NA 12 12 5 май 12.7V 250 м В дар 100NA 12 Zenereode 5% 10 май 25 ч 100NA @ 8V 900 мВ @ 10ma
MM3Z4V7ST1G MM3Z4V7ST1G На то, чтобы
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер -65 ° C ~ 150 ° C TJ Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) Zener Rohs3 2008 /files/onsemoronductor-szmm3z18vst1g-datasheets-6527.pdf 4,7 В. SC-76, SOD-323 1,8 ММ 1 ММ 1,35 мм СОУДНО ПРИОН Пластик 2 8 НЕТ SVHC 2 Активна (Постенни в Обновен: 2 дня назад) в дар 80 ч Ear99 Оло Не 8541.10.00.50 200 м ± 2% E3 ОДНОАНАПРАВЛЕННА В дар 200 м Дон Крхлоп 260 MM3Z4V7 2 Одинокий 40 200 м 1 Спр 900 м 3 мка 4,7 В. 4,7 В. 5 май 300 м В дар 3 мка 4,7 В. Zenereode 2% 80 ч 3 мка @ 2V 900 мВ @ 10ma
BZX84C27LT1G BZX84C27LT1G На то, чтобы
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер -65 ° C ~ 150 ° C TJ Веса 1 (neograniчennnый) Zener Rohs3 2006 /files/onsemoronductor-szbzx84b5v1lt1g-datasheets-2193.pdf 27 Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 2,9 мм 940 мкм 1,3 мм СОУДНО ПРИОН Пластик 3 4 neDe НЕТ SVHC 3 Активна (Постенни в Обновен: 5 дней назад) в дар 80 ч Ear99 Уль Прринанана Не 8541.10.00.50 225 м ± 7% E3 Олово (sn) ОДНОАНАПРАВЛЕННА БЕЗОПАСНЫЙ В дар 225 м Дон Крхлоп 260 BZX84C27 3 Одинокий 40 300 м 1 Спр 900 м 50NA 27 27 2MA 50NA 27 Zenereode 7% 10 май 80 ч 50NA @ 18,9 900 мВ @ 10ma
MM3Z5V1ST1G MM3Z5V1ST1G На то, чтобы
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер -65 ° C ~ 150 ° C TJ Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) Zener Rohs3 2005 /files/onsemoronductor-szmm3z18vst1g-datasheets-6527.pdf 5,1 В. SC-76, SOD-323 1,8 ММ 1 ММ 1,35 мм СОУДНО ПРИОН Пластик 2 8 НЕТ SVHC 2 Активна (Постенни в Обновен: 2 дня назад) в дар 60om Ear99 Оло Не 8541.10.00.50 200 м ± 2% E3 ОДНОАНАПРАВЛЕННА В дар 200 м Дон Крхлоп 260 MM3Z5V1 2 Одинокий 40 200 м 1 Спр 900 м 2 мкс 5,09 В. 5,1 В. 5 май 300 м В дар 2 мкс 5,1 В. Zenereode 2% 10 май 60om 2 мка @ 2v 900 мВ @ 10ma
BZX84C9V1LT1G BZX84C9V1LT1G На то, чтобы
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер -65 ° C ~ 150 ° C TJ Веса 1 (neograniчennnый) Zener Rohs3 2001 /files/onsemoronductor-szbzx84b5v1lt1g-datasheets-2193.pdf 9.1V Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 2,9 мм 940 мкм 1,3 мм СОУДНО ПРИОН Пластик 3 4 neDe НЕТ SVHC 3 Активна (Постенни в Обновен: 1 декабря в дар 15ohm Ear99 Уль Прринанана Оло Не 8541.10.00.50 225 м ± 5% E3 ОДНОАНАПРАВЛЕННА В дар 225 м Дон Крхлоп 260 BZX84C9V1 3 Одинокий 40 300 м 1 Спр 900 м 500NA 9.1V 9.1V 5 май В дар 500NA 9.1V 6,08% Zenereode 6% 10 май 15ohm 500NA @ 6V 900 мВ @ 10ma
BZX84C2V7LT1G BZX84C2V7LT1G На то, чтобы
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер -65 ° C ~ 150 ° C TJ Веса 1 (neograniчennnый) Zener Rohs3 2005 /files/onsemoronductor-szbzx84b5v1lt1g-datasheets-2193.pdf 2,7 В. Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 2,9 мм 940 мкм 1,3 мм СОУДНО ПРИОН Пластик 3 5 nedely НЕТ SVHC 3 Активна (postednyй obnownen: 18 -й в дар 100ohm Ear99 Уль Прринанана Оло Не 8541.10.00.50 225 м ± 7% E3 ОДНОАНАПРАВЛЕННА БЕЗОПАСНЫЙ В дар 225 м Дон Крхлоп 260 BZX84C2V7 3 Одинокий 40 300 м 1 Спр 900 м 20 мк 2,7 В. 2,7 В. 5 май 2,9 В. В дар 20 мк 2,7 В. 7,41% Zenereode 7% 10 май 100ohm 20 мка @ 1V 900 мВ @ 10ma
1N5236BTR 1n5236btr На то, чтобы
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Чereз dыru Чereз dыru -65 ° C ~ 200 ° C. Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) Zener Rohs3 2013 /files/onsemyonductor-1n5230b-datasheets-9363.pdf&product=onsemyonduonduonductor-1n5236btr-5114696 7,5 В. 1,91 мм DO-204AH, DO-35, OSEVOй 4,56 мм 6,35 мм 6,35 мм СОУДНО ПРИОН 2 18 80G НЕТ SVHC 2 Активна (postednyй obnownen: 17 -й в дар 6ohm Ear99 Оло 8541.10.00.50 500 м ± 5% E3 ОДНОАНАПРАВЛЕННА 500 м Проволока 1n5236 Одинокий 500 м 1 Спр 1,2 В. 3 мка 7,5 В. 7,5 В. Иолирована 20 май Кремни Не 3 мка 7,5 В. 5% Zenereode 5% 20 май 6ohm 3 мка @ 6V 1,2 - @ 200 Ма
1N5242BTR 1n5242btr На то, чтобы
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Чereз dыru Чereз dыru -65 ° C ~ 200 ° C. Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) Zener Rohs3 2005 /files/onsemyonductor-1n5230b-datasheets-9363.pdf&product=onsemyondustor-1n5242btr-5114699 12 1,91 мм DO-204AH, DO-35, OSEVOй 4,56 мм 6,35 мм 6,35 мм СОУДНО ПРИОН 2 18 80G НЕТ SVHC 2 Актифен (Постэдни в Обновен: 3 дня назад) в дар 30 От Ear99 Оло 8541.10.00.50 500 м ± 5% E3 ОДНОАНАПРАВЛЕННА 500 м Проволока 1n5242 Одинокий 500 м 1 Спр 1,2 В. 100NA 12 12 Иолирована 20 май Кремни Не 1 Млокс 12 5% Zenereode 5% 20 май 30 От 1 ония @ 9,1 В. 1,2 - @ 200 Ма
1N5240BTR 1n5240btr На то, чтобы
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Чereз dыru Чereз dыru -65 ° C ~ 200 ° C. Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) Zener Rohs3 2013 /files/onsemyonductor-1n5230b-datasheets-9363.pdf&product=onsemyonductor-1n5240btr-5114702 10 В 1,91 мм DO-204AH, DO-35, OSEVOй 4,56 мм 6,35 мм 6,35 мм СОУДНО ПРИОН 2 18 80G НЕТ SVHC 2 Актифен (Постэдни в Обновен: 3 дня назад) в дар 17ohm Ear99 Оло 8541.10.00.50 500 м ± 5% E3 ОДНОАНАПРАВЛЕННА 500 м Проволока 1n5240 Одинокий 500 м 1 Спр 1,2 В. 3 мка 10 В 10 В Иолирована 20 май Кремни Не 3 мка 10 В 5% Zenereode 5% 20 май 17ohm 3 мка @ 8V 1,2 - @ 200 Ма

В наличии

Пожалуйста, отправьте RFQ, мы ответим немедленно.